多晶硅的制絨工藝ppt.ppt_第1頁
多晶硅的制絨工藝ppt.ppt_第2頁
多晶硅的制絨工藝ppt.ppt_第3頁
多晶硅的制絨工藝ppt.ppt_第4頁
多晶硅的制絨工藝ppt.ppt_第5頁
已閱讀5頁，還剩9頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領

文檔簡介

多晶硅的制絨工藝 主要內(nèi)容 多晶硅制絨的目的多晶硅制絨的原理實驗步驟實驗結(jié)果分析實驗結(jié)論 1 多晶制絨的目的 在硅片表面腐蝕出絨面 增加表面的粗糙度 降低表面的反射率 以吸收更多的光子 在刻蝕槽中使用HF HNO3溶液 對硅片進行酸腐蝕制備出絨面 大致的刻蝕機制是HNO3腐蝕 在硅片表面形成一層SiO2 然后這層SiO2在HF酸的作用下除去 酸與硅的反應可以看成是局部的電化學過程 在反應發(fā)生的地方形成了陰極和陽極 陽極是硅的溶解反應 陰極是HNO3的消耗反應 陽極 Si 2H2O nh SiO2 4H 4 n e SiO2 6HF H2SiF6 2H2O陰極 HNO3 3H NO 2H2O 3h 總反應式為 3Si 4HNO3 18HF 3H2SiF6 4NO 8H2O 3 4 n h 3 4 n e 2 多晶硅制絨的原理 5 酸腐蝕液為HF HNO3和去離子水按一定比例混合而成 其中HNO3為強氧化劑 在反應中提供反應所需要的空穴 HF的作用是與反應的中間產(chǎn)物SiO2反應生成絡合物H2SiF6以促進反應進行 去離子水對反應起緩沖作用 反應中還會生成少量的HNO2 它能促進反應的發(fā)生 因此這是一種自催化反應 酸性溶液中各組分作用 3 實驗步驟 2020 3 18 7 可編輯 實驗流程 4 實驗結(jié)果分析 HF HNO3 去離子水 1 5 1時 HF HNO3 去離子水 1 3 1時 HF HNO3 去離子水 1 1 3時 HF HNO3 去離子水 3 1 6時 HF HNO3 去離子水 6 1 6時 HF HNO3 去離子水 9 1 6時 HF HNO3 去離子水 12 1 6 HF HNO3 去離子水 15 1 6時 各組分刻蝕10min匯總 5 實驗結(jié)論 通過使用分光光度計對制絨后的硅片樣品表面進行反射率的測定 在對得到的測試結(jié)果分析后 初步得到以下結(jié)論 在富氫氟酸的制絨溶液中過長時間的制絨會使硅表面拋光 而增加其表面的反射率 最佳的溶液配比為HF HNO3 去離子水 12 1 6時的制絨溶液 其相應的最佳制絨時間為10min 用酸溶液腐蝕的多晶硅片表面反射率較低 且腐蝕過程時間短 減少了生產(chǎn)周期 實驗展望 由于受本人水平和時間等原因的限制 研究的深度和廣度非常有限 還有很多非常有意義的工作有待進一步展開 腐蝕時間和反應溶液的溫度對絨面的形成至關重要 因此 要進一步觀察試驗并進一步優(yōu)化反應條件 氣泡狀的腐蝕坑是否還和反應過程中產(chǎn)生的氣泡有關還有待進一步試驗 關于多晶硅片表面形貌 優(yōu)化表面陷光作用 提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論