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微電子材料課程教學(xué)大綱課程編號(hào)：9141114 課程類型：專業(yè)基礎(chǔ)課課程性質(zhì)：理論課 課程學(xué)時(shí)：51適用專業(yè)：微電子科學(xué)與工程 課程學(xué)分：2考核方式：考查一、 課程定位本課程是微電子學(xué)專業(yè)的一門專業(yè)基礎(chǔ)課程。通過(guò)學(xué)習(xí)各類微電子材料的特性、制備工藝、實(shí)際應(yīng)用的等方面的知識(shí)，使學(xué)生對(duì)制造半導(dǎo)體器件、集成電路所用的微電子材料用充分的了解，以便在工作中能熟練的制備和使用這些材料。前續(xù)課程：半導(dǎo)體制造技術(shù)后續(xù)課程：微電子封裝技術(shù)、集成電路設(shè)計(jì)等二、課程目標(biāo)1、知識(shí)目標(biāo)（1）掌握各類常用微電子材料的參數(shù)性能；（2）掌握各類常用微電子材料的基本制備工藝；（3）掌握各類半導(dǎo)體薄膜材料的制備與應(yīng)用。2、能力目標(biāo)（1）查閱微電子相關(guān)資料文獻(xiàn)的能力；（2）熟悉常用微電子材料性能和應(yīng)用；（3）熟悉各類微電子材料的制備技術(shù)。3、素質(zhì)目標(biāo)（1） 具有較強(qiáng)的敬業(yè)精神和質(zhì)量意識(shí)；（2） 具有科學(xué)的分析思維習(xí)慣；（3） 具有良好的團(tuán)隊(duì)精神和心理素質(zhì)；（4） 具有良好的人際交往溝通能力。三、課程設(shè)計(jì)1、設(shè)計(jì)理念本課程以集成電路制造領(lǐng)域相關(guān)材料介紹為基礎(chǔ)，課程設(shè)計(jì)力求實(shí)用、夠用、簡(jiǎn)易，注重將理論與實(shí)踐相結(jié)合，并在課程教學(xué)過(guò)程中的突出細(xì)節(jié)教學(xué)和生產(chǎn)實(shí)踐的統(tǒng)一，從而達(dá)到提高學(xué)生能力和素質(zhì)的目的。2、設(shè)計(jì)思路針對(duì)課程特點(diǎn)，結(jié)合學(xué)生實(shí)際情況，設(shè)計(jì)了元素半導(dǎo)體材料、化合物半導(dǎo)體材料、薄膜材料等三大模塊，課程內(nèi)容上由淺入深，涵蓋了材料性質(zhì)、材料制備、材料表征及應(yīng)用等知識(shí)，逐步培養(yǎng)學(xué)生縝密科學(xué)的思維和良好的職業(yè)素養(yǎng)。四、課程內(nèi)容與學(xué)時(shí)分配序號(hào)課程項(xiàng)目名稱項(xiàng)目單元名稱學(xué)時(shí)1元素半導(dǎo)體材料1、硅的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)42、硅的粗制與純化43、生長(zhǎng)設(shè)備44、其他單晶45、晶圓制備42化合物半導(dǎo)體材料1、-材料性質(zhì)與制備42、-材料性質(zhì)與制備43、氧化物材料性質(zhì)、制備44、其他化合物材料43薄膜材料1、薄膜材料52、薄膜制備53、薄膜表征5合計(jì)51五、教學(xué)設(shè)計(jì)一、元素半導(dǎo)體材料 學(xué)時(shí)：20教學(xué)目標(biāo)1、 熟悉硅等元素半導(dǎo)體材料性質(zhì)2、 熟悉元素半導(dǎo)體材料制備與提純技術(shù)3、 熟悉晶圓制備技術(shù)教學(xué)重點(diǎn)1、 硅、鍺半導(dǎo)體材料2、 單晶的生長(zhǎng)3、 晶圓制備技術(shù)學(xué)習(xí)難點(diǎn)1、 區(qū)熔提純技術(shù)2、 單晶生長(zhǎng)理論主要教學(xué)內(nèi)容1、硅的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)硅的物理、化學(xué)性質(zhì)2、硅的粗制與純化硅的化學(xué)制備、區(qū)熔提純3、生長(zhǎng)設(shè)備單晶生長(zhǎng)設(shè)備4、其他單晶鍺的性質(zhì)、結(jié)構(gòu)與制備5、晶圓制備硅片制備技術(shù)教學(xué)方法建議理論講解、多媒體教學(xué)備注二、化合物半導(dǎo)體材料 學(xué)時(shí)：16教學(xué)目標(biāo)1、 熟悉各類化合物半導(dǎo)體的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)2、 熟悉各類化合物半導(dǎo)體制備技術(shù)3、 熟悉化合物半導(dǎo)體應(yīng)用情況教學(xué)重點(diǎn)1、 化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2、 化合物半導(dǎo)體制備技術(shù)3、 化合物半導(dǎo)體如何應(yīng)用學(xué)習(xí)難點(diǎn)閃鋅礦結(jié)構(gòu)主要教學(xué)內(nèi)容1、-材料性質(zhì)與制備-族化合物半導(dǎo)體的特性、砷化鎵單晶的生長(zhǎng)方法、雜質(zhì)控制、外延技術(shù)、其他-族化合物的制備2、-材料性質(zhì)與制備化合物單晶材料、-族多元化合物材料、-族超晶格材料3、氧化物材料性質(zhì)、制備氧化物材料制備、氧化物材料性質(zhì)、氧化物材料應(yīng)用4、其他化合物材料納米晶材料、非晶態(tài)材料教學(xué)方法建議理論講解、多媒體教學(xué)備注三、薄膜材料 學(xué)時(shí)：15教學(xué)目標(biāo)1、 掌握各類薄膜材料性質(zhì)與應(yīng)用2、 熟悉各類薄膜制備技術(shù)3、 熟悉各類薄膜的表征教學(xué)重點(diǎn)1、 多晶硅2、 非晶硅3、 二氧化硅4、 金屬薄膜5、 新型薄膜材料學(xué)習(xí)難點(diǎn)1、 金剛石薄膜2、 非晶硅薄膜主要教學(xué)內(nèi)容1、各類薄膜材料多晶硅、非晶硅、二氧化硅、金屬薄膜、新型薄膜2、薄膜制備放法物理氣相淀積、化學(xué)氣相淀積、外延、濺射、蒸發(fā)、其他技術(shù)3、薄膜表征技術(shù)薄膜結(jié)構(gòu)表征、薄膜顯微組織與形貌、薄膜組分表征教學(xué)方法建議理論講解、多媒體教學(xué)備注六、考核評(píng)價(jià)期末總成績(jī)由平時(shí)成績(jī)和期末考試成績(jī)構(gòu)成，平時(shí)成績(jī)占總成績(jī)的30，期末考試成績(jī)占總成績(jī)的70。平時(shí)成績(jī)包含出勤