光伏檢測(cè)與分析替代教材硅材料檢測(cè)技術(shù).doc

光伏檢測(cè)與分析替代教材硅材料檢測(cè)技術(shù)課程基于網(wǎng)絡(luò)考核方案一、考核改革的目的1通過本課程考核的改革，深入探索現(xiàn)代遠(yuǎn)程開放教育、成人學(xué)習(xí)課程考核的基本模式； 2通過本課程考核的改革，探索光伏檢測(cè)與分析替代教材硅材料檢測(cè)技術(shù)課程的形成性考核和終結(jié)性考試的目標(biāo)、形式、題型、題量、難易程度等；3通過本課程考核的改革，進(jìn)一步強(qiáng)化教學(xué)過程的落實(shí)，指導(dǎo)學(xué)生在學(xué)習(xí)過程中理解把握課程的內(nèi)容，引導(dǎo)學(xué)生實(shí)現(xiàn)各個(gè)學(xué)習(xí)環(huán)節(jié)，達(dá)到學(xué)習(xí)目標(biāo)；4探索遠(yuǎn)程成人考核的信度、效度，保證學(xué)習(xí)質(zhì)量。二、考核對(duì)象本課程適合工學(xué)科動(dòng)力能源類光伏發(fā)電技術(shù)及應(yīng)用專業(yè)（?？疲┦褂谩Ｈ?、考核目標(biāo)通過考核既要檢測(cè)學(xué)生對(duì)光伏（硅）材料檢測(cè)技術(shù)基本理論知識(shí)的掌握程度，又要檢測(cè)學(xué)生對(duì)專業(yè)理論知識(shí)的運(yùn)用程度，重點(diǎn)考核學(xué)生的專業(yè)實(shí)踐能力。四、考核方式本課程考核由網(wǎng)上形成性考核和網(wǎng)絡(luò)終結(jié)性考試相結(jié)合形式。形成性考核占總成績(jī)的50%，由4次作業(yè)構(gòu)成，登陸形成性考核系統(tǒng)進(jìn)行，隨平時(shí)學(xué)習(xí)過程中完成；終結(jié)性考試占總成績(jī)的50%，登陸終考考試系統(tǒng)進(jìn)行，在學(xué)期末進(jìn)行，具體時(shí)間及安排見國(guó)家開放大學(xué)統(tǒng)一考試安排。課程考核成績(jī)滿分100分。形成性考核成績(jī)和終結(jié)性考試成績(jī)均達(dá)到60分以上（雙及格），方可獲得本課程合格證。（一）形成性考核通過形成性考核一方面可以加強(qiáng)對(duì)地方電大教師教學(xué)過程的引導(dǎo)、指導(dǎo)和管理，優(yōu)質(zhì)的完成教學(xué)任務(wù)，實(shí)現(xiàn)教學(xué)目標(biāo)；另一方面可以加強(qiáng)對(duì)學(xué)生平時(shí)自主學(xué)習(xí)過程的指導(dǎo)和監(jiān)督，重在對(duì)學(xué)生自主學(xué)習(xí)過程進(jìn)行的指導(dǎo)和檢測(cè)，引導(dǎo)學(xué)生按照教學(xué)要求和學(xué)習(xí)計(jì)劃完成學(xué)習(xí)任務(wù)，達(dá)到掌握知識(shí)、提高能力的目標(biāo)，提高學(xué)生的綜合素質(zhì)。第一部分 形考說明設(shè)計(jì)4次測(cè)驗(yàn)題，占課程綜合成績(jī)的50。形式：4次測(cè)試題，題型有單項(xiàng)選擇題，多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題。注：每次形考任務(wù)按百分制進(jìn)行成績(jī)?cè)u(píng)定。操作：所有形成性考核試題均由國(guó)家開放大學(xué)統(tǒng)一編制。第二部分 形考內(nèi)容序號(hào)章節(jié)內(nèi)容形式發(fā)布時(shí)間最遲提交 時(shí)間權(quán)重1第一章第二章硅單晶常規(guī)電學(xué)參數(shù)的物理測(cè)試化學(xué)腐蝕法檢測(cè)晶體缺陷單項(xiàng)選擇題，多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題第3周第4周302第三章第四章半導(dǎo)體晶體定向紅外吸收法測(cè)定硅單晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的檢驗(yàn)單項(xiàng)選擇題，多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題第6周第7周303第五章第六章純水的檢測(cè)高純分析方法單項(xiàng)選擇題，多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題第9周第10周204第六章第七章高純分析方法其他物理檢測(cè)儀器簡(jiǎn)介單項(xiàng)選擇題，多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題第12周第13周20第一次考核目的與要求 學(xué)習(xí)完第一章、第二章之后完成本測(cè)試（100分）。題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題、多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題。樣題：1單項(xiàng)選擇題（每小題2分）（ ）是目前國(guó)內(nèi)最常用的判斷半導(dǎo)體導(dǎo)電類型的方法。A 冷熱探筆法 B三探針法 C單探針點(diǎn)接觸整流法 D冷探筆法答案：A2多項(xiàng)選擇題(每小題3分)國(guó)內(nèi)外導(dǎo)電類型測(cè)量的具體方法主要有（ ）。A冷熱探筆法 B三探針法 C單探針點(diǎn)接觸整流法 D冷探筆法答案：ABCD3判斷題（每小題2分）位錯(cuò)是半導(dǎo)體中最主要的缺陷，它屬于線缺陷。答案：4配伍題（每小題3分）將下列缺陷一一對(duì)應(yīng)。（1）空位 A.點(diǎn)缺陷（2）位錯(cuò) B.線缺陷（3）層錯(cuò) C.面缺陷答案：（1）-A、（2）-B、（3）-C目的：考查學(xué)生對(duì)基本理論和基本概念的掌握程度，并檢測(cè)學(xué)生運(yùn)用基本理論和基本概論分析相關(guān)專業(yè)問題的能力。幫助學(xué)生找出學(xué)習(xí)的薄弱環(huán)節(jié)，明確努力的方向，幫助教師了解學(xué)生的學(xué)習(xí)效果，根據(jù)學(xué)生的需求不斷調(diào)整教學(xué)策略，提高教學(xué)效果。要求：1認(rèn)真研讀教材第一、二章內(nèi)容，理清各知識(shí)點(diǎn)之間的聯(lián)系和主要脈絡(luò)。2認(rèn)真完成電大網(wǎng)以及教材后提供的相關(guān)練習(xí)題。解題思路：1冷熱探筆法測(cè)試硅單晶導(dǎo)電類型以及測(cè)試原理和操作步驟；四探針法測(cè)試硅單晶電阻率的原理及操作步驟；2硅單晶導(dǎo)電類型、多數(shù)載流子、少數(shù)載流子、非平衡少數(shù)載流子壽命等參數(shù)的概念；3硅單晶電化學(xué)腐蝕機(jī)理及常用腐蝕劑；硅單晶中缺陷的腐蝕；測(cè)試方法及步驟；4影響硅單晶電化學(xué)腐蝕速度的各種因素。第二次考核目的與要求 學(xué)習(xí)完教材第三章、第四章以后完成本測(cè)試（100分）。 題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題、多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題。目的：考查學(xué)生對(duì)基本理論和基本概念的掌握程度，并檢測(cè)學(xué)生運(yùn)用基本理論和基本概論分析相關(guān)專業(yè)問題的能力。幫助學(xué)生找出學(xué)習(xí)的薄弱環(huán)節(jié)，明確努力的方向，幫助教師了解學(xué)生的學(xué)習(xí)效果，根據(jù)學(xué)生的需求不斷調(diào)整教學(xué)策略，提高教學(xué)效果。要求：1認(rèn)真研讀教材第三、四章內(nèi)容，理清各知識(shí)點(diǎn)之間的聯(lián)系和主要脈絡(luò)。2認(rèn)真完成電大網(wǎng)以及教材后提供的相關(guān)練習(xí)題。解題思路：1硅單晶晶體取向的表示方法；光圖定向法的原理及操作；2影響光圖定向法及X光定向法的各種因素；X光的性質(zhì)與產(chǎn)生；3紅外吸收法測(cè)定硅單晶中氧碳含量的原理及操作步驟；多晶硅中基硼、基磷含量的檢測(cè)原理、步驟及計(jì)算；4紅外吸收法測(cè)定硅單晶中氧、碳含量的測(cè)準(zhǔn)因素。 第三次考核目的與要求 學(xué)習(xí)完教材第五章、第六章以后完成本測(cè)驗(yàn)（100分）。題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題、多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題。目的：考查學(xué)生對(duì)基本理論和基本概念的掌握程度，并檢測(cè)學(xué)生運(yùn)用基本理論和基本概論分析相關(guān)專業(yè)問題的能力。幫助學(xué)生找出學(xué)習(xí)的薄弱環(huán)節(jié)，明確努力的方向，幫助教師了解學(xué)生的學(xué)習(xí)效果，根據(jù)學(xué)生的需求不斷調(diào)整教學(xué)策略，提高教學(xué)效果。要求：1認(rèn)真研讀教材第五章、第六章的內(nèi)容，理清各知識(shí)點(diǎn)之間的聯(lián)系和主要脈絡(luò)。2認(rèn)真完成電大網(wǎng)以及教材后提供的相關(guān)練習(xí)題解題思路：1離子交換法制高純水的全部工藝操作及步驟；高純水的測(cè)試；2離子交換法制備高純水的原理；3三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學(xué)光譜測(cè)定；三氯氫硅中硼的分析； 4露點(diǎn)法測(cè)定氣體中的水分。第四次考核目的與要求 學(xué)習(xí)完教材第六篇、第七章內(nèi)容后完成本測(cè)試（100分）。題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題、多項(xiàng)選擇題，判斷題，配伍題。目的：考查學(xué)生對(duì)基本理論和基本概念的掌握程度，并檢測(cè)學(xué)生運(yùn)用基本理論和基本概論分析相關(guān)專業(yè)問題的能力。幫助學(xué)生找出學(xué)習(xí)的薄弱環(huán)節(jié)，明確努力的方向，幫助教師了解學(xué)生的學(xué)習(xí)效果，根據(jù)學(xué)生的需求不斷調(diào)整教學(xué)策略，提高教學(xué)效果。要求：1認(rèn)真研讀教材第六章、第七章內(nèi)容。2認(rèn)真完成電大網(wǎng)以及教材后提供的相關(guān)練習(xí)題。解題思路：1三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學(xué)光譜測(cè)定；三氯氫硅中硼的分析； 2三氯氫硅中磷的氣相色譜測(cè)定；氣相色譜法測(cè)定干法氫的組分；3露點(diǎn)法測(cè)定氣體中的水分；氯化氫中水分的測(cè)定；4X射線形貌技術(shù)；質(zhì)譜分析；中子活化分析；電子顯微鏡。（二）終結(jié)性考試主要目的：主要考核學(xué)生對(duì)光伏（硅）材料檢測(cè)技術(shù)的基本理論、基本知識(shí)、基本概念、基本技能的理解與把握。第一部分 考核說明比重：占課程綜合成績(jī)的50%，按百分制計(jì)算。題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題、多項(xiàng)選擇題，配伍題、簡(jiǎn)答題。操作：采用網(wǎng)絡(luò)終考考試系統(tǒng)考試，國(guó)家開放大學(xué)統(tǒng)一編制試題，地方廣播電視大學(xué)組織考試。時(shí)間：60分鐘第二部分 考核內(nèi)容一、單項(xiàng)選擇題（在各題的備選答案中，只有1項(xiàng)是正確的，請(qǐng)將正確答案的序號(hào)，填寫在題中的括號(hào)內(nèi)。每小題2分，共20分）1（ ）是目前國(guó)內(nèi)最常用的判斷半導(dǎo)體導(dǎo)電類型的方法。A冷熱探筆法 B三探針法 C單探針點(diǎn)接觸整流法 D冷探筆法答案：A二、多項(xiàng)選擇題（本題共30分，每小題3分，多選、少選、錯(cuò)選均不得分）1. 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型的測(cè)量具體方法有（ ）。A）冷熱探筆法 B）三探針法 C）單探針點(diǎn)接觸整流法 D）冷探筆法2. 構(gòu)成電化學(xué)腐蝕需要具備的條件主要有（ ）。A）被腐蝕的半導(dǎo)體各個(gè)部分或區(qū)域之間存在電位差B）具有不同電極電位的半導(dǎo)體各部分要互相接觸C）半導(dǎo)體電極電位的不同部分處于互相連通的電解質(zhì)溶液中D）電解質(zhì)腐蝕液可以是各種酸性或堿性的答案：1.ABCD 2.ABCD三、配伍題（本題共20分，每小題2分）1.將下列電阻率測(cè)量方法與電阻率值一一對(duì)應(yīng)。（1）冷熱探筆法 A.10-4104cm（2）整流法 B.11000cm（3）兩探針法 C.1000cm以下答案：（1）-C、（2）-B、（3）-A四、簡(jiǎn)答題（簡(jiǎn)要回答下列各題，每小