畢業(yè)答辯PPT 奇特核電形狀因子的研究

西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級本科生畢業(yè)論文答辯,答辯人：hzx156,奇特核電形狀因子的研究,站長素材SC.CHINAZ.COM站長素材SC.CHINAZ.COM,簡介Synopsis,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,本文利用電子與原子核的散射，在相對論連續(xù)譜Hartree-Bogoliubov(RCHB)理論下，利用Born近似的方法對核6Li，9Li，11Li，28S和32S的電荷密度分布和電荷形狀因子作了一定的研究。通過原子核電荷密度分布和電荷形狀因子曲線理論值與實驗值的對照，以及核與核之間的對比，證明了文中方法的可行性,對同位素之間電荷密度分布和電形狀因子的變化趨勢和規(guī)律做了一定的說明，并研究了部分奇特核其中子暈或質(zhì)子暈對核電荷形狀因子的影響。,框架Scheme,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,奇特核：1.核素圖、穩(wěn)定線、中子滴線和質(zhì)子滴線2.奇特核：暈核、皮核,相對論連續(xù)譜Hartree-Bogoliubov(RCHB)理論,核的電形狀因子：1.電子與原子核的彈性散射、莫特截面3.電子散射的平面波Born近似、電子散射的Eikonal近似、相對論分波展開法,理論框架,計算結(jié)果與討論：1.核電荷密度分布2.核電荷形狀因子,程序Program,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,1.利用RCHB方法計算核電荷分布密度2.在平面波Born近似下計算核電荷形狀因子,理論準(zhǔn)備充分、扎實；,程序編寫仔細、規(guī)范；,注意程序中出現(xiàn)的量的單位統(tǒng)一。,1.11Li的中子暈對其核電荷密度分布基本沒有影響；2.6Li核電荷密度分布相對于9Li和11Li，有一個長的尾巴。,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,盡管有相同的質(zhì)子數(shù)，但從圖中可以清楚的看到的電荷密度分布存在很大的差異，由于28S最外面的兩個質(zhì)子束縛很弱導(dǎo)致的電荷密度分布有一個長長的尾巴，這清楚的表明在豐質(zhì)子核28S的基態(tài)中存有質(zhì)子暈。,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,1.6Li理論值與實驗值基本符合，證明方法可行；2.11Li中子暈并沒有對其電形狀因子產(chǎn)生大的影響；3.圖中6Li與9Li和11Li的曲線相比，出現(xiàn)很大的不同，可能與電荷密度分布出現(xiàn)的長尾巴有關(guān)。4.三種同位素比較，有原子量越大，電形狀因子變化越快的趨勢。,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,核電荷形狀因子的差異反映了電荷密度分布的不同。對于28S，這個明顯的揭示了最外面兩個質(zhì)子形成的質(zhì)子暈的影響。,結(jié)論Conclusion,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,用文中給出的方法研究奇特核電形狀因子是可行的；,中子暈沒有對核電荷形狀因子產(chǎn)生大的影響；,核電荷形狀因子對質(zhì)子暈的反