ABS電控單元工藝流程 畢業(yè)論文.doc

abs電控單元工藝流程摘 要abs是anti-lockbrakesystem的英文縮寫，即“剎車防抱死系統(tǒng)”。在沒有abs時(shí)，如果緊急剎車一般會(huì)使輪胎抱死，由于抱死之后輪胎與地面是滑動(dòng)摩擦，所以剎車的距離會(huì)變長(zhǎng)。如果前輪鎖死，車子失去側(cè)向轉(zhuǎn)向力，容易跑偏；如果后輪鎖死，后輪將失去側(cè)向抓地力，容易發(fā)生甩尾。特別是在積雪路面，當(dāng)緊急制動(dòng)時(shí)，更容易發(fā)生上述的情況。abs是通過控制剎車油壓的收放，來達(dá)到對(duì)車輪抱死的控制。其工作過程實(shí)際上是抱死松開抱死松開的循環(huán)工作過程，使車輛始終處于臨界抱死的間隙滾動(dòng)狀態(tài)。abs由輪速傳感器、電控單元ecu 和液壓模塊組成。而電控單元ecu是abs的核心部件，相當(dāng)于人的大腦，它具有運(yùn)輸功能，它能接收輪速傳感器交流信號(hào)計(jì)算出輪轉(zhuǎn)速、滑移率和車輪加減速度，把這些信號(hào)加以分析，對(duì)制動(dòng)壓力發(fā)生控制命令，ecu不僅能控制制液模塊，而且對(duì)其他部件有監(jiān)控作用，當(dāng)這些部件出現(xiàn)異常時(shí)，由指示燈或蜂鳴器向駕駛員報(bào)警，使整個(gè)系統(tǒng)停止工作。關(guān)鍵詞：運(yùn)輸、接收信號(hào)、控制命令、報(bào)警 目 錄第 一 章 緒 論1第 二 章 鋁板和低溫共火陶瓷板2（一）ltcc2第 三 章 晶圓切片和貼裝4（一）晶圓4（二）切片5（三）smt8第 四 章 等離子清洗、金線鍵合和自動(dòng)光學(xué)檢驗(yàn)9（一）等離子清洗9（二）金線鍵合12（三）aoi13（四）程序?qū)懭?4第 五 章 組裝15（一）dshb 安裝15(二) 鋁線鍵合15（三）板子密封15（四）上蓋16參考文獻(xiàn)17設(shè)計(jì)小結(jié)18致 謝19第 一 章 緒 論防抱死系統(tǒng)（abs）是汽車電子的重要組成成分，是保護(hù)駕駛?cè)藛T以及乘客生命安全的重要器件。現(xiàn)在，abs已是新車的標(biāo)準(zhǔn)配備。abs是anti-lockbrakesystem的英文縮寫，即“剎車防抱死系統(tǒng)”。在沒有abs時(shí)，如果緊急剎車一般會(huì)使輪胎抱死，由于抱死之后輪胎與地面是滑動(dòng)摩擦，所以剎車的距離會(huì)變長(zhǎng)。如果前輪鎖死，車子失去側(cè)向轉(zhuǎn)向力，容易跑偏；如果后輪鎖死，后輪將失去側(cè)向抓地力，容易發(fā)生甩尾。特別是在積雪路面，當(dāng)緊急制動(dòng)時(shí)，更容易發(fā)生上述的情況。abs是通過控制剎車油壓的收放，來達(dá)到對(duì)車輪抱死的控制。其工作過程實(shí)際上是抱死松開抱死松開的循環(huán)工作過程，使車輛始終處于臨界抱死的間隙滾動(dòng)狀態(tài)。abs由輪速傳感器、電控單元ecu 和液壓模塊組成。而電控單元ecu是abs的核心部件，相當(dāng)于人的大腦，它具有運(yùn)輸功能，它能接收輪速傳感器交流信號(hào)計(jì)算出輪轉(zhuǎn)速、滑移率和車輪加減速度，把這些信號(hào)加以分析，對(duì)制動(dòng)壓力發(fā)生控制命令，ecu不僅能控制制液模塊，而且對(duì)其他部件有監(jiān)控作用，當(dāng)這些部件出現(xiàn)異常時(shí)，由指示燈或蜂鳴器向駕駛員報(bào)警，使整個(gè)系統(tǒng)停止工作隨著汽車電子技術(shù)的發(fā)展以及汽車電子的本土化，其汽車的價(jià)格得以較大幅度的下降，越來越多的人擁有了自己的汽車。不斷超越、創(chuàng)新、降低成本是市場(chǎng)的必然，為保持在未來的競(jìng)爭(zhēng)力，各道工序的發(fā)展改進(jìn)是今后努力的方向和重要課題。第 二 章 鋁板和低溫共火陶瓷板ltcc section “v” slotslope the fixture and raise it to separate the ltccltcc feed1st cuttingadhesive curing2nd cuttinggp feedadhesive printingltcc connectionadhesive curingltcc cutting sectiongp:ground plate ltcc: low temperature co-fire ceramicvisual inspection (dsp)（一）ltcc低溫共燒陶瓷技術(shù)（lowtemperaturecofiredceramicltcc）是近年來興起的一種相當(dāng)令人矚目的多學(xué)科交叉的整合組件技術(shù),以其優(yōu)異的電子、機(jī)械、熱力特性已成為未來電子元件集成化、模組化的首選方式，廣泛用于基板、封裝及微波器件等領(lǐng)域。 ltcc技術(shù)是于1982年休斯公司開發(fā)的新型材料技術(shù)，是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶，在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿、精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出所需要的電路圖形，并將多個(gè)被動(dòng)組件（如低容值電容、電阻、濾波器、阻抗轉(zhuǎn)換器、耦合器等）埋入多層陶瓷基板中，然后疊壓在一起，內(nèi)外電極可分別使用銀、銅、金等金屬，在900下燒結(jié)，制成三維空間互不干擾的高密度電路，也可制成內(nèi)置無源元件的三維電路基板，在其表面可以貼裝ic和有源器件，制成無源/有源集成的功能模塊。ltcc具有以下特點(diǎn)：根據(jù)配料的不同，ltcc材料的介電常數(shù)可以在很大范圍內(nèi)變動(dòng)，增加了電路設(shè)計(jì)的靈活性；陶瓷材料具有優(yōu)良的高頻、高q特性和高速傳輸特性；使用高電導(dǎo)率的金屬材料作為導(dǎo)體材料，有利于提高電路系統(tǒng)的品質(zhì)因數(shù)；制作層數(shù)很高的電路基板，減少連接芯片導(dǎo)體的長(zhǎng)度與接點(diǎn)數(shù)，并可制作線寬小于50m的細(xì)線結(jié)構(gòu)電路，實(shí)現(xiàn)更多布線層數(shù)，能集成的元件種類多，參量范圍大，易于實(shí)現(xiàn)多功能化和提高組裝密度；可適應(yīng)大電流及耐高溫特性要求，具有良好的溫度特性；與薄膜多層布線技術(shù)具有良好的兼容性，二者結(jié)合可實(shí)現(xiàn)更高組裝密度和更好性能的混合多層基板和混合型多芯片組件；易于實(shí)現(xiàn)多層布線與封裝一體化結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步減小體積和重量，提高可靠性、耐高溫、高濕，可以應(yīng)用于惡劣環(huán)境；采用非連續(xù)式的生產(chǎn)工藝，便于基板燒成前對(duì)每一層布線和互連通孔進(jìn)行質(zhì)量檢查，有利于提高多層基板的成品率和質(zhì)量，縮短生產(chǎn)周期，降低成本。ltcc材料經(jīng)歷了從簡(jiǎn)單到復(fù)合、從低介電常數(shù)到高介電常數(shù)和使用頻段不斷增加等發(fā)展過程。目前l(fā)tcc技術(shù)是無源集成的主流技術(shù)。ltcc屬于高新科技的前沿產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于微電子工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域，具有十分廣闊的應(yīng)用市場(chǎng)和發(fā)展前景。同時(shí)ltcc技術(shù)也將面臨來自不同技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)與挑戰(zhàn)，如何繼續(xù)保持在無線通訊組件領(lǐng)域的主流地位，還必須繼續(xù)強(qiáng)化自身技術(shù)發(fā)展和大力降低制造成本，不斷完善或亟待開發(fā)相第 三 章 晶圓切片和貼裝 dicingwafer mountdicingwafer visual inspectionz1z2-step cut section view component attach bladegp barcode and lk printingdie mount and chip mountvisual inspectionlk curinglk: conductive adhesiveblack and white ink jet printprint masksqueegeenozzleadhesive curinginspect direction（一）晶圓晶圓是制造ic的基本原料。硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99。999%），接著是將這些純硅制成長(zhǎng)硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之ic產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)0.99999999999。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液內(nèi)摻入一小粒的硅晶體晶種，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆小晶粒在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過研磨，拋光，切片后，即成為積體電路工廠的基本原料硅晶圓片，這就是“晶圓”。 在過去三十年期間，切片(dicing)系統(tǒng)與刀片(blade)已經(jīng)不斷地改進(jìn)以對(duì)付工藝的挑戰(zhàn)和接納不同類型基板的要求。最新的、對(duì)生產(chǎn)率造成最大影響的設(shè)備進(jìn)展包括：使兩個(gè)切割(two cuts)同時(shí)進(jìn)行的、將超程(overtravel)減到最小的雙軸(dual-spindle)切片系統(tǒng)；自動(dòng)心軸扭力監(jiān)測(cè)和自動(dòng)冷卻劑流量調(diào)節(jié)能力。重大的切片刀片進(jìn)步包括一些刀片，它們用于很窄條和/或較高芯片尺寸的晶圓、以銅金屬化的晶圓、非常薄的晶圓、和在切片之后要求表面拋光的元件用的晶圓。許多今天要求高的應(yīng)用都要求設(shè)備能力和刀片特性兩方面都最優(yōu)化的工藝，以盡可能最低的成本提供盡可能高的效率。（二）切片2.1切片機(jī)制(the dicing mechanism)晶圓切片工藝是在“后端”裝配工藝中的第一步。該工藝將晶圓分成單個(gè)的芯片，用于隨后的芯片接合(die bonding)、引線接合(wire bonding)和測(cè)試工序。在這之前先將整片的金圓貼在藍(lán)膜上，在氮?dú)夤裰蟹胖?個(gè)小時(shí)，這樣才能保證藍(lán)膜和金圓的粘力，保證切割。一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)的研磨盤(刀片)完成切片(dicing)。一根心軸以高速，30,00060,000rpm (83175m/sec的線性速度)轉(zhuǎn)動(dòng)刀片。該刀片由嵌入電鍍鎳矩陣黏合劑中的研磨金剛石制成。在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的專用切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過幫助去掉碎片而延長(zhǎng)刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。2.2關(guān)鍵工藝參數(shù)硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率最大，同時(shí)資產(chǎn)擁有的成本最小。可是，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)，影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和先進(jìn)對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)的一個(gè)常見的推薦是，選擇盡可能最薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20m)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對(duì)于5076m跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是2030m。2.3刀片優(yōu)化(blade optimization) 為了接收今天新的切片挑戰(zhàn)，切片系統(tǒng)與刀片之間的協(xié)作是必要的。對(duì)于高端(high-end)應(yīng)用特別如此。刀片在工藝優(yōu)化中起主要的作用。為了接納所有來自于迅速的技術(shù)發(fā)展的新的切片要求，今天可以買到各種各樣的刀片。這使得為正確的工藝選擇正確的刀片成為一個(gè)比以前更加復(fù)雜的任務(wù)。除了尺寸，三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)決定刀片特性：金剛石(磨料)尺寸、金剛石含量和粘結(jié)劑的類型。結(jié)合物是各種金屬和/或其中分布有金剛石磨料的基體。這些元素的結(jié)合效果決定刀片的壽命和切削質(zhì)量(tsc與bsc)。改變?nèi)魏我粋€(gè)這些參數(shù)都將直接影響刀片特性與性能。為一個(gè)給定的切片工藝選擇最佳的刀片可能要求在刀片壽命與切削質(zhì)量之間作出平衡。其它因素，諸如進(jìn)給率和心軸速度，也可能影響刀片選擇切。割參數(shù)對(duì)材料清除率有直接關(guān)系，它反過來影響刀片的性能和工藝效率。對(duì)于一個(gè)工藝為了優(yōu)化刀片，設(shè)計(jì)試驗(yàn)方法(doe, designed experiment)可減少所需試驗(yàn)的次數(shù)，并提供刀片特性與工藝參數(shù)的結(jié)合效果。另外，設(shè)計(jì)試驗(yàn)方法(doe)的統(tǒng)計(jì)分析使得可以對(duì)有用信息的推斷，以建議達(dá)到甚至更高產(chǎn)出和/或更低資產(chǎn)擁有成本的進(jìn)一步工藝優(yōu)化。為了選擇一個(gè)刀片，重要的還要理解刀片的外表硬度的影響(經(jīng)常叫做基體硬度)。這是刀片的硬度的抽象測(cè)量，它反映在切割晶圓時(shí)刀片的“感覺”方式?；w硬度通過金剛砂磨料尺寸、濃度和粘結(jié)硬度的結(jié)合影響來決定。通常，較細(xì)的磨料尺寸、較高的金剛砂濃度和較硬的粘合物將得到增加的基體硬度。 通常建議，與其它考慮因素一起，較硬的材料要求較軟的(基體)刀片來切片，反之亦然。例如，砷化鎵(gaas)晶圓一般要求較細(xì)的金剛砂尺寸(較硬的刀片)，而鉭酸鋰(litao3)晶圓最適合于較粗的金剛砂尺寸和較低的金剛石濃度(較軟的刀片)。隨著非硅(non-si)材料使用的進(jìn)步，將達(dá)到對(duì)這些類型的先進(jìn)晶圓切片應(yīng)用的更深理解。（三）smt表面黏著組裝制程主要包括以下幾個(gè)主要步驟：錫膏印刷、組件置放、回流焊接。各步驟概述如下：錫膏印刷：錫膏為表面黏著組件與陶瓷相互連接導(dǎo)通的材料。首先將鋼板透過蝕刻或雷射切割后，由印刷機(jī)的刮刀將錫膏經(jīng)鋼板上開孔印至ltcc上，以便進(jìn)入下一步驟。wafer 和chip置放：組件置放是整個(gè)smt制程的主要關(guān)鍵技術(shù)以及工作重心，其過程使用高精密的自動(dòng)化設(shè)備，經(jīng)由計(jì)算機(jī)編程將表面黏著金圓準(zhǔn)確的置放在已經(jīng)印好焊錫膏的ltcc上。由于表面黏著組件的設(shè)計(jì)日趨精密，其間距也隨之縮小，因此置放作業(yè)的技術(shù)層次之困難也日益增大。此兩步完成之后，經(jīng)過顯微鏡下目視檢測(cè)，合格品流入下一道工序：回流焊接。經(jīng)過回流爐進(jìn)行預(yù)熱以活化助焊劑，再提升其溫度至183使錫膏熔化，使組件與ltcc的焊接更牢固。第 四 章 等離子清洗、金線鍵合和自動(dòng)光學(xué)檢驗(yàn) au wb (ltcc25,32) rom write, imtplasma cleaningau wb(ltcc25,32)aoi (au wb)rom writeimto3 gas inlets n2,o2 co2, h2o substrate(ltcc)gold-land capillary gold-wire ltcc us ic25 32 temperaturespark rod （一）等離子清洗等離子清洗的應(yīng)用，起源于20世紀(jì)初，隨著高科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，其應(yīng)用越來越廣，目前已在眾多高科技領(lǐng)域中，居于關(guān)鍵技術(shù)的地位，等離子清洗技術(shù)對(duì)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)和人類文明影響最大，首推電子資訊工業(yè)，尤其是半導(dǎo)體業(yè)與光電工業(yè)。等離子清洗已應(yīng)用于各種電子元件的制造。3.1 等離子清洗技術(shù)的原理以及什么是等離子體 等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài)，通常物質(zhì)以固態(tài)、業(yè)態(tài)、氣態(tài)3種狀態(tài)存在，但在一些特殊的情況下可以以第四中狀態(tài)存在，如太陽表面的物質(zhì)和地球大氣中電離層中的物質(zhì)。這類物質(zhì)所處的狀態(tài)稱為等離子體狀態(tài)，又稱位物質(zhì)的第四態(tài)。等離子體中存在下列物質(zhì)。處于高速運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子；處于激活狀態(tài)的中性原子、分子、原子團(tuán)（自由基）；離子化的原子、分子；分子解離反應(yīng)過程中生成的紫外線；未反應(yīng)的分子、原子等，但物質(zhì)在總體上仍保持電中性狀態(tài)。3.2等離子清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)、工作原理以及基本構(gòu)造 根據(jù)用途的不同，可選用多種構(gòu)造的等離子清洗設(shè)備，并可通過選用不同種類的氣體，調(diào)整裝置的特征參數(shù)等方法使工藝流程實(shí)現(xiàn)最佳化，但等離子體清洗裝置的基本結(jié)構(gòu)大致是相同的，一般裝置可由真空室、真空泵、高頻電源、電極、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、工件傳送系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等部分組成。通常使用的真空泵是旋轉(zhuǎn)油泵，高頻電源通常用13.56m赫茲的無線電波，設(shè)備的運(yùn)行過程如下：（1）被清洗的工件送入真空室并加以固定，啟動(dòng)運(yùn)行裝置，開始排氣，使真空室內(nèi)的真空程度達(dá)到10pa左右的標(biāo)準(zhǔn)真空度。一般排氣時(shí)間大約需要2min。（2）向真空室引入等離子清洗用的氣體，并使其壓力保持在100pa。根據(jù)清洗材質(zhì)的不同，可分別選用氧氣、氫氣、氬氣或氮?dú)獾葰怏w。（3）在真空室內(nèi)的電極與接地裝置之間施加高頻電壓，使氣體被擊穿，并通過輝光放電而發(fā)生離子化和產(chǎn)生等離子體。讓在真空室產(chǎn)生的等離子體完全籠罩在被處理工件，開始清洗作業(yè)。一般清洗處理持續(xù)幾十秒到幾分鐘。（4）清洗完畢后切斷高頻電壓，并將氣體及汽化的污垢排出，同時(shí)向真空室內(nèi)鼓入空氣，并使氣壓升至一個(gè)大氣壓。3.3 等離子清洗的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) 與濕法清洗相比，等離子清洗的優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)在以下8個(gè)方面：（1）在經(jīng)過等離子清洗以后，被清洗物體已經(jīng)很干燥，不必再經(jīng)干燥處理即可送往下道工序。（2）不使用三氯乙甲o(hù)ds有害溶劑，清洗后也不會(huì)產(chǎn)生有害污染物，屬于有利于環(huán)保的綠色清洗方法。（3）用無線電波范圍的高頻產(chǎn)生的等離子體與激光等直射光線不同，它的方向性不強(qiáng)，因此它可以深入物體的微細(xì)孔眼和凹陷的內(nèi)部并完成清洗任務(wù)，所以不必過多考慮被清洗物體形狀的影響，而且對(duì)這些難清洗部位的清洗效果與用氟里昂清洗的效果相似甚至更好。（4）整個(gè)清洗工藝流程在幾分鐘即可完成，因此具有效率高的特點(diǎn)。（5）等離子清洗需要控制的真空度約為100pa，這種真空度在工廠實(shí)際生產(chǎn)中很容易實(shí)現(xiàn)。這種裝置的設(shè)備成本不高，加上清洗過程不需要使用價(jià)格昂貴的有機(jī)溶劑，因此它的運(yùn)行成本要低于傳統(tǒng)的清洗工藝。（6）由于不需要對(duì)清洗液進(jìn)行運(yùn)輸、貯存、排放等處理措施，所以生產(chǎn)場(chǎng)地很容易保持清潔衛(wèi)生。（7）等離子清洗的最大技術(shù)特點(diǎn)是：它不分處理對(duì)象，可處理不同的基材，無論是金屬、半導(dǎo)體、氧化物還是高分子材料（如聚丙烯、聚氯乙烯、據(jù)四氟乙烯、聚酰亞胺、聚酯、環(huán)氧樹脂等高聚物）都可用等離子體很好地處理，因此，特別適合不耐熱和不耐溶劑的基底材料。而且還可以有選擇地對(duì)材料的整體、局部或復(fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行部分清洗。 （8）在完成清晰去污的同時(shí)，還能改變材料本身的表面性能，如提高表面的潤(rùn)濕性能，改善膜的附著力等，這在許多應(yīng)用中都是非常重要的。3.4 設(shè)備的原理理論分析 等離子體是一團(tuán)含有正離子、電子、自由基及中性氣體原子所組成的會(huì)發(fā)光的氣體團(tuán)，如日光燈、霓紅燈發(fā)亮的狀態(tài)，就是屬于等離子體發(fā)亮的狀態(tài)。 等離子體的產(chǎn)生最主要是靠電子去撞擊中性氣體原子，使中性氣體原子解離而產(chǎn)生等離子體，但中性氣體原子核對(duì)其外圍的電子有一束縛的能量，我們稱它為束縛能，而外界的電子能量必須大于此束縛能，才會(huì)有能力解離此中性氣體原子，但是，此外界的電子往往是能量不足的，沒有解離中性氣體原子的能力，所以，我們必須用外加能量的方法給原子電子能量，使電子有利用解離此中性氣體原子。（二）金線鍵合金線鍵合就是用非常細(xì)小的金線把芯片上焊盤和引線框架(或者基板)連接起來的過程。目的是把電源供給ic以便ic的信號(hào)反饋。鍵合線作為封裝用內(nèi)引線，是集成電路和半導(dǎo)體分立器件的制造過程中必不可少的基礎(chǔ)材料之一。 鍵合金絲是一種具備優(yōu)異電氣、導(dǎo)熱、機(jī)械性能以及化學(xué)穩(wěn)定性極好的內(nèi)引線材料。為適應(yīng)不同的鍵合機(jī)型和鍵合工藝，制備出不同品位和特性。ic用鍵合金絲品種規(guī)格很多，作為ic和半導(dǎo)體分立器件內(nèi)引線的鍵合金絲是指純度為99.99%(4n)、線徑為18m50m的高純合金絲。鍵合金絲主要應(yīng)用于晶體管、集成電路、大規(guī)模集成電路等各種半導(dǎo)體器件中作為內(nèi)引線，用于各種電子元器件如二極管、三極管、集成電路、大規(guī)模集成電路、ic卡等封裝。 另外，目前半導(dǎo)體的內(nèi)引線主要有金絲和鋁硅絲兩種。其中金的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性好，延伸率高，因而易于拉制成細(xì)而長(zhǎng)的鍵合絲。但是金絲存在以下幾個(gè)明顯的缺點(diǎn)，一是原材料價(jià)格昂貴，制造成本高；二是在高溫下會(huì)與鋁電極形成金屬間化合物aual2和au2al，可能引起器件失效。而鋁基鍵合絲的密度小、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性良好，發(fā)展鋁基鍵合絲不僅有利于資源的合理利用，同時(shí)還可以滿足有關(guān)領(lǐng)域?qū)Ξa(chǎn)品輕量化的要求。（三）aoiaoi是近幾年才興起的一種新型測(cè)試技術(shù)，但發(fā)展較為迅速，目前很多廠家都推出了aoi測(cè)試設(shè)備。當(dāng)自動(dòng)檢測(cè)時(shí)，在零下40度的環(huán)境下，機(jī)器通過攝像頭自動(dòng)掃描，采集圖像，測(cè)試的焊點(diǎn)與數(shù)據(jù)庫(kù)中的合格的參數(shù)進(jìn)行比較，經(jīng)過圖像處理，檢查出板子上的缺陷，并通過顯示器或自動(dòng)標(biāo)志把缺陷顯示/標(biāo)示出來，供維修人員修整。aoi的優(yōu)點(diǎn)是編程簡(jiǎn)單， 通常是把貼片機(jī)編程完成后自動(dòng)生成的txt輔助文本文件轉(zhuǎn)換成所需格式的文件，從中aoi獲取位置號(hào)、元件系列號(hào)、x坐標(biāo)、y坐標(biāo)、元件旋轉(zhuǎn)方向這5個(gè)參數(shù)，然后系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電路的布局圖，確定各元件的位置參數(shù)及所需檢測(cè)的參數(shù)。完成后，再根據(jù)工藝要求對(duì)各元件的檢測(cè)參數(shù)進(jìn)行微調(diào)。 操作容易 由于aoi基本上都采用了高度智能的軟件，所以并不需要操作人員具有豐富的專業(yè)知識(shí)即可進(jìn)行操作。 故障覆蓋率高 由于采用了高精密的光學(xué)儀器和高智能的測(cè)試軟件，通常的aoi設(shè)備可檢測(cè)多種生產(chǎn)缺陷，故障覆蓋率可達(dá)到80%。（四）程序?qū)懭虢?jīng)過aoi的檢測(cè)之后，合格品隨之進(jìn)入下一流程，進(jìn)行rom程序的寫入，信息存入以后，程序永久保存，只能讀取不能隨意改寫，斷電信息也不丟失。保證了abs在正常使用中的程序穩(wěn)定。第 五 章 組裝 dsh mountdsh mountal wbal wb visual inspection gel injection gel注入cover mount al wb cover mount