外文翻譯-瞬態(tài)渦流——他們留在這里嗎

XX大學畢業(yè)設計文獻翻譯與原文題目： 管道缺陷的脈沖遠場渦流檢測研究 學 院： 測試與光電工程學院專業(yè)名稱： 測控技術與儀器班級學號： 學生姓名： 指導教師： 二Oxx 年 四 月 2004年羅伊夏普獎講座瞬態(tài)渦流他們留在這里嗎? D J Harrison 瞬態(tài)渦流檢驗的細節(jié)在十年前首次發(fā)布,然而思想導致這種技術可以追溯到更早，是以基礎性研究為渦流成像方案的想法。分拆該程 序創(chuàng)造了一些發(fā)展中的渦流技術，強調以理論研究為基礎深入實際檢驗問題在解決困難時起到了重要作用。 瞬態(tài)渦流檢驗的概念發(fā)展在這里回顧和評估,以確定該技術是否有可能對無損評價(NDE)有重大貢獻。1.介紹 本文的第一個目標是看渦流檢驗的最基本形式的物理學的領域,并建立一個總體框架,所有渦流方法都適合。 在這一框架中,我們可以看看實用檢驗技術已經(jīng)開發(fā)和適應的框架。接下來,討論了現(xiàn)代科技的影響顯示存在的潛在開發(fā)新的和改進的渦流檢測方法。 最后,討論了瞬態(tài)渦流檢測的發(fā)展;它顯示了如何使用現(xiàn)代技術提高檢查地下缺陷的效率。2.渦流檢測-廣義框架 這里給出了渦流電場的響應通過導線傳播。討論了泛型類型的測量,可用的信息,以及如何提取和解釋原則。1. 區(qū)域和傳播 內(nèi)導體，解決麥克斯韋方程導致行波的解決方案。換句話說，電磁干擾會傳播通過帶有特征速度和衰減的導體。它在原理上與近程雷達非常相似。2.3. 檢查過程 這包括在導電結構表面建立的電場分布。(（請注意，電場是源函數(shù)渦流而磁場和靜磁場不會引起渦流）。在圖1中的空氣源的電場矢量，E是空間x和時間t的函數(shù)。渦流分布由源電場在表面處確定：Es。電場然后傳播到該結構產(chǎn)生的渦流在其行進。 如果該領域的一部分，遇到一個不連續(xù)的電導率或磁導率變化，如圖與試樣的幾何形狀和缺陷有關，散射發(fā)生（因為這是一個行波散射過程，形式主義適用）的散射場的部分傳播回表面，它可以測量（見圖2）。值得注意的是，散射也發(fā)生的焦耳熱引起的能量耗散的結果。這是一種有效的分散。散射發(fā)生在幾乎所有的東西;關鍵是要分離和鑒定與缺陷相關的部分。鑒于測量可以僅在表面進行，以測量的最簡單的組成部分是磁場。為了解釋這一點，無論是校準是必要的，或理論模型的散射場涉及到一個特定的幾何參數(shù)。一些缺陷，如層之間的腐蝕，可以在變化的幾何參數(shù)計算直接確定，但如局部裂紋的缺陷，不能直接測量;他們的存在必須從幾何參數(shù)的異常行為來推斷。 場源線圈幾乎總是用來產(chǎn)生在空氣中的電場，目的是用于產(chǎn)生在金屬結構中的渦流，盡管一個移動或振動永磁原則上可以用。在空氣中,線圈產(chǎn)生磁場,直接與線圈電流成正比。如果當前,因此磁場,然后創(chuàng)建一個電場,變化的時間導數(shù)有關線圈電流的磁場。因此諧波電流會產(chǎn)生相移諧波電場,脈沖電流將產(chǎn)生一系列的雙極脈沖電場,和一個方波電流將產(chǎn)生一系列的單極與交變電場脈沖?？紤]內(nèi)容的三個作用:頻率諧波激勵生成只有一個頻率,脈沖激發(fā)生成主要高頻率和往往是作為一個簡單的方法在高頻率產(chǎn)生渦流,方波激勵產(chǎn)生的寬帶電場頻率。 還要注意激發(fā)和傳播過程在時間域。 這有時會忽視很多檢驗方法展示他們的結果在頻域。有一個線圈的大小和空間分辨率之間的妥協(xié),尤其是在coil-impedance方法相同的線圈用于傳輸和接收。大線圈(低空間頻率)需要穿透深入但大線圈結構導致可憐的空間分辨率。磁場傳感器 作為場源，傳感器線圈的線圈一般，但不測量磁場；他們測量磁鏈變化率。這是一個利用高頻（近地表）的應用中，這一變化率是很高的，但是是一個缺點，當?shù)皖l率需要提供一個良好的穿透深度。 一個現(xiàn)代的替代線圈傳感器是固態(tài)磁場傳感器測量磁場下的直流的使用，如霍爾器件，磁電阻（MR）和巨磁電阻（GMR）傳感器，磁強計 1 或。這有幾個優(yōu)點：1. 1.小尺寸高分辨率2. 2.良好的頻率響應直流3. 3.可以在數(shù)組中制造4. 矢量測量越來越有必要檢查復雜的結構的幾何參數(shù)可以引起渦流反應不能假定保持不變。 簡單的渦流當前的方法,只能讓一個測量必須假定所有幾何參數(shù)保持不變,除了一個被測量。在許多測量場景中這并不是真的和幾何參數(shù)可以改變在可接受公差,從而導致測量的誤解。 在圖4所示的示例是腐蝕的檢查在2層結構。 一個渦流測量可以通過發(fā)射變化影響,頂板厚度、厚度、底板厚度的差距。唯一的辦法是制定的多參數(shù)模型檢驗,使多個獨立測量,以確定,從而消除不必要的參數(shù)的變化。反演向量可以用來表示的測量和幾何參數(shù)。目的是將測量向量y為相應的參數(shù)向量P，不幸的是他們是由一個非線性矩陣方程（見公式1）。 y=M(p)p .(1)然而，這通?？梢曰詠?，在大多數(shù)的渦流檢測的問題，只有很小的變化發(fā)生在參數(shù)。在這些情況下，系統(tǒng)矩陣M可以保持基本不變的問題減少到反相線性矩陣方程（見公式2）。 Dy=M0Dp .(2)為了反演方程有必要知道系統(tǒng)矩陣M0。這只能通過校準或校準模型發(fā)現(xiàn)，但很少是實用的自校準試樣，將每個參數(shù)的需要和不同的試樣幾何形狀。唯一可行的辦法是使用建模之前盡可能。掃描使用手持探針與傳統(tǒng)渦流檢測,數(shù)據(jù)不穩(wěn)定,最后只要檢查員能記住。 然而,如果數(shù)據(jù)可以收集并存儲在探針在樣品表面掃描,然后一個二維標量圖像無損檢測(通常稱為C-scan)可以形成并顯示。 而反轉可用于從磁場原理來確定幾何參數(shù)測量,一個二維空間的圖像中包含的信息是新的和不同的東西。一般來說,標本太大的復雜性考慮造型或反轉整個標本,但通過創(chuàng)建一個圖像的適當參數(shù),測量的空間分布信息是可用的。 原則上可以分析使用的圖像模式識別技術但主要可以采取直接的好處是利用人眼和大腦的能力來評估這種類型的圖像?？紤]圖像如圖5所示,每個人總是挑出藍色的補丁也和一些評論大圓形區(qū)域(腐蝕和大型螺栓),但沒有人評論小圓圈(緊固件)的常規(guī)數(shù)組,因為大腦無視他們由于對稱。 沒有必要讓人們知道形象代表,結果總是相同的。 大腦展品“對稱的期望”,只有對稱侵犯和障礙對對稱的背景。 缺陷通常與某種類型的對稱違反有關,這就是為什么目視檢查的圖像是一個強大的技術。域渦流檢測本質上是基于勵磁的發(fā)生在時間域;它是一個實時的過程。然而,因為許多實用工具利用諧波(連續(xù)單縱模)勵磁頻率的測量通常表示為一個函數(shù),即在頻域。雖然這是司空見慣的,但不一定總是合適。測量可以在時間和頻率域地表示,因為他們由傅里葉變換相關,所以每個域相同的信息是可用的。事實上,同步解調,常用來處理測量諧波激勵,實際上是一個硬件傅里葉變換器。雖然在每個域的信息是相同的,可以方便地分析和解釋。某些類型的檢查、分析和報告的結果是更容易實現(xiàn)在時間域。例如,雷達和聲納的反應不會那樣有效的或容易解釋如果結果顯示在頻域！3. 實用技術的進化在這種背景下非常普遍的檢驗、流行技術的發(fā)展探討了適合他們的地方。可以定義所有渦流技術的一些特征和安裝到全面框架。檢驗技術的定義是什么?技術的最重要的特性是探測器,它體現(xiàn)了電場和磁場傳感器來源。 其他功能是激發(fā)場的時間依賴性,測量的類型,和他們進行了分析和介紹。這些特性完全指定的檢驗方法。例如,coil-impedance方法的特點是:場源和場傳感器相同的線圈,諧波激勵,測量并顯示在一個復雜的矢量阻抗平面。通過考慮這些特性相結合的方法,可以設想許多不同的技術。他們中的大多數(shù)是無關緊要的或無效,但有時,有用的新技術或方法的分析可以突出顯示。例如,通過了解究竟發(fā)生了什么事,多參數(shù)分析和建模的重要性可以欣賞。原則上,渦流檢測技術的發(fā)展是有限的可用性解決方案的科學和技術問題。然而,在實踐中,它最終是由需要降低檢驗成本。在很多種情況下,技術上有可能開發(fā)一個解決方案,一個檢查問題,但這樣做的成本將大于經(jīng)濟利益。此類解決方案然后才開發(fā)其他因素,如需要安全或避免昂貴的替代計劃,帶來增加感知金融解決方案的價值?；趦x器儀表最早的渦流儀器是一種只有一個參數(shù)可以顯示。這可能只是線圈阻抗的大小,或者在更高級的儀器,升空補償可以包括在內(nèi)。這種類型的儀器,它假設所有其他參數(shù)保持不變在整個測量,檢測surface-breaking裂縫尤為有效。這種類型的儀器仍在運行,但在很大程度上被取代。阻抗平面工具阻抗平面儀器仍然測量線圈阻抗的方法顯著提高分析和顯示。由于線圈阻抗是由復數(shù)表示,可以使兩個獨立的測量,通常的真實和想象的成分復雜的阻抗。復數(shù)阻抗的軌跡顯示在一個阻抗平面顯示這樣的規(guī)模和階段小線圈阻抗的變化清晰可見。一個參數(shù)通常用來識別主要探測發(fā)射信號從而留下一個自由參數(shù)來表示幾何測量。在實踐中,如果控制發(fā)射,相當多的信息可以從變化的階段和軌跡跟蹤的形狀在屏幕上。一般來說,這些工具是計算機和數(shù)據(jù)可以上傳到電腦,這樣就可以顯示為區(qū)域掃描。然而,正如之前,它必須假定所有其他幾何參數(shù)保持不變。多頻測量為了克服要求所有的幾何參數(shù)保持不變的區(qū)域檢查,介紹了多頻方法。測量線圈的阻抗是由幾家同時頻率。作為一個復雜的阻抗可以在每個頻率計算,可用獨立測量的數(shù)量等于頻率數(shù)量的兩倍。原則上,這些測量可以用來評估,無趣的幾何參數(shù)這些變化的影響在可接受結構公差,因此不是結構意義重大。因此可以隔離信號由于感興趣的參數(shù)的變化,這些缺陷。然而,如在前面部分反轉,測量和幾何參數(shù)之間的關系是非常復雜的,需要一個復雜的矩陣方程的解決方案。沒有多少人能做到這一點在他們的頭,和這種復雜性正是目前很少建議如何使用這些工具在一個有效的或最優(yōu)的方式。因此它們的潛力還沒有完全發(fā)揮出來。4. 技術進步的影響在過去的幾十年里已經(jīng)有了巨大的計算機技術的進步,電子產(chǎn)品和集成電路,以及渦流理論,在某種程度上,現(xiàn)在可以進行實時測量和分析,在工具層面,原本需要大型機計算機和廣泛的實驗室設備。渦流檢查目前的情況是ideas-limited而不是科技有限公司。在很大程度上,這種技術的存在是為了解決許多問題,考慮到資金和資源可用。這里給出一些例子來說明發(fā)展現(xiàn)在可行的類型。研究的作用無損檢測技術的進展，由于之間的無損檢測用戶的交互，設備廠商和研發(fā)機構，雖然它并不總是很清楚是誰駕駛的過程。立法，和降低成本的需要，除其他事項外，從最終用戶的新要求的結果。同時，制造商可以開發(fā)設備，進行了一個更具成本效益的方式存在的任務。很明顯,研發(fā)提供了一個重要角色在發(fā)展中新的方法和技術。由于高昂的研發(fā)成本應該由政府機構或運營商;成本太大,設備制造商吸收和利益對他們來說太小了,盡管政府堅持認為,如果行業(yè)需要研究,它將支持它。 如果需要新的和改進的技術,造福社會,那么他們必須由監(jiān)護人我們社會的“生活質量”政府。計算機、傳感器和集成電路低功率高密度集成電子學和顯示設備的發(fā)展使得建設緊湊的儀器,將曾經(jīng)的復雜性需要一屋子的設備。例如,多頻儀器包含多個發(fā)電機和同步解調信號。在模擬和數(shù)字電子設計相應的改進導致測量被更大的靈敏度和信噪比。更令人印象深刻的是計算機和微處理器的發(fā)展。 現(xiàn)在可以解決問題在一個基于微處理器的系統(tǒng),數(shù)值分析和計算之前需要一個大型計算機。渦流檢查這是重大的后果,從而能夠進行建模和先進的分析檢測儀器內(nèi)部的實時或近實時的,從而減少后處理的必要性。由于他們的基本簡單，線圈阻抗方法為主的渦流檢驗；直到最近，磁場幾乎總是使用一個線圈測量。然而，小的發(fā)展，敏感的固態(tài)磁場傳感器開始對渦流檢測方法的影響，特別是對地下特征的檢測需要測量相對緩慢變化的領域。傳感器陣列許多有用的固態(tài)磁場傳感器的特點是,他們通常可以捏造一個數(shù)組的形式。一個主要問題是時間成本大面積檢查;探測器包含多個傳感器的形式均勻陣列可以大大減少檢查時間。 除了加快掃描,陣列探測器可用于更復雜的模式一個陣列探測器捕獲圖像。 模式識別技術可以用來區(qū)分圖像,從而提高技術來識別缺陷的能力和特定的空間特征。材料科學和制造技術的進步使得傳感器陣列包括印刷線圈制作在柔性襯底上,以便符合曲面。模型增強檢查復雜的檢驗問題涉及多個測量和幾何參數(shù)表現(xiàn)出合理的變化,測量和參數(shù)變化相關的矩陣方程難以轉化直觀方程式1和2(見上圖)。正如前面所討論的那樣,校準是不可取的因為需要校準標本的數(shù)量為每個不同類型的檢驗和結構。然而,對于許多標本,如那些基于分層結構,檢驗過程可以準確地通過一個二維模型來表示。模型可以用來計算系統(tǒng)矩陣(M0從方程(2)相關的幾何參數(shù)測量,從而可以計算參數(shù)變化的測量變化。這里的基本哲學是利用所有可用的信息通過封裝模型。 大多數(shù)檢測方法忽略信息,如標本幾何、材料特性和電磁理論,但所有這些信息可以幫助最大化可以估計參數(shù)值的準確性。這個概念是圖7所示的多頻檢測。傳統(tǒng)的儀器連接到PC，測量數(shù)據(jù)可上傳至PC儀器設置，可以控制通過PC機上的所有已知信息對樣品和探針的特點是進入PC上的應用程序，然后運行模型的背景。該儀器可以在常規(guī)的方式經(jīng)營的運營，而PC計算模型和表現(xiàn)增強的結果。優(yōu)化模型增強的相關優(yōu)點是潛力優(yōu)化儀器設置,以減少可能的錯誤計算參數(shù)。 考慮標本的檢驗與幾何參數(shù)升空,頂板厚度、間隙厚度、底板厚度,如圖4所示。 這些參數(shù)可以使用兩個頻率原則上確定。 可能錯誤的每個參數(shù)的值取決于設置在這種情況下,兩個頻率。 選擇錯誤的值會導致大的錯誤。 多參數(shù)系統(tǒng)很難直觀地最佳頻率。 例如,圖8所示的圖表說明了可能的底板厚度誤差取決于頻率越低。 很容易出錯。 (這是一個模擬)。 當你考慮所有的參數(shù)和的設置問題是一個多維最優(yōu)化。 在模型增強的情況下,可以使用這個模型。 5. 瞬態(tài)渦流檢驗起源瞬態(tài)渦流檢驗最初開發(fā)檢查2層裂縫在緊固件安裝在飛機結構(參見圖9)1。表面壓痕的緊固件頭部給出虛假的結果,在表面上,有一個相對較大的渦流反應,可能會干擾的反應真正的裂縫。因為新興市場領域存在作為導體,旅行波生成電場脈沖的想法出現(xiàn),進入結構和分散的表面特征。通過類比雷達、田野等表面特征的缺口將是第一個返回(及時),而字段從地下2層裂縫等特性會花費更長的時間來恢復由于傳播的更遠的距離。測量結果的總瞬態(tài)場的表面和初始部分(包含主要表面特征信息)是封閉的。瞬態(tài)的剩余部分主要包含信息從下面的表面及其積分是一個很好的表示地下的缺陷。有一個類比的表面在雷達雜波。很明顯2,更多信息可以從渦流瞬變這個領導,幾年后,第一個原型掃描系統(tǒng)瞬態(tài)渦流。在時域選通所產(chǎn)生的電場脈沖可以導致線圈通過的電流階躍變化。表面的瞬態(tài)磁場響應包含分散字段來自所有深處,見圖10。接近表面的字段是分散的,越早他們回到表面和瞬態(tài)他們早些時候出現(xiàn)。因此表面特征的影響發(fā)生在過渡的開始,通過施加一個門,忽略了早期瞬態(tài)的一部分,大部分的表面缺陷被丟棄的相關信息。 剩下的瞬態(tài)可以被集成的一部分。渦流罐這些原則首次被封裝在渦流罐儀器(后來稱為NORTEC 30 EDDYSCAN商業(yè)化,斯塔維利無損檢測有限公司),它使用一個旋轉探針來檢測裂縫在緊固件(參見圖11)。圓柱形線圈用于生成電場脈沖,但一個小廳設備用作磁場傳感器。這是偏心安裝,探針旋轉,霍爾傳感器跟蹤一個簡單的循環(huán)掃描周圍的邊緣緊固件。如果裂紋存在,分散傳感器通過磁場變化。這是一個簡單的一維掃描,可以使用簡單的模式識別分析技術來識別裂縫的存在。為了使緊固件的軸的旋轉探頭,出現(xiàn)的異常的信號分析,用于生成一個集中顯示。渦流成像渦流罐的兩個特性,即空間圖像的分析和多維測量(在這種情況下,在時間域,但同樣適用于頻率域)導致了信仰,大量的信息可以從渦流測量只要是理解如何分析它們。這導致一個長期項目的基本研究渦流成像基于張量格林函數(shù)的使用方法。通過進行掃描測量結構和測量瞬態(tài)或每一點多頻測量,三維數(shù)據(jù)可以被捕捉到。如果基礎理論描述幾何特性和事件之間的交互EM領域充分了解然后可以轉化數(shù)據(jù)構建一個三維圖像的內(nèi)部結構。雖然這計劃很理論,最終目標總是提高實際渦流檢測方法的有效性。 該方法獲得的信息從這個項目幫助發(fā)展中實際瞬態(tài)渦流檢查。6.瞬態(tài)渦流檢驗特性瞬態(tài)渦流檢測的特點是兩個基本特征;激勵是通過電場脈沖在時域和測量使用霍爾傳感器。已經(jīng)開發(fā)和優(yōu)化主要針對地下缺陷的檢查。 這種方法已經(jīng)在掃描系統(tǒng)中實現(xiàn)。方波電流勵磁 線性系統(tǒng)的特征,可以應對的沖動和渦流系統(tǒng)也不例外。 激動人心的沖動和測量系統(tǒng)的響應(脈沖響應函數(shù))可以聚集在一個測量的所有信息(這部分是因為沖動是一種寬帶功能和包含所有頻率。這是最終的多頻測量)。電場脈沖可以通過生成步驟改變線圈中的電流。通過激動人心的方波電流(過濾)的電場脈沖序列生成與交替極性(參見圖12)。這些脈沖傳播的標本,幾何特征可以分散部分他們的表面磁性組件測量作為時間的函數(shù)。這些瞬變脈沖響應函數(shù)的結構和包含所有可用信息的探針在那個位置?；魻栃獋鞲衅骰魻杺鞲衅饔幸粋€小活動區(qū)域,因此優(yōu)秀的空間分辨率;他們是敏感組件垂直磁場和有一個線性響應。因此,他們非常適合測量慢慢改變字段或低頻率。這是與線圈相比,測量磁鏈的變化速度,因此有一個減少響應在低頻率。霍爾傳感器有額外的優(yōu)勢,他們可以捏造以數(shù)組形式可以包括解碼電路的襯底。TRECSCANTRECSCAN是一個渦流檢測系統(tǒng),體現(xiàn)了上述原則。在其最簡單的形式調查由一個axi-symmetric線圈與霍爾傳感器安裝在軸-見圖13。 測量顯示瞬變稀薄的空氣間隙,不同深度的表面下圖14。這說明了形狀和延遲的變化發(fā)生。幾個瞬變的正常化的在圖14中,強調短暫的延遲取決于旅行的距離。一般從不同深度測量瞬態(tài)將包括幾個瞬變,因此不同的形狀(圖15)復合瞬態(tài)的分析和解釋這種類型的是瞬態(tài)渦流檢測的基本主題。每個瞬態(tài)可以包含很多個人測量的目的,對于存儲和顯示有必要代表的瞬態(tài)值樣本點的數(shù)量或時間片(圖15)。 在每個時間片二維標量圖像可以形成和圖16中的兩張圖片說明了散射場的發(fā)展。 圖像在時間片0只包含信息從表面,呈現(xiàn)出一種幾乎視覺形象的標本。 時間片4包含的圖像信息,有時間傳播從水面以下,表示一個地區(qū)的腐蝕和腐蝕的地方已經(jīng)混合在一個單層部分。瞬變的優(yōu)點瞬態(tài)渦流檢測是專門為深層缺陷的檢測和描述潛在的復雜的結構。 它不是為例,旨在與線圈阻抗檢測表面裂紋的方法。通過不同場源和傳感器,一個大型線圈可以用來給最大滲透而小傳感器不犧牲分辨率。利用霍爾傳感器運行的直流,慢慢改變字段可以測量比線圈。 因為最終基于方波激勵,信號生成和處理非常簡單而多頻系統(tǒng)。通過使用時域處理、發(fā)射和邊緣效應可以彌補。利用理論模擬的結果,可以區(qū)分缺陷板變薄等腐蝕和結構的影響。 所有這一切在頻域處理更加困難。語義脈沖或瞬態(tài)？瞬態(tài)渦流檢查有時被稱為脈沖渦流(特別是在北美)。而在TRECSCAN線圈電流階躍函數(shù)過濾,源確實是脈沖電場;它是一個可以自由配置通過改變輸入函數(shù)和線圈電流的功能。渦流分布是一個響應函數(shù),不能直接配置或者脈沖。它有一個瞬態(tài)響應脈沖輸入,因此術語“瞬態(tài)渦流”。雖然這看起來可能有點迂腐的區(qū)別,它避免了任何潛在的混亂的線圈電流本身就是脈沖的形狀。7. 瞬態(tài)渦流檢測潛力為了說明瞬態(tài)渦流檢測的潛力,提出了兩個例子,初步研究表明,這一技術是有利的。在分層的鋁合金腐蝕結構的描述腐蝕檢測和描述的分層結構是一種常見的航空檢查問題。一個典型的場景如圖17所示。結構組成的三層可以發(fā)展出腐蝕或兩層間的差距從而增加有效厚度的差距。知道在哪個界面往往是很重要的腐蝕的存在。這個問題可以使用model-enhancement接近的多頻數(shù)據(jù)正如前面所討論的,但一個更直觀的表述問題的可以在時間域。假設板厚度大約知道,瞬變特征,源于個人每個4控制參數(shù)的變化,升空,上氣隙,下氣隙和底部表面的位置可以使用二維模型計算。隨著探測器在試樣的表面移動,測量瞬態(tài)將包括這四個瞬態(tài)的振幅的組合反映了震級的變化相關聯(lián)的參數(shù)。如果測量瞬態(tài)可以分解成一筆然后這些瞬變特征參數(shù)變化的大小,因此可以計算出腐蝕的深度剖面。因為板塊的確切厚度并不總是知道,津貼可以提出不確定性在層間間隙的位置代表的差距的窄帶特性瞬變從一個位置,以便正確的傳播總是存在(圖18)。瞬態(tài)函數(shù)的樂隊可以安裝使用奇異值分解測量瞬態(tài)。鐵磁結構的檢驗渦流檢測是一個標準的技術檢測小鐵磁鋼表面裂縫,它很少被用來檢查鋼結構的內(nèi)部。 這是由于高導磁率的這些材料電磁領域的高度減毒,導致小皮膚深度。解決這個問題的唯一方法是使用非常大的線圈(低空間頻率)和時間驅動頻率非常低。 正如上面所討論的,coil-based方法并不適合這種類型的深穿透問題。 產(chǎn)生了一些有效的工具但由于線圈的大小,他們非常小的空間分辨率。瞬態(tài)渦流檢查與霍爾傳感器是專門為這種類型的場景(見圖19)和已應用于測量板的厚度,因此在鋼結構腐蝕使用系統(tǒng)稱為TrecGauge。 TrecGauge是一個瞬態(tài)渦流原型系統(tǒng)設計測量鐵磁鋼板的厚度通過一層絕緣。 結果獨立于升空(絕緣厚度)變化和表面腐蝕可以檢測到通過有效厚度損失的原因。分析是基于校準,而不是基于模型,由于探測器的復雜性,它必須對曲面進行操作。因為表示厚度取決于電導率和磁導率,校準必須使用相同的材料規(guī)格測試結構(這適用于所有渦流方法對鋼鐵)。然而,最近的檢查過程的時域分析表明它應該可以測量板厚度以這樣一種方式,它是獨立于被測結構的電導率和磁導率。8. 結論從一個廣泛的研究計劃在渦流無損檢測中，它有可能提出一個通用的框架，可以應用到廣泛的渦流無損檢測中的應用。所有的渦流技術可以在多個特征定義和安裝到廣義框架。在回顧了最近的技術進步的影響，一些特定的瞬態(tài)渦流檢查已與它們相關的衍生技術eddiscan從緊固件孔裂紋問題，trecscan裂縫和多層航空航天結構的腐蝕，在絕緣層的腐蝕鋼trecgauge。除了這些，還有電渦流檢測尚未被運用在瞬態(tài)渦流的潛在優(yōu)勢，充分發(fā)掘許多應用方面。鑒于這一事實，最近成功地摻入trecscan成商業(yè)掃描儀如波音莫斯系統(tǒng)，它似乎很安全的預測，瞬態(tài)渦流將停留在無損檢測界幾十年來。參考文獻1. 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