微機(jī)原理與匯編語(yǔ)言幻燈片.ppt

第3章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其接口 1 3 1存儲(chǔ)器種類(lèi)與特性 3 1 1存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器是組成計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要部件 決定著系統(tǒng)的性能 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中所用的存儲(chǔ)器可以根據(jù)存儲(chǔ)元件的性能 介質(zhì)和地位的不同進(jìn)行分類(lèi) 1 按存儲(chǔ)所處的地位分 1 內(nèi)部寄存器組 2 主存儲(chǔ)器 3 輔助存儲(chǔ)器 4 高速緩沖存儲(chǔ)器 2 2 按存儲(chǔ)介質(zhì)分 1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器 它的有關(guān)特性將在下節(jié)中詳細(xì)介紹 2 磁存儲(chǔ)器 用磁性材料組成的存儲(chǔ)器 它可分為磁芯存儲(chǔ)器和磁表面存儲(chǔ)器 現(xiàn)在使用的軟盤(pán) 硬盤(pán)都是利用存儲(chǔ)器基質(zhì)表面的一層磁性介質(zhì)被磁化后的剩磁狀態(tài)來(lái)記錄數(shù)據(jù)的 故屬于磁表面存儲(chǔ)器 3 光存儲(chǔ)器 用光熱效應(yīng)或機(jī)械的方法在媒體上存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器 根據(jù)媒體材料光學(xué)性質(zhì) 如反射率 偏振方向等 的變化來(lái)表示所存儲(chǔ)的信息 可分為只讀型光盤(pán) 一次寫(xiě)入型光盤(pán)和可讀寫(xiě)型光盤(pán) 3 3 1 2存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)1 存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量是指存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制數(shù)信息量 以存儲(chǔ)單元的總位數(shù)表示 存儲(chǔ)總位數(shù)等于地址寄存器的編址數(shù)與存儲(chǔ)字位數(shù)的乘積 例如一個(gè)16位字長(zhǎng)的計(jì)算機(jī) 其地址寄存器也為16位 則存儲(chǔ)總位數(shù)為64K 16位 用字節(jié)表示為128K字節(jié) 其中64K為16位地址寄存器的編址能力 即為216 64 1024 64K 2 存儲(chǔ)速度存儲(chǔ)器的基本操作是讀出與寫(xiě)入 總稱(chēng)為 訪(fǎng)問(wèn) 或 存取 有關(guān)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度有兩個(gè)時(shí)間參數(shù) 一個(gè)是訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間TA AccessTime 定義為從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作 到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間 另一個(gè)參數(shù) 這就是存儲(chǔ)周期TMC MemoryCycle 把啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作之間所需的最小時(shí)間間隔定義為存儲(chǔ)周期 4 3 存儲(chǔ)器的可靠性存儲(chǔ)器的可靠性用平均無(wú)故障工作時(shí)間MTBF MeanTimeBetweenFailures 來(lái)衡量 MTBF越長(zhǎng) 可靠性越高 主存儲(chǔ)器常采用糾錯(cuò)編碼技術(shù)來(lái)延長(zhǎng)MTBF 從而提高可靠性 4 性能 價(jià)格比這是一個(gè)綜合性指標(biāo) 性能主要包括存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)速度和可靠性 對(duì)不同用途的存儲(chǔ)器有不同的要求 例如 對(duì)高速緩沖存儲(chǔ)器主要要求存儲(chǔ)速度快 而對(duì)輔助存儲(chǔ)器主要要求存儲(chǔ)容量大 5 3 28086的存儲(chǔ)器組織 3 2 1存儲(chǔ)器地址空間和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式8086的存儲(chǔ)器是以字節(jié) 8位 為單位組織的 它們具有20條地址總線(xiàn) 所以可尋址的存儲(chǔ)器地址空間容量為220B 約1MB 每個(gè)字節(jié)對(duì)應(yīng)一個(gè)惟一的地址 地址范圍為0 220 1 用十六進(jìn)制表示為00000H FFFFFH 如圖3 1所示 6 存儲(chǔ)器內(nèi)兩個(gè)連續(xù)的字節(jié) 定義為一個(gè)字 一個(gè)字中的每個(gè)字節(jié) 都有一個(gè)字節(jié)地址 每一個(gè)字的低字節(jié) 低8位 存放在低地址中 高字節(jié) 8位 存放在高地址中 字的地址指低字節(jié)的地址 各位的編號(hào)方法是最低位 LSB 為位0 一個(gè)字節(jié)中 最高位 MSB 編號(hào)為位7 一個(gè)字中最高位的編號(hào)為位15 這些約定如圖3 2所示 7 3 2 2存儲(chǔ)器的分段和物理地址的形成8086CPU地址總線(xiàn)有20條 存儲(chǔ)器地址空間為1MB 但CPU內(nèi)部可以提供地址的寄存器BX IP SP BP SI和DI及算術(shù)邏輯運(yùn)算單元ALU都是16位 只能直接處理16位地址 即尋址范圍為64KB 因此 擴(kuò)大尋址范圍成為一個(gè)難題 8086CPU巧妙地采用了地址分段方法 將尋址范圍擴(kuò)大到1MB 在8086中 把1MB的存儲(chǔ)空間劃分成若干個(gè)邏輯段 每段最多為空間容量是64KB的存儲(chǔ)單元 各邏輯段的起始地址必須是能被16整除的地址 即段的起始地址的低4位二進(jìn)制碼必須是0 一個(gè)段的起始地址的高16位被稱(chēng)為該段的段地址 SegmentAddress 8 任意相鄰的兩個(gè)段地址相距16個(gè)存儲(chǔ)單元 段內(nèi)一個(gè)存儲(chǔ)單元的地址 可用相對(duì)于段起始地址的偏移量來(lái)表示 這個(gè)偏移量稱(chēng)為段的偏移地址 OffsetAddress 也稱(chēng)為有效地址EA EffectiveAddress 偏移地址也是16位的 所以 一個(gè)段最大可以包括一個(gè)64KB的存儲(chǔ)空間 由于相鄰兩個(gè)段地址只相距16個(gè)單元 所以段與段是互相覆蓋的 如圖3 3所示 9 每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)物理地址 PhysicalAddress 物理地址就是存儲(chǔ)單元的實(shí)際地址編碼 在CPU與存儲(chǔ)器之間進(jìn)行任何信息交換時(shí) 需要利用物理地址來(lái)查找所需要訪(fǎng)問(wèn)的存儲(chǔ)單元 邏輯地址 LogicAddress 由段地址和偏移地址兩部分組成 段地址和偏移地址都是無(wú)符號(hào)的16位二進(jìn)制數(shù) 常用4位十六進(jìn)制數(shù)表示 邏輯地址的表示格式為 段地址 偏移地址 例如2100 0600H表示段地址為2100H 偏移地址為0600H 上述格式中的段地址有時(shí)用段寄存器代替 理解了邏輯地址 不難得出它對(duì)應(yīng)的物理地址為 物理地址 段地址 10H 偏移地址因此2100 0600H的物理地址為21600H 在訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器時(shí) 段地址總是由段寄存器提供的 如前所述 8086微處理器的BIU單元內(nèi)設(shè)有4個(gè)段寄存器 CS DS SS ES 所以CPU可通過(guò)這4個(gè)段寄存器來(lái)訪(fǎng)問(wèn)4個(gè)不同的段 用程序?qū)Χ渭拇嫫鞯膬?nèi)容進(jìn)行修改 可實(shí)現(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)所有的段 10 3 2 4內(nèi)存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中內(nèi)存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)如圖3 5所示 圖中顯示出了內(nèi)存與CPU的連接 內(nèi)部信息的流通是按下述過(guò)程進(jìn)行的 11 3 3半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 3 3 1半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)1 按制造工藝分 1 雙極 Bipolar 型雙極型存儲(chǔ)器是用TTL Transistor TransistorLogic 晶體管 晶體管邏輯 電路制成的存儲(chǔ)器 其特點(diǎn)是工作速度快 功耗不大 但集成度較低 因此計(jì)算機(jī)中的高速緩存 Cache 常采用雙極型存儲(chǔ)器 2 金屬氧化物半導(dǎo)體 Metal Oxide Semiconductor 型單極型存儲(chǔ)器是用MOS電路制成的存儲(chǔ)器 其特點(diǎn)是集成度高 功耗低 低格便宜 而且隨著半導(dǎo)體集成工藝和技術(shù)的長(zhǎng)足進(jìn)展 目前MOS存儲(chǔ)器的工作速度也可以與雙極型TTL存儲(chǔ)器媲美 單極型存儲(chǔ)器通常稱(chēng)為MOS存儲(chǔ)器 12 2 按使用屬性分 1 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM RandomAccessMemory 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也稱(chēng)隨機(jī)存儲(chǔ)器或讀寫(xiě)存儲(chǔ)器 顧名思義 對(duì)這種存儲(chǔ)器 信息可以隨時(shí)寫(xiě)入或讀出 一般的RAM芯片 掉電時(shí) 信息將會(huì)丟失 但目前有些RAM芯片 內(nèi)部帶有電池 掉電后信息亦不丟失 稱(chēng)為非易失的或 不揮發(fā) 的RAM NVRAM 微機(jī)系統(tǒng)中大量使用MOS型的RAM芯片 根據(jù)它的結(jié)構(gòu)和功能 又可分為兩種類(lèi)型 靜態(tài) Static RAM 即SRAM 動(dòng)態(tài) Dynamic RAM 即DRAM 13 2 只讀存儲(chǔ)器ROM ReadOnlyMemory 這類(lèi)存儲(chǔ)器中的信息 在正常工作狀態(tài)下只能讀出 不能寫(xiě)入 一般用它來(lái)存放固定的程序或數(shù)據(jù) 通過(guò)工廠的制造環(huán)節(jié) 或采用特殊的編程方法可將信息寫(xiě)入ROM芯片 并能長(zhǎng)期加以保存 掉電亦不丟失 所以 ROM屬于非易失性存儲(chǔ)器件 常用的類(lèi)型包括如下 掩膜式 Masked ROM 簡(jiǎn)稱(chēng)ROM 可編程 Programmable ROM 即PROM 可擦除 Erasable PROM 即EPROM 電可擦除 ElectricallyErasable PROM 即EEPROM 也稱(chēng)E2PROM 14 3 3 2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM1 靜態(tài)MOS存儲(chǔ)電路如下圖所示是靜態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路 它是用來(lái)存儲(chǔ)1位二進(jìn)制信息 0 或 1 是組成存儲(chǔ)器的基礎(chǔ) 在基本存儲(chǔ)電路中 T1 T3及T2 T4兩個(gè)NMOS反相交叉耦合組成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路 其中T3 T4為負(fù)載管 T1 T2為反相管 T5 T6為選通管 T1和T2的狀態(tài)決定了存儲(chǔ)的1位二進(jìn)制信息 這對(duì)交叉耦合晶體管的工作狀態(tài)是 當(dāng)一個(gè)晶體管導(dǎo)通時(shí) 另一個(gè)就截止 反之亦然 假設(shè)T1導(dǎo)通 T2截止時(shí)的狀態(tài)代表 1 相反的狀態(tài)即T2導(dǎo)通 T1截止時(shí)的狀態(tài)代表 0 即A點(diǎn)的電平高低分別代表 0 或 1 15 當(dāng)行線(xiàn)X和列線(xiàn)Y都為高電平時(shí) 開(kāi)關(guān)管T5 T6均導(dǎo)通 該單元被選中 于是便可以對(duì)它進(jìn)行讀或?qū)懖僮?讀操作 被選中的存儲(chǔ)單元的行選擇線(xiàn)為高電平 使開(kāi)關(guān)T5 T6導(dǎo)通 若設(shè)定兩邊列選擇線(xiàn)的負(fù)載是平衡的 則A與B兩點(diǎn)的電位就通過(guò)T5 T6傳送到列選擇線(xiàn)上 即被讀出 寫(xiě)操作 被選中的存儲(chǔ)單元的行選擇線(xiàn)為高電平 使開(kāi)關(guān)T5 T6導(dǎo)通 寫(xiě) 1 時(shí) 列選擇線(xiàn)1上加低電壓 列選擇線(xiàn)2上加高電壓 迫使T1管導(dǎo)通 A點(diǎn)為低電位 T2管截止 B點(diǎn)為高電位 觸發(fā)器處于 1 狀態(tài) 寫(xiě) 0 則相反 16 2 動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)電路常用的動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路有4管型和單管型兩種 其中單管型由于集成度高而愈來(lái)愈被廣泛采用 這里以單管基本存儲(chǔ)電路為例說(shuō)明 如圖3 7所示為一個(gè)NMOS單管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路 它由一個(gè)管子T和一個(gè)電容C構(gòu)成 這個(gè)基本存儲(chǔ)電路所存儲(chǔ)的內(nèi)容是 0 還是 1 是由電容上是否有電荷來(lái)決定 17 3 典型芯片常用的SRAM芯片有2114 1K 4位 6116 2K 8位 6264 8K 8位 62128 16K 8位 62256 32K 8位 等多種 常用的DRAM芯片有2164 64K 1位 4116 16K 1位 等 18 3 3 3只讀存儲(chǔ)器ROM只讀存儲(chǔ)器ROM 是一種非易失性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)部件 其中所存放的信息可長(zhǎng)期保存 掉電亦不丟失 常被用來(lái)保存固定的程序或數(shù)據(jù) 在一般工作狀態(tài)下 ROM中的信息只能讀出 不能寫(xiě)入 對(duì)可編程的ROM芯片 可用特殊方法將信息寫(xiě)入 該過(guò)程被稱(chēng)為 編程 對(duì)可擦除的ROM芯片 可采用特殊方法將原信息擦除 以便再次編程 1 掩膜式ROM 掩膜式 ROM是指在ROM的制作階段 通過(guò) 掩膜 這道工序?qū)⑿畔⒆龅叫酒?這種ROM一般由生產(chǎn)廠家根據(jù)用戶(hù)的要求而定制 適合于批量生產(chǎn)和使用 比如 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的一 二級(jí)漢字字模 漢字字形信息 就可以做到一個(gè)掩膜式的ROM芯片中 19 2 可編程ROM可編程只讀存儲(chǔ)器PROM ProgrammableROM 常由雙極型電路構(gòu)成 每一個(gè)基本存儲(chǔ)電路由一個(gè)三極管和串接在發(fā)射極的熔絲組成 如圖3 11所示 PROM在出廠時(shí) 所有存儲(chǔ)單元的熔絲都是完好的 編程時(shí) 通過(guò)字線(xiàn)選中某個(gè)晶體管 若準(zhǔn)備寫(xiě)入 1 則向位線(xiàn)送高電平 此時(shí)管子截止 熔絲將被保留 若準(zhǔn)備寫(xiě)入 0 則向位線(xiàn)送低電平 此時(shí)管子導(dǎo)通 控制電流使熔絲燒斷 也就是說(shuō) 所有的存儲(chǔ)單元出廠時(shí)均存放信息初值為 1 一旦寫(xiě)入 0 使熔絲燒斷 就不可能再加以恢復(fù) 所以 它只能進(jìn)行一次性編程 20 3 可擦可編程的ROM目前用得最多的可擦可編程的EPROM ErasedProgrammableROM 是采用浮動(dòng)?xùn)叛┍雷⑷胄蚆OS管構(gòu)成的 平時(shí) 浮動(dòng)?xùn)派喜粠щ姾?源漏之間不導(dǎo)通 表示存 0 這種浮動(dòng)?xùn)殴茏拥臇艠O是一個(gè)被絕緣體隔絕的懸空的電極 開(kāi)始時(shí) 柵上沒(méi)有電荷 MOS管不導(dǎo)通 都是存 0 編程時(shí) 通過(guò)專(zhuān)門(mén)裝置 利用較高電壓 25V 向柵極注入電荷 在柵極下面感應(yīng)導(dǎo)電溝道 使該管子導(dǎo)通 表示該位存 1 由于絕緣柵上的電荷很難流失 所以MOS管能夠長(zhǎng)期保持導(dǎo)通或截止 從而保存有關(guān)信息 為了擦除已存入的數(shù)據(jù) 可利用紫外線(xiàn) 通過(guò)芯片表面的石英玻璃窗口照射浮動(dòng)?xùn)?使柵上電荷通過(guò)光電流釋放掉 恢復(fù)到所有單元都存 0 擦除存儲(chǔ)內(nèi)容后 還可以重新編程 21 4 電可擦除可編程的ROM為了不拔下EPROM芯片實(shí)現(xiàn)在線(xiàn)擦除改寫(xiě)的要求 又研制了利用電子方法擦除其中內(nèi)容的E2PROM ElectricallyErasableProgrammableROM 電路 其擦除機(jī)理是在浮動(dòng)?xùn)派厦嬗衷黾右粋€(gè)控制柵極 擦除數(shù)據(jù)時(shí) 利用較高的編程電壓 21V 加在源極上 控制柵接地 在此電場(chǎng)作用下 浮動(dòng)?xùn)派系碾娮訐舸┭趸瘜舆M(jìn)入源區(qū) 被外加電源吸收 擦除有關(guān)單元 使之處于 0 狀態(tài) 在下一個(gè)寫(xiě)入周期中 再寫(xiě)入新的數(shù)據(jù) 22 5 快擦除讀寫(xiě)存儲(chǔ)器快擦除讀寫(xiě)存儲(chǔ)器 FlashMemory 是在EPROM和E2PROM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的 它與EPROM一樣 用單管來(lái)存儲(chǔ)一位信息 它與E2PROM相同之處是用電來(lái)擦除 但是它只能擦除整個(gè)區(qū)域或整個(gè)器件 在源極上加高壓VPP 控制柵接地 在電場(chǎng)作用下 浮動(dòng)?xùn)派系碾娮釉竭^(guò)氧化層進(jìn)入源極區(qū)而全部消失 實(shí)現(xiàn)整體擦除或分區(qū)擦除 23 3 4 1存儲(chǔ)芯片與CPU的連接1 存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)線(xiàn)的處理假定存儲(chǔ)器為字節(jié)編址結(jié)構(gòu) 系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的寬度為8位 為此 1 若芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)正好是8根 說(shuō)明一次可從芯片中訪(fǎng)問(wèn)到8位數(shù)據(jù) 此時(shí) 芯片的全部數(shù)據(jù)線(xiàn)應(yīng)與系統(tǒng)的8位數(shù)據(jù)總線(xiàn)相連 2 若芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)不足8根 說(shuō)明一次不能從單一的芯片中訪(fǎng)問(wèn)到8位數(shù)據(jù) 所以必須在數(shù)據(jù)的 位方向 上進(jìn)行擴(kuò)充 這一擴(kuò)充方式簡(jiǎn)稱(chēng) 位擴(kuò)充 3 4半導(dǎo)體存儲(chǔ)器與CPU的連接 24 2 存儲(chǔ)芯片地址線(xiàn)的連接存儲(chǔ)芯片的地址線(xiàn)通常應(yīng)全部與系統(tǒng)的低位地址總線(xiàn)相連 尋址時(shí) 這部分地址的譯碼是在存儲(chǔ)芯片內(nèi)完成的 我們稱(chēng)為 片內(nèi)譯碼 設(shè)某存儲(chǔ)芯片有N根地址線(xiàn) 當(dāng)該芯片被選中時(shí) 其地址線(xiàn)將輸入N位地址 芯片在其內(nèi)部進(jìn)行N 2N的譯碼 譯碼后的地址范圍為00 000 N位全0 到11 111 N位全1 以下我們將稱(chēng)這種情況為 全0 全1 25 3 存儲(chǔ)芯片片選端的處理由一個(gè)存儲(chǔ)芯片或芯片組構(gòu)成的存儲(chǔ)器 其地址單元畢竟有限 使用中不一定能滿(mǎn)足需要 因此常常需要在 地址方向 上加以擴(kuò)充 簡(jiǎn)稱(chēng)為 地址擴(kuò)充 在系統(tǒng)存在 地址擴(kuò)充 的情況下 必須對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)芯片或芯片組進(jìn)行尋址 這一尋址過(guò)程 主要通過(guò)將系統(tǒng)高位地址線(xiàn)與存儲(chǔ)芯片片選端相關(guān)聯(lián)的方法來(lái)加以實(shí)現(xiàn) 但處理上十分靈活 在處理存儲(chǔ)芯片片選端時(shí) 更一般的方法 還是將其與系統(tǒng)的高位地址線(xiàn)相關(guān)聯(lián) 這樣 只有當(dāng)高位地址滿(mǎn)足一定條件時(shí) 才會(huì)選中某個(gè)指定的芯片 組 具體可以有全譯碼 部分譯碼與線(xiàn)選法等方法 26 1 譯碼和譯碼器所謂 譯碼 就是將某個(gè)特定的 編碼輸入 翻譯為惟一的 有效輸出 的過(guò)程 可以舉一個(gè)日常生活的例子來(lái)對(duì) 譯碼 進(jìn)行說(shuō)明 設(shè)某車(chē)間里只有3個(gè)控制按鈕 要控制8臺(tái)機(jī)器的電源 可以根據(jù)3個(gè)控制按鈕的8種組合狀態(tài)來(lái)分別對(duì)應(yīng)控制8臺(tái)機(jī)器 設(shè)控制按鈕的開(kāi)為1 關(guān)為0 若當(dāng)給出編號(hào)為011時(shí)則表示控制第3臺(tái)機(jī)器 若給出編號(hào)為101時(shí)則表示控制第5臺(tái)機(jī)器 這時(shí) 我們所做的工作就是 譯碼 這種譯碼是 3 8譯碼 或 8選1譯碼 即對(duì)每個(gè)3位編碼輸入 最后僅得到一個(gè)有效的輸出狀態(tài) 其余無(wú)效 或者說(shuō)在8種可能的情況 只控制一臺(tái)機(jī)器 中選取其中的一種 27 2 全譯碼 全譯碼 是指所有的系統(tǒng)地址線(xiàn)均參與對(duì)存儲(chǔ)單元的譯碼尋址 包括低位地址線(xiàn)對(duì)芯片各存儲(chǔ)單元的譯碼尋址 片內(nèi)譯碼 及高位地址線(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)芯片的譯碼尋址 片選譯碼 采用全譯碼方法 每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址都是惟一的 不存在地址重復(fù) 但譯碼電路比較復(fù)雜 連線(xiàn)較多 28 3 部分譯碼在對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行譯碼尋址時(shí) 如果只有部分高位地址線(xiàn)參與尋址 則這種譯碼方法稱(chēng)為 部分譯碼 對(duì)被選中的芯片來(lái)說(shuō) 這些未參與譯碼的高位地址可以為1 也可以為0 因此 每個(gè)存儲(chǔ)單元將對(duì)應(yīng)多個(gè)地址 地址重復(fù) 但使用時(shí) 只選取其中的一個(gè) 一般都是將未用地址設(shè)為0 而得到其可用地址 采用部分譯碼的方法 可簡(jiǎn)化譯碼電路的設(shè)計(jì) 但由于地址重復(fù) 系統(tǒng)的一部分地址空間資源將被浪費(fèi) 29 4 線(xiàn)選法如果只有少數(shù)幾根高位地址線(xiàn)進(jìn)行芯片的譯碼 且每根負(fù)責(zé)選