電化學(xué)阻抗譜PPT課件.ppt

第6章電化學(xué)阻抗譜ElectrochemicalImpedanceSpectroscopy 胡會(huì)利電化學(xué)教研室 引言 定義以小振幅的正弦波電勢(shì) 或電流 為擾動(dòng)信號(hào) 使電極系統(tǒng)產(chǎn)生近似線性關(guān)系的響應(yīng) 測(cè)量電極系統(tǒng)在很寬頻率范圍的阻抗譜 以此來(lái)研究電極系統(tǒng)的方法就是電化學(xué)阻抗法 ACImpedance 現(xiàn)稱為電化學(xué)阻抗譜 引言 定義對(duì)于一個(gè)穩(wěn)定的線性系統(tǒng)M 如以一個(gè)角頻率為 的正弦波電信號(hào)X 電壓或電流 輸入該系統(tǒng) 相應(yīng)的從該系統(tǒng)輸出一個(gè)角頻率為 的正弦波電信號(hào)Y 電流或電壓 此時(shí)電極系統(tǒng)的頻響函數(shù)G就是電化學(xué)阻抗 X Y G G Y X 引言 定義在一系列不同角頻率下測(cè)得的一組這種頻響函數(shù)值就是電極系統(tǒng)的電化學(xué)阻抗譜 若在頻響函數(shù)中只討論阻抗與導(dǎo)納 則G總稱為阻納 引言 優(yōu)點(diǎn)用小幅度正弦波對(duì)電極進(jìn)行極化不會(huì)引起嚴(yán)重的濃度極化及表面狀態(tài)變化使擾動(dòng)與體系的響應(yīng)之間近似呈線性關(guān)系是頻域中的測(cè)量速度不同的過(guò)程很容易在頻率域上分開(kāi)速度快的子過(guò)程出現(xiàn)在高頻區(qū) 速度慢的子過(guò)程出現(xiàn)在低頻區(qū) 引言 優(yōu)點(diǎn)可判斷出含幾個(gè)子過(guò)程 討論動(dòng)力學(xué)特征可以在很寬頻率范圍內(nèi)測(cè)量得到阻抗譜 因而EIS能比其它常規(guī)的電化學(xué)方法得到更多的電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)信息和電極界面結(jié)構(gòu)信息 引言 阻納的基本條件因果性條件線性條件有限性條件穩(wěn)定性條件 電極系統(tǒng)只對(duì)擾動(dòng)信號(hào)進(jìn)行響應(yīng) 電極過(guò)程速度隨狀態(tài)變量發(fā)生線性變化 在頻率范圍內(nèi)測(cè)定的阻抗或?qū)Ъ{是有限的 引言 穩(wěn)定性條件 穩(wěn)定 不穩(wěn)定 可逆反應(yīng)容易滿足穩(wěn)定性條件 不可逆電極過(guò)程 只要電極表面的變化不是很快 當(dāng)擾動(dòng)幅度小 作用時(shí)間短 擾動(dòng)停止后 系統(tǒng)也能夠恢復(fù)到離原先狀態(tài)不遠(yuǎn)的狀態(tài) 電化學(xué)阻抗譜導(dǎo)論 曹楚南 導(dǎo)言第1章阻納導(dǎo)論第2章電化學(xué)阻抗譜與等效電路第3章電極過(guò)程的表面過(guò)程法拉第導(dǎo)納第4章表面過(guò)程法拉第阻納表達(dá)式與等效電路的關(guān)系4 2除電極電位E以外沒(méi)有或只有一個(gè)其他狀態(tài)變量4 3除電極電位E外還有兩個(gè)狀態(tài)變量X1和X2第5章電化學(xué)阻抗譜的時(shí)間常數(shù)5 1狀態(tài)變量的弛豫過(guò)程與時(shí)間常數(shù)5 2EIS的時(shí)間常數(shù)第6章由擴(kuò)散過(guò)程引起的法拉第阻抗6 1由擴(kuò)散過(guò)程引起的法拉第阻抗6 2平面電極的半無(wú)限擴(kuò)散阻抗 等效元件W 6 3平面電極的有限層擴(kuò)散阻抗 等效元件0 6 4平面電極的阻擋層擴(kuò)散阻抗 等效元件T 6 5球形電極W6 6球形電極的O6 7球形電極的T6 8幾個(gè)值得注意的問(wèn)題第7章混合電位下的法拉第阻納第8章電化學(xué)阻抗譜的數(shù)據(jù)處理與解析第9章電化學(xué)阻抗譜在腐蝕科學(xué)中的應(yīng)用 科學(xué)出版社 2002 交流阻抗譜原理及應(yīng)用 史美倫 第一章基本電路的交流阻抗譜第二章電化學(xué)阻抗譜第三章交流極譜第四章線性動(dòng)態(tài)系統(tǒng)的傳遞函數(shù)第五章穩(wěn)定性和色散關(guān)系第六章交流阻抗譜的測(cè)量與數(shù)據(jù)處理第七章在材料研究中的應(yīng)用第八章固體表面第九章在器件上的應(yīng)用第十章在生命科學(xué)中的應(yīng)用 國(guó)防工業(yè)出版社 2001 主要內(nèi)容與學(xué)習(xí)要求 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí)6 2電解池的等效電路6 3理想極化電極的EIS6 4溶液電阻可以忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS6 5溶液電阻不能忽略的電化學(xué)極化電極的EIS6 6電化學(xué)極化和濃差極化同時(shí)存在的電極的EIS6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路6 9電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 復(fù)數(shù) 1復(fù)數(shù)的概念 2 復(fù)數(shù)的輻角 即相位角 1 復(fù)數(shù)的模 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 復(fù)數(shù) 3 虛數(shù)單位乘方 4 共軛復(fù)數(shù) 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 復(fù)數(shù) 2復(fù)數(shù)表示法 1 坐標(biāo)表示法 2 三角表示法 3 指數(shù)表示法 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 復(fù)數(shù) 3復(fù)數(shù)的運(yùn)算法則 1 加減 2 乘除 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 電工學(xué) 1正弦交流電流經(jīng)過(guò)各元件時(shí)電流與電壓的關(guān)系 1 純電阻元件 電阻兩端的電壓與流經(jīng)電阻的電流是同頻同相的正弦交流電 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 電工學(xué) 2 純電感元件 電感兩端的電壓與流經(jīng)的電流是同頻率的正弦量 但在相位上電壓比電流超前 V 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 電工學(xué) 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 電工學(xué) 3 純電容元件 電容器的兩端的電壓和流經(jīng)的電流是同頻率的正弦量 只是電流在相位上比電壓超前 I t 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 電工學(xué) 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識(shí) 電工學(xué) 2復(fù)阻抗的概念 1 復(fù)阻抗的串聯(lián) 2 復(fù)阻抗的并聯(lián) 復(fù)阻抗Z是電路元件對(duì)電流的阻礙作用和移相作用的反映 6 2電解池的等效電路 1 2 3 4 5 6 2電解池的等效電路 電路描述碼 CircuitDescriptionCode CDC 規(guī)則如下 元件外面的括號(hào)總數(shù)為奇數(shù)時(shí) 該元件的第一層運(yùn)算為并聯(lián) 外面的括號(hào)總數(shù)為偶數(shù)時(shí) 該元件的第一層運(yùn)算為串聯(lián) 演練 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 電解池阻抗的復(fù)平面圖 Nyquist圖 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 1 圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) Bode圖 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) Bode圖 2 圖 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 時(shí)間常數(shù) 6 4溶液電阻可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 6 4 1Nyquist圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 4溶液電阻可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 6 4 2Bode圖 1 圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 4溶液電阻可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 2 圖 6 4溶液電阻可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 6 4 2Bode圖 3時(shí)間常數(shù) 在Nyquist圖中 半圓上 的極大值處的頻率就是 特征頻率 令 6 4溶液電阻可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 6 4 2Bode圖 6 4溶液電阻可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS Bode圖 RC RC Nyquist圖 6 5溶液電阻不可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS Cd與Rp并聯(lián)后與RL串聯(lián)后的總阻抗為 實(shí)部 虛部 Cd與Rp并聯(lián)后的總導(dǎo)納為 6 5 1Nyquist圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 5溶液電阻不可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 6 5 2Bode圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 5溶液電阻不可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 5 2Bode圖 6 5溶液電阻不可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 6 5溶液電阻不可忽略時(shí)電化學(xué)極化的EIS 3時(shí)間常數(shù) 6 5 2Bode圖 補(bǔ)充內(nèi)容 常見(jiàn)的規(guī)律總結(jié) 在阻抗復(fù)數(shù)平面圖上 第1象限的半圓是電阻和電容并聯(lián)所產(chǎn)生的 叫做容抗弧 在Nyquist圖上 第1象限有多少個(gè)容抗弧就有多少個(gè) RC 電路 有一個(gè) RC 電路就有一個(gè)時(shí)間常數(shù) 補(bǔ)充內(nèi)容 常見(jiàn)的規(guī)律總結(jié) 一般說(shuō)來(lái) 如果系統(tǒng)有電極電勢(shì)E和另外n個(gè)表面狀態(tài)變量 那么就有n 1個(gè)時(shí)間常數(shù) 如果時(shí)間常數(shù)相差5倍以上 在Nyquist圖上就能分辨出n 1個(gè)容抗弧 第1個(gè)容抗弧 高頻端 是 RpCd 的頻響曲線 補(bǔ)充內(nèi)容 常見(jiàn)的規(guī)律總結(jié) 有n個(gè)電極反應(yīng)同時(shí)進(jìn)行時(shí) 如果又有影響電極反應(yīng)的x個(gè)表面狀態(tài)變量 此時(shí)時(shí)間常數(shù)的個(gè)數(shù)比較復(fù)雜 一般地說(shuō) 時(shí)間常數(shù)的個(gè)數(shù)小于電極反應(yīng)個(gè)數(shù)n和表面狀態(tài)變量x之和 這種現(xiàn)象叫做混合電勢(shì)下EIS的退化 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 1電極的等效電路 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 實(shí)部 虛部 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 2濃差極化電阻RW和電容CW 稱為Warburg系數(shù) 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 3Nyquist圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 4Bode圖 1 圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 4Bode圖 1 圖 濃度極化對(duì)幅值圖的影響 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 6 4Bode圖 2 圖 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 4Bode圖 2 圖 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 濃度極化對(duì)相角圖的影響 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 3時(shí)間常數(shù) 令 根據(jù) 6 6 4Bode圖 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 5Randles圖 當(dāng)高頻區(qū)半圓發(fā)生畸變從而使按Nyquist圖求變得不大可靠時(shí) 可以嘗試這種獨(dú)特的作圖法 Randles圖可以從另一側(cè)面確定Warburg阻抗的存在 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時(shí)存在的電極的EIS 6 6 5Randles圖 阻抗擴(kuò)散的直線可能偏離45 原因 電極表面很粗糙 以致擴(kuò)散過(guò)程部分相當(dāng)于球面擴(kuò)散 除了電極電勢(shì)外 還有另外一個(gè)狀態(tài)變量 這個(gè)變量在測(cè)量的過(guò)程中引起感抗 補(bǔ)充內(nèi)容 作Nyquist圖的注意事項(xiàng) 1 2 3 EIS譜圖實(shí)例 鋅鋁涂層在海水浸泡過(guò)程中的EIS EIS譜圖實(shí)例 EIS譜圖實(shí)例 不恰當(dāng)?shù)膱D例 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 在實(shí)際電化學(xué)體系的阻抗測(cè)定中 人們常常觀察到阻抗圖上壓扁的半圓 depressedsemi circle 即在Nyquist圖上的高頻半圓的圓心落在了x軸的下方 因而變成了圓的一段弧 該現(xiàn)象又被稱為半圓旋轉(zhuǎn) 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 一般認(rèn)為 出現(xiàn)這種半圓向下壓扁的現(xiàn)象 亦即通常說(shuō)的阻抗半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象的原因與電極 電解液界面性質(zhì)的不均勻性有關(guān) 固體電極的雙電層電容的頻響特性與 純電容 并不一致 而有或大或小的偏離 這種現(xiàn)象 一般稱為 彌散效應(yīng) 雙電層中電場(chǎng)不均勻 這種不均勻可能是電極表面太粗糙引起的 界面電容的介質(zhì)損耗 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 雙電層電容Cd Rp與一個(gè)與頻率成反比的電阻并聯(lián)的等效電路 實(shí)部 虛部 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 實(shí)部 虛部 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 常相位角元件 ConstantPhaseElement CPE 具有電容性質(zhì) 它的等效元件用Q表示 Q與頻率無(wú)關(guān) 因而稱為常相位角元件 常相位角元件 通常n在0 5和1之間 對(duì)于理想電極 表面平滑 均勻 Q等于雙層電容 n 1 n 1時(shí) 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 上面介紹的公式中的b與n實(shí)質(zhì)上都是經(jīng)驗(yàn)常數(shù) 缺乏確切的物理意義 但可以把它們理解為在擬合真實(shí)體系的阻抗譜時(shí)對(duì)電容所做的修正 6 8 1阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn) 1 參比電極的影響 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 1 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 雙參比電極結(jié)構(gòu)示意圖 6 8 1阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn) 2 要盡量減少測(cè)量連接線的長(zhǎng)度 減小雜散電容 電感的影響 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 1 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 互相靠近和平行放置的導(dǎo)線會(huì)產(chǎn)生電容 長(zhǎng)的導(dǎo)線特別是當(dāng)它繞圈時(shí)就成為了電感元件 測(cè)定阻抗時(shí)要把儀器和導(dǎo)線屏蔽起來(lái) 6 8 1阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn) 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 2 頻率范圍要足夠?qū)?一般使用的頻率范圍是105 10 4Hz 阻抗測(cè)量中特別重視低頻段的掃描 反應(yīng)中間產(chǎn)物的吸脫附和成膜過(guò)程 只有在低頻時(shí)才能在阻抗譜上表現(xiàn)出來(lái) 測(cè)量頻率很低時(shí) 實(shí)驗(yàn)時(shí)間會(huì)很長(zhǎng) 電極表面狀態(tài)的變化會(huì)很大 所以掃描頻率的低值還要結(jié)合實(shí)際情況而定 6 8 1阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn) 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 3 阻抗譜必須指定電極電勢(shì) 電極所處的電勢(shì)不同 測(cè)得的阻抗譜必然不同 阻抗譜與電勢(shì)必須一一對(duì)應(yīng) 為了研究不同極化條件下的電化學(xué)阻抗譜 可以先測(cè)定極化曲線 在電化學(xué)反應(yīng)控制區(qū) Tafel區(qū) 混合控制區(qū)和擴(kuò)散控制區(qū)各選取若干確定的電勢(shì)值 然后在響應(yīng)電勢(shì)下測(cè)定阻抗 6 8 1阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn) 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 阻抗譜測(cè)試中的主要參數(shù)設(shè)置 InitialFreq HighFreqFinalFreq LowFreqPoints decadeCyclesDCVoltage InitialEACVoltage Amplitude 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8 2阻抗譜的分析思路 1 現(xiàn)象分析 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 2 圖解分析 6 8 2阻抗譜的分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 3 數(shù)值計(jì)算 6 8 2阻抗譜的分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 4 計(jì)算機(jī)模擬 6 8 2阻抗譜的分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實(shí)驗(yàn)注意點(diǎn)和阻抗譜分析思路 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 1 15V 1 10V 鍍鋅 鍍銅 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 a 基礎(chǔ)鍍液A b A 60mg LCl c B 300mg LOP 21 d B 30mg LPEG A 0 3mol LCuSO4 1 94H2SO4 B 10mg LTDY 60mg LCl A 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 鍍銅 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 無(wú)Cl 時(shí)含不同量AQ的Nyquist圖 含60ml LCl 的Nyquist圖 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 鍍鉻 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 鐵電極在含2g L硫酸的鍍鉻溶液中 0 9V時(shí)的Nyquist圖 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 在合金電鍍研究中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 Zn Fe合金電鍍 1 45V 1 1 5V 2 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 a 只含Co2 b c d Co2 Ni2 5 1 1 1 1 5 e 只含Ni2 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 在合金電鍍研究中的應(yīng)用 用于擬合的等效電路 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 在合金電鍍研究中的應(yīng)用 在復(fù)合鍍研究中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 Ni SiC納米復(fù)合鍍液的電化學(xué)阻抗圖 a 200rpm b 100rpm 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 在化學(xué)鍍研究中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 化學(xué)鍍鎳中次亞磷酸鈉陽(yáng)極氧化行為 基礎(chǔ)液 0 10mol L 1NaH2PO2體系 基礎(chǔ)液 0 10mol L 1NaH2PO2體系 0 10mol L 1NaH2PO2體系 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 2在電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和參數(shù)測(cè)量中的應(yīng)用 堿性溶液中析氫反應(yīng)的阻抗復(fù)平面圖Ag電極 2000rpm 過(guò)電勢(shì) 1 130mV 2 190mV 3 250mV 4 310mV 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 2在電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和參數(shù)測(cè)量中的應(yīng)用 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 在涂料防護(hù)性能研究方面的應(yīng)用 干的富鋅涂層的EIS 測(cè)定富鋅涂層EIS的裝置示意圖 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 在涂料防護(hù)性能研究方面的應(yīng)用 在人工海水中浸泡不同時(shí)間后富鋅涂層的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機(jī)涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡初期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 RL 溶液電阻 RC 涂層電阻 CC 涂層電容 CC不斷增大 RC逐漸減小 浸泡初期涂層體系相當(dāng)于一個(gè) 純電容 求解涂層電阻會(huì)有較大的誤差 而涂層電容可以較準(zhǔn)確地估算 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機(jī)涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡中期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 RPO 通過(guò)涂層微孔途徑的電阻值 電解質(zhì)是均勻地滲入涂層體系且界面的腐蝕電池是均勻分布的 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機(jī)涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡中期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 涂層中含有顏料 填料等添加物 有的有機(jī)涂層中還專門(mén)添加阻擋溶液滲入的片狀物 電解質(zhì)的滲入較困難 參與界面腐蝕反應(yīng)的反應(yīng)粒子的傳質(zhì)過(guò)程就可能是個(gè)慢步驟 EIS中往往會(huì)出現(xiàn)擴(kuò)散過(guò)程引起的阻抗 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機(jī)涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡后期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 隨著宏觀孔的形成 原本存在于有機(jī)涂層中的濃度梯度消失 另在界面區(qū)因基底金屬的復(fù)式反應(yīng)速度加快而形成新的濃度梯度層 6 9 3在腐蝕科