2011-2015年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告

2011-2015年中國 半導(dǎo)體 市場(chǎng)調(diào) 研 與發(fā)展 趨勢(shì)研究 報(bào)告 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研 與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 北京國際商務(wù)調(diào)查顧問有限公司 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 2 【報(bào)告前言】 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導(dǎo)體材料；將砷化鎵、磷化錮、磷化鎵、砷化錮、砷化鋁及其合金等稱為第二代半導(dǎo)體材料；而將寬禁帶 (Eg2.3eV)的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化 鎵。材料的物理性質(zhì)是產(chǎn)品應(yīng)用的基礎(chǔ)， 下 表列出了主要半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)及應(yīng)用情況。表中禁帶寬度決定發(fā)射光的波長，禁帶寬度越大發(fā)射光波長越短 (藍(lán)光發(fā)射 )；禁帶寬度越小發(fā)射光波長越長。其它參數(shù)數(shù)值越高，半導(dǎo)體性能越好。電子遷移速率決定半導(dǎo)體低壓條件下的高頻工作性能，飽和速率決定半導(dǎo)體高壓條件下的高頻工作性能。 硅材料具有儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉、熱性能與機(jī)械性能優(yōu)良、易于生長大尺寸高純度晶體等優(yōu)點(diǎn)，處在成熟的發(fā)展階段。目前，硅材料仍是電子信息產(chǎn)業(yè)最主要的基礎(chǔ)材料， 95%以上的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路 (IC)是 用硅材料制作的。在 21 世紀(jì)，它的主導(dǎo)和核心地位仍不會(huì)動(dòng)搖。但是硅材料的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻高功率器件上的應(yīng)用。 砷化鎵材料的電子遷移率是硅的 6 倍多，其器件具有硅器件所不具有的高頻、高速和光電性能，并可在同一芯片同時(shí)處理光電信號(hào)，被公認(rèn)是新一代的通信用材料。隨著高速信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，砷化鎵成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。同時(shí)，其在軍事電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，并占據(jù)不可取代的重要地位。選擇寬帶隙半導(dǎo)體材料的主要理由是顯而易見的。氮化鎵的熱導(dǎo)率明顯高于常規(guī)半導(dǎo)體。這一屬性在高功 率放大器和激光器中是很起作用的。帶隙大小本身是熱生率的主要貢獻(xiàn)者。在任意給定的溫度下，寬帶隙材料的熱生率比常規(guī)半導(dǎo)體的小 10 14 個(gè)數(shù)量級(jí)。這一特性在電荷耦合器件、新型非易失性高速存儲(chǔ)器中起很大的作用，并能實(shí)質(zhì)性地減小光探測(cè)器的暗電流。寬帶隙半導(dǎo)體材料的高介電強(qiáng)度最適合用于高功率放大器、開關(guān)和二極管。寬帶隙材料的相對(duì)介電常數(shù)比常規(guī)材料的要小，由于對(duì)寄生參數(shù)影響小，這對(duì)毫米波放大器而言是有利用價(jià)值的。電荷載流子輸運(yùn)特性是許多器件尤其是工作頻率為微波、毫米波放大器的一個(gè)重要特性。寬帶隙半導(dǎo)體材料的電子遷移率一般 沒有多數(shù)通用半導(dǎo)體的高，其空穴遷移率一般較高，金剛石則很高。寬帶隙材料的高電場(chǎng)電子速度 (飽和速度 )一般較常規(guī)半導(dǎo)體高得多，這就使得寬帶隙材料成為毫米波放大器的首選者。 氮化鎵材料的禁帶寬度為硅材料的 3 倍多，其器件在大功率、高溫、高頻、高速和光電子應(yīng)用方面具有遠(yuǎn)比硅器件和砷化鎵器件更為優(yōu)良的特性，可制成藍(lán)綠光、紫外光的發(fā)光器件和探測(cè)器件。近年來取得了很大進(jìn)展，并開始進(jìn)入市場(chǎng)。與制造技術(shù)非常成熟和制造成本相對(duì)較低的硅半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料目前面臨的最主要挑戰(zhàn)是發(fā)展適合氮化鎵薄膜生長的低成本襯底材料和大 尺寸的氮化鎵體單晶生長工藝。 主要半導(dǎo)體材料的用途如 下 表所示?？梢灶A(yù)見：以硅材料為主體、 GaAs 半導(dǎo)體材料及新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料共同發(fā)展將成為集成電路及半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流。 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 3 表 半導(dǎo)體材料的主要用途 材料名稱 制作器件 主要用途 硅 二極管、晶體管 通訊、雷達(dá)、廣播、電視、自動(dòng)控制 集成電路 各種計(jì)算機(jī)、通訊、廣播、自動(dòng)控制、電子鐘表、儀表 整流器 整流 晶閘管 整流、直流輸配電、電氣機(jī)車、設(shè)備自控、高頻振蕩器 射線探測(cè)器 原子能分析、光量子檢測(cè) 太陽能電池 太陽 能發(fā)電 砷化鎵 各種微波管 雷達(dá)、微波通訊、電視、移動(dòng)通訊 激光管 光纖通訊 紅外發(fā)光管 小功率紅外光源 霍爾元件 磁場(chǎng)控制 激光調(diào)制器 激光通訊 高速集成電路 高速計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通訊 太陽能電池 太陽能發(fā)電 氮化鎵 激光器件 光學(xué)存儲(chǔ)、激光打印機(jī)、醫(yī)療、軍事應(yīng)用 發(fā)光二極管 信號(hào)燈、視頻顯示、微型燈泡、移動(dòng)電話 紫外探測(cè)器 分析儀器、火焰檢測(cè)、臭氧監(jiān)測(cè) 集成電路 通訊基站（功放器件）、永遠(yuǎn)性內(nèi)存、電子開關(guān)、導(dǎo)彈 資料提供：金安明邦調(diào)研中心 2009 年只有 LED 和 NAND 閃存這兩個(gè)主要半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域逃脫下滑的命運(yùn)。由于手機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品的需求上升， NAND 閃存市場(chǎng)在 2009 年增長了 15%。 LED 在多種應(yīng)用中的占有率快速上升，尤其是液晶電視背光應(yīng)用，導(dǎo)致 LED 營業(yè)收入增長 5%以上。這讓專注于這些產(chǎn)品的韓國廠商受益非淺。主要 NAND 閃存供應(yīng)商三星電子和海力士半導(dǎo)體，是 2009 年全球 10 大芯片廠商中唯一兩家實(shí)現(xiàn)增長的廠商。同時(shí)， LED 廠商首爾半導(dǎo)體的 2009 年?duì)I業(yè)收入大增近 90%。 2009年，總部在韓國的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營業(yè)收入增長 3.6%。 iSuppli 公司追蹤的全部韓國半導(dǎo)體 供應(yīng)商中，有四分之三以上在 2009 年實(shí)現(xiàn)了營業(yè)收入增長。同樣的產(chǎn)品和需求趨勢(shì)也讓臺(tái)灣廠商在2009 年受惠，總部在該地區(qū)的供應(yīng)商合計(jì)營業(yè)收入增長 1.1%。 2009 年有一半以上的臺(tái)灣供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)了營業(yè)收入增長。聯(lián)發(fā)科、南亞科技和旺宏是表現(xiàn)優(yōu)異的臺(tái)灣廠商， 2009 年?duì)I業(yè)收入分別增長了 22.6%、 21.2%和 14.4%。 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 4 半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)在仍呈現(xiàn)兩大熱點(diǎn)：一是太陽能電池設(shè)備。由于歐洲太陽能電池需求拉動(dòng)作用，使國內(nèi)太陽能電池產(chǎn)業(yè)呈爆炸性增長，極大地促進(jìn)了以生產(chǎn)太陽能電池片為主的半導(dǎo)體設(shè)備的增長，使其成為今年半導(dǎo)體設(shè)備的 主要組成部分。第二依然是 IC 設(shè)備。集成電路的市場(chǎng)空前廣闊，為 IC 設(shè)備創(chuàng)造了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。 2009 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)為 682 億美元，較 08 年 略微增長 0.29%。相對(duì)于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的萎縮，中國市場(chǎng)的下滑要小的多。 預(yù)計(jì) 中國半導(dǎo)體市場(chǎng) 2010年將增長 17.45%,達(dá)到 801 億美元。 2014 年將達(dá)到 1504 億美元。 表 2009 年全球半導(dǎo)體廠商營業(yè)收入的最終排名表（百萬美元） 數(shù)據(jù)提供：金安明邦調(diào)研中心 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 5 以下為全球十大半導(dǎo)體廠商的收入預(yù)測(cè) (單位：百萬美元 )： 來源： Gartner（ 2010 年 12月） 圖 2008-2014 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長情況 680 6828019361076128015041 7 . 5 %1 9 . 0 %0 . 3 %1 7 . 4 %1 6 . 8 %1 5 . 0 %020040060080010001200140016002008 年 2009 年 2010 年 E 2011 年 E 2012 年 E 2013 年 E 2014 年 E00 . 0 20 . 0 40 . 0 60 . 0 80 . 10 . 1 20 . 1 40 . 1 60 . 1 80 . 2市場(chǎng)規(guī)模（億美元） 增長率數(shù)據(jù)提供：金安明邦調(diào)研中心 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 6 【報(bào)告目錄】 第一章 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行環(huán)境分析 . 18 第一節(jié) 2009-2010 年中國宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境分析 . 18 一、中國 GDP 分析 . 18 二、城鄉(xiāng)居民家庭人均可支配收入 . 20 三、恩格爾系數(shù) . 21 四、 中國城鎮(zhèn)化率 . 23 五、存貸款利率變化 . 25 六、財(cái)政收支狀況 . 29 第二節(jié) 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境分析 . 30 一、電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃 . 30 二、新政策對(duì)半導(dǎo)體材料業(yè)有積極作用 . 35 三、進(jìn)出口政策分析 . 36 第三節(jié) 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)社會(huì)環(huán)境分析 . 36 第二章 2009-2010 年半導(dǎo)體材料發(fā)展基本概述 . 41 第一節(jié) 主要半導(dǎo)體材料概況 . 41 一、半導(dǎo)體材料簡述 . 41 二、半導(dǎo)體材料的種類 . 41 三、半導(dǎo)體材料的制備 . 42 第二節(jié) 其他半導(dǎo)體材料的概況 . 44 一、非晶半導(dǎo)體材料概況 . 44 二、 GaN 材料的特性與應(yīng)用 . 44 三、可印式氧化物半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展 . 50 第三章 2009-2010 年世界半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行形勢(shì)綜述 . 53 第一節(jié) 2009-2010 年全球總體市場(chǎng)發(fā)展分析 . 53 一、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生巨變 . 53 二、世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入整合期 . 53 三、亞太地區(qū)的半導(dǎo)體出貨量受金融危機(jī)影響較小 . 53 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 7 五、模擬 IC 遭受重挫， 無線下滑幅度最小 . 55 第二節(jié) 2009-2010 年主要國家或地區(qū)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)分析 . 55 一、比利時(shí)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 . 55 二、德國半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 . 56 三、日本半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 . 56 四、韓國半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 . 57 五、中國臺(tái)灣半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 . 59 第四章 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析 . 63 第一節(jié) 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展概述 . 63 一、全球代工將形成兩強(qiáng)的新格局 . 63 二、應(yīng)加強(qiáng)與中國本地制造商合作 . 65 三、電子材料業(yè)對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)的影響 . 66 第二節(jié) 2009-2010 年半導(dǎo)體材料行業(yè)企業(yè)動(dòng)態(tài) . 66 一、元器件企業(yè)增勢(shì)強(qiáng)勁 . 66 二、應(yīng)用材料企業(yè)進(jìn)軍封裝 . 66 第三節(jié) 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料發(fā)展存在問題分析 . 67 第五章 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)分析 . 69 第一節(jié) 2009-2010 年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀分析 . 69 一、硅太陽能技術(shù)占主導(dǎo) . 69 二、產(chǎn)業(yè)呼喚政策擴(kuò)大內(nèi)需 . 69 第二節(jié) 2009-2010 年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)動(dòng)態(tài)分析 . 70 一、功率半導(dǎo)體技術(shù)動(dòng)態(tài) . 70 二、閃光驅(qū)動(dòng)器技術(shù)動(dòng)態(tài) . 71 三、封裝技術(shù)動(dòng)態(tài) . 72 四、太陽光電系統(tǒng)技術(shù)動(dòng)態(tài) . 76 第三節(jié) 2010-2014 年半導(dǎo)體材料行業(yè)技術(shù)前景分析 . 76 第六章 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料氮化鎵產(chǎn)業(yè)運(yùn)行分析 . 81 第一節(jié) 2009-2010 年中國第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)介紹 . 81 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 8 一、第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程 . 81 二、當(dāng)前半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)和趨勢(shì) . 81 三、寬禁帶半導(dǎo)體材料 . 82 第二節(jié) 2009-2010 年中國氮化鎵的發(fā)展概況 . 82 一、氮化鎵半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的發(fā)展?fàn)顩r . 82 二、氮化鎵照亮半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè) . 83 三、 GaN 藍(lán)光產(chǎn)業(yè)的重要影響 . 85 第三節(jié) 2009-2010 年中國氮化鎵的研發(fā)和應(yīng)用狀況 . 86 一、中科院研制成功氮化鎵基激光器 . 86 二、方大集團(tuán)率先實(shí)現(xiàn)氮化鎵基半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化 . 86 三、非極性氮化鎵材料的研究有進(jìn)展 . 87 四、氮化鎵的應(yīng)用范圍 . 87 第七章 2009-2010 年中國其他半導(dǎo)體材料運(yùn)行局勢(shì)分析 . 88 第一節(jié) 砷化鎵 . 88 一、砷化鎵單晶材料國際發(fā)展概況 . 88 二、砷化鎵的特性 . 89 三、砷化鎵研究狀況 . 89 四、寬禁帶氮化鎵材料 . 90 第二節(jié) 碳化硅 . 93 一、半導(dǎo)體硅材料介紹 . 93 二、多晶硅 . 95 三、單晶硅和外延片 . 96 四、高溫碳化硅 . 97 第八章 2006-2009 年中國半導(dǎo)體分立器件制造業(yè)主要指標(biāo)監(jiān)測(cè)分 析 . 98 第一節(jié) 2005-2009 年（按季度更新）中國半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)回顧 . 98 一、競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)數(shù)量 . 98 二、虧損面情況 . 99 三、市場(chǎng)銷售額增長 . 101 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 9 四、利潤總額增長 . 102 五、投資資產(chǎn)增長性 . 103 六、行業(yè)從業(yè)人數(shù)調(diào)查分析 . 104 第二節(jié) 2005-2009 年（按季度更新）中國半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)投資價(jià)值測(cè)算 . 106 一、銷售利潤率 . 106 二、銷售毛利率 . 107 三、資產(chǎn)利潤率 . 108 四、未來 5 年 半導(dǎo)體分立器件制造 盈利能力預(yù)測(cè) . 110 第三節(jié) 2005-2009 年（按季度更新）中國半導(dǎo)體分 立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷率調(diào)查 . 113 一、工業(yè)總產(chǎn)值 . 113 二、工業(yè)銷售產(chǎn)值 . 114 三、產(chǎn)銷率調(diào)查 . 115 第九章 2009-2010 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)分析 . 117 第一節(jié) LED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展 . 117 一、國外 LED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 . 117 二、國內(nèi) LED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 . 117 三、 LED 產(chǎn)業(yè)所面臨的問題分析 . 117 四、 2010-2014 年 LDE 產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及前景分析 . 118 第二節(jié) 集成電路 . 119 一、中國集成電路銷售情況分析 . 119 二、集成電路及微電子組件（ 8542）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析 . 120 三、集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)分析 . 120 第三節(jié) 電子元器件 . 121 一、電子元器件的發(fā)展特點(diǎn)分析 . 121 二、電子元件產(chǎn)量分析 . 122 三、電子元器件的趨勢(shì)分析 . 123 第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件 . 124 一、半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)分析 . 124 二、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析 . 124 2011-2015 年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告 10 三、半導(dǎo)體分立器件發(fā)展趨勢(shì)分析 . 125 第十章 2009-2010 年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析 . 127 第一節(jié) 2009-2010 年歐洲半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析 . 127 第二節(jié) 2009-2010 年我國半導(dǎo)體材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 . 128 一、半導(dǎo)體照明應(yīng)用市場(chǎng)突破分析 . 128 二、單芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 . 129 三、太陽能光伏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析 . 131 第三節(jié) 2009-2010