LED芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

1、修訂記錄日期版次修訂條款修訂內(nèi)容簡(jiǎn)述修訂人編制/日期：審核/日期：批準(zhǔn)/日期：會(huì)簽總經(jīng)辦財(cái)務(wù)中心營(yíng)銷中心市場(chǎng)部研發(fā)資材中心采購(gòu)倉(cāng)庫(kù)體系課項(xiàng)目辦人力資源行政事業(yè)部品保工程設(shè)備處OJT運(yùn)營(yíng)中心照明(SM D)燈線插件COB工程設(shè)備 IE本資料為源1科技有限公司之所有財(cái)產(chǎn),未經(jīng)書(shū)商許可一一不準(zhǔn)透露或使用本資料.亦不準(zhǔn)復(fù)印、復(fù)制或轉(zhuǎn)變成其它形 式使用。1. 目得規(guī)范公司內(nèi)LED正裝芯片檢驗(yàn)判定標(biāo)準(zhǔn)。避免不合格原材料流入產(chǎn)線，捉高生產(chǎn)良率。2. 范圍適用于公司LED正裝芯片類產(chǎn)品3. 定義CR:功能不正常，嚴(yán)重影響信賴性或嚴(yán)重影響成品規(guī)格或嚴(yán)重影響客戶作業(yè)等。MA：成品質(zhì)量有明顯性或潛在性斜影響而不能正

2、常使用。Ml：使用上有定得影響，但不就是功能上得影響。4. 權(quán)責(zé)品保部：品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)得建立、修改、執(zhí)行及相關(guān)品質(zhì)記錄。5. 內(nèi)容5、1抽樣依據(jù)：依照M 1L-STD-1O5E并結(jié)合實(shí)際悄況。5、2必須就是合格供應(yīng)商，承認(rèn)書(shū)與環(huán)保資料齊全，才可進(jìn)行下一步，否則拒絕檢驗(yàn).5、3檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、工具缺陷資料檢査1、型號(hào)、數(shù)量、參數(shù)與 送貨單據(jù)致無(wú)全撿目視 送貨單CR包裝標(biāo)識(shí)1包裝完好，紙盒整齊、芯 片靜電袋、藍(lán)膜完好無(wú)破 損，無(wú)受潮現(xiàn)象2、可使用期限必須在保 質(zhì)期內(nèi)-半及以上無(wú)包裝全檢， 藍(lán)膜抽10 張檢査目視CR外 觀 檢測(cè)電極 變色芯片正負(fù)極氧化變色

3、允收標(biāo)準(zhǔn):不可有10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA電極色差同一片中不同芯片間與 顆芯片正負(fù)電極間顏 色差異大允收標(biāo)準(zhǔn):不可有10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA探針 痕跡電極上探針痕跡不得超 過(guò)電極而積得1/3.不可露 底材.不可偏移超過(guò)電極 范圉10張藍(lán)膜/ 批顯微鏡*20MA檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、工具缺陷切割不良芯片破損、增生、形狀大 小不規(guī)則、裂紋.允收標(biāo)準(zhǔn)：芯片破損（增生）面積W 1/5芯片面積，裂紋不可有。電極刮花芯片農(nóng)而得電極區(qū)域有 刮傷得痕跡 允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū):芯片任-電極刮 傷面積該電極面積得 1/5非電極區(qū):非電極區(qū)刮傷 而積 該芯片而積得1/4 且不可

4、損傷到PN結(jié)。10張藍(lán)膜/批10張藍(lán)膜/ 批顯微鏡吆0MA外 觀 檢測(cè)芯片農(nóng)而臟污芯片衣而有污染痕跡 允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū):污染面積V該電 極而積御1/5非電極區(qū):污染面積 該 芯片而積得1/410張藍(lán)膜/批顯微鏡吆0掉電極1、電極脫落有缺口 允收標(biāo)準(zhǔn)： 不可有2金手指脫落允收標(biāo)準(zhǔn):距離電極1/2 以內(nèi)脫落不可接受排列方向錯(cuò)謀芯片中有扌#（列）或幾扌l(wèi)b （列）與其她多數(shù)材料*F列 方向相反寸W列不整齊10張藍(lán)膜/批10張藍(lán)膜/批檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)抽樣水準(zhǔn)顯微鏡吆0顯微鏡吆0檢驗(yàn)方法、工具CRCR缺陷外 觀 檢測(cè)衣面多金芯片農(nóng)而任何地方有多 出得殘金允收標(biāo)準(zhǔn):不可有不良圖示及說(shuō)明10張藍(lán)膜/批

5、顯微鏡吆0CR外農(nóng)漏洞芯片任何部位有漏洞、燒 黑或其她疑似擊穿現(xiàn)象 允收標(biāo)準(zhǔn):不可有10張藍(lán)膜/批顯微鏡*45CR尺 寸 檢 測(cè)心片尺寸每批抽1OPCS檢驗(yàn)芯片 得長(zhǎng)、寬，及電極正負(fù)極尺 寸就是否在規(guī)格范圍內(nèi)10PCS二次元CRDVF校正過(guò)得廠商芯片每批 抽0、5K測(cè)試 DVRVFM11 與 VFM12 設(shè)置1UA.DVF1設(shè)置為規(guī) 格電流，吋間設(shè)置為5ms. 未校正得廠商芯片暫無(wú) 法測(cè)試。允收標(biāo)準(zhǔn)：-0、 1VDVFO, IV0、5K裸晶測(cè)試儀CR性 能 檢 測(cè)閘流體正向電壓校正過(guò)得廠商芯片每批 進(jìn)料抽0、5K測(cè)試VFD2. 未校正得廠商芯片暫無(wú) 法測(cè)試允收標(biāo)準(zhǔn):電流5mA時(shí) 3V 檔芯片

6、VFD20、O5V 9V 檔芯片 VFD20, IV 18V 檔芯片 VFD2O、15V 校正過(guò)得廠商芯片每批 進(jìn)料抽0、5K測(cè)試;未校 正得廠商芯片每批進(jìn)料 抽10PCS測(cè)試。允收標(biāo)準(zhǔn):標(biāo)簽電壓0、 IV.且平均值在標(biāo)簽范闈 內(nèi)；檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明反向電流波長(zhǎng)校正過(guò)得廠商芯片每批 進(jìn)料抽0、5K測(cè)試;未校 正得廠商芯片每批進(jìn)料 抽10PCS測(cè)試，測(cè)試條件 與判定按規(guī)格書(shū)標(biāo)準(zhǔn)。校正過(guò)得廠商芯片每批 進(jìn)料抽0、5K測(cè)試;未校 正得廠商芯片每批進(jìn)料 抽I0PCS測(cè)試。允收標(biāo)準(zhǔn):標(biāo)簽波長(zhǎng) lnni.且平均值在標(biāo)簽 范圉內(nèi)0、5K/10PCS抽樣水準(zhǔn)0.5K/1O PCS0.5K/1

7、O PCS裸晶測(cè)試儀裸晶測(cè)試儀/積分球/IS機(jī)檢驗(yàn)方法、工具裸晶測(cè)試儀/積分球/IS機(jī)裸晶測(cè)試儀/積分球/IS機(jī)CRCRCRCR亮度檢測(cè)正裝雙電極芯片每批進(jìn) 料抽0、5K測(cè)試PO值 (inh其它類型得芯片暫 無(wú)法測(cè)試允收標(biāo)準(zhǔn):實(shí)測(cè)平均值在 標(biāo)簽范圍內(nèi)最小值不低 于芯片標(biāo)簽下限得5%,且 低于標(biāo)簽下限得數(shù)量占 測(cè)試數(shù)量比例不得超過(guò) 10%.不管控上限。裸晶測(cè)試儀MA靜電檢測(cè)啟動(dòng)電壓每批進(jìn)料抽10PCS用反 向2000V擊打，然后測(cè)試 IR允收標(biāo)準(zhǔn):按承認(rèn)書(shū)標(biāo)準(zhǔn) 判定IR2.通過(guò)率不低于 80%靜電檢測(cè)后御芯片用小 電流再測(cè)試啟動(dòng)電壓;其 中3V檔、6V檔與9V檔 芯片用1UA測(cè)試VF5.18V檔與24V檔芯 片用lOuA測(cè)試VF4 允收標(biāo)準(zhǔn)：3V檔芯片:VF5:22、8V6V檔芯片:VF5:45、5V 9V檔芯片:VF5:68V18V 檔芯片:VF4:1216V 24V 檔芯片:VF4:1621V10PCSIOPCS6、參考文