內(nèi)存的認(rèn)識與選購.ppt

名稱 compute3190 密碼 123319 第5章內(nèi)存的認(rèn)識與選購 5 1內(nèi)存的認(rèn)識5 2如何選擇理想的內(nèi)存5 3DDR內(nèi)存選購實戰(zhàn)5 4RDRAM內(nèi)存5 5內(nèi)存防偽技巧 宇瞻512MBDDR400 停產(chǎn) 金士頓DDR2800120 金士頓2GBDDR31333130 威剛2GBDDR31333 萬紫千紅 85 海盜船TW3X4G2000C9DF 7500 5 1內(nèi)存的認(rèn)識 5 1 1內(nèi)存的分類1 ROMROM的特點是斷電后不丟失其中所儲存的程序或數(shù)據(jù) 主要用來保存一般無需修改就可以長期使用的信息 如主板上的BIOS 部分打印機中的漢字庫 網(wǎng)卡上的啟動程序等 ROM中的信息能在特定的條件下擦除并重寫 目前電腦等設(shè)備中常用的ROM芯片擦寫方式可分為紫外光擦寫的EPROM ErasableProgrammableROM 可擦寫編程ROM 和電擦除的EEPROM ElectricallyErasableProgrammableROM 電擦寫編程ROM 兩種 其中電擦寫ROM即常說的快閃ROM或快擦寫ROM FlashROM 紫外光擦寫的ROM芯片最突出的特征是芯片上有一個透明的小孔 這個孔就是為了能讓紫外光照進(jìn)去擦除信息才開的 這種芯片在寫入數(shù)據(jù)后一般都用黑色或鋁箔不干膠紙貼上 過去的486以下檔次的電腦中常用它來保存主板的BIOS程序 隨著電腦技術(shù)的發(fā)展 主板BIOS程序也經(jīng)常因為添加新型CPU或其他器件的支持而需要升級 所以現(xiàn)在電腦主板上已經(jīng)改用快閃ROM保存BIOS 由于快閃ROM使用方便 所以目前已經(jīng)完全在電腦主板 高速圖形顯示卡等器件中取代了紫外光擦寫ROM 用來保存這些設(shè)備所必須具備的BIOS程序 2 RAMRAM是電腦中使用最多的存儲器 它最重要的特點在于存取速度比ROM快 但在斷電后就會丟失所有已經(jīng)保存的數(shù)據(jù) RAM根據(jù)其保存數(shù)據(jù)時的工作原理可分為SRAM StaticRAM 靜態(tài)存儲器 和DRAM DynamicRAM 動態(tài)存儲器 兩大類 SRAM的工作原理是利用數(shù)字電路中觸發(fā)器的導(dǎo)通和截止來表示數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)的改變速度取決于晶體管的完全導(dǎo)通和截止時間 一般來說 SRAM通常只作為CPU上的高速緩存使用 另外 主板上的BIOS芯片中也有一片SRAM用于保存用戶設(shè)置的數(shù)據(jù) 所以主板上都有一塊電池用于在電腦關(guān)機后繼續(xù)為BIOS芯片供電 DRAM是利用半導(dǎo)體MOS電容充電成高電平后表示數(shù)據(jù) 1 放電后表示 0 但由于電容存在著不能避免的漏電現(xiàn)象 所以在要求某內(nèi)存單元由 1 變?yōu)?0 之前必須設(shè)計讓電容繼續(xù)保持高電位 由于電容充 放電需要一定的時間 而且還必須經(jīng)常刷新 所以DRAM的存取速度比SRAM慢 故被稱為動態(tài)存儲器 DRAM可根據(jù)工作方式分為FPMDRAM 快頁式DRAM EDODRAM 擴展數(shù)據(jù)輸出DRAM SDRAM 同步DRAM 以及目前的DDR 雙倍速度的SDRAM 和RDRAM RambusDRAM 緩存又分L1緩存和L2緩存 L1緩存是最重要的 它是最接近CPU的 因此訪問速度也最快 但由于制造技術(shù)和成本的問題 它的容量很有限 L2緩存也非常重要 尤其是當(dāng)它在高速狀態(tài)下更是如此 5 1 2常用的內(nèi)存條類型1 SDRAM圖5 1所示的是SDRAM內(nèi)存條 SDRAM SynchronousBurstRAM 的中文意思是同步突發(fā)內(nèi)存 具有168線 工作電壓為3 3V 帶寬為64bit 速度可達(dá)6ns pc133 SDRAM是雙存儲體結(jié)構(gòu) 也就是說有兩個儲存陣列 一個被CPU讀取數(shù)據(jù)的時候 另一個已經(jīng)做好被讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)備 兩者相互自動切換 使得存取效率成倍提高 同時 它將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制 使RAM與CPU外頻同步 取消等待時間 圖5 1SDRAM內(nèi)存條 圖5 1SDRAM內(nèi)存條 2 DDRSDRAM圖5 2所示的是DDR內(nèi)存條 DDR DoubleDataRateRAM 的中文意思是雙倍數(shù)據(jù)傳速率的SDRAM內(nèi)存 它的速度比SDRAM提高一倍 其核心建立在SDRAM的基礎(chǔ)上 但在速度和容量上有了提高 DDR的工作電壓是2 5V 這使得DDR內(nèi)存減少了耗能 DDR接口與SDRAM不兼容 它使用184線取代了SDRAM的168線 圖5 2DDR內(nèi)存條 3 RDRAM圖5 3所示的是RDRAM內(nèi)存條 RDRAM RambusDRAM 的中文意思是動態(tài)隨機存儲器 這是Intel所推崇的內(nèi)存發(fā)展方向 它將RISC 精簡指令集 引入其中 依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量 它具有相對SDRAM較高的工作頻率 不低于300MHz 但其數(shù)據(jù)通道接口帶寬較低 只有16bit 當(dāng)工作時鐘為300MHz時 Rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸數(shù)據(jù) 因此它的數(shù)據(jù)傳輸率能達(dá)到300 16 2 8 1 2GB s 若是兩個通道 就是2 4GB s RDRAM與傳統(tǒng)DRAM的區(qū)別在于引腳定義會隨命令變化 同一組引腳線既可以被定義成地址線 也可以被定義成控制線 其引腳數(shù)僅為普通DRAM的三分之一 當(dāng)需要擴展芯片容量時 只需要改變命令 不需要增加芯片引腳 DRDRAM要求RIMM中必須都插滿 空余的插槽中必須插上傳接板 也叫終結(jié)器 針腳數(shù)184 圖5 3RDRAM內(nèi)存條 3 DDR2SDRAM內(nèi)存條DDR2 DDRII DoubleDataRate2 SDRAM是由JEDEC 電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會 進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是 雖然同是采用了在時鐘的上升 下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力 即 4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取 換句話說 DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀 寫數(shù)據(jù) 并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行 在同等核心頻率下 DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍 這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力 換句話說 雖然DDR2和DDR一樣 都采用DDR2內(nèi)存的頻率了在時鐘的上升延和下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力 也就是說 在同樣100MHz的工作頻率下 DDR的實際頻率為200MHz 而DDR2則可以達(dá)到400MHz 在同等核心頻率下 DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍 這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力 換句話說 雖然DDR2和DDR一樣 都采用DDR2內(nèi)存的頻率了在時鐘的上升延和下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力 也就是說 在同樣100MHz的工作頻率下 DDR的實際頻率為200MHz 而DDR2則可以達(dá)到400MHz 封裝和發(fā)熱量DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力 而是在采用更低發(fā)熱量 更低功耗的情況下 DDR2可以獲得更快的頻率提升 突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制 DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式 這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上 當(dāng)頻率更高時 它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容 這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度 這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因 而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式 不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式 FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性 為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障 DDR2內(nèi)存采用1 8V電壓 相對于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2 5V 降低了不少 從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量 這一點的變化是意義重大的 3 DDR3SDRAM內(nèi)存條DDR3SDRAM為了更省電 傳輸效率更快 使用了SSTL15的I O接口 運作I O電壓是1 5V 采用CSP FBGA封裝方式包裝 除了延續(xù)DDR2SDRAM的ODT OCD PostedCAS AL控制方式外 另外新增了更為精進(jìn)進(jìn)的CWD Reset ZQ SRT RASR功能 1 8bit預(yù)取設(shè)計 而DDR2為4bit預(yù)取 這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有等效數(shù)據(jù)頻率的1 8 DDR 1 3 800的核心工作頻率 內(nèi)核頻率 只有100MHz 2 采用點對點的拓?fù)浼軜?gòu) 以減輕地址 命令與控制總線的負(fù)擔(dān) 3 采用100nm以下的生產(chǎn)工藝 將工作電壓從1 8V降至1 5V 增加異步重置 Reset 與ZQ校準(zhǔn)功能 5 1 3內(nèi)存的性能指標(biāo)1 存儲容量存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量稱為存儲容量 Z早期內(nèi)存條的存儲容量一般為128MB 256MB和512MB 目前內(nèi)存條的存儲容量一般為1GB 2GB和4GBMB 2 存取周期存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入 是指將信息在存儲單元與存儲寄存器 MDR 之間進(jìn)行讀 寫 存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔 稱為取數(shù)時間TA 兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC 半導(dǎo)體存儲器的存取周期一般為3ns 10ns 3 存儲器的可靠性存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量 MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔 MTBF越長 表示可靠性越高 即保持正確工作能力越強 4 性能價格比性能主要包括存儲器容量 存儲周期和可靠性三項內(nèi)容 性能價格比是一個綜合性指標(biāo) 對于不同的存儲器有不同的要求 對于外存儲器 要求容量極大 而對緩沖存儲器則要求速度非?？?容量不一定大 因此性能價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的指標(biāo) 5 1 4內(nèi)存的封裝技術(shù)如今電腦的CPU技術(shù)日趨成熟和完善 但只有一個速急力猛的CPU好像還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠 為了讓電腦的性能真正提高 整個內(nèi)外系統(tǒng)都需要提高 而內(nèi)存是一個關(guān)鍵因素 作為電腦的 數(shù)據(jù)倉庫 內(nèi)存的性能直接影響電腦的整體表現(xiàn) 其重要性是不言而喻的 與CPU一樣 內(nèi)存的制造工藝同樣對其性能高低具有決定意義 而在內(nèi)存制造工藝流程上的最后一步 也是最關(guān)鍵的一步就是內(nèi)存的封裝技術(shù) 我們所使用的每一條內(nèi)存 其實是由數(shù)量龐大的集成電路組合而成的 只不過這些電路都需要最后打包完成 這種將集成電路打包的技術(shù)就是所謂的封裝技術(shù) 封裝也可以是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼 它不僅起著安放 固定 密封 保護(hù)芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用 而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁 芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上 這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接 因此 對于很多集成電路產(chǎn)品而言 封裝技術(shù)都是非常關(guān)鍵的一環(huán) 在電腦里 CPU需要嚴(yán)格的封裝 內(nèi)存條也同樣不可怠慢 對于常見的內(nèi)存條而言 我們實際看到的體積和外觀并不是真正的內(nèi)存的大小和面貌 那一個一個整齊排列的小黑塊即內(nèi)存芯片是經(jīng)過打包封裝后的成果 對于內(nèi)存這樣以芯片為主的產(chǎn)品來說 封裝技術(shù)不僅保證芯片與外界隔離 防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電學(xué)性能下降 而且封裝技術(shù)的好壞還直接關(guān)系到與芯片連接的PCB 印刷電路板 的設(shè)計和制造 從而對芯片自身性能的表現(xiàn)和發(fā)揮產(chǎn)生深刻的影響 如此而言 封裝技術(shù)好比內(nèi)存的一件外衣 而內(nèi)存品質(zhì)在這里則是典型的 以貌取人 越 高檔 的外衣身價也就越高 如同微處理器一樣 內(nèi)存條的技術(shù)也是在不斷更新 人們手中內(nèi)存條上的顆粒模樣漸漸在變 變得比以前更小 更精致 變化不僅在表面上 而且這些新型的芯片在適用頻率和電氣特性上比老前輩又有了長足的進(jìn)步 這一結(jié)果應(yīng)歸功于新型的內(nèi)存芯片封裝技術(shù) 5 2如何選擇理想的內(nèi)存 5 2 1憑 芯 而論最重要從內(nèi)存芯片上來評價內(nèi)存條的優(yōu)劣 大概有以下三個方面 1 時鐘頻率時鐘頻率是指內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率 當(dāng)然 支持時鐘頻率越高的內(nèi)存其性能也更出眾 2 存取時間存取時間是指讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間 存取時間和時鐘頻率一樣 越小越好 3 CAS的延遲時間這是指縱向地址脈沖的反應(yīng)時間 也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一 在Intel公司的PC100內(nèi)存技術(shù)白皮書中指出 符合PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存芯片應(yīng)該以CASLatency 以下簡稱CL 2的情況穩(wěn)定工作在100MHZ的頻率下 CL 2所表示的意義是此時內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)的延遲時間是兩個時鐘周期當(dāng)CL 3時 內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)的延遲時間就應(yīng)該是三個時鐘周期 因此 這 2 與 3 之間的差別是1個時鐘周期 工作在相同頻率下的同種內(nèi)存 將CL設(shè)置為2會得到比3更優(yōu)秀的性能 當(dāng)然你的內(nèi)存必須支持CL 2的模式 為了使主板正確地為內(nèi)存設(shè)定CAS延遲時間 內(nèi)存生產(chǎn)廠商都將其內(nèi)存在不同工作頻率下所推薦的CAS延遲時間記錄在了內(nèi)存PCB板上的一塊EEPROM上 這塊芯片就是我們所說的SPD 當(dāng)系統(tǒng)開機時 主板BIOS會自動檢測SPD中的信息并最終確定是以CL 2還是CL 3來運行 通常情況下 我們用4個連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示一個內(nèi)存延遲 例如2 2 2 5 其中 第一個數(shù)字最為重要 它表示的是CASLatency 也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間 第二個數(shù)字表示的是RAS CAS延遲 接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時間和Act to Precharge延遲 而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個 選擇購買內(nèi)存時 最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存 因為不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi) 系統(tǒng)會以較慢的速度來運行 也就是當(dāng)CL2 5和CL2的內(nèi)存同時插在主機內(nèi) 系統(tǒng)會自動讓兩條內(nèi)存都工作在CL2 5狀態(tài) 造成資源浪費 DDR到DDR2 頻率提高了 CL延遲也增加了 從DDR2到DDR3 同樣的問題依舊存在 而且更為嚴(yán)重 CL即CASLatency 指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間 簡單說就是內(nèi)存接到CPU指令后的反應(yīng)速度 作為衡量內(nèi)存品質(zhì)的重要指標(biāo) CL延遲越小越好 DDR3 800的工作時序 timing 為5 5 5 CL延遲5 相比之下 DDR2也能做得更好 質(zhì)量好的可以工作在時序3 4 4 CL延遲3 對DDR3 1066來說 時序是7 7 7 CL延遲也是7 同頻率的DDR2 1066時序是5 5 5 CL延遲也不過5 DDR3的優(yōu)勢在于高頻率 但代價是高延遲 到了DDR3 1333 我們將得到時序8 8 8 CL延遲8 最快的DDR3 1600更是時序9 9 9 CL延遲9 好消息是 這些模組都只需要1 5V電壓 DDR2加壓到2 3V也很難超過1300MHz 當(dāng)然 OCZ Corsair等高端內(nèi)存廠商肯定會推出低延遲的DDR3產(chǎn)品 但這些精品的價格也會高高在上 并非普通消費者所能享受 5 2 2看類型現(xiàn)在大家主要是購買DDR內(nèi)存 必須了解DDR和SDRAM的區(qū)別 認(rèn)清它們在結(jié)構(gòu)上的不同 才能保證自己購買的是真的DDR內(nèi)存 5 2 3看PCB 印刷電路板 剛才已經(jīng)說過 內(nèi)存條由內(nèi)存芯片和PCB組成 所以 PCB對內(nèi)存性能也有著很大的影響 決定PCB好壞的一個因素是板材 一般來說 如果內(nèi)存條使用四層板 那么其VCC Ground 接地線 和正常的信號線就得布置在一起 這樣 內(nèi)存條在工作過程中由于信號干擾所產(chǎn)生的雜波就會很大 有時會產(chǎn)生不穩(wěn)定現(xiàn)象 而使用六層板設(shè)計的內(nèi)存條 VCC線和Ground線可以各自獨占一層 相應(yīng)的干擾就會小得多 還有兩個因素會影響內(nèi)存條的好壞 一是布線 Layout 二是電阻的搭配 布線的重要性很多人都知道 而電阻的重要性很多時候還無人提及 用于內(nèi)存上的電阻一般有兩種阻值 10 和22 使用10 電阻的內(nèi)存的信號很強 對主板兼容性較好 但隨之帶來的問題是其阻抗也很低 經(jīng)常由于信號過強導(dǎo)致系統(tǒng)死機 而使用22 電阻的內(nèi)存其優(yōu)缺點與前者正好相反 內(nèi)存廠商往往從成本考慮使用10 電阻 使用什么樣阻值的電阻往往會對內(nèi)存的穩(wěn)定性產(chǎn)生巨大的影響 不能小看那幾個不起眼的電阻 好內(nèi)存必定有合適的電阻搭配 電腦里使用的線路板是由很多層構(gòu)成的 我們平時看見的是最表層的線路 在最表層的下面 還存在許多層 每層的線路都是互相獨立的 要使得最外層的線路與里層的線路導(dǎo)通 就必須利用通透孔 有些設(shè)計不成熟的內(nèi)存條 甚至在表層的線路之間的導(dǎo)通都要先從通透孔進(jìn)入里層 繞上一圈后再從另一個通透孔穿出 這樣一來 導(dǎo)致了線路總長度的增加 而在高達(dá)100MHz的工作頻率下 無謂地加長線路極容易產(chǎn)生雜波干擾 這就很可能導(dǎo)致超頻失敗 當(dāng)然 挑選一個比較有信譽的商家購買內(nèi)存會讓你更加放心 內(nèi)存銷售一般有半年至一年的保質(zhì)期 如果經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存地址錯誤或不明原因的死機 很可能內(nèi)存有問題 要及時找商家調(diào)換 5 3DDR內(nèi)存選購實戰(zhàn) 5 3 1解讀DDR內(nèi)存DDR內(nèi)存的中文名字是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器 通常簡稱為DDR 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上 下沿都能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸 所以在相同的總線頻率下 DDR內(nèi)存具有更高的數(shù)據(jù)帶寬 從外形上看 DDR與傳統(tǒng)的SDRAM相比差別并不大 它們具有同樣的長度與同樣的管腳距離 然而 DDR內(nèi)存具有184只管腳和一個小缺口 從管腳數(shù)上看DDR內(nèi)存比傳統(tǒng)的SDRAM多出16只管腳 這些管腳主要包含了新的閥門控制 時鐘 電源和接地等信號 說到DDR的發(fā)展 NVIDIA可以說是功不可沒 NVIDIA意識到普通SDRAM所能夠提供的帶寬已經(jīng)幾乎達(dá)到了極限 為了有效解決SDRAM帶寬不足的問題 NVIDIA選擇了技術(shù)門坎較低 具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸能力的DDR內(nèi)存來作為提高顯存帶寬的解決方案 而后至今 DDR技術(shù)依然被廣泛應(yīng)用在中高端的圖形卡上面 從此也帶動了整個DDR相關(guān)技術(shù)的成熟 DDR 規(guī)格 其特點是使用184pin針腳 工作電壓為1 8V DDR內(nèi)存的發(fā)展也是循序漸進(jìn)的 最早的標(biāo)準(zhǔn)是DDR200 其工作頻率是100MHz 隨后又推出了DDR333 它的實際工作頻率是166MHz 能夠達(dá)到將近2 7Gb s的內(nèi)存帶寬 但DDR333所提供的2 7Gb s的內(nèi)存帶寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足IntelPentium4對于內(nèi)存帶寬的需求 特別是出現(xiàn)FSB為533MHz的Pentium4之后 Pentium4的數(shù)據(jù)傳輸率更遠(yuǎn)高于目前的內(nèi)存帶寬 因此 CPU往往會處于數(shù)據(jù)欠載的狀態(tài) 可以說內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸率一直是系統(tǒng)的瓶頸 提高內(nèi)存帶寬對于提升系統(tǒng)性能有非常明顯的作用 于是DDR400的標(biāo)準(zhǔn)被人們提了出來 各內(nèi)存顆粒制造商不遺余力地生產(chǎn)自己的DDR400內(nèi)存顆粒 這也是能夠拉近和RDRAM差距最直接的做法 與DDR333一樣 DDR400也就是指工作頻率為400MHz的DDRSDRAM內(nèi)存 從內(nèi)存結(jié)構(gòu)體系上來說 DDR400和先前的DDR333 DDR266并沒有什么本質(zhì)上的改進(jìn) 它是通過提高工作頻率來提升性能 DDR400將DDR內(nèi)存的有效工作頻率提升到4002MHz 物理工作頻率為200MHz 位寬仍然為64bit DDR400的理論內(nèi)存帶寬已經(jīng)達(dá)到3 2Gb s 足以與稱霸Pentium4平臺的PC800規(guī)格RDRAM所能提供的帶寬相抗衡 DDR400和其他DDR內(nèi)存非常相似 除頻率不同外 工作方式 針腳定義 工作電壓都完全一樣 而在生產(chǎn)工藝方面則基本與DDR333一樣 都需要非常先進(jìn)的封裝技術(shù)和更為精細(xì)的制造工藝 電子元件工程聯(lián)合委員會不推行DDR400 而是準(zhǔn)備提前推出下一代DDR內(nèi)存 DDR 規(guī)格 因此 各大主板芯片組廠商紛紛表示放棄了對DDR400的支持 可以說DDR400的發(fā)展前景一片暗淡 但不可否認(rèn) DDR400所能提供的3 2Gb s帶寬 比DDR333提供的2 7Gb s帶寬來說 帶寬方面的確有了不少的提高 也是目前構(gòu)建廉價 高性能Pentium4平臺的最佳選擇 與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合 DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達(dá)4bit的數(shù)據(jù) 比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍 DDR2內(nèi)存另一個改進(jìn)之處在于 它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式 然而 盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣 但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存 因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的 首先是接口不一樣 DDR2的針腳數(shù)量為240針 而DDR內(nèi)存為184針 其次 DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1 8V 也和DDR內(nèi)存的2 5V不同 優(yōu)勢主要在 1 延遲小2 好的封裝帶來低的發(fā)熱量 DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式 這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上 當(dāng)頻率更高時 它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容 這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度 這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因 而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式 不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式 FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性 為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障 DDR2內(nèi)存采用1 8V電壓 相對于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2 5V 降低了不少 從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量 這一點的變化是意義重大的 DDR2內(nèi)存起始頻率從DDR內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率400Mhz開始 現(xiàn)已定義可以生產(chǎn)的頻率支持到533Mhz到667Mhz 標(biāo)準(zhǔn)工作頻率工作頻率分別是200 266 333MHz 工作電壓為1 8V DDR2采用全新定義的240PINDIMM接口標(biāo)準(zhǔn) 完全不兼容于DDR的184PINDIMM接口標(biāo)準(zhǔn) DDR2和DDR一樣 采用了在時鐘的上升延和下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?但是最大的區(qū)別在于 DDR2內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取 兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取 這就意味著 DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力 因此 DDR2則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力 DDR3概述針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù) 可以用于顯卡內(nèi)存 頻率在800M以上 和DDR2相比優(yōu)勢如下 1 功耗和發(fā)熱量較小 吸取了DDR2的教訓(xùn) 在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量 使得DDR3更易于被用戶和廠家接受 2 工作頻率更高 由于能耗降低 DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率 在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點 同時還可作為顯卡的賣點之一 這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn) 3 降低顯卡整體成本 DDR2顯存顆粒規(guī)格多為16MX32bit 搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆 而DDR3顯存顆粒規(guī)格多為32MX32bit 單顆顆粒容量較大 4顆即可構(gòu)成128MB顯存 如此一來 顯卡PCB面積可減小 成本得以有效控制 此外 顆粒數(shù)減少后 顯存功耗也能進(jìn)一步降低 4 通用性好 相對于DDR變更到DDR2 DDR3對DDR2的兼容性更好 由于針腳 封裝等關(guān)鍵特性不變 搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存 這對廠商降低成本大有好處 目前 DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用 DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計 DDR31 8bit預(yù)取設(shè)計 而DDR2為4bit預(yù)取 這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1 8 DDR3 800的核心工作頻率只有100MHz 2 采用點對點的拓樸架構(gòu) 以減輕地址 命令與控制總線的負(fù)擔(dān) 3 采用100nm以下的生產(chǎn)工藝 將工作電壓從1 8V降至1 5V 增加異步重置 Reset 與ZQ校準(zhǔn)功能 5 3 2主流品牌的DDR內(nèi)存1 Kingmax品牌在市場中銷售DDR內(nèi)存最齊全的首推Kingmax系列 從DDR266到DDR400都是由Kingmax公司在市場中率先推出的 而且經(jīng)過很多評測后證明 其綜合性能指標(biāo)也相當(dāng)高 Kingmax內(nèi)存都是采用Kingmax自行開發(fā)研制的Kingmax顆粒 并且采用獨有的TingBGA封裝形式 現(xiàn)在Kingmax品牌在市場中銷售較多的是DDR333與DDR400系列 雖然市面上支持DDR400的主板還不太多 但KingmaxDDR400也是現(xiàn)有銷售的惟一一款400MHz外頻DDR內(nèi)存 因此受到一些發(fā)燒友用戶的青睞 KingmaxDDR266內(nèi)存如圖5 4所示 圖5 4KingmaxDDR266內(nèi)存 KingmaxDDR333內(nèi)存如圖5 5所示 圖5 5KingmaxDDR333內(nèi)存 KingmaxDDR400內(nèi)存如圖5 6所示 圖5 6KingmaxDDR400內(nèi)存 2 Kingston品牌Kingston品牌雖然進(jìn)入中國市場較晚 但是一直以質(zhì)量和售后服務(wù)在市場中頗有口碑 不管是商家還是消費者對其品牌都有相當(dāng)?shù)恼J(rèn)可 Kingston的返修率非常低 穩(wěn)定性也很好 Kingston內(nèi)存多采用HY和三星顆粒 其DDR333系列也有采用南亞芯片的 Kingston256MDDR內(nèi)存如圖5 7所示 圖5 7Kingston256MDDR內(nèi)存 3 Hyundai 現(xiàn)代 品牌HY內(nèi)存一直占據(jù)市場最大的銷售份額 因為價格比較便宜 而且質(zhì)量也不錯 只是近年來某些經(jīng)銷商為賺取利潤 在內(nèi)存顆粒上打主意 因此造成市場中HY內(nèi)存打磨的芯片非常多 這在選購過程中是非常值得大家注意的 HY256MDDR266內(nèi)存和內(nèi)存顆粒如圖5 8所示 圖5 8HY256MDDR266內(nèi)存 4 Kinghorse品牌Kinghorse內(nèi)存曾在市場中大力推廣 而且價格不是很高 卻可以享受終身質(zhì)保 據(jù)說 Kinghorse將加大力度推廣其DDR333系列產(chǎn)品 如圖5 9所示 其帶有小方孔的金屬外殼不但增強了DDR內(nèi)存的防靜電能力 防止電磁波對內(nèi)存的損傷 還增強了DDR內(nèi)存的散熱性能 這款產(chǎn)品的價格相對較高 不過能對內(nèi)存起到雙重的保護(hù)作用 圖5 9Kinghorse256MDDR333內(nèi)存 5 三星品牌三星內(nèi)存的品質(zhì)相當(dāng)不錯 市場中銷售較多的是三星DDR333系列 而其他系列則非常少見 三星256MDDR333內(nèi)存和內(nèi)存顆粒如圖5 10所示 圖5 10三星256MDDR333內(nèi)存 6 REMOS品牌REMOS內(nèi)存進(jìn)入市場的時間不是很長 也屬于韓國品牌 該品牌內(nèi)存進(jìn)入市場后 其同系列產(chǎn)品的價格遠(yuǎn)低于HY內(nèi)存 因此在網(wǎng)吧機和教學(xué)用機方面占有了一定份額 REMOS內(nèi)存采用的是自行開發(fā)的REMOS芯片顆粒 質(zhì)量一般 由于進(jìn)入市場時間較短 因此廠商方面的需求比較少 而個人裝機采用者也不是很多 市場中銷售的DDR266與DDR333系列都有 相對于HY品牌其內(nèi)存價格要便宜得多 REMOS256MDDR內(nèi)存如圖5 11所示 圖5 11REMOS256MDDR內(nèi)存 7 Apacer 宇瞻 品牌宇瞻內(nèi)存質(zhì)量不錯 價格上僅比HY高少許 其盒裝產(chǎn)品也享受終身質(zhì)保 宇瞻內(nèi)存多采用Acer顆粒 DDR333系列也有采用南亞芯片的 其產(chǎn)品包括DDR266 DDR333和DDR400系列 宇瞻內(nèi)存和內(nèi)存顆粒如圖5 12所示 終身質(zhì)保的盒包宇瞻內(nèi)存如圖5 13所示 圖5 12宇瞻DDR內(nèi)存 圖5 13終身質(zhì)保的盒包宇瞻內(nèi)存 8 Tracscend 創(chuàng)見 品牌創(chuàng)見內(nèi)存進(jìn)入市場較晚 其價格又過于偏高 與Kingston的價格接近 而知名度又與后者相差較遠(yuǎn) 因此銷量不大 創(chuàng)見內(nèi)存采用的顆粒品牌較多 在三星市場中銷售范圍也僅限D(zhuǎn)DR266和DDR333系列 雖然市場中有較充足的貨源 但需求卻很小 創(chuàng)見256MDDR266內(nèi)存如圖5 14所示 創(chuàng)見256MDDR333內(nèi)存如圖5 15所示 圖5 14創(chuàng)見256MDDR266內(nèi)存 圖5 15創(chuàng)見256MDDR333內(nèi)存 9 富豪品牌富豪公司本來是HY內(nèi)存的總代理 近年來他們也開始獨立采用DRAM芯片通過生產(chǎn)線自行封裝 其芯片多采用HY與三星顆粒 質(zhì)量和售后都有保障 價格與HY品牌旗鼓相當(dāng) 其盒包產(chǎn)品亦屬終身質(zhì)保產(chǎn)品 富豪256MDDR333內(nèi)存如圖5 16所示 它采用三星顆粒 富豪256MDDR333終身質(zhì)保盒裝內(nèi)存如圖5 17所示 圖5 16富豪256MDDR333內(nèi)存 圖5 17富豪256MDDR333終身質(zhì)保盒裝內(nèi)存 富豪256MDDR266內(nèi)存如圖5 18所示 它采用現(xiàn)代顆粒 富豪256MDDR266終身質(zhì)保盒裝內(nèi)存如圖5 19所示 圖5 18富豪256MDDR266內(nèi)存 圖5 19富豪256MDDR266終身質(zhì)保盒裝內(nèi)存正面和背面 5 3 4DDR內(nèi)存選購及超頻當(dāng)今世界科技發(fā)展速度越來越快 讓人應(yīng)接不暇 當(dāng)我們聽說已經(jīng)出現(xiàn)了速度最快的內(nèi)存或處理器時 就不禁想擁有其中一款 但要購買一款DDR內(nèi)存 有許多方面需要格外留意 如今市面上有各種類型速度不同的DDR內(nèi)存 最常見的內(nèi)存類型規(guī)格如下 PC2100 DDR266MHz 133 2 PC2700 DDR333MHz 166 2 PC3000 DDR366MHz 183 2 PC3200 DDR400MHz 200 2 PC3500 DDR433MHz 216 2 生產(chǎn)內(nèi)存模塊的廠商也有不少 這些廠商用一些數(shù)值來標(biāo)稱內(nèi)存產(chǎn)品的速率 速率代表其產(chǎn)品可以運作的工作頻率 盡管也有其他因素制約著內(nèi)存速率 例如 你使用的是一款DDR333的主板 這就是說你的主板明確支持DDR333或PC2700內(nèi)存規(guī)范 想讓內(nèi)存運行在PC2700以上速率 就只有超頻內(nèi)存了 如果你購買一條PC3500規(guī)格的內(nèi)存 也不能讓系統(tǒng)內(nèi)存運行在433MHz DDR 下 因為主板只支持PC2700規(guī)格 我們只有超頻系統(tǒng)才能達(dá)到更高的頻率 想要超頻內(nèi)存 首先得提高系統(tǒng)的外頻 讓AGP PCI插槽 CPU和DIMM插槽的運行頻率也提高 要知道超頻得冒著損壞計算機部件的風(fēng)險 也可能導(dǎo)致系統(tǒng)的穩(wěn)定性和狀態(tài)不佳 所以說內(nèi)存直接影響著整個系統(tǒng)的狀態(tài) 因此 首先要考慮的是購買何種主板 主板直接限制了內(nèi)存的工作速率 這是購買DDR內(nèi)存之前首先要考慮的事情 我們要注意主板能超頻的最高頻率有多少 它的BIOS是否有超頻內(nèi)存的相關(guān)選項 這一點很關(guān)鍵 而且直接決定了應(yīng)該購買的內(nèi)存類型 1 基于AMD系統(tǒng)的DDR內(nèi)存的選擇對于AMD系統(tǒng)的DDR內(nèi)存的選購是非常講究的 目前市面上有不少基于AMD的主板可以運行DDR400的速率 其中大部分都支持333MHz外頻 但各主板之間的超頻性能參差不齊 AMD平臺的優(yōu)點在于可以破除處理器的倍頻 倍頻 外頻 處理器頻率 例如10倍頻的處理器外頻為133MHz 那它的頻率就是1330MHz 133 10 或是1 33GHz 提升外頻可以超頻內(nèi)存 CPU的頻率同樣也得到提高 如果CPU品質(zhì)較好 則有助于超頻 如果它超不上去也就可能限制內(nèi)存的超頻 所以說破解并降低處理器的倍頻 就可以把系統(tǒng)外頻超得盡可能高 如果有塊好的主板 在處理器頻率計算示例里 可以將倍頻設(shè)為6 5后 讓處理器頻率同樣為1 3GHz 200 6 5 這樣破解并降低處理器的倍頻可以不超頻處理器 只是最大限度地提高系統(tǒng)的外頻 自然也提高了內(nèi)存的工作頻率 比如將內(nèi)存運行在400MHz 200 2 下 注意 如此高的外頻會使PCI AGP頻率超出正常值 這樣可能導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定 顯示失真或者硬盤故障 所幸的是大部分DDR333主板都提供了1 5分頻 能讓AGP PCI頻率在系統(tǒng)總線超頻后依然處在正常水平下 通常 DDR333主板在133MHz外頻運作時 AGP PCI頻率為66 33 PCI使用了1 4分頻 系統(tǒng)外頻在166MHz時 我們可以選擇1 5分頻讓AGP PCI頻率符合規(guī)范 但系統(tǒng)外頻在166MHz以上時就會導(dǎo)致PCI頻率無法分頻合乎規(guī)范了 所以內(nèi)存頻率超出PC2700以上時就會出現(xiàn)AGP PCI頻率問題 這樣顯卡 硬盤 聲卡都可能出現(xiàn)問題 2 基于Intel系統(tǒng)的DDR內(nèi)存的選擇為Intel平臺挑選內(nèi)存并不比AMD容易 但在Intel平臺上更容易對內(nèi)存進(jìn)行超頻 與AMD系統(tǒng)不同 Pentium4處理器的倍頻是不可改變的 只有通過提高外頻來對內(nèi)存超頻 我們可以在Intel平臺上把AGP PCI頻率鎖定在66 33 這樣就不必?fù)?dān)心顯卡 聲卡 硬盤工作在非標(biāo)準(zhǔn)頻率下 但內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)對于Intel平臺來說是同樣重要的 如果不能破解處理器倍頻 那該怎么提高內(nèi)存頻率呢 要知道Northwood核心的Pentium4處理器一直擁有良好的超頻能力 它們在普通空氣制冷下就可以達(dá)到很高的外頻 例如 用一塊AbitIT7主板 再使用一塊P41 6A 在普通風(fēng)冷散熱的條件下就能讓系統(tǒng)外頻達(dá)到160MHz 這樣處理器的頻率就達(dá)到了2 56GHz AbitIT7主板使用了3 4分頻 內(nèi)存 外頻 這樣 內(nèi)存在160MHz系統(tǒng)外頻下達(dá)到了213MHz 2 也就是426MHz 這對于想使用PC3500內(nèi)存或是追求極限內(nèi)存頻率的用戶來說是個好消息 這樣只要處理好散熱問題就行了 如果能將系統(tǒng)外頻超到190MHz 這樣內(nèi)存在3 4分頻下就達(dá)到了506MHz 253 2 也許你想使用PC3500內(nèi)存 但市面上能運行在506MHz的內(nèi)存條并不多 當(dāng)內(nèi)存速率為1 1時 內(nèi)存就運行在380MHz下 將內(nèi)存速度降低到規(guī)范以下運行 我們可找一款倍頻高的處理器 如倍頻為21的Pentium42 8G處理器 加上良好的散熱將它使用在160MHz外頻下 綜上所述 在購買內(nèi)存條時 原則是能讓各計算機部件之間完全發(fā)揮性能的潛力達(dá)到完美平衡 所有的AMD和Intel平臺都可以達(dá)到最大平衡點 也就是內(nèi)存帶寬和處理器之間的完美協(xié)調(diào) 5 4RDRAM內(nèi)存 5 4 1KingstonKingston是一個內(nèi)存市場的多面好手 它的質(zhì)量得到了廣大用戶的絕對肯定 對于要追求既穩(wěn)定又兼容的P4平臺的用戶 Kingston是一個好的選擇 5 4 2三星P4處理器上市之初和RDRAM捆綁銷售的時候 三星是Intel的獨家RDRAM內(nèi)存提供商 也就是說 如果那個時候買P4 所用的RDRAM內(nèi)存一定是三星的 同時 它的價格也要比其他品牌稍微便宜一點 對價格較敏感的用戶可以選擇 5 4 3現(xiàn)代市面上常見到的128MB現(xiàn)代RDRAM 采用兩片內(nèi)存芯片 每片芯片容量為64MB 芯片類型為RambusRIMM 184線封裝 運行速度為800MHz 現(xiàn)代RDRAM在性能和穩(wěn)定性上無可挑剔 只可惜價格有點高 5 5內(nèi)存防偽技巧 5 5 1Kingston內(nèi)存防偽1 雙重防偽打開產(chǎn)品包裝后 請在內(nèi)存的芯片上找到熒光短信防偽標(biāo)貼 第一重 熒光隱形防偽 通過使用紫外燈 驗鈔筆 照射在防偽標(biāo)上 可看到印制有熒光隱形的圖案 如圖5 26所示 第二重 短信查詢防偽 揭開防偽標(biāo)貼標(biāo)層 可看到底層20位產(chǎn)品保修碼 如圖5 27所示 圖5 26熒光隱形防偽 圖5 27短信查詢防偽 2 雙重查詢第一重 查詢真?zhèn)?用戶通過手機短信 輸入產(chǎn)品保修數(shù)碼 發(fā)送到12008查詢真?zhèn)?第二重 注冊會員 用戶通過手機短信 輸入產(chǎn)品保修數(shù)碼 用戶姓名 發(fā)送到12008申請注冊