DB11-T 1352-2023 主要花壇花卉種苗生產技術規(guī)程

ICS65.020.01

CCSB04

DB11

北京市地方標準

DB11/T1352—2023

代替DB11/T1352—2016

主要花壇花卉種苗生產技術規(guī)程

Technicalregulationsforyoungplantproductionofmajorbeddingplants

2023-12-25發(fā)布2024-04-01實施

北京市市場監(jiān)督管理局發(fā)布

DB11/T1352—2023

主要花壇花卉種苗生產技術規(guī)程

1范圍

本文件規(guī)定了主要花壇花卉種苗生產的播種繁殖、扦插繁殖、組培繁殖、有害生物防控、出圃等技

術要求。

本文件適用于北京地區(qū)主要花壇花卉種苗的生產。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T18247.4—2000主要花卉產品等級第4部分：花卉種子

DB11/T1052主要花壇花卉種苗產品等級

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件。

3.1

并盤sorting

在種苗生產過程中，清除死亡或狀態(tài)不佳的種苗，按規(guī)格分開放置，使同一穴盤內的種苗保持一致

性的操作。

3.2

紙缽基質塊paperplug

通過專用機器將混合基質用特制紙張包裹，做成一定長度和直徑的，用于插穗生根和組培苗移栽的

生長介質。

4播種繁殖

4.1播種前準備

4.1.1設施選擇

宜選擇溫度、光照、濕度可調節(jié)的溫室或大棚。生產前應對環(huán)境進行消毒，具體方法見附錄A。

4.1.2種子選擇

種子質量應符合GB/T18247.4—2000第4章表1中I級或II級的要求；采用機械播種時宜選用丸?；?/p>

種子或形狀規(guī)則的非包衣種子。

4.1.3穴盤選擇

1

DB11/T1352—2023

依據花卉種類選用72～288孔穴盤?；|填裝前宜在穴盤上粘貼標簽，注明種名、品種名、播種日

期等信息。生產前應對穴盤進行消毒，消毒方法見附錄A。

4.1.4基質選擇

應選擇無病原菌和蟲卵且有良好的保水性和透氣性的潔凈基質。可選擇纖維長度小于等于10mm的

育苗專用泥炭和粒徑2mm～4mm的園藝專用珍珠巖。pH值應在5.5～6.5之間，EC值小于0.75mmhos/cm。

冬季育苗宜選擇透氣性好的基質，夏季育苗宜選擇保水性好的基質。重復使用的基質，使用前應進行消

毒，消毒方法見附錄A。

4.1.5基質配制

4.1.5.1應選擇潔凈、無病原菌和蟲卵污染的配制環(huán)境。

4.1.5.2泥炭和珍珠巖按照7∶3或8∶2體積比進行混配，也可選擇混配好的種苗生產專用基質。

4.1.5.3基質攪拌前，先沖洗珍珠巖，去除其中的細小粉末和有害離子；將泥炭塊充分解壓，泥炭內

不應含有直徑大于1cm的團粒。宜采用機器進行攪拌，基質攪拌過程中，加入pH值為6.0～7.5、EC

值小于1.0mmhos/cm的水，反復攪拌均勻。

4.1.5.4攪拌完成后，基質應手捏成團且有水從指縫滲出但不滴落，松開基質，輕觸即散。攪拌完的

基質宜在3d內用完。

4.1.6基質填裝

4.1.6.1機械填裝按照說明書進行操作。

4.1.6.2人工填裝時，應將穴盤平放在干凈平整的臺面上，輕撒基質，將基質均勻填充至穴孔深度的

1/3～1/2，水平晃動穴盤，使其填充緊實；再次補充基質使其高出穴盤表面，輕輕鎮(zhèn)壓刮平?；|填裝

量以澆水后基質表面均勻沉降至距穴盤上表面0.5mm～1mm為宜。

4.1.6.3穴盤填裝完成后應交叉成一定角度疊放，不應壓實基質。

4.2播種

4.2.1播種方法

宜選用機械播種，播種準確率不應低于95%。

4.2.2覆蓋

依據花卉種類確定是否覆蓋和覆蓋厚度。覆蓋時宜根據種子大小選用粒徑為2mm～5mm、均勻一致

的蛭石覆蓋。輕覆蓋以蛭石剛剛蓋住種子為宜，厚覆蓋以蛭石厚度達到5mm～10mm為宜，覆蓋厚度詳

見附錄B。

4.3播種后管理

4.3.1水肥管理

4.3.1.1澆水

宜在上午10點之前完成，每次澆水量以穴盤底部剛剛有水滴落為宜，澆水時應避免將種苗沖倒或沖

出。根據不同品種需求，基質濕度水平應保持在種苗各生產階段需要的范圍內，判定方法見附錄C，各

階段具體要求見附錄B。

4.3.1.2施肥

2

DB11/T1352—2023

施肥前宜先配制母液，母液濃度根據施肥設備的稀釋比例確定，配制母液時應使肥料完全溶解。施

肥濃度根據種苗生長階段和品種，每周施肥2～3次，具體施肥濃度見附錄B。

4.3.2各階段管理

4.3.2.1第一階段

從播種到胚根出現（種子露白）的階段。宜在催芽室發(fā)芽，根據品種差異光照宜保持在0Lx～8000

Lx，可用熒光燈或LED燈補光；溫度宜控制在15℃～30℃；空氣相對濕度宜保持在90%以上。具體數值

見附錄B。

4.3.2.2第二階段

4.3.2.2.1從胚根出現到子葉完全展開、第一片真葉剛剛出現的階段。

4.3.2.2.250%以上種子露白后，將種苗移至溫室或大棚。

4.3.2.2.3根據品種差異光照宜保持在5000Lx～15000Lx；冬季溫度宜保持在15℃～25℃，夏

季溫度宜保持在17℃～30℃；空氣相對濕度宜保持在50%以上；基質濕度保持在水平4。

4.3.2.2.4澆水宜采用微霧噴頭或噴灌車，交替施用20-10-20和14-0-14的氮磷鉀復合肥，肥料濃度

見附錄B。

4.3.2.2.5該階段末，可對多株一穴的種苗進行分苗。

4.3.2.3第三階段

4.3.2.3.1從子葉完全展開到4～5片真葉長出的階段。

4.3.2.3.2根據品種差異光照宜保持在15000Lx～40000Lx；冬季溫度宜保持在12℃～25℃，夏

季溫度宜保持在20℃～30℃；空氣相對濕度宜保持在40%～60%；基質濕度保持在水平2～4之間；交

替施用20-10-20和14-0-14的氮磷鉀復合肥，肥料濃度見附錄B。

4.3.2.3.3根據植株生長情況，選擇摘心、噴施生長調節(jié)劑控制植株高度，生長調節(jié)劑使用方法見附

錄B。

4.3.2.3.4在種苗葉片覆蓋穴孔之前，按植株大小進行并盤。每7d應對基質的pH值和EC值進行檢

測。

4.3.2.4第四階段

4.3.2.4.14～5片真葉長出到出圃的階段。

4.3.2.4.2根據品種差異光照宜保持在40000Lx～50000Lx；冬季溫度宜保持在12℃～20℃，夏

季溫度宜保持在20℃～30℃；空氣相對濕度宜保持在40%～50%；基質濕度保持在水平2～4之間；交

替施用20-10-20和14-0-14的氮磷鉀復合肥，肥料濃度見附錄B。

4.3.2.4.3根據植株生長情況，噴施生長調節(jié)劑控制植株高度，生長調節(jié)劑使用方法見附錄B。

5扦插繁殖

5.1扦插前準備

3

DB11/T1352—2023

5.1.1設施選擇

設施選擇見4.1.1。

5.1.2插穗選擇

插穗質量應符合質量參數要求，詳見附錄D。插穗應無明顯花苞、無病蟲害，生長健壯。

5.1.3穴盤選擇

依據花卉種類選用不同規(guī)格的穴盤及對應的紙缽基質塊，詳見附錄E。宜采用扦插專用穴盤進行扦

插。

5.1.4基質選擇

基質選擇見4.1.4。

5.1.5基質配制

除泥炭和珍珠巖的配比為6∶4外，基質配制的其他操作見4.1.5。

5.1.6紙缽基質塊制作與填裝

紙缽基質塊應由專業(yè)的機器制作，制作好后根據穴孔大小將不同直徑大小的紙缽基質塊放入相應的

穴盤中。

5.1.7紙缽基質塊扦插前澆水

紙缽基質塊宜在扦插前12h～24h澆透水。

5.2各階段管理

5.2.1第一階段

5.2.1.1從插穗到貨到將插穗插入紙缽基質塊中的過程。

5.2.1.2應控制基質濕度水平為4～5，EC值為0.2mmhos/cm～0.5mmhos/cm。

5.2.1.3扦插前根據插穗大小，在每個紙缽基質塊中間用合適大小的扦插棒打一個孔，再將插穗豎直

插在打好孔的紙缽基質塊中。

5.2.1.4扦插時生根劑使用方法見附錄E。生根劑宜現配現用，少量多次取用。蘸取生根劑時不應將

葉片、葉柄浸在生根劑中。

5.2.1.5單個穴盤扦插完成后應立即噴水，宜選用微霧噴頭進行噴水。

5.2.2第二階段

5.2.2.1從完成扦插到插穗基部形成愈傷組織的過程。

5.2.2.2宜控制光照強度在6000Lx～8000Lx；日溫25℃～28℃，夜溫20℃～22℃；基質溫

度20℃～23℃；空氣相對濕度85%～95%，宜采用微噴彌霧控制空氣濕度；基質濕度水平為4～5；除

一些特殊種類外，大部分種類在此階段不需要施肥，詳見附錄E。

5.2.2.350%的插穗開始形成根系時，養(yǎng)護管理應立即轉至第三階段。

4

DB11/T1352—2023

5.2.3第三階段

5.2.3.1插穗開始形成愈傷組織到大部分根系觸壁的過程。

5.2.3.2光照強度10000Lx～20000Lx；日溫23℃～25℃，夜溫20℃～22℃；基質溫度20℃～

23℃；空氣濕度70%～80%；基質濕度水平為3～4；交替施用20-10-20和14-0-14的氮磷鉀復合肥，

肥料濃度見附錄E，保證基質EC值在0.7mmhos/cm～1.5mmhos/cm。

5.2.4第四階段

5.2.4.1大部分根系觸壁直至出圃的過程。該階段從生根溫室轉運到煉苗溫室。

5.2.4.2光照強度25000Lx～35000Lx；日溫23℃～25℃，夜溫16℃～18℃；基質溫度18℃～

23℃；空氣相對濕度50%～70%；基質濕度水平為2～4；交替施用20-10-20和14-0-14的氮磷鉀復合

肥，肥料濃度見附錄E，保證基質EC值在1.0mmhos/cm～1.5mmhos/cm。

5.2.4.3轉運到煉苗溫室后宜進行并盤。對于易開花的種類，如舞春花（Calibrachoahybrids）、香

雪球（Lobulariamaritima）、矮牽牛（Petunia×hybrida）等，轉運后應立即修剪花苞。

6組培繁殖

6.1移栽前準備

6.1.1設施選擇

設施選擇見4.1.1。

6.1.2組培種苗選擇

組培種苗應符合基本質量參數要求，包括葉片數量、高度、根系長度與數量等，葉色正常、植株健

壯，詳見附錄F。

6.1.3穴盤選擇

穴盤選擇見5.1.3。

6.1.4基質選擇

基質選擇見4.1.4。

6.1.5基質配制

基質配制見4.1.5。

6.1.6紙缽基質塊制作與填裝

紙缽基質塊制作與填裝見5.1.6。

6.1.7紙缽基質塊移栽前澆水

紙缽基質塊移栽前澆水見5.1.7。

6.2各階段管理

6.2.1第一階段

5

DB11/T1352—2023

6.2.1.1將組培種苗移栽到紙缽基質塊的過程。

6.2.1.2移栽前宜用清水將組培種苗根部的培養(yǎng)基洗凈，應避免傷及根系和莖葉。

6.2.1.3參照5.2.1.3在基質上打孔，使用工具將組培種苗根系栽入所打孔中，再將組培苗緩慢往下

栽入基質中。

6.2.1.4移栽后澆少量清水，使基質與組培種苗根系結合緊密，應避免將組培種苗沖倒或沖出。

6.2.2第二階段

6.2.2.1移栽完成至新根觸壁的過程。

6.2.2.2宜控制光照強度在6000Lx～8000Lx；控制日溫25℃～28℃，夜溫20℃～22℃；基

質溫度20℃～23℃；空氣相對濕度85%～95%，宜采用微噴彌霧控制空氣相對濕度；基質濕度水平為

4～5。

6.2.2.380%植株新根觸壁后，養(yǎng)護管理應立即轉至第三階段，詳見附錄G。

6.2.3第三階段

6.2.3.1新根觸壁到出圃的過程。該階段從生根溫室轉運到煉苗溫室。

6.2.3.2宜控制光照強度在25000Lx～35000Lx；控制日溫23℃～25℃，夜溫18℃～20℃；基

質溫度18℃～23℃；空氣相對濕度50%～70%；基質濕度水平為2～4；交替施用20-10-20和14-0-14

的氮磷鉀復合肥，肥料濃度見附錄G，保證基質EC值在1.0mmhos/cm～1.5mmhos/cm。

6.2.3.3轉運到煉苗溫室后宜進行并盤。

7有害生物防控

7.1農業(yè)防治

農業(yè)防治主要包括以下措施：

a)保持生產場地干凈整潔，定期消毒和清除生產場地內及周邊的雜草；

b)基質使用前消毒；

c)及時摘除病、蟲葉，將有蟲株、有病株地上部分徹底剪除，燒毀或深埋；

d)改善環(huán)境條件，避免長時間高濕度或通風不暢。

7.2物理防治

主要為懸掛黃板，并定期檢查黃板上害蟲種類和數量。

7.3化學防治

化學防治主要包括如下措施：

a)播種繁殖種苗在并盤后，扦插繁殖種苗在扦插后，組培繁殖種苗在移栽后，噴施廣譜性殺菌劑

進行病害預防；

b)定期檢查病蟲害發(fā)生情況，根據檢查結果進行防治，常見病蟲害防治方法見附錄H；

c)出圃前一天噴施廣譜性殺菌劑，預防病害發(fā)生；

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DB11/T1352—2023

d)農藥宜在上午10點前或下午3點后施用；農藥不宜多種類混用，不宜與肥料一起施用；不同

作用機理的農藥宜交替施用。

8出圃

種苗質量達到DB11/T1052規(guī)定的三級及以上要求時即可出圃。

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DB11/T1352—2023

附錄A

(資料性)

穴盤、基質及環(huán)境的消毒方法

表A.1給出了穴盤、基質及環(huán)境的消毒方法。

表A.1穴盤、基質及環(huán)境的消毒方法

消毒對象具體方法

用高錳酸鉀1000倍液浸泡15min～30min，或用600mg/L的次氯酸鈉溶液浸泡10min～

穴盤

15min，然后用清水反復清洗。

基質使用50%福美雙可濕性粉劑或50%多菌靈可濕性粉劑200g/m3拌勻，或采用60℃蒸汽

基質

高溫處理15min，再晾曬3d～5d，翻曬1～2次。

清理地面綠苔、床下及床面的基質和周邊雜草等，使用5%的次氯酸鈉溶液對地面和床面噴

霧消毒，利用10%百菌清煙劑200g/667m2～300g/667m2作熏蒸處理，濕簾及用水管道用

環(huán)境百時清100000倍稀釋循環(huán)水作除藻、殺菌處理，完成上述消毒處理后，關閉溫室內所有通

風設施和濕簾系統(tǒng)。夏季也可利用環(huán)境高溫40℃～50℃持續(xù)10d～14d空棚處理（主要

殺滅害蟲和蟲卵）。

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DB11/T1352—2023

附錄B

（資料性）

主要花壇花卉播種繁殖種苗生產技術參數

B.1香彩雀（Angeloniaangustifolia）

香彩雀播種繁殖種苗生產技術參數見表B.1。

表B.1香彩雀播種繁殖種苗生產技術參數

周期溫度肥料濃度

基質生長調節(jié)劑

d℃空氣濕度光照強度mg/L

階段季節(jié)

EC%Lx種類及

發(fā)芽室溫室發(fā)芽室溫室濕度水平14-0-1420-10-20具體操作

mmhos/cm濃度

冬季4～5—22～24—100～

第一階段50～0.590～100————

夏季4～5—22～24—1000

10～12

冬季——夜溫>15，日溫22～240.75～1000～

第二階段4～550～70————

夏季—8～10—夜溫20～22，日溫24～281.015000

冬季—15～20—夜溫>15，日溫22～241.00～15000～540～380～丁酰肼3

第三階段3～440～60噴施葉面

夏季—10～15—夜溫18～22，日溫24～281.852500014301000g/L～5g/L

冬季—5～7—夜溫15～18，日溫20～22

1.00～25000～710～500～丁酰肼3

第四階段2～440～60噴施葉面

夏季—5～7—夜溫18～20，日溫24～261.50350001070750g/L～5g/L

穴盤規(guī)格：128～200孔；種子類型：裸種子；覆蓋厚度：不覆蓋。

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DB11/T1352—2023

B.2金魚草（Antirrhinummajus）

金魚草播種繁殖種苗生產技術參數見表B.2。

表B.2金魚草播種繁殖種苗生產技術參數

周期溫度肥料濃度a

基質生長調節(jié)劑

d℃空氣濕度光照強度mg/L

階段季節(jié)

EC%Lx

發(fā)芽室溫室發(fā)芽室溫室溫度濕度水平14-0-1420-10-20種類及濃度具體操作

mmhos/cm

冬季3～4—21～24—100～

第一階段50～0.590～100————

夏季3～4—21～24—1000

夜溫>15，

冬季—10～12—多效唑3

日溫20～230.50～15000～噴施葉面

第二階段3～450～70360～540250～380mg/L～5

夜溫>18，0.7525000及莖

夏季—8～10—mg/L

日溫23～25

夜溫12～15，

冬季—18～20—380～1多效唑3

日溫20～2325000～540～1430噴施葉面

第三階段2～40.75～1.540～60000mg/L～5

夜溫>18，40000及莖

夏季—13～15—mg/L

日溫23～25

夜溫10～12，

冬季—5～7—

日溫20～2340000～

第四階段2～41.5～1.040～60710～1070500～750——

夜溫>18，50000

夏季—4～6—

日溫23～25

穴盤規(guī)格：128～200孔；種子類型：裸種子；覆蓋厚度：不覆蓋。

a第三階段后期及第四階段根據植物長勢葉面噴施1～2次3000倍EDDHA。

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DB11/T1352—2023

B.3耬斗菜（Aquilegiaviridiflora）

耬斗菜播種繁殖種苗生產技術參數見表B.3。

表B.3耬斗菜播種繁殖種苗生產技術參數

周期溫度肥料濃度

基質生長調節(jié)劑

d℃空氣濕度光照強度mg/L

階段季節(jié)

EC%Lx

發(fā)芽室溫室發(fā)芽室溫室濕度水平14-0-1420-10-20種類及濃度具體操作

mmhos/cm

冬季6～8—21～22—100～

第一階段40～0.590～100————

夏季6～8—21～22—1000

夜溫>15，多效唑3

冬季—15～17—15000～噴施葉面及

第二階段日溫21～242～40.5～0.7560～700～2000～150mg/L～5

25000莖

夏季————mg/L

夜溫>15，多效唑3

冬季—18～20—25000～噴施葉面及

第三階段日溫20～222～30.75～1.050～60200～700150～500mg/L～5

35000莖

夏季————mg/L

夜溫12～14，

冬季—7～9—35000～

第四階段日溫20～212～30.75～1.040～60200～700150～500——

45000

夏季————

穴盤規(guī)格：128～200孔；種子類型：裸種子；覆蓋厚度：輕覆蓋。

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DB11/T1352—2023

B.4四季秋海棠（Begoniacucullata）

四季秋海棠播種繁殖種苗生產技術參數見表B.4。

表B.4四季秋海棠播種繁殖種苗生產技術參數

周期溫度肥料濃度

基質生長調節(jié)劑

d℃空氣濕度光照強度mg/L

階段季節(jié)

EC%Lx

發(fā)芽室溫室發(fā)芽室溫室濕度水平14-0-1420-10-20種類及濃度具體操作

mmhos/cm

夜溫>18，

冬季4～68～1124～26

日溫24～261000～

第一階段50～0.7590～100—0～130——

夜溫20～22，8000

夏季4～64～624～26

日溫28～30

夜溫>18，

冬季5～612～1422～24

日溫24～268000～

第二階段4～50.75～1.090～80180～550130～400——

夜溫20～22，10000

夏季5～612～1422～24

日溫26～28

夜溫15～18，

冬季—25～27—

日溫22～2410000～550～

第三階段3～41.0～1.550～60400～800——

夜溫20～22，150001100

夏季—15～18—

日溫24～26

夜溫>15，

冬季—8～10—

日溫20～2215000～550～

第四階段2～41.0～1.540～50400～800——

夜溫18～20，300001100

夏季—5～7—

日溫22～24

穴盤規(guī)格：200孔；種子類型：丸?；桓采w厚度：不覆蓋。

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DB11/T1352—2023

B.5大花秋海棠（Begonia×benariensis）

大花秋海棠播種繁殖種苗生產技術參數見表B.5。

表B.5大花秋海棠播種繁殖種苗生產技術參數

周期溫度肥料濃度

基質生長調節(jié)劑

d℃空氣濕度光照強度mg/L

階段季節(jié)

EC%Lx

發(fā)芽室溫室發(fā)芽室溫室濕度水平14-0-1420-10-20種類及濃度具體操作

mmhos/cm

夜溫>20，

冬季4～610～1224～26

日溫24～261000～

第一階段50～0.7590～100—0～130——

夜溫20～22，8000

夏季4～66～824～26

日溫28～30

夜溫>20，

冬季5～615～1722～24

日溫24～260.75～8000～

第二階段4～580～90180～550130～400——

夜溫20～22，1.010000

夏季5～612～1422～24

日溫26～28

夜溫15～18，

冬季—25～27—

日溫22～2410000～

第三階段