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文檔簡介

9.3.1 雙極型功率晶體管(BJT),1. 功率管的選擇,(1) PCM0.2Pom,(2) |U(BR)CEO|2VCC,(3) ICMVCC/RC,9.3 功率器件與散熱,在互補推挽功率放大電路中,功率管的極限參數(shù)應滿足以下關系,2二次擊穿的影響,二次擊穿,一次擊穿,S/B曲線,二次擊穿現(xiàn)象,二次擊穿臨界曲線,1. V型NMOS管的結構,結構剖面圖,9.3.2 功率MOSFET,2. V型NMOS管的主要特點,(1) 開關速度高,(2) 驅動電流小,(3) 過載能力強,(4) 易于并聯(lián),9.3.3 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的主要特點:,(1) 輸入阻抗高,(2) 工作速度快,(3) 通態(tài)電阻低,(4) 阻斷電阻高,(5) 承受電流大,兼顧了MOSFET和BJT的優(yōu)點,成為當前功率半導體器件發(fā)展的重要方向。,9.3.4 功率器件的散熱,晶體管的散熱示意圖,功率器件的散熱分析方法,導電回路和散熱回路參數(shù)對照表,電熱模擬法,即用電路來模擬功率器件的散熱回路。,Tj集電結的結溫,Tc 功率管的殼溫,Ts 散熱器溫度,Ta 環(huán)境溫度,Rjc 集電結到管殼的熱阻,Rcs 管殼至散熱片的熱阻,Rsa 散熱片至環(huán)境的

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