多路讀寫(xiě)接口設(shè)計(jì)分析論文

1、多路讀寫(xiě)接口設(shè)計(jì)分析論文摘要：介紹SDRAM的主要控制信號(hào)和基本命令時(shí)序，提出一種應(yīng)用于解復(fù)用的支持多路讀寫(xiě)的SDRAM接口設(shè)計(jì)，為需要大容量存儲(chǔ)器的電路設(shè)計(jì)提供了新思路。 關(guān)鍵詞：SDRAM解復(fù)用接口 存儲(chǔ)器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)器的容量和性能提出了越來(lái)越高的要求。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM（SynchronousDynamicRandomAccessMemory）因其容量大、讀寫(xiě)速度快、支持突發(fā)式讀寫(xiě)及相對(duì)低廉的價(jià)格而得到了廣泛的應(yīng)用。SDRAM的控制比較復(fù)雜，其接口電路設(shè)計(jì)是關(guān)鍵。 本文首先介紹SDRAM的主要控制信號(hào)和基本命令；然后介

2、紹接口電路對(duì)SDRAM的主要操作路徑及操作過(guò)程，應(yīng)用于解復(fù)用的SDRAM接口電路的設(shè)計(jì)方法；最后給出了實(shí)現(xiàn)結(jié)果。 1SDRAM的主要控制信號(hào)和基本命令 SDRAM的主要控制信號(hào)為： CS：片選使能信號(hào)，低電平有效； RAS：行地址選通信號(hào)，低電平有效； CAS：列地址選通信號(hào)，低電平有效； WE：寫(xiě)使能信號(hào)，低電平有效。 SDRAM的基本命令及主要控制信號(hào)見(jiàn)表1。 表1SDRAM基本操作及控制信號(hào) 命令名稱CSRASCASWE 命令禁止（NOP:Commandinhibit）HXXX 空操作（NOP：Nooperation）LHHH 激活操作（ACT：Selectbankandactivero

3、w）LLHH 讀操作（READ：Selectbankandcolumn,andstartREADburst）LHLH 寫(xiě)操作（WRITE：Selectbankandcolumn,andstartWRITEburst）LHLL 突發(fā)操作停止（BTR：Burstterminate）LHHL 預(yù)充電（PRE：Deactiverowinbankorbanks）LLHL 自動(dòng)刷新或自我刷新（REF：Autorefreshorselfrefresh）LLLH 配置模式寄存器（LMR：Loadmoderegister）LLLL 所有的操作控制信號(hào)、輸入輸出數(shù)據(jù)都與外部時(shí)鐘同步。 2接口電路對(duì)SDRAM的主要

4、操作路徑及操作過(guò)程 一個(gè)完備的SDRAM接口很復(fù)雜。由于本文的SDRAM接口應(yīng)用于解復(fù)用，處理的事件相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，因而可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)而不影響性能。接口電路SDRAM的主要操作可以分為：初始化操作、讀操作、寫(xiě)操作、自動(dòng)刷新操作。 （1）初始化操作 SDRAM上電一段時(shí)間后，經(jīng)過(guò)初始化操作才可以進(jìn)入正常工作過(guò)程。初始化主要完成預(yù)充電、自動(dòng)刷新模式寄存器的配置。操作過(guò)程如圖1所示。 （2）讀寫(xiě)操作 讀寫(xiě)操作主要完成與SDRAM的數(shù)據(jù)交換。讀操作過(guò)程如圖2所示，寫(xiě)操作過(guò)程如圖3所示。 （3）刷新操作 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DynamicRAM）都存在刷新問(wèn)題。這里主要采用自動(dòng)刷新方式，每隔一段時(shí)間向SDRAM

5、發(fā)一條刷新命令。刷新過(guò)程如圖4所示。 3接口電路的設(shè)計(jì) （1）解復(fù)用電路 本解復(fù)用電路主要完成將1路高速數(shù)據(jù)流解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流，其結(jié)構(gòu)框圖如圖5所示。1路數(shù)據(jù)流進(jìn)入解復(fù)用器后，經(jīng)過(guò)SDRAM緩沖，解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流。 由于要解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流，為了充分利用時(shí)隙，滿足高速的要求，采用4個(gè)bank的SDRAM，各路數(shù)據(jù)緩沖對(duì)應(yīng)不同的bank。為簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)流1的緩沖區(qū)定為bank0，數(shù)據(jù)流2的緩沖區(qū)定為bank1，數(shù)據(jù)流3的緩沖區(qū)定為bank2數(shù)據(jù)流4的緩沖區(qū)定為bank3。對(duì)于每路數(shù)據(jù)實(shí)際上是以高速率集中寫(xiě)入，然后以低速率均勻讀出。 由于進(jìn)行的是解復(fù)用，因此寫(xiě)入的數(shù)據(jù)只有1路，但是有可能4路

6、數(shù)據(jù)同時(shí)都要讀出。所以對(duì)于4路數(shù)據(jù)流，其讀寫(xiě)地址和讀寫(xiě)使能信號(hào)是分開(kāi)的。 （2）SDRAM接口電路的時(shí)序控制 高速數(shù)據(jù)流的速率為3M字節(jié)/秒，采用的系統(tǒng)時(shí)鐘為20倍的字節(jié)時(shí)鐘。送入SDRAM的時(shí)鐘為60MHz系統(tǒng)時(shí)鐘。在一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘內(nèi)對(duì)SDRAM的操作最多有5次（1次讀，4次寫(xiě)），而且為了滿足刷新的要求，每個(gè)字節(jié)時(shí)鐘進(jìn)行一次刷新操作。根據(jù)SDRAM的時(shí)序要求，這樣的操作是難以實(shí)現(xiàn)的。因而要通過(guò)多bank操作，盡量做到時(shí)分復(fù)用來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖6給出了在一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期的內(nèi)數(shù)據(jù)流1進(jìn)行讀寫(xiě)操作，其它3路數(shù)據(jù)進(jìn)行讀操作的命令排序時(shí)序圖。可以看出通過(guò)多bank操作，時(shí)分復(fù)用，在20個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘節(jié)拍內(nèi)所需的讀寫(xiě)

7、操作命令剛好很緊湊地排開(kāi)。 一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘內(nèi)對(duì)SDRAM讀寫(xiě)操作是隨機(jī)的，這與數(shù)據(jù)流的復(fù)用比例有在。為了滿足時(shí)序，根據(jù)上面的說(shuō)明，需要把一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)對(duì)SDRAM的命令合理排序，然后按照排好的順序執(zhí)行命令。這樣就需要把一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)對(duì)SDRAM的操作進(jìn)行緩存，然后在下一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行排序、與SDRAM命令相對(duì)應(yīng)、將命令譯碼產(chǎn)生相應(yīng)的控制信號(hào)線，完成操作。緩存排序過(guò)程如圖7所示。 （3）SDRAM接口電路 SDRAM接口電路中需要專門(mén)操作緩沖區(qū)存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)的操作，以備下一字節(jié)時(shí)鐘的排序。為了方便處理，對(duì)每路數(shù)據(jù)的緩沖操作內(nèi)容（或讀或?qū)懀┓旁谝粋€(gè)緩沖區(qū)。由于數(shù)據(jù)流的連續(xù)性，排序的同時(shí)仍然會(huì)有操作要求，因此每路的操作內(nèi)容緩沖區(qū)分為兩塊。對(duì)一塊緩沖區(qū)寫(xiě)入時(shí)，讀出另一塊緩沖區(qū)中的操作內(nèi)容，進(jìn)行排序、譯碼、執(zhí)行。根據(jù)字節(jié)時(shí)鐘切換對(duì)緩沖區(qū)的讀寫(xiě)，從而避免沖突。對(duì)于從SDRAM讀出的數(shù)據(jù)，每路數(shù)據(jù)寫(xiě)入相應(yīng)的讀出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。同樣每路的讀出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)也分為兩塊，根據(jù)字節(jié)時(shí)鐘切換讀寫(xiě)。 由于一個(gè)字節(jié)時(shí)鐘周期內(nèi)，每路所需的操作最多有2次，每路的操作內(nèi)容緩沖區(qū)只需兩個(gè)單元（每個(gè)單元存儲(chǔ)了此次的讀寫(xiě)使能信號(hào)、