高科鍺硅項目可行性研究報告

深圳市高科實業(yè)有限公司 6、0.35m SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項目 可可行行性性研研究究報報告告 （代項目建議書）（代項目建議書） 信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院有限公司 二三年四月 深圳市高科實業(yè)有限公司 6、0.35m SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項目 可可行行性性研研究究報報告告 （代項目建議書）（代項目建議書） 院 長： 趙 振 元 總工程師： 鄭 秉 孝 項目負責(zé)人： 黃 曉 春 信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院有限公司 編制人員編制人員 項目負責(zé)人： 黃曉春 技術(shù)負責(zé)人： 劉忠立 李瑞偉 經(jīng)濟負責(zé)人： 龔 麗 參編人員 ： 尹 堯 李 梅 目目 錄錄 第一章第一章 總論總論1 1.1 項目名稱與通訊地址1 1.2 內(nèi)容提要1 1.3 項目建設(shè)的必要性和有利條件2 1.4 可行性研究報告編制依據(jù)5 1.4 研究結(jié)果6 第二章第二章 投資方簡介投資方簡介9 2.1 深圳市高科實業(yè)有限公司9 2.2 ELIA TECH 公司10 第三章第三章 該產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外發(fā)展情況該產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外發(fā)展情況11 3.1 產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域和意義11 3.2 國際-國內(nèi)技術(shù)水平發(fā)展情況13 3.3 產(chǎn)品國際-國內(nèi)市場發(fā)展情況16 3.4 產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)外發(fā)展形勢18 第四章第四章 產(chǎn)品大綱及可占領(lǐng)市場分析產(chǎn)品大綱及可占領(lǐng)市場分析20 4.1 產(chǎn)品大綱20 4.2 產(chǎn)品簡介20 4.3 投產(chǎn)計劃22 4.4 可占領(lǐng)市場分析23 第五章第五章 生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)協(xié)作生產(chǎn)技術(shù)與生產(chǎn)協(xié)作24 5.1 生產(chǎn)工藝流程24 5.2 主要技術(shù)及來源24 5.3 技術(shù)轉(zhuǎn)移的實施和主要技術(shù)團隊26 5.4 主要外協(xié)關(guān)系與關(guān)鍵原材料供應(yīng)31 第六章第六章 生產(chǎn)線建設(shè)生產(chǎn)線建設(shè)32 6.1 建設(shè)目標32 6.2 經(jīng)營模式32 6.3 設(shè)備配置33 6.4 主要儀器設(shè)備清單34 6.5 生產(chǎn)環(huán)境要求36 第七章第七章 工程建設(shè)方案工程建設(shè)方案37 7.1 建設(shè)目標與建設(shè)內(nèi)容37 7.2 總圖39 7.3 建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計39 7.4 建筑服務(wù)系統(tǒng)39 7.5 工藝服務(wù)系統(tǒng)42 7.6 電氣45 第八章第八章 消防、環(huán)保、安全、節(jié)能消防、環(huán)保、安全、節(jié)能48 8.1 消防48 8.2 環(huán)境保護51 8.3 安全衛(wèi)生55 8.4 節(jié)能60 第九章第九章 組織機構(gòu)及人員編制組織機構(gòu)及人員編制63 9.1 董事會組成63 9.2 組織機構(gòu)63 9.3 人員編制63 9.4 人員培訓(xùn)63 第十章實施進度第十章實施進度65 第十一章第十一章 投資估算與資金籌措投資估算與資金籌措66 11.1 建設(shè)投資估算66 11.2 流動資金估算68 11.3 項目總投資68 11.4 資金籌措68 第十二章第十二章 經(jīng)濟分析經(jīng)濟分析69 12.1 基本數(shù)據(jù)69 12.2 財務(wù)評價71 12.3 經(jīng)濟評價結(jié)果72 12.4 綜合評價73 附表：附表： 1、總投資估算表 2、流動資金估算表 3、投資計劃與資金籌措表 4、總成本費用估算表 5、損益表 6、現(xiàn)金流量表（全部投資） 7、貸款還本付息計算表 8、資金來源與運用表 9、銷售收入及稅金計算表 附圖：附圖： 1 1、區(qū)域位置圖（、區(qū)域位置圖（1 1） 2 2、區(qū)域位置圖（、區(qū)域位置圖（2 2） 3 3、總平面圖、總平面圖 4 4、一層工藝區(qū)劃圖、一層工藝區(qū)劃圖 5 5、二層工藝區(qū)劃圖、二層工藝區(qū)劃圖 附件：附件： 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 1 第一章第一章 總論總論 1.1 項目名稱與通信地址 項目名稱：6、0.35m SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項 目 承辦單位：深圳市高科實業(yè)有限公司 法人代表：冉茂平 項目負責(zé)人：方中華 通信地址：深圳市深南中路中航苑航都大廈17樓G.H.I座 郵政編碼：518041 傳 真電 話1.21.2 內(nèi)容提要內(nèi)容提要 由深圳市高科實業(yè)有限公司（以下簡稱高科公司）作為中方投 資公司與ELIA TECH（亞洲）集團有限公司（以下簡稱ELIA TECH 公司）在深圳合資組建一家合資企業(yè)，共同投資興建6、0.35m SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)線項目，主要產(chǎn)品包括SiGe芯片和 普通Si功率MOS器件芯片，形成月投片量5000片的生產(chǎn)能力。 項目總體規(guī)劃分兩期建設(shè)，一期工程初期實現(xiàn)6SiGe HBT和 SiGeVCO芯片共計5000片/月的生產(chǎn)能力（本項目） ，根據(jù)產(chǎn)品市場 的發(fā)展和需求情況最終可形成20000片/月的生產(chǎn)能力，二期工程興 建8生產(chǎn)線，實現(xiàn)月產(chǎn)8SiGe芯片20000片。 一期工程規(guī)劃用地116000 m2（包括研發(fā)中心用地20000 m2） ，二 期工程規(guī)劃用地84000 m2，總用地200000 m2。 本項目總投資（建設(shè)投資）2998.9萬美元，注冊資金1500萬美 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 2 元，高科公司占合資公司總股本的60%，ELIA TECH公司占合資公 司總股本的40%。項目總投資中注冊資金以外的部分(1498.9萬美元)， 將以合資公司名義向境內(nèi)或境外金融機構(gòu)貸款解決。 本項目用地由深圳市政府免費提供，一期工程用地位于深圳市 寶龍工業(yè)園區(qū)，用地面積96200 m2，研發(fā)中心用地19800 m2，位于深 圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，規(guī)劃建筑包括生產(chǎn)廠房（FAB1和FAB2） 、 動力廠房、綜合樓、多功能中心、專家樓、倒班宿舍、化學(xué)品庫、 氣站等，本項目（5000片）新建其中的生產(chǎn)廠房（FAB1） 、動力廠 房和倒班宿舍，合計新建面積26600 m2，其它建筑和子項根據(jù)生產(chǎn) 規(guī)模的擴大實行分步實施。生產(chǎn)廠房（FAB1）按月投片20000的規(guī) 模建設(shè)，潔凈室和相配套的生產(chǎn)動力設(shè)施按5000片規(guī)模配置。 預(yù)計本項目達產(chǎn)年銷售收入9633.82萬美元，利潤2848.96萬美元， 項目內(nèi)部收益率57.26%，投資回收期3.23年。 1.31.3 項目建設(shè)的必要性和有利條件項目建設(shè)的必要性和有利條件 1.3.1項目意義 本項目旨在建立一條 6” 0.35m SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線，該 生產(chǎn)線同 Si 集成電路具有兼容性，因此該生產(chǎn)線除了可以生產(chǎn) SiGe 器件以外，也可以根據(jù)市場需求生產(chǎn)其它 Si 器件。本項目在投產(chǎn)初 期，由于考慮到 SiGe 器件市場有一個發(fā)展過程，因而安排一定的生 產(chǎn)量生產(chǎn)有用戶需求的功率 MOS 器件，這樣項目既考慮到一步就邁 上了生產(chǎn)當前國際上先進的高頻 SiGe 器件，為進一步發(fā)展這一類器 件搶占更大的市場奠定基礎(chǔ)，同時又能保證生產(chǎn)線的產(chǎn)量能達到飽 和值，并為企業(yè)帶來更大的效益。本項目的建立具有如下意義： （1）填補國內(nèi) SiGe 高頻器件生產(chǎn)的空白，推動我國 SiGe 集成 電路生產(chǎn)趕上國際先進水平。 SiGe 高頻器件是一種利用硅基片及能帶工程的新型異質(zhì)結(jié)雙極 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 3 器件，由于具有優(yōu)良的高頻特性同時又具有價格低廉以及同硅集成 電路兼容集成的優(yōu)點，因而深受各國重視。盡管 1987 年第一只 SiGe HBT 誕生，并經(jīng)歷了十幾年的研究及發(fā)展，但一直到 1998 年真正的 SiGe 產(chǎn)品才問世。 本項目利用韓國合資方 ELIA TECH 公司掌握的先進 SiGe 器件 及電路工藝技術(shù)生產(chǎn)的 SiGe 器件及集成電路，使我國能在最短的時 間內(nèi)填補這種器件及電路的空白，推動我國 SiGe 集成電路生產(chǎn)趕上 國際先進水平。 （2）滿足我國高頻應(yīng)用領(lǐng)域的需求，促進相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展 隨著我國光纖通信、航天科技及軍事科技的迅速發(fā)展，對高頻 電路不僅在數(shù)量上有更多的要求，而且希望電路滿足低成本、小體 積及能同硅電路兼容集成，從而構(gòu)成系統(tǒng)集成芯片。SiGe 技術(shù)正好 滿足這些要求，因而建立 6 英寸 0.35m SiGe 集成電路生產(chǎn)線，能 扭轉(zhuǎn)我國目前高頻電路主要依賴 GaAs 器件及大部分靠進口的狀態(tài)， 從而促進我國相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。 （3）拓寬我國微電子產(chǎn)品的領(lǐng)域，形成我國 SiGe 集成電路生 產(chǎn)及研發(fā)基地。 多年來我國微電子工業(yè)的發(fā)展緩慢，盡管截止 2000 年我國已共 有 25 條微電子生產(chǎn)線，但除了上海華虹 NEC 的 8 英寸 0.25m 產(chǎn) 品剛進入當代國際硅主流技術(shù)水平以外，其它生產(chǎn)線以生產(chǎn)低中檔 產(chǎn)品為主。近年來我國微電子工業(yè)發(fā)展速度有所加快，特別上海 “中心國際”及“宏力”8 英寸 0.25 生產(chǎn)線的建立，擴充了我國集 成電路的生產(chǎn)能力，提高了我國集成電路的產(chǎn)品水平。但是上述所 有微電子生產(chǎn)線均未考慮 SiGe 器件的生產(chǎn)。因此本項目 SiGe 集成 電路生產(chǎn)線的建立，可以拓寬我國微電子產(chǎn)品的領(lǐng)域，本項目第二 期工程擬升級成 8 英寸加工線，并將建立 SiGe 集成電路研究及發(fā)展 中心，最終形成我國 SiGe 集成電路生產(chǎn)及研發(fā)基地。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 4 （4）帶動我國高頻電路及系統(tǒng)集成芯片設(shè)計行業(yè)的發(fā)展 多年來我國從事高頻電路設(shè)計的科技人員均以 GaAs 器件為主 要對象，原因是缺乏新的高頻器件，本項目 SiGe 器件生產(chǎn)線的建立， 為建立 SiGe 高頻電路及系統(tǒng)集成芯片設(shè)計平臺提供了一個驗證及保 證的條件，從而帶動我國高頻電路及系統(tǒng)集成芯片設(shè)計行業(yè)的發(fā)展。 （5）推動深圳市電子信息產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展 電子及通信設(shè)備制造業(yè)是深圳工業(yè)的主導(dǎo)行業(yè)，但是深圳市的 微電子工業(yè)由于起步較晚相對落后。據(jù)統(tǒng)計2000年深圳直接使用的 集成電路50億美元中，90依靠進口。在高頻應(yīng)用的電路中，由于 采購困難更限制了相關(guān)電子產(chǎn)品的發(fā)展。本項目利用少量投資，購 置以翻新設(shè)備為主的6英寸0.35m設(shè)備，建立一條相對水平較高的 SiGe集成電路生產(chǎn)線，不僅具有很好的經(jīng)濟意義，而且能緩解上述 矛盾，并推動深圳市電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 1.3.2項目建設(shè)的有利條件 (1) 深圳具有建設(shè)高技術(shù)集成電路芯片項目的良好環(huán)境 深圳與上海、北京一樣，是國內(nèi)最有條件發(fā)展集成電路芯片制 造業(yè)的城市之一。深圳市為加速和鼓勵發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)， 配合國務(wù)院18號文精神，對該項目提出了包括地租、貼息貸款和水 電價格等多項優(yōu)惠政策，為本項目的實施創(chuàng)造了有利條件。 深圳及周邊珠江三角洲地區(qū)是國內(nèi)集成電路主要的集散地之一， 華南地區(qū)集成電路消耗量占國內(nèi)的一半以上，同時也是中國最大的 光通訊、無線通訊、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備生產(chǎn)開發(fā)中心，占據(jù)中國該類產(chǎn)品生 產(chǎn)的70%以上。2000年中國電子信息百強前30名中有超過1/3在深圳 及其附近地區(qū)，包括華為、中興、康佳、德塞、長城等，這些大公 司使用大量集成電路，使得廣東的電路進口數(shù)量占全國的60-70%。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 5 項目具有良好的投資環(huán)境和市場環(huán)境。 此外，深圳作為中國最年輕和最具活力的國際化大都市，毗鄰 香港，利用靠近香港、交通便利的地理優(yōu)勢，容易吸引優(yōu)秀的國際 人才，產(chǎn)品可方便地面向海外市場。 (2) 本項目合作方ELIA TECH公司充分提供工藝技術(shù)、人員培 訓(xùn)、工藝設(shè)備維護以及具有豐富經(jīng)驗的集成電路生產(chǎn)管理技術(shù)團隊 支持。 目前ELIA TECH公司董事長吳之植先生是韓國電子部品研究院 研究員，擔(dān)任深港韓國電子商會會長（該會成員多達100多家） 。本 項目韓國方面組織了具有國際大公司背景和6、8生產(chǎn)線建設(shè)與 運營經(jīng)驗的技術(shù)團隊，團隊成員分別具有IBM公司、AMD公司、三 星電子、現(xiàn)代半導(dǎo)體公司、韓國電子部品研究院（KETI）和韓國電 子通訊研究院（ETKI）等國際大公司或知名院所的工作背景和經(jīng)歷， 這為本項目實施提供了強有力的保障。 (3)本項目生產(chǎn)線建設(shè)的一大特點是采用與技術(shù)引進相結(jié)合的整 條線成套設(shè)備引進的方式，這使得相應(yīng)的服務(wù)、維修及備件供應(yīng)有 保障，這對本項目生產(chǎn)線能夠長期穩(wěn)定、可靠的運行極為重要，對 本項目實施極為有利。 1.41.4 可行性研究報告編制依據(jù)可行性研究報告編制依據(jù) 1.4.1 國務(wù)院 2000 年鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策 （國發(fā)200018 號文）以及 2001 年國務(wù)院辦公廳關(guān)于進 一步完善軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策有關(guān)問題的復(fù)函 。 政策規(guī)定鼓勵發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，并提出多項優(yōu)惠政策。 1.4.2 國家發(fā)展計劃委員會和科學(xué)技術(shù)部 1999 年 7 月頒發(fā)的當前優(yōu) 先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點領(lǐng)域指南第 34 條規(guī)定，集成電 路是信息化產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。集成電路產(chǎn)業(yè)包括電路設(shè)計、芯 片制造、電路封裝、測試等，需重點發(fā)展。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 6 1.4.3外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄2002 年版 3.20.4 條鼓勵“集成電路 設(shè)計與線寬 0.35 微米及以下大規(guī)模集成電路生產(chǎn)” 。 1.4.4 深圳市高科實業(yè)有限公司與 ELIA TECH（亞洲）集團有限公司 關(guān)于在深圳市成立合資公司的協(xié)議書。 1.4.5 深圳市政府關(guān)于建設(shè)超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)項目優(yōu)惠政策的相 關(guān)文件。 1.4.6 深圳市高科實業(yè)有限公司和ELIA TECH公司提供的基礎(chǔ)資料。 1.4.7 信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院基礎(chǔ)資料。 1.4.8 深圳市高科實業(yè)有限公司委托信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院 有限公司編制該項目可行性研究報告的協(xié)議 1.51.5 研究結(jié)果研究結(jié)果 1.5.1 主要技術(shù)經(jīng)濟指標 本項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標見表 12。 表12 主要技術(shù)經(jīng)濟指標 序號名 稱單 位 數(shù) 據(jù)備注 生產(chǎn)規(guī)模片/月5000達產(chǎn)年 6SiGe HBT芯片 片/月1500達產(chǎn)年1 6SiGe VCO芯片 片/月3500達產(chǎn)年 2年銷售收入萬美元9633.82達產(chǎn)年平均 3固定資產(chǎn)總投資萬美元2998.90 4職工人員人104 5用地面積m2200000其中一期116000 6新建建筑面積m226600 7新增生產(chǎn)設(shè)備、儀器數(shù)量臺(套)51 8變壓器裝設(shè)容量 KVA5000 9自來水消耗量t/d2460 10主要動力消耗 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 7 序號名 稱單 位 數(shù) 據(jù)備注 工藝循環(huán)冷卻水消耗用量m3/h150 氮氣(GN2)消耗量m3/h450 工藝氮氣(PN2)消耗量m3/h200 工藝氧氣(PO2)消耗量m3/h9 工藝氫氣(PH2)消耗量m3/h4 工藝氬氣(Ar)消耗量m3/h4 壓縮空氣(CDA)消耗量m3/h520 高純水系統(tǒng)m3/d600 冷凍水(CHW)KW4600 11達產(chǎn)年利潤萬美元2848.96 12銷售稅金及附加萬美元317.92 13總投資回收期年3.23含建設(shè)期 14財務(wù)內(nèi)部收益率%57.26稅后 15總投資利潤率%67.70 16銷售利潤率%29.57 17盈虧平衡點%38.88生產(chǎn)能力計算 18貸款償還期年2.36含建設(shè)期 1.5.2 研究結(jié)論 該項目是6、0.35m SiGe集成電路芯片生產(chǎn)線項目，SiGe HBT是一種新型的超高頻半導(dǎo)體器件，近年來已成為集成電路 技術(shù)發(fā)展的一個熱點，得到了日益廣泛的應(yīng)用，產(chǎn)品方向符合 國家產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向，是國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)目錄指導(dǎo)發(fā)展產(chǎn)品和國家 2002年度鼓勵外商投資產(chǎn)品。 本項目的實施對填補我國SiGe高頻器件生產(chǎn)的空白，推動我國 SiGe集成電路生產(chǎn)趕上國際先進水平具有重要意義。 目前SiGe產(chǎn)品種類不多，生產(chǎn)量也少，但從其應(yīng)用用途分析， 一般推測其未來發(fā)展空間甚大，根據(jù)ITIS及IC Insight資料， 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 8 SiGe半導(dǎo)體1999年市場規(guī)模約為0.25億美元，預(yù)測至2004年將 有9億美元的市值，年平均增長104%，產(chǎn)品具有廣闊的市場前 景。 SiGe 集成電路的市場雖然發(fā)展十分迅速，但對本項目而言仍有 一個逐步開拓的過程，因此，本項目確定的生產(chǎn)規(guī)模（月投 5000 片）是合適的。 同時為進一步減小市場風(fēng)險，本項目考慮在投產(chǎn)初期，利用生 產(chǎn)線的部分生產(chǎn)能力，進行工藝兼容、市場成熟的硅MOS功率 器件與集成電路的生產(chǎn)，項目初期產(chǎn)品是采取定向委托加工方 式，產(chǎn)品市場有保障。 本項目設(shè)備配置采用翻新設(shè)備，以很低的投資建立起一條有一 定規(guī)模的6英寸鍺硅生產(chǎn)線，產(chǎn)品技術(shù)含量高。同時減少了投資 風(fēng)險，降低運營成本和費用。 根據(jù)高科公司與ELIA TECH公司簽訂的合資協(xié)議，生產(chǎn)技術(shù)由 ELIA TECH公司負責(zé)提供，并作為韓方的技術(shù)入股，項目實施 具有技術(shù)保障。 ELIA TECH公司組織了具有國際大公司背景和6、8生產(chǎn)線 建設(shè)與運營經(jīng)驗的技術(shù)團隊。團隊成員分別有IBM、AMD、三 星電子、現(xiàn)代公司、韓國電子部品研究院和韓國電子通訊研究 院等國際大公司或知名院所的工作背景，是本項目建設(shè)運營的 有力支撐。 該項目投資回收期3.23年、財務(wù)內(nèi)部收益率57.26%、總投資利 潤率67.70%、銷售利潤率29.57%，盈虧平衡點38.88%。項目具 有良好的投資效益和抗風(fēng)險能力。 綜上所述，項目建設(shè)是可行的。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 9 第二章第二章 投資方簡介投資方簡介 2.12.1深圳市高科實業(yè)有限公司深圳市高科實業(yè)有限公司 2.1.1 公司概況 深圳市高科實業(yè)有限公司是于 2000 年 12 月 29 日成立的有限責(zé) 任公司，公司注冊資本為 10800 萬元。本公司的股東為中國高科集 團股份有限公司(以下簡稱:中國高科)和上海高科聯(lián)合生物技術(shù)研發(fā) 有限公司(以下簡稱:高科生物)。中國高科占本公司注冊資本的 68.125%，高科生物占 31.875%。公司的經(jīng)營范圍是：興辦實業(yè)；電 子通訊產(chǎn)品及智能系統(tǒng)等相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、銷售；國內(nèi)商業(yè)、 物資供銷業(yè)；經(jīng)營進出口業(yè)務(wù)。2002 年，公司實現(xiàn)主營收入 11.6 億 元，實現(xiàn)凈利潤 3600 萬元。目前，公司的總資產(chǎn)已超過 5 億元人民 幣，凈資產(chǎn)為 1.6 億元人民幣。 2.1.2 股東背景 中國高科是由國內(nèi)眾多知名高校共同發(fā)起設(shè)立并于 1996 年 7 月 在上海證券交易所上市的股份有限公司（證券代碼為 600730） 。2001 年底，中國高科注冊資本 17460 萬元，總資產(chǎn)達 135554 萬元，凈資 產(chǎn) 37015 萬元。高科生物是由中國高科控股的有限責(zé)任公司（中國 高科占 56.7%） ，公司的注冊資本為人民幣 15000 萬元，主要從事新 型生物化學(xué)藥物系列、新型藥物制劑、基因工程藥物、新型衛(wèi)生材 料等新型藥品的研發(fā)、新藥項目的技術(shù)轉(zhuǎn)讓。 2.1.3 下屬企業(yè)介紹 高科公司自成立以來，在中國高科的支持下，積極進行資本運 作。截止 2002 年底，公司控股和參股的企業(yè)已達 7 家。他們分別是 深圳市高科智能系統(tǒng)有限公司（占注冊資本的 51%） 、深圳仁銳實業(yè) 有限公司（占注冊資本的 75%） 、深圳市高科新世紀貿(mào)易有限公司 （占注冊資本的 65%） 、深圳市高科通訊電子有限公司（占注冊資本 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 10 的 40%） 、深圳市華動飛天網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開發(fā)有限公司（占注冊資本的 32%） 、 深圳市金開利環(huán)境科技有限公司（占注冊資本的 60%） 、深圳市星倫 網(wǎng)絡(luò)科技有限公司（占注冊資本的 84%） 。 2.22.2ELIAELIA TECHTECH（亞洲）集團有限公司（亞洲）集團有限公司 EliA Tech Asia Holdings Co., Ltd.于 2000 年 12 月 22 日在 香港注冊成立，注冊地址：FLAT/RM N 9/F INTERNATIONAL INDUSTRIAL CTR 2-8 KWEI TEI STREET FO TAN SHA TIN , HK。 公司一直致力于電子通信領(lǐng)域的發(fā)展，并與韓國電子部品研究 院（KETI）、韓國電子通信研究院（ETRI）、NEXSO等研究機構(gòu)、公 司進行了多方面的合作。 2002 年 5 月：公司與韓國電子部品研究院（KETI）簽署了“中 國技術(shù)合作戰(zhàn)略伙伴”協(xié)議，內(nèi)容涉及OLED驅(qū)動芯片、OLED panel、無機EL制造技術(shù)、LOCOS驅(qū)動芯片等。目前，于 2003 年 1 月 16 日在與韓國SoC風(fēng)險企業(yè)(e-MDT, Wisdom)和韓國電子部品研究院 （KETI）業(yè)共同投資成立“深圳華韓集成電路科技有限公司”。 2002 年 6 月，在深圳投資注冊了以利亞電子科技（深圳）有限 公司。主要從事OLED有機電致發(fā)光材料、屏板（panel）、驅(qū)動IC、 批量生產(chǎn)生產(chǎn)工藝流程及設(shè)備的高科技公司，并與韓國電子部品研 究院（KETI）建立了OLED的技術(shù)合作關(guān)系。 2003 年 1 月 2 日與韓國電子通訊研究院（ETRI）簽署了“SiGe 技術(shù)轉(zhuǎn)移合同”，技術(shù)內(nèi)容涉及SiGe HBT工藝、SiGe集成電路制造 等有關(guān)的技術(shù)專利 100 多項。 公司將繼續(xù)在半導(dǎo)體、芯片設(shè)計等領(lǐng)域發(fā)展，并將韓國的先進 技術(shù)繼續(xù)引進到中國，與本地的技術(shù)融合，愿成為中、韓技術(shù)交流 的一個橋梁。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 11 第三章第三章 該產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外發(fā)展情況該產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外發(fā)展情況 3.13.1 產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域和意義產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域和意義 項目主要產(chǎn)品 SiGe 器件的特點是利用廉價的硅基片同硅集成電 路兼容的加工工藝生產(chǎn)新型的高頻器件及電路，器件和電路產(chǎn)品的 應(yīng)用目前主要集中在 2GHz 到 10 GHz 的范圍內(nèi)，并可能擴展到 40GHz 以上，圖 3-1 示出 SiGe 器件的可能應(yīng)用范圍。 圖 3-1 SiGe 器件應(yīng)用范圍 如果將其應(yīng)用具體化，至少可以舉出以下一些射頻應(yīng)用領(lǐng)域的 例子： 蜂窩電話和 PCS 電話 接收器用低噪聲放大器（GSM、DCS、PCS、CDMA） 發(fā)送器用功率放大器（GSM、PCS、CDMA、AHPS） 壓控振蕩器（每個發(fā)送/接收裝置的基本部件） 廉價的 2.4GHz 碰撞報警雷達系統(tǒng) 1GHz 以上的單片無線話音和數(shù)據(jù)電話系統(tǒng) 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 12 數(shù)據(jù)采集，直接基帶無線接收器和信號合成專用高速模數(shù) 轉(zhuǎn)換和數(shù)模轉(zhuǎn)換器 廉價高可靠的全球定位（GPS）接收器 互動式電視 早期高頻無線應(yīng)用的電路例如混頻器、調(diào)制解調(diào)器和壓控振蕩 器等都是用硅雙極技術(shù)設(shè)計的，同時功率放大器和低噪聲放大器等 前端電路主要用 GaAs 技術(shù)設(shè)計。隨著應(yīng)用要求的頻率提高，硅雙 極器件已力不從心，因而 GaAs 便逐漸成為高頻應(yīng)用的主流。這主 要是因為 GaAs 材料具有高的電子遷移率及快的漂移速度，因而適 用于制作高頻器件，但是 GaAs 存在諸多缺點，例如 GaAs 單晶材料 制備工藝復(fù)雜因而價格昂貴；GaAs 材料的機械強度低，晶片易碎尺 寸做不大；GaAs 的熱導(dǎo)率低因而散熱不良；GaAs 器件工藝同硅器 件工藝不具有兼容性等。這些缺點限制了 GaAs 器件的發(fā)展，特別 限制了器件的大規(guī)模生產(chǎn)。 具有優(yōu)良特性的 SiGe 技術(shù)（見表 3-1）正在掃除上述障礙，并 有可能開發(fā)出一種集成的高頻無線電路，例如可以將壓控振蕩器、 功率放大器及低頻噪聲放大器集成在一起，構(gòu)成完整的無線前端產(chǎn) 品。 除此以外，SiGe 技術(shù)可以將 BiCMOS 電路集成在一起，形成速 度、功耗、性能、集成度和成本最佳組合的系統(tǒng)集成芯片，從而完 成更加復(fù)雜的功能，這樣的芯片可直接用于先進的無線通信產(chǎn)品中， 例如用于第二代、第三代手機及寬帶局域網(wǎng)（WLAN）中。毫不夸 張，SiGe 器件的應(yīng)用及開發(fā)，將使微電子學(xué)在通信領(lǐng)域中參數(shù)一次 新的飛躍，具有十分重要的意義。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 13 表 3-1 Si 器件、SiGe HBT 和 GaAs HBT 特性的比較 器件fT(GHz)室溫增益低溫增益 同 Si 工藝 兼容性 規(guī)模生產(chǎn)性芯片成本 目前工藝 水平(m) Si60中下降易低0.09 SiGe210高上升好易中0.18 GaAs160低上升劣一般高0.25 注：SiGe HBT 的 fT據(jù)報道已達 360GHz 本項目投產(chǎn)的初期以生產(chǎn) SiGe HBT 及壓控振蕩器（VCO）為 主，它是 SiGe 的基礎(chǔ)產(chǎn)品同時又是有廣闊市場的產(chǎn)品，它將為今后 擴展其它 SiGe 集成電路的生產(chǎn)鋪平道路。 本項目加工的功率 MOS 器件是硅器件中廣泛應(yīng)用的產(chǎn)品，國際 上由于產(chǎn)業(yè)調(diào)整加工有逐漸移向我國的趨勢，例如日本 Global Foundry 公司在我國曾同一些 4”生產(chǎn)線合作過該器件生產(chǎn)。但由于 生產(chǎn)效率偏低未能成功，這次該公司作為本項目韓方股東，在項目 投產(chǎn)的前兩年將安排約 4000 片/月的生產(chǎn)量生產(chǎn)功率 MOS 器件，這 對項目建立的生產(chǎn)線迅速達產(chǎn)及提高經(jīng)濟效益起到保證作用，同時 作為補充我國及深圳地區(qū)微電子產(chǎn)業(yè)也將作出貢獻。 3.23.2 國際國內(nèi)技術(shù)水平發(fā)展情況國際國內(nèi)技術(shù)水平發(fā)展情況 SiGe HBT 從材料外延開始到商業(yè)生產(chǎn)經(jīng)歷了近 20 年左右發(fā)展 的道路。表 2 列出了 1982 年開始研究低溫 UHV/CVD 外延 SiGe 材 料工藝，到 1998 年第一代 SiGe 產(chǎn)品問世的主要發(fā)展歷程。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 14 表 3-2 SiGe HBT 的主要發(fā)展歷程 時間發(fā)展內(nèi)容 1982開始研究低溫 UHV/CVD 工藝 1986UHV/CVD 外延 Si 成功 1987第一個 SiGe HBT 制作成功（采用 HBE 方法外延） 1990fT75GHz 1993fT100GHz 1995fmax160GHz 1998第一代 SiGe 產(chǎn)品問世（LNA 低噪聲放大器） 由于 SiGe HBT 的工藝同 Si 工藝具有兼容性，因此在材料研究 取得突破以后，其器件及電路的水平迅速提高，表 3-3 列出了截止 2000 年 SiGe HBT 的器件研究水平。 表 3-3 SiGe HBT 的研究水平 器件結(jié)構(gòu)SiGe 生長方法 增益 發(fā)射極面積 （m2） fT/fmax (GHz)實驗室 雙臺面MBE9200 20.88 30/160Dailer Benz 雙多晶自對準UHV/CVD113 0.82.5 48/69IBM 雙多晶自對準UHV/CVD45000 0.39.55 154/Hitachi 雙多晶自對準UHV/CVD300 0.21 76/180Hitachi 近年來器件水平又有很大提高，最近報導(dǎo)的 SiGe HBT fT達 360GHz，SiGe 器件商業(yè)生產(chǎn)水平的 fT和 fmax分別在 30GHz 和 60GHz 左右，采用的工藝水平為 10.5m 工藝。商業(yè)上主要用 SiGe 技術(shù)生產(chǎn)低噪聲放大器（LNA） ，壓控振蕩器 CVCO 等電路， 除此以外，利用 SiGe HBT 同 CMOS 工藝兼容集成的水平在不斷提 高，利用 SiGe BiCMOS 工藝已試制出集成 180 萬晶體管道 ASIC 芯 片。 作為例子表 3-4 列出無線通信用 SiGe LNA 的水平，表 3-5 列出 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 15 一些具有代表性的 SiGe HBT 集成電路。 表 3-4 無線通信用 SiGe LNA 的水平 性能TEMICMAXIMInfinonRFMOconexant 工作頻率 （GHz） 1.81.91.81.91.9 工作電壓 （V） 34253 電流（A）103.558 噪聲系數(shù) （dB） 1.81.30.651.51.7 增益2014.42114 表 3-5 有代表性的 SiGe HBT 集成電路 電路性能時間/公司 DAC12 位，1.2GHz，750mW1994/IBM 分頻器8 分頻，50GHz1998/Hitachi 單片 VCO17GHz，-110dBc/Hz1997/IBM 5.5GHz LNA/VCO LNA：14.1dB（增益） 2.4dB（噪聲系數(shù)） VCO：15調(diào)諧范圍，在 100KHz 偏移時噪聲比 -90dBc/Hz 1998/IBM 多路復(fù)用器2：1，40Gb/s1998/Hitachi 多路分解器1：2，60Gb/s1997/Siemens 前置放大器 帶寬 2.5GHz，輸出阻抗 43，功耗 17mW 2003/ETRI SiGe 器件的技術(shù)雖然發(fā)展迅速，但主要掌握在國際上少數(shù)公司 手中，特別是生產(chǎn)技術(shù)掌握在少數(shù)像 IBM 等這樣的大公司手中，近 幾年韓國 ETRI 等公司加強了 SiGe 技術(shù)研究，發(fā)展了較為成熟的 SiGe HBT 及其電路的生產(chǎn)技術(shù)。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 16 國內(nèi)近幾年對 SiGe 技術(shù)的研究也較為重視，但研究主要集中在 少數(shù)高校及研究所，主要研究內(nèi)容為 SiGe 外延材料及 HBT 的制作， 研究項目主要來自于市級和國家自然基金以及像“863”這樣的攻關(guān) 項目，一般研究經(jīng)費不多，制約了其技術(shù)的發(fā)展。國內(nèi) SiGe 材料的 研究尚未達到規(guī)模生產(chǎn)水平。SiGe 器件則達到了一定的研究水平， 有代表性的器件是清華大學(xué)的 SiGe HBT，其主要器件參數(shù)如下： BVBEO5.6V，BVCBO11.2V，BVCEO6.5V，B 結(jié)漏電電流 2A/m2，fT12.5GHz，100 用 802m20m 的 SiGe HBT 制作的 AB 類放大器，其 VCE3V，f836MHz，Pout27dBm 時達到最大 PAE 為 34，其 1dB 壓縮點輸出功率約為 23.2dBm，PAE17。 可以看出國內(nèi) SiGe 器件雖然達到了一定的水平，相對來講仍比 較落后，特別尚未掌握規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，有待進一步研究及發(fā)展。 關(guān)于功率 MOS 器件，從工藝上來說已相對成熟，作為分立器件 0.350.5m 的加工水平已能滿足，采用英寸片加工功率 MOS 器件 也是適當?shù)倪x擇，另一方面 MOS 功率器件的一個發(fā)展方向是將控制 電路集成在一起的“功率智能集成”芯片，有了功率 MOS 技術(shù)基礎(chǔ)， 生產(chǎn)線可以根據(jù)市場需要進行考慮。 3.33.3 產(chǎn)品國際產(chǎn)品國際- -國內(nèi)市場發(fā)展情況國內(nèi)市場發(fā)展情況 本項目的主要產(chǎn)品是加工 SiGe HBT 及相關(guān)集成電路，如射頻 壓控振蕩器等。這些電路是 SiGe 技術(shù)最適合生產(chǎn)的產(chǎn)品，并且它們 目前在國際上市場發(fā)展情況良好。 SiGe 產(chǎn)品 1999 年才開始有售，當年的銷售額僅為 370 萬美元， 但是發(fā)展迅速，2000 年很快上升至 1.36 億美元，據(jù)分析 SiGe 集成 電路至少可以占領(lǐng)移動手機寬帶集成電路的 36市場。隨著 SiGe 集 成電路生產(chǎn)能力的提高，銷售量將不斷擴大，在中頻/比特率達 10Gb/s 的市場中會不斷取代 Si 和 GaAs 產(chǎn)品。表 3-6 列出韓國 ETRI 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 17 給出的 SiGe 射頻集成電路市場狀況，表 3-7 列出韓國 ETRI 給出的 世界手機市場銷量預(yù)測情況。 表 3-6 SiGe 射頻集成電路市場預(yù)測 應(yīng)用領(lǐng)域電路頻率年度世界市場額度 Cellular 蜂窩電話0.81.5GHz目前39.75 億美元 PCS 個人通信系統(tǒng)1.8 GHz目前39.75 億美元 GMPCS 全球移動個 人通信系統(tǒng) 1.41.6 GHz2005 年1.34 億美元 GPS 全球定位系統(tǒng)1.5 GHz目前5.84 億美元 WLAN 寬帶局域網(wǎng)2.4/5.8 GHz目前9.50/5.00 億美元 DSRC 遠程空間無線 中心 5.8 GHz2005 年8.00 億美元 DBS 衛(wèi)星直播系統(tǒng)1214 GHz目前2.4 億美元 SONET 同步光纖網(wǎng)1040 Gbps目前98.8 億美元 表 3-7 世界手機市場銷量預(yù)測 單位：千部 （ ）：百萬美元 地區(qū)2002200320042005 非洲 9093.3（1467. 2） 9185.2（1300. 8） 9591.9（1201. 3） 9925.5（1177. 7） 亞洲太平洋/ 日本 163173.3（335 10.8） 184312.9（376 71.2） 196333.0（390 48.1） 223304.4（433 14.8） 西歐 111722.8（248 11.5） 114884.2（227 51.6） 118892.2（214 19.9） 120537.1（209 94.9）歐 洲中歐及東 歐 21517.1（4471 .3） 22024.7（3974 .8） 22762.3（3646 .6） 23603.2（3581 .1） 中美及南 美 94647.8（1853 6.6） 104048.3（180 93.4） 110909.3（180 93.4） 117044.1（183 75.9）美 洲 北美 32154.2（6257 .1） 35952.1（5932 .1） 38622.3（5712 .0） 40400.9（5615 .0） 中東 8584.3 （1719.9） 9646.8 （1788.1） 10145.0（1691 .1） 10549.2（1636 .2） 總計 440892.7（907 74.3） 480054.1（919 30.4） 507254.9 (90811.7) 545368.5 (94695.5) 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 18 我國國內(nèi)高頻器件芯片需求量隨著無線通信市場的發(fā)展，從 90 年代末期至今呈爆炸式的增長，特別移動通信業(yè)務(wù)，我國已成為世 界上發(fā)展最快的國家。2002 年移動電話用戶已超過 2 億，新增用戶 5000 多萬，手機用戶總量已超過美國躍居世界第一，今年還將保持 6000 萬支的需求量，預(yù)計 2005 年，中國手機擁有量將達到 3.5 億部。 國內(nèi)手機廠商眾多，目前都力圖開發(fā)自己的品牌，在手機無線集成 電路方面也在積極尋找合作伙伴。 除此以外，隨著我國計算機的逐漸普及及局域網(wǎng)和衛(wèi)星定位等 無線通信的發(fā)展，估計高頻芯片使用量在未來的五年內(nèi)會成倍增長。 這些均為 SiGe 器件在我國提供了廣闊的市場。 功率 MOS 器件仍然是世界微電子的熱門產(chǎn)品之一，因為它們廣 泛用于節(jié)能，汽車電子，電源管理及很多相關(guān)的電子產(chǎn)品中，因此 世界功率 MOS 器件的市場是旺盛的。據(jù)報導(dǎo) 2002 年世界 MOSEFT 產(chǎn)值為 63 億美元，預(yù)計 2003 年為 72 億美元，2004 年上升為 81 億 美元，而 2005 年則達到 93 億美元。 我國功率 MOS 器件的需求量在 2000 年已達 2.3 億只，每年以 15的速度增長，市場前景也相當看好。 3.43.4 產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)外發(fā)展形勢產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)外發(fā)展形勢 SiGe 器件的商品化歷史尚短，產(chǎn)業(yè)化的規(guī)模還要依賴于應(yīng)用的 開發(fā)。由于 SiGe 器件的優(yōu)良特性，低價格以及同 Si 集成電路的兼 容性，會有越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域接受它們。目前 SiGe 器件使用最多 的領(lǐng)域是 SONET 及無線電話，它們是首先帶動 SiGe 器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展 的動力。 1999 年寬帶 SONET/SOH/WDM 用的集成電路約為 8 億美元， 2000 年則增加至 10 億美元。SiGe 產(chǎn)品由于 1999 年剛?cè)胧?，其銷售 量為 100 萬美元，至 2000 年上升至 4000 萬美元，規(guī)模擴大。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 19 在無線通信領(lǐng)域中以手機為例，盡管目前尚不知道 SiGe 產(chǎn)品已 用于手機的具體數(shù)量，但是據(jù)分析 SiGe 集成電路至少可占領(lǐng)該產(chǎn)品 的 36以上的市場。隨著 SiGe 集成電路的生產(chǎn)規(guī)模擴大，這一比例 還會增加。目前涉足 SiGe 集成電路生產(chǎn)的廠商有 20 多家，表 3-8 給出有代表性的廠商產(chǎn)品門類及評價。 表 3-8 有代表性的廠商 SiGe 產(chǎn)品門類及評價 公司SiGe 產(chǎn)品門類評價 IBM無線；通信；網(wǎng)絡(luò)傳輸 技術(shù)廣泛的創(chuàng)新者；擁 有大量的 IP；SiGe 代工； SiGe 技術(shù)專利許可證 SiGe Micro-systemPA（藍牙） ；LNA；分頻器 提供提供 SiGe 專門工藝； 采用外部代工 Maxim Integrated Products 無線；蜂窩；PCS；GPS 2.4GHz LNA；混頻器 同 SiGe Micro-system 結(jié) 成同盟 ETRI（南韓）SiGe HBT；VCO；LNA 0.5m 工藝，器件特性 優(yōu)于 IBM 產(chǎn)品；擁有大 量專利；采用外部代工 國內(nèi)目前僅有研究成果，尚不具備產(chǎn)業(yè)化條件。從現(xiàn)有的國內(nèi) 硅生產(chǎn)線來看，尚未聽說有進行 SiGe 器件生產(chǎn)的可行計劃。因此本 項目生產(chǎn)線的建立將是國內(nèi) SiGe 器件產(chǎn)業(yè)化的開始。 關(guān)于功率 MOS 晶體管，國際上多年來其市場為少數(shù)大公司，如 Motorola 等所壟斷，近年來也有很多小公司參與競爭。但是隨著微 電子工業(yè)的發(fā)展，大公司為了建立 12 英寸大線，對小線進行削減。 目前我國大約有十個單位從事功率 MOS 相關(guān)的器件加工，但是大部 分單位均停留在 3 英寸及 4 英寸片加工水平上，這大大影響了生產(chǎn) 效率及經(jīng)濟效益。將功率 MOS 器件轉(zhuǎn)向 6 英寸線進行生產(chǎn)是一個方 向。這些均為本項目生產(chǎn)線的代工提供了機遇。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 20 第四章第四章 產(chǎn)品大綱及可占領(lǐng)市場分析產(chǎn)品大綱及可占領(lǐng)市場分析 4.14.1 產(chǎn)品大綱產(chǎn)品大綱 本項目建立的生產(chǎn)線生產(chǎn)能力為每月加工 5000 只 6 英寸晶圓片， 在投產(chǎn)初期因 SiGe 器件的市場有一個發(fā)展的過程，因此分配 3501600 片用于生產(chǎn) SiGe 器件，其余片子用于加工有市場保證的 其它硅集成電路，目前主要代加工日本 Global Foundry 公司（也是 韓方合資公司的股東）的功率 MOS 器件（見委托意向書） ，具體產(chǎn) 品大綱按產(chǎn)品門類，特點，應(yīng)用及生產(chǎn)模式列于表 4-1。 表 4-1 產(chǎn)品大綱 產(chǎn)品門類特點應(yīng)用生產(chǎn)模式 SiGe HBT（異質(zhì) 結(jié)雙極晶體管） 采用 0.5m 線寬， SiGe 外延基區(qū)， fT50GHz，芯片尺 寸 0.320.32mm2 射頻集成電路代加工，6 英 寸晶圓片 SiGe VCO（壓控 振蕩器） SiGe HBT 及無源元 件單片集成，帶寬 1.7941.910GHz。 芯片尺寸 1.2491.646mm2 用于無線手機及寬帶 局域網(wǎng)等 代加工，6 英 寸晶圓片 功率 MOS 器件采用外延硅襯底片， 以及 VDMOS 和 LDMOS 結(jié)構(gòu) 用于節(jié)能，汽車電子， 電源變換器等 代加工，6 英 寸晶圓片 4.24.2 產(chǎn)品簡介產(chǎn)品簡介 4.2.1 SiGe HBT 圖 4-1 示出 SiGe HBT 的結(jié)構(gòu)，采用低價格及高成品率達減壓 CVD 工藝制備 SiGe 外延層，同時利用自對準 Ti 自對準硅化物 （TiSi2）形成本征基區(qū)，發(fā)射極和集電極，工藝同 CMOS 兼容，共 用掩模 17 塊。芯片面積為 0.320.32mm2。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 21 圖 4-1 SiGe HBT 的結(jié)構(gòu) 4.2.2 SiGe 壓控振蕩器（VCO） 圖 4-2 示出 SiGe 壓控振蕩器結(jié)構(gòu)，器件特點是將電感、電容及 電阻等無源元件同 SiGe HBT 集成在一個芯片上，芯片面積僅為 1.2491.646mm2。其中采用基區(qū)多晶制作高值電阻，采用發(fā)射極多 晶制作中值電阻；利用二層金屬制作電感，電感量在 79GHz 和 26GHz 范圍為 10H。MIH 電容值在5.8GHz 范圍為 0.845F/m2，Q151PF。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 22 圖 4-2 SiGe 壓控振蕩器結(jié)構(gòu) 4.2.3 功率 MOS 器件 功率 MOS 器件采用二種器件結(jié)構(gòu)，即 VDMOS（縱向雙擴散 MOS）及 LDMOS（橫向擴散 MOS） ，其結(jié)構(gòu)示于圖 4-3，這二種器 件均在外延硅襯底片上采用多晶硅柵離子注入、擴散、推進工藝完 成，工藝流程同通常 MOS 器件類似。 圖 4-3 功率 MOS 器件的二種結(jié)構(gòu) 4.34.3 投產(chǎn)計劃投產(chǎn)計劃 表 4-2 給出投產(chǎn)后 5 年內(nèi)的投產(chǎn)計劃，其中月產(chǎn)量及年產(chǎn)量均以 6 英寸晶圓片為單位，月產(chǎn)量滿產(chǎn)為 5000 片 6 英寸晶圓片。 表 4-2 投產(chǎn)計劃表（