標準解讀
《GB/T 13062-2018 半導體器件 集成電路 第21-1部分:膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范(采用鑒定批準程序)》與《GB/T 13062-1991 膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范(采用鑒定批準程序)》相比,主要存在以下幾個方面的更新和差異:
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標準范圍調(diào)整:2018版標準在范圍描述上可能更加明確和具體,反映出隨著半導體技術(shù)的發(fā)展,對膜集成電路和混合膜集成電路的分類、應(yīng)用領(lǐng)域及技術(shù)要求有了新的界定。
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技術(shù)內(nèi)容更新:鑒于近三十年來半導體技術(shù)的飛速發(fā)展,2018版標準必然納入了最新的制造工藝、材料、性能指標等相關(guān)技術(shù)內(nèi)容,以適應(yīng)當前集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平和市場需求。這可能包括更嚴格的電氣性能參數(shù)、可靠性要求、測試方法的改進等。
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標準結(jié)構(gòu)優(yōu)化:新版標準可能對原有的標準結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,如增加或調(diào)整章節(jié),使得信息更加條理化、便于理解和執(zhí)行。例如,可能會新增關(guān)于環(huán)境友好材料使用、能效要求等內(nèi)容,以響應(yīng)國際上對環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的關(guān)注。
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質(zhì)量控制與鑒定程序:考慮到技術(shù)進步和質(zhì)量管理體系的演進,2018版標準很可能會對鑒定批準程序進行修訂,包括但不限于更嚴格的檢驗規(guī)則、質(zhì)量控制流程的細化、以及采用更現(xiàn)代化的質(zhì)量管理理念和技術(shù)手段。
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國際接軌:新標準在制定過程中可能更多地參考了國際標準和先進國家的相關(guān)規(guī)定,旨在提高中國集成電路產(chǎn)品的國際競爭力,促進國內(nèi)外貿(mào)易和技術(shù)交流。因此,2018版標準中的某些條款可能與國際標準更為一致。
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術(shù)語和定義:為了適應(yīng)技術(shù)進步和行業(yè)共識的變化,新版標準中可能會更新或新增一些專業(yè)術(shù)語和定義,確保標準語言的準確性和時代性。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-12-28 頒布
- 2019-07-01 實施
?正版授權(quán)
文檔簡介
ICS31200L57 .中 華 人 民 共 和 國 國 家 標 準 GB/T130622018/IEC60748-21-11997 代替 : GB/T130621991 半導體器件 集成電路 第21-1部分 膜集成電路和混合膜集成 : 電路空白詳細規(guī)范 采用鑒定批準程序 ( ) SemiconductordevicesIntegratedcircuits Part21-1 Blankdetailsecificationforfilminteratedcircuitsandhbridfilm : p g y integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures (IEC60748-21-1:1997,IDT)2018-12-28發(fā)布 2019-07-01實施 國 家 市 場 監(jiān) 督 管 理 總 局 發(fā) 布 中國國家標準化管理委員會 GB/T130622018/IEC60748-21-11997 : 前 言 半導體器件 集成電路 已經(jīng)或計劃發(fā)布以下部分 : 半導體器件 集成電路 第 部分 總則 GB/T164641996 1 : (idtIEC60748-1:1984); 半導體器件 集成電路 第 部分 數(shù)字集成電路 GB/T175741998 2 : (idtIEC60748-2: 1985); 半導體器件 集成電路 第 部分 模擬集成電路 GB/T179402000 3 : (idtIEC60748-3: 1986); 半導體器件 集成電路 第 部分 接口集成電路 第一篇 線性數(shù) GB/T18500.12001 4 : : 字 模擬轉(zhuǎn)換器 空白詳細規(guī)范 / (DAC) (idtIEC60748-4-1:1993); 半導體器件 集成電路 第 部分 接口集成電路 第二篇 線性模 GB/T18500.22001 4 : : 擬 數(shù)字轉(zhuǎn)換器 空白詳細規(guī)范 / (ADC) (idtIEC60748-4-2:1993); 半導體器件 集成電路 第 部分 半定制集成電路 GB/T205152006 5 : (idtIEC60748-5); 半導體器件 集成電路 第 部分 半導體集成電路分規(guī)范 不包括混 GB/T127502006 11 : ( 合電路 )(idtIEC60748-11:1990); 膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范 GB/T89761996 (idtIEC60748-20:1988); 半導體器件 集成電路 第 部分 膜集成電路和混合膜集成電路分 GB/T114982018 21 : 規(guī)范 采用鑒定批準程序 ( )(IEC60748-21:1997,IDT); 半導體器件 集成電路 第 部分 膜集成電路和混合膜集成電路 GB/T130622018 21-1 : 空白詳細規(guī)范 采用鑒定批準程序 ( )(IEC60748-21-1:1997,IDT); 膜 集 成 電 路 和 混 合 膜 集 成 電 路 分 規(guī) 范 采 用 能 力 批 準 程 序 GB/T164651996 ( )(idt IEC60748-22); 膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范 采用能力批準程序 GB/T164661996 ( )(idt IEC60748-22-1)。 本部分為 半導體器件 集成電路 的第 部分 21-1 。 本部分按照 給出的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。 本部分代替 膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī) 范 采 用 鑒 定 批 準 程 GB/T130621991 (序 與 相比 主要技術(shù)變化如下 ), GB/T130621991 , : 修改了鑒定檢驗程序 由一個程序擴展為程序 和程序 兩個程序 見表 表 年版的 , A B ( 4、 5,1991 表 表 2、 3); 刪除了 有關(guān)文件 的規(guī)定 見 年版的第 章 “ ” ( 1991 3 ); 增加了 封蓋前目檢 和 電耐久性 兩個試驗項目 見表 “ ” “ ” ( 2); 增加了 可焊性 試驗 見表 “4.5.10 ” ( 3b)。 本部分采用翻譯法等同采用 半導體器件 集成電路 第 部分 膜集成 IEC60748-21-1:1997 21-1 :電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范 采用鑒定批準程序 ( )。 與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下 : 膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范 GB/T89761996 (idtIEC60748-20:1988); 半導體器件 集成電路 第 部分 膜集成電路和混合膜集成電路分 GB/T114982018 21 : 規(guī)范 采用鑒定批準程序 ( )(IEC60748-21:1997,IDT)。 本部分做了下列編輯性修改 : GB/T130622018/IEC60748-21-11997 : 表 中易燃性試驗 欄增加腳注 建議該試驗宜規(guī)定為破壞性試驗 見表 3b “D/ND” , ( 3b); 表 中 分組 電耐久性 有誤 改為 電耐久性 見 IEC60748-21-1:1997 4b B8 “4.4.14 ”, , “4.5.14 ”( 表 4b)。 請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利 本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任 。 。 本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出 。 本部分由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會 歸口 (SAC/TC78) 。 本部分起草單位 中國電子科技集團公司第四十三研究所 中國電子技術(shù)標準化研究院 : 、 。 本部分主要起草人 馮玲玲 陳裕焜 雷劍 王琪 王婷婷 管松林 : 、 、 、 、 、 。 本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為 : GB/T130621991。 GB/T130622018/IEC60748-21-11997 : 半導體器件 集成電路 第21-1部分 膜集成電路和混合膜集成 : 電路空白詳細規(guī)范 采用鑒定批準程序 ( ) 引言 電子元器件質(zhì)量評定體系遵循 章程并在 授權(quán)下工作 該體系的目的是確定質(zhì)量評 IEC IEC IEC 。 定程序 以這種方式使一個參加國家按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有 , 參加國同樣接受 。 編制詳細規(guī)范時 將總規(guī)范中 和分規(guī)范中 和 的內(nèi)容考慮進去 , 3.5 2.3 3.2 。 本空白詳細規(guī)范是半導體器件的一系列空白詳細規(guī)范之一 并與下列標準一起使用 , : 半導體器件 集成電路 第 部分 膜集成電路和混合集成電路總規(guī)范 IEC60748-20 20 : (Semi-conductordevicesIntegratedcircuitsPart20:Genericspecificationforfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuits) 半導體器件 集成電路 第 部分 膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范 IEC60748-20-1 20-1 : 第 部 分 內(nèi) 部 目 檢 要 求 1 : (SemiconductordevicesIntegratedcircuitsPart20:GenericspecificationforfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuitsSection1:Requirementsforinternalvisualexamination) 半導體器件 集成電路 第 部分 膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范 采用 IEC60748-21 21 : ( 鑒定批準程序 )(SemiconductordevicesIntegratedcircuitsPart21:Sectionalspecificationforfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuitsonthebasisofqualificationapprovalprocedures) 對于目錄內(nèi)電路 已經(jīng)出版詳細規(guī)范 其格式及最少內(nèi)容應(yīng)符合表 表 要求 a) , , 2 4 ; 對于定制電路 未出版詳細規(guī)范 其格式和內(nèi)容是可以選擇的 但是 定制電路與其外形 安裝 b) , , ; , 、 和功能等方面有關(guān)的要求需經(jīng)過驗證 可在鑒定批準的維持試驗程序中規(guī)定 也可在詳細規(guī)范 , , 中規(guī)定 亦或兩者組合規(guī)定 , ; 對于 未出版詳細規(guī)范 其格式及內(nèi)容宜符合表 表 要求 c) CQCs, , 2 4 。 本部分規(guī)定了編制膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范 采用鑒定批準程序 的基本要求 ( ) 。 本部分是膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范中的一個 宜與 , IEC60748-20、IEC60748-21 一起使用 。 要求信息 本頁和下頁方括號內(nèi)的數(shù)字與下列各
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