畢業(yè)答辯PPT 奇特核電形狀因子的研究

西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級本科生畢業(yè)論文答辯,答辯人：hzx156,奇特核電形狀因子的研究,站長素材SC.CHINAZ.COM站長素材SC.CHINAZ.COM,簡介Synopsis,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,本文利用電子與原子核的散射，在相對論連續(xù)譜Hartree-Bogoliubov(RCHB)理論下，利用Born近似的方法對核6Li，9Li，11Li，28S和32S的電荷密度分布和電荷形狀因子作了一定的研究。通過原子核電荷密度分布和電荷形狀因子曲線理論值與實(shí)驗(yàn)值的對照，以及核與核之間的對比，證明了文中方法的可行性,對同位素之間電荷密度分布和電形狀因子的變化趨勢和規(guī)律做了一定的說明，并研究了部分奇特核其中子暈或質(zhì)子暈對核電荷形狀因子的影響。,框架Scheme,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,奇特核：1.核素圖、穩(wěn)定線、中子滴線和質(zhì)子滴線2.奇特核：暈核、皮核,相對論連續(xù)譜Hartree-Bogoliubov(RCHB)理論,核的電形狀因子：1.電子與原子核的彈性散射、莫特截面3.電子散射的平面波Born近似、電子散射的Eikonal近似、相對論分波展開法,理論框架,計(jì)算結(jié)果與討論：1.核電荷密度分布2.核電荷形狀因子,程序Program,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,1.利用RCHB方法計(jì)算核電荷分布密度2.在平面波Born近似下計(jì)算核電荷形狀因子,理論準(zhǔn)備充分、扎實(shí)；,程序編寫仔細(xì)、規(guī)范；,注意程序中出現(xiàn)的量的單位統(tǒng)一。,1.11Li的中子暈對其核電荷密度分布基本沒有影響；2.6Li核電荷密度分布相對于9Li和11Li，有一個長的尾巴。,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,盡管有相同的質(zhì)子數(shù)，但從圖中可以清楚的看到的電荷密度分布存在很大的差異，由于28S最外面的兩個質(zhì)子束縛很弱導(dǎo)致的電荷密度分布有一個長長的尾巴，這清楚的表明在豐質(zhì)子核28S的基態(tài)中存有質(zhì)子暈。,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,1.6Li理論值與實(shí)驗(yàn)值基本符合，證明方法可行；2.11Li中子暈并沒有對其電形狀因子產(chǎn)生大的影響；3.圖中6Li與9Li和11Li的曲線相比，出現(xiàn)很大的不同，可能與電荷密度分布出現(xiàn)的長尾巴有關(guān)。4.三種同位素比較，有原子量越大，電形狀因子變化越快的趨勢。,結(jié)果Result,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,核電荷形狀因子的差異反映了電荷密度分布的不同。對于28S，這個明顯的揭示了最外面兩個質(zhì)子形成的質(zhì)子暈的影響。,結(jié)論Conclusion,西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2004級物理學(xué)3班hzx,用文中給出的方法研究奇特核電形狀因子是可行的；,中子暈沒有對核電荷形狀因子產(chǎn)生大的影響；,核電荷形狀因子對質(zhì)子暈的反