電子電路基礎知識07711

1、電子電路基礎知識電路基礎知識(一)電路基礎知識（1）電阻 導電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用、K、M表示。 一、電阻的型號命名方法： 國產電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產品的名字。如R表示電阻，W表示電位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。 第三部分：分類，一般用數字表示，個別類型用字母表示，表示產品屬于什么類型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6

2、-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調。 第四部分:序號，用數字表示，表示同類產品中不同品種，以區(qū)分產品的外型尺寸和性能指標等 例如：R T 1 1 型普通碳膜電阻a1 二、電阻器的分類 1、線繞電阻器：通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。 2、薄膜電阻器：碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學沉積膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。 3、實心電阻器：無機合成實心碳質電阻器、有機合成實心碳質電阻器。 4、敏感電阻器：壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻器。 三、主要特性參數 1、

3、標稱阻值：電阻器上面所標示的阻值。 2、允許誤差：標稱阻值與實際阻值的差值跟標稱阻值之比的百分數稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。 允許誤差與精度等級對應關系如下：0.5%-0.05、1%-0.1(或00)、2%-0.2(或0)、5%-級、10%-級、20%-級 3、額定功率：在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為5570的條件下，電阻器長期工作所允許耗散的最大功率。 線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非線繞電阻器額定功率系列為（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、

4、1、2、5、10、25、50、100 4、額定電壓：由阻值和額定功率換算出的電壓。 5、最高工作電壓：允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時，最高工作電壓較低。 6、溫度系數：溫度每變化1所引起的電阻值的相對變化。溫度系數越小，電阻的穩(wěn)定性越好。阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數，反之為負溫度系數。 7、老化系數：電阻器在額定功率長期負荷下，阻值相對變化的百分數，它是表示電阻器壽命長短的參數。 8、電壓系數：在規(guī)定的電壓范圍內，電壓每變化1伏，電阻器的相對變化量。 9、噪聲：產生于電阻器中的一種不規(guī)則的電壓起伏，包括熱噪聲和電流噪聲兩部分，熱噪聲是由于導體內部不規(guī)則的電子自由運動，使導體任意兩

5、點的電壓不規(guī)則變化。 四、電阻器阻值標示方法 1、直標法：用數字和單位符號在電阻器表面標出阻值，其允許誤差直接用百分數表示，若電阻上未注偏差，則均為20%。 2、文字符號法：用阿拉伯數字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，其允許偏差也用文字符號表示。符號前面的數字表示整數阻值，后面的數字依次表示第一位小數阻值和第二位小數阻值。 表示允許誤差的文字符號 文字符號 D F G J K M 允許偏差 0.5% 1% 2% 5% 10% 20% 3、數碼法：在電阻器上用三位數碼表示標稱值的標志方法。數碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指數，即零的個數，單位為歐。偏差通常采用文字符號表示。

6、4、色標法：用不同顏色的帶或點在電阻器表面標出標稱阻值和允許偏差。國外電阻大部分采用色標法。 黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃-4、綠-5、藍-6、紫-7、灰-8、白-9、金-5%、銀-10%、無色-20% 當電阻為四環(huán)時，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數字， 第三位為乘方數，第四位為偏差。 當電阻為五環(huán)時，最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。前三位為有效數字， 第四位為乘方數， 第五位為偏差。 五、常用電阻器 1、電位器 電位器是一種機電元件，他*電刷在電阻體上的滑動，取得與電刷位移成一定關系的輸出電壓。 1.1 合成碳膜電位器 電阻體是用經過研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基體表面而成，

7、該工藝簡單， 是目前應用最廣泛的電位器。特點是分辯力高耐磨性好，壽命較長。缺點是電流噪聲，非線性大， 耐潮性以及阻值穩(wěn)定性差。 1.2 有機實心電位器 有機實心電位器是一種新型電位器，它是用加熱塑壓的方法，將有機電阻粉壓在絕緣體的凹槽內。有機實心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可*性高、耐磨性好的優(yōu)點。但溫度系數大、動噪聲大、耐潮性能差、制造工藝復雜、阻值精度較差。在小型化、高可*、高耐磨性的電子設備以及交、直流電路中用作調節(jié)電壓、電流。 1.3 金屬玻璃鈾電位器 用絲網印刷法按照一定圖形，將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上，經高溫燒結而成。特點是：阻值范圍寬，耐熱性好，過載能力

8、強，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的電位器品種，缺點是接觸電阻和電流噪聲大。 1.4 繞線電位器 繞線電位器是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體，并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點是接觸電阻小，精度高，溫度系數小，其缺點是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調零和工作點等。 1.5 金屬膜電位器 金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、金屬氧化膜、金屬箔等分別組成。特點是分辯力高、耐高溫、溫度系數小、動噪聲小、平滑性好。 1.6 導電塑料電位器 用特殊工藝將DAP（鄰苯二甲酸二稀丙脂）電阻漿料覆在絕緣機體上，加熱聚合成電阻膜，或將DAP電阻粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內形成的

9、實心體作為電阻體。特點是：平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長、動噪聲小、可*性極高、耐化學腐蝕。用于宇宙裝置、導彈、飛機雷達天線的伺服系統等。 1.7 帶開關的電位器 有旋轉式開關電位器、推拉式開關電位器、推推開關式電位器 1.8 預調式電位器 預調式電位器在電路中，一旦調試好，用蠟封住調節(jié)位置，在一般情況下不再調節(jié)。 1.9 直滑式電位器 采用直滑方式改變電阻值。 1.10 雙連電位器 有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器 1.11 無觸點電位器 無觸點電位器消除了機械接觸，壽命長、可*性高，分光電式電位器、磁敏式電位器等。 2、實芯碳質電阻器 用碳質顆粒壯導電物質、填料和粘合劑混合制成一個實

10、體的電阻器。 特點：價格低廉，但其阻值誤差、噪聲電壓都大，穩(wěn)定性差，目前較少用。 3、繞線電阻器 用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。 繞線電阻具有較低的溫度系數，阻值精度高， 穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點是高頻性能差，時間常數大。 4、薄膜電阻器 用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下： 4.1 碳膜電阻器 將結晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數和電壓系數低，是目前應用最廣泛的電阻器。 4.2 金屬膜電阻器。 用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。 金屬膜電阻比碳膜電

11、阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲， 溫度系數小。在儀器儀表及通訊設備中大量采用。 4.3 金屬氧化膜電阻器 在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負載能力強。 4.4 合成膜電阻 將導電合成物懸浮液涂敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。 由于其導電層呈現顆粒狀結構，所以其噪聲大，精度低，主要用他制造高壓， 高阻， 小型電阻器。 5、金屬玻璃鈾電阻器 將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網印刷法印在基板上。 耐潮濕， 高溫， 溫度系數小，主要應用于厚膜電路。 6、貼片電阻SMT 片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，他的電阻體是高可*的釕系列玻璃鈾材料經過高溫燒結而成，電

12、極采用銀鈀合金漿料。體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能好。 7、敏感電阻 敏感電阻是指器件特性對溫度，電壓，濕度，光照，氣體， 磁場，壓力等作用敏感的電阻器。 敏感電阻的符號是在普通電阻的符號中加一斜線，并在旁標注敏感電阻的類型，如：t. v等。 7.1、壓敏電阻 主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻，氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。 7.2、濕敏電阻 由感濕層，電極， 絕緣體組成，濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻，碳濕敏電阻，氧化物濕敏電阻。氯化鋰濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小，缺點為測試范圍小，特性重復性不好，受溫度影響大。碳濕敏電阻缺點為低溫靈敏度低，阻值受溫度影響大，由老化特性，

13、較少使用。 氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越，可長期使用，溫度影響小，阻值與濕度變化呈線性關系。有氧化錫，鎳鐵酸鹽，等材料。 7.3、光敏電阻 光敏電阻是電導率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當某種物質受到光照時，載流子的濃度增加從而增加了電導率，這就是光電導效應。 7.4、氣敏電阻 利用某些半導體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應制成，主要成分是金屬氧化物，主要品種有：金屬氧化物氣敏電阻、復合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。 7.5、力敏電阻 力敏電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻，國外稱為壓電電阻器。所謂壓力電阻效應即半導體材料的電阻率隨機械應力的變化而變化的效應?？芍瞥筛鞣N力矩計，半導體話筒，壓

14、力傳感器等。主要品種有硅力敏電阻器，硒碲合金力敏電阻器，相對而言， 合金電阻器具有更高靈敏度。電路設計基礎知識（2）電容 電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合， 旁路，濾波，調諧回路， 能量轉換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=106uF=1012pF 一、電容器的型號命名方法 國產電容器的型號一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次分別代表名稱、材料、分類和序號。 第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分類，一般用數字表示，個別用字母表示。 第四部分：

15、序號，用數字表示。 用字母表示產品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復合介質、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介 二、電容器的分類 按照結構分三大類：固定電容器、可變電容器和微調電容器。 按電解質分類有：有機介質電容器、無機介質電容器、電解電容器和空氣介質電容器等。 按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。 高頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。 低頻旁路：

16、紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。 濾 波：鋁電解電容器、紙介電容器、復合紙介電容器、液體鉭電容器。 調 諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。 高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。 低頻耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。 小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容器。 三、常用電容器 1、鋁電解電容器 用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質的電容器.因為氧化膜有單向導電性質,所以電解

17、電容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動電流容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波 2、鉭電解電容器 用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可*性均優(yōu)于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可*機件中 3、薄膜電容器 結構與紙質電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路 4、瓷介電容器 穿心式或

18、支柱式結構瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路 5、獨石電容器 (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器，高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路 6、紙質電容器 一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.0080.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量 一般在低頻電路內

19、，通常不能在高于34MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路 7、微調電容器 電容量可在某一小范圍內調整，并可在調整后固定于某個電容值。 瓷介微調電容器的Q值高，體積也小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。 8、云母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東，結構簡單，但穩(wěn)定性較差。 線繞瓷介微調電容器是拆銅絲外電極來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復調試的場合使用 9、陶瓷電容器 用高介電常數的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數的電容器，用

20、于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合包括高頻在內。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路 云母電容器就結構而言，可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成，由于消除了空氣間隙，溫度系數大為下降，電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好，Q值高，溫度系數小不能做成大的容量廣泛應用在高頻電器中，并可用作標準電容器 10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質再以銀層電極經燒結而成獨石結構性能可與

21、云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V，損耗tg0.00050.008 四、電容器主要特性參數： 1、標稱電容量和允許偏差 標稱電容量是標志在電容器上的電容量。 電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。 精度等級與允許誤差對應關系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-20%）、-（+50%-30%） 一般電容器常用、級，電解電容器用、級，根據用途選取。 2、額定電壓 在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標注

22、在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復的永久損壞。 3、絕緣電阻 直流電壓加在電容上，并產生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻. 當電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量0.1uf時，主要取決于介質的性能，絕緣電阻越小越好。 電容的時間常數：為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。 4、損耗 電容在電場作用下，在單位時間內因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內的損耗允許值，電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。 在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一

23、般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關，而且與周期性的極化建立過程有關。5、頻率特性 隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規(guī)律。 五、電容器容量標示 1、直標法 用數字和單位符號直接標出。如01uF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數點，如R56表示0.56微法。 2、文字符號法 用數字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF. 3、色標法 用色環(huán)或色點表示電容器的主要參數。電容器的色標法與電阻相同。 電容器偏差標志符號：+100%-0-H、+100%-10%-R、+50%-10%-T、

24、+30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。電路設計基礎知識（3）電感線圈 電感線圈是由導線一圈*一圈地繞在絕緣管上，導線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=103mH=106uH。 一、電感的分類 按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。 按導磁體性質分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。 按 工作性質 分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉線圈。 按 繞線結構 分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。 二、電感線圈的主要特性參數 1、電感量L 電感

25、量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標注在線圈上，而以特定的名稱標注。 2、感抗XL 電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關系為XL=2fL 3、品質因素Q 品質因素Q是表示線圈質量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R 線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導線的直流電阻，骨架的介質損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應的影響等因素有關。線圈的Q值通常為幾十到幾百。 4、分布電容 線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電

26、容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。 三、常用線圈 1、單層線圈 單層線圈是用絕緣導線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機中波天線線圈。 2、蜂房式線圈 如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉一周，導線來回彎折的次數，常稱為折點數。蜂房式繞法的優(yōu)點是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機來繞制，折點越多，分布電容越小 3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈 線圈的電感量大小與有無磁芯有關。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質因素。 4、銅芯線圈 銅芯線圈在超短波范圍

27、應用較多，利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量，這種調整比較方便、耐用。 5、色碼電感器 色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標志方法同電阻一樣以色環(huán)來標記。 6、阻流圈（扼流圈） 限制交流電通過的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。 7、偏轉線圈 偏轉線圈是電視機掃描電路輸出級的負載，偏轉線圈要求：偏轉靈敏度高、磁場均勻、Q值高、體積小、價格低。 變壓器 變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當初級線圈中通有交流電流時，鐵芯（或磁芯）中便產生交流磁通，使次級線圈中感應出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成，線圈有兩個或兩個以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級線圈，其

28、余的繞組叫次級線圈。 一、分類 按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。 按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。 按鐵芯或線圈結構分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。 按電源相數分類：單相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。 按用途分類：電源變壓器、調壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。 二、電源變壓器的特性參數 1 工作頻率 變壓器鐵芯損耗與頻率關系很大，故應根據使用頻率來設計和使用，這種頻率稱工作頻率。 2 額定功率 在規(guī)定

29、的頻率和電壓下，變壓器能長期工作，而不超過規(guī)定溫升的輸出功率。 3 額定電壓 指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓，工作時不得大于規(guī)定值。 4 電壓比 指變壓器初級電壓和次級電壓的比值，有空載電壓比和負載電壓比的區(qū)別。 5 空載電流 變壓器次級開路時，初級仍有一定的電流，這部分電流稱為空載電流。空載電流由磁化電流（產生磁通）和鐵損電流（由鐵芯損耗引起）組成。對于50Hz電源變壓器而言，空載電流基本上等于磁化電流。 6 空載損耗：指變壓器次級開路時，在初級測得功率損耗。主要損耗是鐵芯損耗，其次是空載電流在初級線圈銅阻上產生的損耗（銅損），這部分損耗很小。 7 效率 指次級功率P2與初級功率P1比值

30、的百分比。通常變壓器的額定功率愈大，效率就愈高。 8 絕緣電阻 表示變壓器各線圈之間、各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的性能、溫度高低和潮濕程度有關。 三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數 1 頻率響應 指變壓器次級輸出電壓隨工作頻率變化的特性。 2 通頻帶 如果變壓器在中間頻率的輸出電壓為U0，當輸出電壓（輸入電壓保持不變）下降到0.707U0時的頻率范圍，稱為變壓器的通頻帶B。 3 初、次級阻抗比 變壓器初、次級接入適當的阻抗Ro和Ri,使變壓器初、次級阻抗匹配，則Ro和Ri的比值稱為初、次級阻抗比。在阻抗匹配的情況下，變壓器工作在最佳狀態(tài)，傳輸效率最高。電路設計

31、基礎知識（二）一、 中國半導體器件型號命名方法 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下： 第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S

32、-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高頻大功率管（f3MHz,Pc1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用數字表示序號 第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號 例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管 日本半導體分立器件型號命名方法 二、日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下： 第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極

33、管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、依此類推。 第二部分：日本電子工業(yè)協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。 第四部分：用數字表示在日本電子工業(yè)協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協

34、會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產品。 第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。 美國半導體分立器件型號命名方法 三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協會半導體分立器件命名方法如下： 第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。 第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。 第三部分：美國電子工業(yè)協會（EIA）注冊標志

35、。N-該器件已在美國電子工業(yè)協會（EIA）注冊登記。 第四部分：美國電子工業(yè)協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業(yè)協會登記的順序號。 第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。 四、 國際電子聯合會半導體器件型號命名方法 德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號

36、及意義如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.61.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶

37、閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。 第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。 第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。 除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下： 1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為1%、2%、5%、10%、15%；其后綴第二部分是數字

38、，表示標稱穩(wěn)定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V之后的數字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數值。 2、整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。 3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。 如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。 五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法 歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半導體器件 第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。 第三部分

39、：多位數字-表示器件的登記序號。 第四部分：A、B、C-表示同一型號器件的變型產品。 俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。 一、半導體二極管參數符號及其意義 CT-勢壘電容 Cj-結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv-偏壓結電容 Co-零偏壓電容 Cjo-零偏壓結電容 Cjo/Cjn-結電容變化 Cs-管殼電容或封裝電容 Ct-總電容 CTV-電壓溫度系數。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數 Cvn-標稱電容 IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；

40、硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數時給定的電流 IF（AV）-正向平均電流 IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。 IH-恒定電流、維持電流。 Ii- 發(fā)光二極管起輝電流 IFRM-正向重復峰值電流 IFSM-正向不重復峰值電流（浪涌電流） Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 IF(ov)-正向過載電流 IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID-暗電流 IB2-單結

41、晶體管中的基極調制電流 IEM-發(fā)射極峰值電流 IEB10-雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20-雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流 ICM-最大輸出平均電流 IFMP-正向脈沖電流 IP-峰點電流 IV-谷點電流 IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM-控制極正向峰值電流 IR（AV）-反向平均電流 IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高

42、反向工作電壓下的漏電流。 IRM-反向峰值電流 IRR-晶閘管反向重復平均電流 IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復電流 IRRM-反向重復峰值電流 IRSM-反向不重復峰值電流（反向浪涌電流） Irp-反向恢復電流 Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流 Izk-穩(wěn)壓管膝點電流 IOM-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 iF-正向總瞬時電流 iR-反向總瞬時電流 ir-反向恢復電流

43、 Iop-工作電流 Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f-頻率 n-電容變化指數；電容比 Q-優(yōu)值（品質因素） vz-穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt-通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率 PB-承受脈沖燒毀功率 PFT（AV）-正向導通平均耗散功率 PFTM-正向峰值耗散功率 PFT-正向導通總瞬時耗散功率 Pd-耗散功率 PG-門極平均功率 PGM-門極峰值功率 PC-控制極平均功率或集電極耗散功率 Pi-輸入功率 PK-最大開關功率 PM-額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP-最大漏過脈沖功率 PMS-最大承受脈沖功率 Po-輸出功率 PR-反向浪涌功率 Pto

44、t-總耗散功率 Pomax-最大輸出功率 Psc-連續(xù)輸出功率 PSM-不重復浪涌功率 PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率 RF（r）-正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應增加I，則V/I稱微分電阻 RBB-雙基極晶體管的基極間電阻 RE-射頻電阻 RL-負載電阻 Rs(rs)-串聯電阻 Rth-熱阻 R(th)ja-結到環(huán)境的熱阻 Rz(ru)-動態(tài)電阻 R(th)jc-結到殼的熱阻 r -衰減電阻 r(th)-瞬態(tài)電阻 Ta-環(huán)境溫度 Tc-殼溫 td-延遲時間 tf-下降

45、時間 tfr-正向恢復時間 tg-電路換向關斷時間 tgt-門極控制極開通時間 Tj-結溫 Tjm-最高結溫 ton-開通時間 toff-關斷時間 tr-上升時間 trr-反向恢復時間 ts-存儲時間 tstg-溫度補償二極管的貯成溫度 a-溫度系數 p-發(fā)光峰值波長 -光譜半寬度 -單結晶體管分壓比或效率 VB-反向峰值擊穿電壓 Vc-整流輸入電壓 VB2B1-基極間電壓 VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓 VEB-飽和壓降 VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓） VF-正向壓降（正向直流電壓） VF-正向壓降差 VDRM-斷態(tài)重復峰值電壓 VGT-門極觸發(fā)電壓 VGD-門極不觸發(fā)電壓 VG

46、FM-門極正向峰值電壓 VGRM-門極反向峰值電壓 VF（AV）-正向平均電壓 Vo-交流輸入電壓 VOM-最大輸出平均電壓 Vop-工作電壓 Vn-中心電壓 Vp-峰點電壓 VR-反向工作電壓（反向直流電壓） VRM-反向峰值電壓（最高測試電壓） V（BR）-擊穿電壓 Vth-閥電壓（門限電壓） VRRM-反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓） VRWM-反向工作峰值電壓 V v-谷點電壓 Vz-穩(wěn)定電壓 Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量 Vs-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓 av-電壓溫度系數 Vk-膝點電壓（穩(wěn)流二極管） VL -極限電壓 二、雙極型晶體管參數符號及其意義 Cc-集電極電容 C

47、cb-集電極與基極間電容 Cce-發(fā)射極接地輸出電容 Ci-輸入電容 Cib-共基極輸入電容 Cie-共發(fā)射極輸入電容 Cies-共發(fā)射極短路輸入電容 Cieo-共發(fā)射極開路輸入電容 Cn-中和電容（外電路參數） Co-輸出電容 Cob-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容 Coe-共發(fā)射極輸出電容 Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容 Cre-共發(fā)射極反饋電容 Cic-集電結勢壘電容 CL-負載電容（外電路參數） Cp-并聯電容（外電路參數） BVcbo-發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓 BVceo-基極開路，CE結擊穿電壓 BVebo- 集電極開路EB結擊穿電壓 BVces-基

48、極與發(fā)射極短路CE結擊穿電壓 BV cer-基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結擊穿電壓 D-占空比 fT-特征頻率 fmax-最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率 hFE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數 hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗 hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導 h RE-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數 hie-共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗 hre-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數 hfe-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數 hoe-共發(fā)射極小信號開路輸出導納 IB-基極直流電流或交流電流的平均值 Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值 IE-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值 Icbo-基極接地，發(fā)射極對

49、地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流 Iceo-發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Iebo-基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流 Icer-基極與發(fā)射極間串聯電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Ices-發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Icex-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 ICM-集電極

50、最大允許電流或交流電流的最大平均值。 IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值 ICMP-集電極最大允許脈沖電流 ISB-二次擊穿電流 IAGC-正向自動控制電流 Pc-集電極耗散功率 PCM-集電極最大允許耗散功率 Pi-輸入功率 Po-輸出功率 Posc-振蕩功率 Pn-噪聲功率 Ptot-總耗散功率 ESB-二次擊穿能量 rbb-基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻） rbbCc-基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積 rie-發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻 roe-發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定

51、的交流輸入短路時的輸出電阻 RE-外接發(fā)射極電阻（外電路參數） RB-外接基極電阻（外電路參數） Rc -外接集電極電阻（外電路參數） RBE-外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數） RL-負載電阻（外電路參數） RG-信號源內阻 Rth-熱阻 Ta-環(huán)境溫度 Tc-管殼溫度 Ts-結溫 Tjm-最大允許結溫 Tstg-貯存溫度 td-延遲時間 tr-上升時間 ts-存貯時間 tf-下降時間 ton-開通時間 toff-關斷時間 VCB-集電極-基極（直流）電壓 VCE-集電極-發(fā)射極（直流）電壓 VBE-基極發(fā)射極（直流）電壓 VCBO-基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的

52、最高耐壓 VEBO-基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEO-發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCER-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓 VCES-發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEX-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓 Vp-穿通電壓。 VSB-二次擊穿電壓 VBB-基極（直流）電源電壓（外電路參數） Vcc-集電極（直流）電源電壓（外電路參數） VEE-發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數）

53、VCE(sat)-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降 VBE(sat)-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降） VAGC-正向自動增益控制電壓 Vn(p-p)-輸入端等效噪聲電壓峰值 V n-噪聲電壓 Cj-結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv-偏壓結電容 Co-零偏壓電容 Cjo-零偏壓結電容 Cjo/Cjn-結電容變化 Cs-管殼電容或封裝電容 Ct-總電容 CTV-電壓溫度系數。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數 Cvn-標稱電容 IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數時給定的電流 IF（AV）-正向平均電流 IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許