SIM卡硬件基礎(chǔ)邏輯測(cè)試講義.ppt

SIM卡基礎(chǔ)硬件邏輯測(cè)試,本章提綱,1.SIM卡基礎(chǔ)硬件邏輯測(cè)試 2.SIM卡物理特性測(cè)試 3.SIM卡ESD特性測(cè)試 4.SIM卡電氣特性測(cè)試 5.SIM卡傳輸協(xié)議測(cè)試,基礎(chǔ)硬件邏輯測(cè)試,測(cè)試項(xiàng)目?jī)?nèi)容：,基礎(chǔ)硬件邏輯測(cè)試,特點(diǎn)：,底層測(cè)試，反映SIM卡基礎(chǔ)品質(zhì),硬指標(biāo)，只有合格與不合格,涉及學(xué)科領(lǐng)域廣，測(cè)試條件復(fù)雜,測(cè)試須規(guī)范，由專業(yè)機(jī)構(gòu)進(jìn)行,物理特性測(cè)試,運(yùn)營(yíng)商,跟我們有關(guān)系嗎？,產(chǎn)品驗(yàn)收,失效分析,市場(chǎng)售后,物理特性測(cè)試,物理特性測(cè)試之最：,最易,最關(guān)注,最難,外型特性檢測(cè),機(jī)械強(qiáng)度、抗靜電檢測(cè),卡片壽命檢測(cè),運(yùn)營(yíng)商,？,外型特性檢測(cè),物理特性測(cè)試,SIM卡金屬觸點(diǎn)定義,外型特性檢測(cè),物理特性測(cè)試,測(cè)試內(nèi)容：大卡外型尺寸、小卡外型尺寸、觸點(diǎn)外 型及間距尺寸、卡面平整度、翹曲等特 性指標(biāo),測(cè)試特點(diǎn)：測(cè)試工具常見(jiàn)、簡(jiǎn)單 測(cè)試方法簡(jiǎn)便易操作 測(cè)試環(huán)境要求低，可以即時(shí)操作,物理特性測(cè)試,SIM卡外型尺寸指標(biāo)：,物理特性測(cè)試,物理特性測(cè)試,PLUG-IN 卡的觸點(diǎn)位置,物理特性測(cè)試,SIM卡機(jī)械強(qiáng)度測(cè)試：,易出問(wèn)題,卡片的彎折、扭曲損壞,抗彎折,抗扭曲,抗壓,剝離強(qiáng)度,正確的取卡方法：,物理特性測(cè)試,三輪測(cè)試設(shè)備及測(cè)試過(guò)程圖,物理特性測(cè)試,SIM卡機(jī)械強(qiáng)度測(cè)試：,SIM卡機(jī)械強(qiáng)度測(cè)試需要在專用的測(cè)試設(shè)備上進(jìn)行,物理特性測(cè)試,SIM卡附加特性測(cè)試,化學(xué)腐蝕,X射線,靜電,振動(dòng),電場(chǎng),磁場(chǎng),燃燒,紫外線,光、化學(xué)特性測(cè)試,物理特性測(cè)試,X射線、紫外線,汗液、雨水,物理特性測(cè)試,老化測(cè)試,高溫烘烤,010101010101111010011100001110100,反復(fù)擦寫,芯片設(shè)計(jì)和制造廠商,物理特性測(cè)試,總結(jié),物理特性測(cè)試更多是針對(duì)塑料卡基、金屬條帶和硅芯片的自然性質(zhì) 物理特性的優(yōu)劣決定了SIM卡上層應(yīng)用的品質(zhì),SIM卡ESD特性測(cè)試,（ESD）Electro-Static Discharge ，靜電放電,靜電,ESD分類測(cè)試電路（人體模型）,SIM卡ESD特性測(cè)試,防靜電測(cè)試原理圖：,SIM卡電氣特性檢測(cè),接口,傳輸協(xié)議,電氣特性,SIM卡電氣特性檢測(cè),開(kāi)短路測(cè)試,短路,開(kāi)路,SIM卡電氣特性檢測(cè),供電電壓Vcc 電壓極限,管腳電流電壓檢測(cè),SIM卡電氣特性檢測(cè),SIM卡的工況,操作狀態(tài),空閑狀態(tài),睡眠狀態(tài),SIM卡電氣特性檢測(cè),不同工況下的電特性測(cè)試,低功耗,有活兒的時(shí)候就工作,沒(méi)活兒的時(shí)候就休息,工作條件 不同電壓 不同外部時(shí)鐘,SIM卡電氣特性檢測(cè),總結(jié),電氣特性測(cè)試針對(duì)的是集成電路設(shè)計(jì)外在表現(xiàn)出的電學(xué)性質(zhì) 電學(xué)指標(biāo)的的優(yōu)劣決定了SIM卡的穩(wěn)定性甚至可用性,SIM卡傳輸協(xié)議檢測(cè),什么是傳輸協(xié)議？,SIM卡傳輸協(xié)議檢測(cè),ATR檢測(cè),通訊協(xié)議檢測(cè),時(shí)序檢測(cè),錯(cuò)誤重發(fā)檢測(cè),SIM卡基礎(chǔ)硬件邏輯檢測(cè),總結(jié),硬件是實(shí)現(xiàn)軟