2025年外研版選修3化學(xué)下冊(cè)階段測(cè)試試卷

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁(yè)，總=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè)，總=sectionpages11頁(yè)2025年外研版選修3化學(xué)下冊(cè)階段測(cè)試試卷936考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共9題，共18分)1、下列Li原子電子排布圖表示的不同狀態(tài)中，能量最低的是（）A.B.C.D.2、如圖是第三周期主族元素（11~17號(hào)）某些性質(zhì)變化趨勢(shì)的柱形圖；下列有關(guān)說(shuō)法中正確的是（）

A.若X軸為原子序數(shù)，y軸表示的可能是第一電離能B.若X軸為原子序數(shù)，y軸表示的可能是原子半徑C.若X軸為最高正化合價(jià)，y軸表示的可能是電負(fù)性D.若X軸為族序數(shù)，y軸表示的可能是0.1mol/L最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物溶液的pH3、丁二酮肟鎳是丁二酮肟在氨性溶液（pH＝8～9）中與Ni2＋發(fā)生反應(yīng)生成的沉淀；該反應(yīng)常用作實(shí)驗(yàn)室中檢驗(yàn)鎳離子。其結(jié)構(gòu)如圖所示，下列對(duì)該物質(zhì)的分析與判斷中，正確的是。

A.該物質(zhì)中Ni原子具有空軌道，是配合物的配體B.該物質(zhì)中N、O原子存在孤電子對(duì)C.該物質(zhì)的分子中含有的化學(xué)鍵有共價(jià)鍵和配位鍵D.該物質(zhì)中碳原子的雜化類型均為sp2雜化4、化學(xué)與生產(chǎn)、生活密切相關(guān)。下列說(shuō)法正確的是A.常用的食品保鮮膜、保鮮袋的主要成分是聚氯乙烯B.用銅片制成的“納米銅”具有非常強(qiáng)的化學(xué)活性，在空氣中可以燃燒，說(shuō)明“納米銅”＂的還原性比銅片更強(qiáng)C.在食品袋中放入盛有硅膠和鐵粉的透氣小袋，可防止食品受潮、氧化變質(zhì)D.現(xiàn)代科技已經(jīng)能夠拍到氫鍵的“照片”，直觀地證實(shí)了水分子間的氫鍵是一個(gè)水分子中的氫原子與另一個(gè)水分子中的氧原子間形成的化學(xué)鍵5、下列敘述正確的是。

①SO2、CS2、HI都是直線形的分子②價(jià)電子排布式為ns2的原子屬于ⅠA或ⅡA族元素③Ge是ⅣA族的一種元素，其核外電子排布式為：［Ar]4s24p2，屬于P區(qū)元素④非極性分子往往是高度對(duì)稱的分子，比如BF3，PCl5，H2O2，CO2這樣的分子⑤化合物NH4Cl和CuSO4·5H2O都存在配位鍵⑥AgCl是一種白色的沉淀，不溶于硝酸、濃硫酸、燒堿溶液，卻能溶于氨水中⑦已知熔融狀態(tài)的HgCl2不能導(dǎo)電，HgCl2的稀溶液有弱的導(dǎo)電能力且可作手術(shù)刀的消毒液，則從不同角度分類HgCl2是一種共價(jià)化合物、非電解質(zhì)、鹽、分子晶體⑧氨水中大部分NH3與H2O以氫鍵（用“”表示）結(jié)合成NH3·H2O分子，根據(jù)氨水的性質(zhì)可知NH3·H2O的結(jié)構(gòu)式為A.①③B.②④C.⑤⑥D(zhuǎn).⑤⑦⑧6、最近科學(xué)家成功制成了一種新型的碳氧化合物，該化合物晶體中每個(gè)碳原子均以四個(gè)共價(jià)單鍵與氧原子結(jié)合為一種空間網(wǎng)狀的無(wú)限伸展結(jié)構(gòu)，下列對(duì)該晶體敘述錯(cuò)誤的是A.該晶體類型是原子晶體B.該晶體中碳原子和氧原子的個(gè)數(shù)比為1∶2C.晶體中碳原子數(shù)與C—O化學(xué)鍵數(shù)之比為1∶2D.晶體的空間最小環(huán)共有12個(gè)原子構(gòu)成7、螢石(CaF2)屬于立方晶體（如圖），晶體中每個(gè)Ca2＋被8個(gè)F－包圍，則晶體中F－的配位數(shù)為。

A.2B.4C.6D.88、以下事實(shí)可充分說(shuō)明某晶體是原子晶體的是（）A.固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電B.硬而脆C.無(wú)延展性D.具有空間網(wǎng)狀的微觀結(jié)構(gòu)9、類推的思維方法在化學(xué)學(xué)習(xí)與研究中可能會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的結(jié)論，因此類推出的結(jié)論需經(jīng)過(guò)實(shí)踐的檢驗(yàn)才能確定其正確與否。下列幾種類推結(jié)論正確的是A.金剛石中C—C鍵的鍵長(zhǎng)為154.45pm，C60中C—C鍵的鍵長(zhǎng)為140~145pm，所以C60的熔點(diǎn)高于金剛石B.CO2晶體是分子晶體，SiO2晶體也是分子晶體C.從CH4、為正面體結(jié)構(gòu)，可推測(cè)CC14、也為正四面體結(jié)構(gòu)D.H2O常溫下為液態(tài)，H2S常溫下也為液態(tài)評(píng)卷人得分二、多選題(共6題，共12分)10、硅原子的電子排布式由1s22s22p63s23p2轉(zhuǎn)變?yōu)?s22s22p63s13p3，下列有關(guān)該過(guò)程的說(shuō)法正確的是（）A.硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)，這一過(guò)程吸收能量B.硅原子由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化為基態(tài)，這一過(guò)程釋放能量C.硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)的能量低于基態(tài)時(shí)的能量D.轉(zhuǎn)化后硅原子與基態(tài)磷原子的電子層結(jié)構(gòu)相同，化學(xué)性質(zhì)相同11、有關(guān)元素X、Y、Z、W的信息如下：。元素信息X所在主族序數(shù)與所在周期序數(shù)之差為4Y最高氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為強(qiáng)電解質(zhì)，能電離出電子數(shù)相等的陰、陽(yáng)離子Z單質(zhì)是生活中常見(jiàn)物質(zhì)，其制品在潮濕空氣中易被腐蝕或損壞W基態(tài)原子核外5個(gè)能級(jí)上有電子，且最后的能級(jí)上只有1個(gè)電子

下列說(shuō)法不正確的是（）A.原子半徑：Y>W>XB.Z3+離子的最外層電子排布式為3s23p63d5C.Y的單質(zhì)在X2氣體中燃燒，所得生成物的陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1D.W的單質(zhì)能溶于Y的最高價(jià)氧化物的水化物的水溶液中，若反應(yīng)中轉(zhuǎn)移0.3mol電子，則消耗氧化劑1.8克12、在抗擊新冠病毒肺炎中瑞德西韋是主要藥物之一。瑞德西韋的結(jié)構(gòu)如圖所示；下列說(shuō)法正確的是。

A.瑞德西韋中N、O、P元素的電負(fù)性：N＞O＞PB.瑞德西韋中的O—H鍵的鍵能大于N—H鍵的鍵能C.瑞德西韋中所有N都為sp3雜化D.瑞德西韋結(jié)構(gòu)中存在σ鍵、π鍵和大π鍵13、下列分子或離子中,中心原子含有孤電子對(duì)的是A.H3O+B.SiH4C.PH3D.-14、以為原料，采用電解法制備電源TMAH[化學(xué)式]是一種高效；綠色工藝技術(shù)。原理如圖；M、N是離子交換膜。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是。

A.a是電源正極B.M為陰離子交換膜C.中N原子均為雜化D.通過(guò)1mol電子時(shí)，電解池中可產(chǎn)生16.8L(STP)氣體15、下表是某些原子晶體的熔點(diǎn)和硬度。原子晶體金剛石氮化硼碳化硅硅鍺熔點(diǎn)/℃3350300026001415938.4硬度109.59.07.06.0

分析表中的數(shù)據(jù)，判斷下列敘述正確的是（）A.構(gòu)成原子晶體的原子種類越多，晶體的熔點(diǎn)越高B.構(gòu)成原子晶體的原子間的共價(jià)鍵鍵能越大，晶體的熔點(diǎn)越高C.構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越大D.構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越小評(píng)卷人得分三、填空題(共7題，共14分)16、下列基態(tài)原子或離子的電子排布式(圖)正確的是______(填序號(hào)，下同)，違反能量最低原理的是______，違反洪特規(guī)則的是______，違反泡利原理的是______.

①

②

③P：

④Cr：

⑤Fe：

⑥

⑦O：17、“3s”和“3s2”都是關(guān)于原子核外第三電子層s亞層的化學(xué)用語(yǔ)，這兩個(gè)用語(yǔ)的區(qū)別在于______18、C；N、O、Al、Si、Cu是常見(jiàn)的六種元素。

(1)Si位于元素周期表第____周期第_____族。

(2)N的基態(tài)原子核外電子排布式為_(kāi)____；Cu的基態(tài)原子最外層有___個(gè)電子。

(3)用“>”或“<”填空：。原子半徑電負(fù)性熔點(diǎn)沸點(diǎn)Al_____SiN____O金剛石_____晶體硅CH4____SiH419、（1）比較離子半徑：F－_____O2－(填“大于”“等于”或“小于”)。

（2）C；H、O三種元素的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)開(kāi)_______________。

（3）F、Cl、Br、I的第一電離能大小順序?yàn)開(kāi)_______________，電負(fù)性大小順序?yàn)開(kāi)_________________。20、有下列微粒:①CH4；②CH2=CH2；③CH≡CH④NH3⑤NH4+；⑥BF3；⑦P4；⑧H2O⑨H2O2填寫(xiě)下列空白(填序號(hào))：

(1)呈正四面體的是__________。

(2)中心原子軌道為sp3雜化的是__________，為sp2雜化的是__________，為sp雜化的是__________。

(3)所有原子共平面(含共直線)的是__________，共直線的是__________。

(4)互為等電子體的一組是__________。21、某鹽的組成可表示為3[H3ON5]·3[NH4N5]·NH4Cl?；卮鹣铝袉?wèn)題：

（1）氯原子的電子排布式為_(kāi)_______________。

（2）元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱作第一電子親和能(E1)。第二周期部分元素的E1變化趨勢(shì)如圖(a)所示，其中除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是_________________；氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是__________________。

（3）經(jīng)X射線衍射測(cè)得化合物3[H3ON5]·3[NH4N5]·NH4Cl的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖(b)所示。

①H3O＋中心原子的雜化類型為_(kāi)_______，NH4+的空間構(gòu)型為_(kāi)_______。

②3[H3ON5]·3[NH4N5]·NH4Cl中陰離子N5-中的σ鍵總數(shù)為_(kāi)_______個(gè)。分子中的大π鍵可用符號(hào)Π表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大π鍵可表示為Π)，則N5-中的大π鍵應(yīng)表示為_(kāi)_______。

③圖(b)中虛線代表氫鍵，其中表示式為(NH4+)N—HCl、________、________。22、鈦；鐵、砷、硒、鋅等元素的單質(zhì)及其化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

（1）基態(tài)Ti原子中，最高能層電子的電子云輪廓形狀為_(kāi)______，與Ti同周期的所有過(guò)渡元素的基態(tài)原子中，最外層電子數(shù)與鈦不同的元素有________種。

（2）鐵的第三電離能第四電離能分別為和遠(yuǎn)大于的原因是______________________。

（3）離子可用于的檢驗(yàn)，其對(duì)應(yīng)的酸有兩種，分別為硫氰酸和異硫氰酸

①寫(xiě)出與互為等電子體的一種微粒_________分子或離子

②異硫氰酸的沸點(diǎn)比硫氰酸沸點(diǎn)高的原因是_______________。

（4）成語(yǔ)“信口雌黃”中的雌黃分子式為分子結(jié)構(gòu)如圖1所示，As原子的雜化方式為_(kāi)______________。

（5）離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。一個(gè)晶胞含有的鍵有__________個(gè)。

（6）硒化鋅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，圖中X和Y點(diǎn)所堆積的原子均為_(kāi)___________填元素符號(hào)該晶胞中硒原子所處空隙類型為_(kāi)___________填“立方體”、“正四面體”或“正八面體”該種空隙的填充率為_(kāi)___________；若該晶胞密度為硒化鋅的摩爾質(zhì)量為用代表阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則晶胞參數(shù)a為_(kāi)___________nm。

評(píng)卷人得分四、工業(yè)流程題(共1題，共5分)23、飲用水中含有砷會(huì)導(dǎo)致砷中毒，金屬冶煉過(guò)程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測(cè)。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在；可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水，其工藝流程如下：

已知：①As2S3與過(guò)量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)；

②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。

(1)砷在元素周期表中的位置為_(kāi)______；AsH3的電子式為_(kāi)_____；

(2)下列說(shuō)法正確的是_________；

a.酸性：H2SO4>H3PO4>H3AsO4

b.原子半徑：S>P>As

c.第一電離能：S

(3)沉淀X為_(kāi)_________(填化學(xué)式)；

(4)“一級(jí)沉砷”中FeSO4的作用是________。

(5)“二級(jí)沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_________；

(6)關(guān)于地下水中砷的來(lái)源有多種假設(shè)，其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3，同時(shí)生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為_(kāi)_____________。評(píng)卷人得分五、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共3題，共27分)24、【化學(xué)-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】

已知銅的配合物A(結(jié)構(gòu)如下圖1)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(l)Cu的簡(jiǎn)化電子排布式為_(kāi)____________。

(2)A所含三種元素C、N、O的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)________________。其中氮。

原子的雜化軌道類型為_(kāi)____________________。

(3)配體氨基乙酸根(H2NCH2COO-)受熱分解可產(chǎn)生CO2和N2，N2中σ鍵和π鍵數(shù)目。

之比是_____________；N2O與CO2互為等電子體，且N2O分子中O只與一個(gè)N相連，則N2O

的電子式為_(kāi)___________________。

(4)在Cu催化下，甲醇可被氧化為甲醛(HCHO)，甲醛分子中H-C=O的鍵角___________1200(選填“大于”、“等于”或“小于”)，甲醛能與水形成氫鍵，請(qǐng)?jiān)趫D2中表示出來(lái)___________。

(5)立方氮化硼(如圖3)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，是超硬材料。立方氮化硼晶體內(nèi)B-N鍵數(shù)與硼原子數(shù)之比為_(kāi)_________；結(jié)構(gòu)化學(xué)上用原子坐標(biāo)參數(shù)表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，圖4立方氮化硼晶胞中，B原子的坐標(biāo)參數(shù)分別有：B(0，0，0)；B(1/2，0，1/2)；B(1/2，1/2，0)等。則距離上述三個(gè)B原子最近且等距的N原子的坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)______________。25、已知A、B、C、D、E是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，其元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如圖：。A原子核外電子分占3個(gè)不同能級(jí)，且每個(gè)能級(jí)上排布的電子數(shù)相同B原子最高能級(jí)的不同軌道都有電子，且自旋方向相同C在周期表所有元素中電負(fù)性最大D位于周期表中第4縱列E基態(tài)原子M層全充滿，N層只有一個(gè)電子

(1)A的最高價(jià)氧化物是___________分子(填“極性”或“非極性”)。

(2)B與其同周期相鄰元素第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)__________(請(qǐng)?zhí)钤胤?hào))；其一種氣態(tài)氫化物分子的空間結(jié)構(gòu)呈三角錐形，該分子的中心原子的雜化軌道類型為_(kāi)__________。

(3)C的氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)是同族元素氫化物沸點(diǎn)中最高的，其原因是___________。

(4)A、B、C三種元素的原子半徑由大到小的順序：___________(請(qǐng)?zhí)钤胤?hào))。

(5)D屬于___________區(qū)的元素，其基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為_(kāi)__________。

(6)E的基態(tài)原子電子排布式為_(kāi)__________。26、鉻云母是一些玉石、彩石的重要組成和著色礦物。理想的組分是含Al的八面體片，化學(xué)式為KAl2[Si3AlO10](OH，F(xiàn))2，其中的Al也可少量地被Fe、Mg、Mn、Cr；V等替換。

(1)基態(tài)Cr原子的核外電子排布式為_(kāi)_。

(2)基態(tài)錳原子核外電子排布中能量最高的能級(jí)符號(hào)為_(kāi)__。

(3)O、F、Si三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)__。

(4)O、F、Si與H形成的氫化物有H2O2、H2O、HF、SiH4、Si2H6等。

①SiH4中Si原子的雜化方式為_(kāi)_。

②H2O、HF、SiH4三種物質(zhì)中沸點(diǎn)最高的是__。

③等物質(zhì)的量的H2O2與Si2H6所含σ鍵數(shù)目之比為_(kāi)_。參考答案一、選擇題(共9題，共18分)1、C【分析】【詳解】

Li的基態(tài)電子排布式為1s22s1，1s上的兩個(gè)電子自旋方向相反，可以使體系能量最低，所以C選項(xiàng)的排布能量最低，而A、B、D表示的是激發(fā)態(tài)，能量較高，故選C。2、C【分析】【詳解】

A.對(duì)于第三周期11~17號(hào)元素，隨著原子序數(shù)的增大，第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢(shì)，但Mg和P特殊，其價(jià)電子分別為3s1和3s2sp3，s1和p3為半充滿；因而穩(wěn)定，第一電離能會(huì)大于相鄰的兩個(gè)原子的第一電離能，A錯(cuò)誤；

B.同周期時(shí)；原子半徑隨原子序數(shù)增大而依次減小，與圖顯示的趨勢(shì)矛盾，B錯(cuò)誤；

C.對(duì)于第三周期；最高正化合價(jià)隨原子序數(shù)增大而依次增大，而電負(fù)性在同周期時(shí)隨原子序數(shù)增大而依次增大，因而X軸為最高正化合價(jià)，y軸表示的可能是電負(fù)性，C正確；

D.對(duì)于第三周期，主族序數(shù)隨原子序數(shù)增大而依次增大，而最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物堿性在同周期時(shí)隨原子序數(shù)增大而依次減弱，即最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物堿性在同周期時(shí)隨主族序數(shù)依次減弱，例如NaOH的堿性強(qiáng)于Al(OH)3，等濃度時(shí)NaOH溶液pH大于Al(OH)3溶液；與圖顯示趨勢(shì)相反，D錯(cuò)誤。

故答案選C。3、C【分析】【分析】

非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵；活潑金屬和活潑非金屬元素之間易形成離子鍵，只含共價(jià)鍵的化合物為共價(jià)化合物，共價(jià)化合物中一定不含離子鍵，以此來(lái)解答。

【詳解】

A.該物質(zhì)中Ni原子具有空軌道；是配合物的中心原子，故A錯(cuò)誤。

B.該物質(zhì)中C原子的最外層電子均用來(lái)形成化學(xué)鍵；不存在孤電子對(duì)，故B錯(cuò)誤；

C.該物質(zhì)中除了有共價(jià)鍵；配位鍵外；還有分子內(nèi)氫鍵，故C錯(cuò)誤；

D.甲基上中心碳原子雜化類型為sp2雜化；環(huán)上碳原子雜化類型為sp雜化，故D錯(cuò)誤；

故答案選C。

【點(diǎn)睛】

該物質(zhì)中C原子的最外層電子均用來(lái)形成化學(xué)鍵，不存在孤電子對(duì)。4、C【分析】【詳解】

A項(xiàng)；食品包裝袋、食物保鮮膜等材料的主要成份是聚乙烯；聚氯乙烯也就是PVC保鮮膜能作為蔬菜水果的保鮮膜，但不能用于食品包裝袋、食物保鮮膜，故不符合題意；

B項(xiàng)；“納米銅”與銅的還原性相同；”納米銅”的接觸面積較大，反應(yīng)速率快，在空氣中可以燃燒，故不符合題意；

C項(xiàng)；在食品袋中放入盛有硅膠可以防止食物受潮變質(zhì)；放入鐵粉的透氣小袋可防止食物氧化變質(zhì)，故符合題意；

D項(xiàng)；氫鍵不是化學(xué)鍵；氫鍵是一種特殊的分子間作用力，故不符合題意。

故選C。

【點(diǎn)睛】

注意氫鍵不是化學(xué)鍵，為易錯(cuò)點(diǎn)。5、C【分析】【詳解】

①CS2、HI都是直線形的分子，SO2是“V”形的分子，故①錯(cuò)誤；②價(jià)電子排布式為ns2的原子屬于ⅡA族元素或0族元素，故②錯(cuò)誤；③Ge是ⅣA族的一種元素，其核外電子排布式為：［Ar]3d104s24p2，屬于p區(qū)元素，故③錯(cuò)誤；④非極性分子往往是高度對(duì)稱的分子，比如BF3、PCl5、CO2這樣的分子，H2O2是極性分子，故④錯(cuò)誤；⑤化合物NH4Cl中銨根存在配位鍵，CuSO4·5H2O中[Cu(H2O)4]2+存在配位鍵，故⑤正確；⑥AgCl是一種白色的沉淀，不溶于硝酸、濃硫酸、燒堿溶液，卻能溶于氨水中形成[Ag(NH3)2]+，故⑥正確；⑦HgCl2的稀溶液有弱的導(dǎo)電能力說(shuō)明HgCl2是弱電解質(zhì)，故⑦錯(cuò)誤；⑧氨水中大部分NH3與H2O以氫鍵(用“···”表示)結(jié)合成NH3·H2O分子，根據(jù)氨水的性質(zhì)可知NH3·H2O的結(jié)構(gòu)式為故⑧錯(cuò)誤；因此⑤⑥正確，故C正確。

綜上所述，答案為C。6、C【分析】【分析】

根據(jù)題意知；該化合物晶體中以C-O結(jié)合為一種空間網(wǎng)狀的無(wú)限延伸結(jié)構(gòu)，所以該化合物屬于原子晶體，和晶體二氧化硅的結(jié)構(gòu)相似，利用均攤法確定其化學(xué)式，根據(jù)原子晶體的性質(zhì)分析解答。

【詳解】

A．該化合物晶體中每個(gè)碳原子均以四個(gè)共價(jià)單鍵與氧原子結(jié)合為一種空間網(wǎng)狀的無(wú)限伸展結(jié)構(gòu)；不存在分子，屬于原子晶體，故A敘述正確；

B．晶體中每個(gè)碳原子均以四個(gè)共價(jià)單鍵與氧原子結(jié)合；每個(gè)氧原子和2個(gè)碳原子以共價(jià)單鍵相結(jié)合，所以碳氧原子個(gè)數(shù)比=1：2，故B敘述正確；

C．該晶體中；每個(gè)碳原子含有4個(gè)C-O共價(jià)鍵，所以C原子與C-0化學(xué)鍵數(shù)目之比為1：4，故C敘述錯(cuò)誤；

D．該晶體的空間最小環(huán)由6個(gè)碳原子和6個(gè)氧原子構(gòu)成；故晶體的空間最小環(huán)共有12個(gè)原子構(gòu)成，D敘述正確；

故選C。7、B【分析】【詳解】

根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，每個(gè)晶胞中含有大黑實(shí)心球的個(gè)數(shù)為8，而小球的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，結(jié)合CaF2的化學(xué)式可知，大黑實(shí)心球表示F-，小球表示Ca2+，由圖可以看出每個(gè)F-周圍最近距離的Ca2+一共是4個(gè)，即晶體中F－的配位數(shù)為4，故答案為B。8、D【分析】【分析】

分子晶體：有較低的熔沸點(diǎn)；較小的硬度，固態(tài)或熔融狀態(tài)下都不導(dǎo)電；原子晶體：熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高，硬度大，一般不導(dǎo)電，難溶于常見(jiàn)的溶劑；金屬晶體：具有導(dǎo)電性，導(dǎo)熱性，延展性，熔點(diǎn)與金屬鍵有關(guān)；離子晶體：熔沸點(diǎn)較高，硬而脆；根據(jù)以上各種晶體的物理性質(zhì)分析判斷。

【詳解】

A.固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電；有可能是分子晶體也有可能是原子晶體，A項(xiàng)錯(cuò)誤；

B.硬而脆是離子晶體的特點(diǎn)；B項(xiàng)錯(cuò)誤；

C.分子晶體；原子晶體和離子晶體均沒(méi)有延展性；C項(xiàng)錯(cuò)誤；

D.只有原子晶體具有空間網(wǎng)狀的微觀結(jié)構(gòu)；D項(xiàng)正確；

答案選D。

【點(diǎn)睛】

解答本題時(shí)要熟練掌握四種晶體之間的差別，將四種晶體類型性質(zhì)進(jìn)行比較后進(jìn)行記憶。分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成微粒分子原子金屬陽(yáng)離子、自由電子陰、陽(yáng)離子粒子間的相互作用力范德華力(某些含氫鍵)共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑難溶于常見(jiàn)溶劑大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、導(dǎo)熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電9、C【分析】【詳解】

A.金剛石為原子晶體，C60為分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)一般低于原子晶體，故C60的熔點(diǎn)低于金剛石；與鍵長(zhǎng)沒(méi)有關(guān)系，A錯(cuò)誤；

B.CO2晶體中含CO2分子，是分子晶體，SiO2晶體中每個(gè)硅周圍連四個(gè)氧原子，每個(gè)氧原子連兩個(gè)硅原子，所以SiO2屬于原子晶體；B錯(cuò)誤；

C.從CH4、為正面體結(jié)構(gòu)，CC14與CH4相似，與相似，與相似，所以可推測(cè)CC14、也為正四面體結(jié)構(gòu)；C正確；

D.由于水分子間形成氫鍵，所以H2O常溫下為液態(tài)，而H2S分子間沒(méi)有氫鍵，所以H2S常溫下為氣態(tài)；D錯(cuò)誤。

答案選C。

【點(diǎn)睛】

當(dāng)同為原子晶體時(shí)，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高。二、多選題(共6題，共12分)10、AB【分析】【詳解】

A．由能量最低原理可知硅原子的電子排布式為1s22s22p63s23p2，當(dāng)變?yōu)?s22s22p63s13p3時(shí)；有1個(gè)3s電子躍遷到3p軌道上，3s軌道的能量低于3p軌道的能量，要發(fā)生躍遷，必須吸收能量，使電子能量增大，故A正確；

B．硅原子處于激發(fā)態(tài)時(shí)能量要高；處于基態(tài)能量變低，因而由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化成基態(tài)，電子能量減小，需要釋放能量，故B正確；

C．基態(tài)原子吸收能量變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)原子；所以激發(fā)態(tài)原子能量大于基態(tài)原子能量，故C錯(cuò)誤；

D．元素的性質(zhì)取決于價(jià)層電子，包括s、p軌道電子，硅原子的激化態(tài)為1s22s22p63s13p3，基態(tài)磷原子為1s22s22p63s23p3；則它們的價(jià)層電子數(shù)不同，性質(zhì)不同，故D錯(cuò)誤；

答案為AB。11、CD【分析】【分析】

X所在主族序數(shù)與所在周期序數(shù)之差為4，則為第2周期時(shí)，在ⅥA族，即X為O元素，或?yàn)榈?周期時(shí)，在ⅤⅡA族，即X為Cl元素；Y的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物，能電離出電子數(shù)相等的陰、陽(yáng)離子，則由NaOH═Na++OH-，所以Y為Na元素；Z的單質(zhì)是生活中常見(jiàn)物質(zhì)，其制品在潮濕空氣中易被腐蝕或損壞，則Z為Fe元素；W基態(tài)原子核外5個(gè)能級(jí)上有電子，且最后的能級(jí)上只有1個(gè)電子1s22s22p3；則W為Al，據(jù)此分析解答。

【詳解】

根據(jù)上述分析；X為O元素或Cl元素，Y為Na元素，Z為Fe元素，W為Al元素。

A．一般而言，電子層數(shù)越多，半徑越大，電子層數(shù)相同，原子序數(shù)越大，半徑越小，原子半徑：Y>W>X；故A正確；

B．鐵為26號(hào)元素，Z3+離子的最外層電子排布式為3s23p63d5；故B正確；

C．鈉的單質(zhì)在氧氣或氯氣中燃燒；所得生成物為過(guò)氧化鈉或氯化鈉，其中過(guò)氧化鈉的陰；陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:2，故C錯(cuò)誤；

D．W的單質(zhì)能溶于Y的最高價(jià)氧化物的水化物的水溶液中，2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2↑，該反應(yīng)的氧化劑為水，若反應(yīng)中轉(zhuǎn)移0.3mol電子，則消耗氧化劑H2O0.3mol；質(zhì)量為5.4g，故D錯(cuò)誤；

故選CD。

【點(diǎn)睛】

正確判斷元素是解題的關(guān)鍵。本題的難點(diǎn)為X的不確定性，易錯(cuò)點(diǎn)為D，要注意鋁與氫氧化鈉溶液的反應(yīng)中鋁為還原劑，水為氧化劑。12、BD【分析】【分析】

【詳解】

A．同一周期元素的非金屬性隨原子序數(shù)的增大而增大；同一主族元素的非金屬性隨原子序數(shù)的增大而減?。粍t元素的非金屬性：O＞N＞P。元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性就越大，故元素的電負(fù)性：O＞N＞P，A錯(cuò)誤；

B．元素的非金屬性越強(qiáng)；元素的原子半徑越小，與同一元素的原子形成的共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)就越短，其相應(yīng)的鍵能就越大，由于元素的原子半徑：O＜N，所以瑞德西韋中的O—H鍵的鍵能大于N—H鍵的鍵能，B正確；

C．在瑞德西韋中，形成3個(gè)共價(jià)鍵的N原子采用sp3雜化，含有C=N雙鍵的N原子則采用sp2雜化；C錯(cuò)誤；

D．共價(jià)單鍵都是σ鍵；共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵，一個(gè)是π鍵；在苯環(huán)及含有N原子的六元環(huán)中含大π鍵，根據(jù)瑞德西韋結(jié)構(gòu)可知其中含有共價(jià)單鍵；雙鍵和苯環(huán)等六元環(huán)，故分子中存在σ鍵、π鍵和大π鍵，D正確；

故合理選項(xiàng)是BD。13、AC【分析】【分析】

利用孤電子對(duì)數(shù)=(a-bx)進(jìn)行計(jì)算。

【詳解】

A．H3O+的中心氧原子孤電子對(duì)數(shù)=(6-1-1×3)=1，A符合題意；B．SiH4的中心Si原子孤電子對(duì)數(shù)=(4-1×4)=0，B與題意不符；C．PH3的中心P原子孤電子對(duì)數(shù)=(5-1×3)=1，C符合題意；D．的中心S原子孤電子對(duì)數(shù)=(6+2-2×4)=0，D與題意不符；答案為AC。14、CD【分析】【詳解】

A.(CH3)4N+移向右室，HCO3-移向左室；陰離子移向陽(yáng)極，即a是電源正極，A正確；

B.HCO3-經(jīng)過(guò)M移向左室；M為陰離子交換膜，B正確；

C.中，(CH3)4N+的C、N原子均為雜化，但是，HCO3-中的C原子為雜化；C錯(cuò)誤；

D.通過(guò)1mol電子時(shí)，陰極室H+放電，2H++2e-=H2↑產(chǎn)生H2為0.5mol，陽(yáng)極室OH-放電，4OH--4e-=2H2O+O2↑，產(chǎn)生O2為0.25mol，同時(shí)，溶液中剩下的H+與HCO3-反應(yīng)還要產(chǎn)生二氧化碳；因此，產(chǎn)生的氣體大于0.75mol，體積大于16.8L(STP)氣體，D錯(cuò)誤。

答案選CD。15、BD【分析】【詳解】

A．原子晶體的熔點(diǎn)與構(gòu)成原子晶體的原子種類無(wú)關(guān)；與原子間的共價(jià)鍵鍵能有關(guān)，故A錯(cuò)誤；

B．構(gòu)成原子晶體的原子間的共價(jià)鍵鍵能越大；晶體的熔點(diǎn)越高，故B正確；

C．構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大；鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，鍵能越小，晶體的硬度越小，故C錯(cuò)誤；

D．構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大；鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，鍵能越小，晶體的硬度越小，故D正確；

故答案選：BD。三、填空題(共7題，共14分)16、略

【分析】【分析】

根據(jù)構(gòu)造原理；利用核外電子排布的三個(gè)原理：能量最低原理；泡利原理、洪特規(guī)則可對(duì)各項(xiàng)作出判斷。

【詳解】

①Ca的電子排布式為：1s22s22p63s23p64s2，失去4s能級(jí)上的2個(gè)電子變成具有稀有氣體電子層結(jié)構(gòu)的Ca2+：1s22s22p63s23p6；離子的電子排布式書(shū)寫(xiě)正確；

②②離子的電子排布違反了能量最低原理，能量：2p＜3p，F(xiàn)-核外電子排布應(yīng)表示為：1s22s22p6；

③P的3p能級(jí)上的3個(gè)電子沒(méi)有獨(dú)占1個(gè)軌道，違反了洪特規(guī)則，正確的電子排布圖為：

④Cr的價(jià)電子構(gòu)型應(yīng)為：3d54s1；3d軌道半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，此為洪特規(guī)則特例，所以④違反了洪特規(guī)則；

⑤Fe原子序數(shù)為26，電子排布式為：1s22s22p63s23p63d64s2；書(shū)寫(xiě)正確；

⑥Mg的電子排布式為：1s22s22p63s2，失去3s能級(jí)上的2個(gè)電子變成具有稀有氣體電子層結(jié)構(gòu)的Mg2+：1s22s22p6；離子的電子排布式書(shū)寫(xiě)正確；

⑦O電子排布圖2p能級(jí)的1個(gè)軌道上的一對(duì)電子自旋方向相同，違反了泡利原理，應(yīng)表示為：

總之；基態(tài)原子或離子的電子排布式(圖)正確的是①⑤⑥，違反能量最低原理的是②，違反洪特規(guī)則的是③④，違反泡利原理的是⑦。答案為：①⑤⑥；②；③④；⑦。

【點(diǎn)睛】

1．能量最低原理：原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)；

2．泡利原理：在一個(gè)原子軌道里；最多只能容納2個(gè)電子，而且它們的自旋方向相反；

3．洪特規(guī)則：當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，而且自旋方向相同。洪特規(guī)則特例：能量相等的軌道在全滿(p6、d10、f14)、半滿(p3、d5、f7)和全空(p°、d°、f°)狀態(tài)比較穩(wěn)定?！窘馕觥竣?①⑤⑥②.②③.③④④.⑦17、略

【分析】【分析】

“3s”中“3”表示能層，“s”表示能級(jí)；“3s2”表示某電子層的某種s能級(jí)上有兩個(gè)電子；據(jù)此分析解答。

【詳解】

“3s”中“3”表示能層，“s”表示能級(jí)，所以“3s”表示軌道名稱；“3s2”表示第三電子層的s能級(jí)上有兩個(gè)電子，所以“3s2”表示該軌道的電子排布，故答案為：“3s”表示軌道(或能級(jí))名稱，“3s2”表示該軌道的電子排布?！窘馕觥俊?s”表示軌道（或能級(jí)）名稱，“3s2”表示該軌道的電子排布18、略

【分析】【分析】

(1)硅原子序數(shù)為14；按相關(guān)知識(shí)點(diǎn)填空即可；

(2)按N和Cu的原子核外電子排布式回答；

(3)按原子半徑規(guī)律；電負(fù)性規(guī)律填寫(xiě)；熔點(diǎn)按原子晶體中影響熔點(diǎn)的因素填寫(xiě)，沸點(diǎn)按分子晶體中影響沸點(diǎn)的規(guī)律填寫(xiě)；

【詳解】

(1)硅原子序數(shù)為14；核外14個(gè)電子，分3層排布，最外層4個(gè)電子，則硅位于元素周期表第三周期第IVA族；

答案為：三；IVA；

(2)N和Cu的原子序數(shù)分別為7和29，N原子核外電子排布式為1s22s22p3，銅原子外圍電子構(gòu)型為3d34s1；則銅原子最外層有1個(gè)電子；

答案為：1s22s22p3；1；

(3)Al和Si同周期，原子序數(shù)大者原子半徑小，故原子半徑Al＞Si；氮和氧是同周期非金屬元素，原子序數(shù)大者電負(fù)性大，故電負(fù)性N＜O；金剛石和晶體硅都是原子晶體，原子晶體中熔點(diǎn)由共價(jià)鍵牢固程度決定，碳碳單鍵比硅硅單鍵牢固，故熔點(diǎn)：金剛石＞硅晶體，CH4和SiH4都是分子晶體，沸點(diǎn)由分子間作用力決定，CH4和SiH4組成結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量大者分子間作用力大，則沸點(diǎn)高，故沸點(diǎn)：CH4＜SiH4；

答案為：>；<；>；<?！窘馕觥竣?三②.IVA③.1s22s22p3④.1個(gè)⑤.)>⑥.<⑦.>⑧.<19、略

【解析】小于HCl>Br>IF>Cl>Br>I20、略

【分析】【分析】

首先計(jì)算各微粒的雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)；再判斷雜化類型和微粒的構(gòu)型來(lái)解答(1)；(2)和(3)；

(4)原子總數(shù)相同；價(jià)電子總數(shù)也相同的微粒；互稱為等電子體，據(jù)此分析判斷。

【詳解】

①CH4中C原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=4+0=4，所以采取sp3雜化；空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)；

②CH2=CH2中C原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=3+0=3，所以采取sp2雜化；空間構(gòu)型為平面形分子；

③CH≡CH中C原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=2+0=2；所以采取sp雜化，空間構(gòu)型為直線形分子；

④NH3中N原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=3+1=4，所以采取sp3雜化；空間構(gòu)型為三角錐形分子；

⑤NH4+中N原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=3+1=4，所以采取sp3雜化；空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)；

⑥BF3中B原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=3+0=3，所以采取sp2雜化；空間構(gòu)型為平面三角形分子；

⑦P4中P原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=3+1=4，所以采取sp3雜化；空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)；

⑧H2O中O原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=2+2=4，所以采取sp3雜化；空間構(gòu)型為V形分子；

⑨H2O2中O原子雜化軌道數(shù)=δ鍵數(shù)+孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=2+2=4，所以采取sp3雜化；空間構(gòu)型為二面角結(jié)構(gòu)，兩個(gè)H原子猶如在半展開(kāi)的書(shū)的兩面紙上并有一定夾角；

(1)根據(jù)上述分析；呈正四面體的有①⑤⑦，故答案為①⑤⑦；

(2)根據(jù)上述分析，中心原子軌道為sp3雜化的有①④⑤⑦⑧⑨；中心原子軌道為sp2雜化的是②⑥；為sp雜化的是③；故答案為①④⑤⑦⑧⑨；②⑥；③；

(3)①CH4是正四面體結(jié)構(gòu)；所有原子不共面也不共線；

②C2H4是平面形分子；所有原子共平面而不共線；

③CH≡CH是直線形分子；所有原子共平面也共線；

④NH3是三角錐形分子；所有原子不共面也不共線；

⑤NH4+是正四面體結(jié)構(gòu)；所有原子不共面也不共線；

⑥BF3是平面三角形分子；所有原子共平面而不共線；

⑦P4是正四面體結(jié)構(gòu)；所有原子不共面也不共線；

⑧H2O是V形分子；所有原子共平面而不共線；

⑨H2O2的空間構(gòu)型是二面角結(jié)構(gòu)；兩個(gè)H原子猶如在半展開(kāi)的書(shū)的兩面紙上并有一定夾角，所有原子不共面也不共線；

所有原子共平面(含共直線)的是②③⑥⑧；共直線的是③，故答案為②③⑥⑧；③；

(4)①CH4⑤NH4+的原子數(shù)都為5，核外電子數(shù)都是10，屬于等電子體，故答案為①⑤。【解析】①⑤⑦①④⑤⑦⑧⑨②⑥③②③⑥⑧③①⑤21、略

【分析】【詳解】

(1)、氯原子的核電荷數(shù)為17，其電子排布式為1s22s22p63s23p5；

(2)；周期元素隨核電荷數(shù)依次增大；原子半徑逐漸變小，故結(jié)合1個(gè)電子釋放出的能量依次增大，氮原子的2p軌道為半充滿狀態(tài)，具有穩(wěn)定性；

故答案為同周期元素隨核電荷數(shù)增大，原子半徑逐漸變小，故結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量(E1)依次增大；N原子的2p軌道為半充滿狀態(tài)；具有穩(wěn)定性，故不易結(jié)合一個(gè)電子；

(3)①H3O＋中價(jià)層電子對(duì)數(shù)都是3且含有一對(duì)孤電子對(duì)，所以為三角錐形結(jié)構(gòu)，中心原子的雜化類型為sp3雜化，NH中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且不含孤電子對(duì)；其空間構(gòu)型為正四面體；

②3[H3ON5]·3[NH4N5]·NH4Cl中陰離子N中的σ鍵總數(shù)為5個(gè)，根據(jù)已知信息，N中參與形成大π鍵的原子數(shù)為5，形成大π鍵的電子數(shù)為6，所以N中的大π鍵表示為Π

③圖(b)中虛線代表氫鍵，其中表示式為(NH)N—HCl、(H3O＋)O—HN(N)、(NH)N—HN(N)；

故答案為sp3雜化；正四面體；5；Π(H3O＋)O—HN(N)；(NH)N—HN(N)?！窘馕觥?s22s22p63s23p5同周期元素隨核電荷數(shù)增大，原子半徑逐漸變小，故結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量(E1)依次增大N原子的2p軌道為半充滿狀態(tài)，具有穩(wěn)定性，故不易結(jié)合一個(gè)電子sp3雜化正四面體5Π(H3O＋)O—HN(N)(NH)N—HN(N)22、略

【分析】【分析】

（1）根據(jù)構(gòu)造原理寫(xiě)出核外電子排布式，判斷出最高能級(jí)的形狀，與Ti同周期的所有過(guò)渡元素的基態(tài)原子中，最外層電子數(shù)與鈦不同，結(jié)合構(gòu)造原理與洪特規(guī)則特例，符合條件元素原子的價(jià)電子排布為3d54s1、3d104s1；

（2）價(jià)電子排布為全滿或半滿時(shí)；處于穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，此時(shí)電離能將增大；

（3）C原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以等效替換為N原子，N原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以替換為O原子，S原子可以用氧原子替換，與SCN-互為等電子體的一種微粒為：N2O、CO2、CS2、OCN-（任意一種）；從氫鍵的角度分析沸點(diǎn)的高低。

（4）由結(jié)構(gòu)圖可知，黑色球?yàn)锳s、白色球?yàn)镾，分子中As原子形成3個(gè)σ鍵、還含有1對(duì)孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為3+1=4，故As雜化方式為sp3雜化；

（5）計(jì)算出晶胞中C22-數(shù)目，每個(gè)C22-中含2個(gè)π鍵；

（6）根據(jù)圖示，Zn原子處于晶胞的頂點(diǎn)與面心，晶胞中Zn原子形成正四面體結(jié)構(gòu)有8個(gè)，其中4個(gè)正四面體中心填充Se原子，正四面體空隙的填充率為50%；V===N可以從晶胞構(gòu)型中計(jì)算出N=4，NA；M、ρ均為已知；代入公式可以得到體積，晶胞參數(shù)等于體積的三次開(kāi)方。

【詳解】

（1）基態(tài)Ti原子的核外電子排布式為[Ar]3d24s2，最高能層電子為4s能級(jí)，電子云輪廓圖形為球形；與Ti同周期的所有過(guò)渡元素的基態(tài)原子中，最外層電子數(shù)與鈦不同，結(jié)合構(gòu)造原理與洪特規(guī)則特例，符合條件元素原子的價(jià)電子排布為3d54s1、3d104s1；故有2種；

故答案為：球形；2；

（2）由Fe2+變?yōu)镕e3+體現(xiàn)Fe的第三電離能，即價(jià)電子由3d6變?yōu)?d5；當(dāng)從3d5狀態(tài)再失去一個(gè)電子時(shí)，體現(xiàn)第四電離能，因3d5為半充滿狀態(tài)；較為穩(wěn)定，故第四電離能大于第三電離能；

故答案為：Fe3+的3d能級(jí)半充滿；結(jié)構(gòu)穩(wěn)定；

（3）①C原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以等效替換為N原子，N原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以替換為O原子，S原子可以用氧原子替換，與SCN-互為等電子體的一種微粒為：N2O、CO2、CS2、OCN-（任意一種）；

故答案為：或

②異硫氰酸分子間含有氫鍵；故異硫氰酸的沸點(diǎn)比硫氰酸沸點(diǎn)高；

故答案為：異硫氰酸分子間存在氫鍵；

（4）由結(jié)構(gòu)圖可知，黑色球?yàn)锳s、白色球?yàn)镾，分子中As原子形成3個(gè)σ鍵、還含有1對(duì)孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為3+1=4，故As雜化方式為sp3雜化；

故答案為：sp3雜化；

（5）晶胞中C22-數(shù)目為：12×+1=4，每個(gè)C22-中含2個(gè)π鍵；一個(gè)晶胞含有平均有π鍵數(shù)目為：2×4=8；

故答案為：8；

（6）晶胞中Se、Zn原子數(shù)目之比為1：1，Zn原子處于晶胞的頂點(diǎn)與面心，Se原子與周圍的4個(gè)Zn原子形成正四面體構(gòu)型，Se處于正四面體的中心，X，Y都代表Zn；晶胞中Zn原子形成正四面體結(jié)構(gòu)有8個(gè)，其中4個(gè)正四面體中心填充Se原子，正四面體空隙的填充率為50%；晶胞中Zn原子數(shù)目為：8×+6×=4、Se原子數(shù)目為4，晶胞中各微?？傎|(zhì)量為：g，晶胞體積為：晶胞參數(shù)a=cm=nm；

故答案為：正四面體；

【點(diǎn)睛】

熟練1-36號(hào)元素的核外電子排布式，半充滿，全充滿的狀態(tài)導(dǎo)致電離能反常?！窘馕觥壳蛐?的3d能級(jí)半充滿，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定或異硫氰酸分子間存在氫鍵雜化正四面體四、工業(yè)流程題(共1題，共5分)23、略

【分析】【分析】

廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在，加入硫化鈉生成As2S3沉淀，為防止As2S3與硫離子反應(yīng)再次溶解，所以再加入硫酸亞鐵除去過(guò)量的硫離子，過(guò)濾得到As2S3和FeS，濾液中加入過(guò)氧化氫將亞砷酸氧化成砷酸，亞鐵離子氧化成鐵離子，再加入CaO沉淀砷酸根、鐵離子、硫酸根，得到Ca2(AsO4)2、FeAsO4、Fe(OH)3、CaSO4沉淀和低濃度含砷廢水。

【詳解】

(1)As元素為33號(hào)元素，與N元素同主族，位于第四周期第VA族；AsH3和氨氣分子結(jié)構(gòu)相同為共價(jià)化合物，砷原子和三個(gè)氫原子形成三個(gè)As-H鍵，電子式為：

(2)a．同周期主族元素自左而右非金屬性增強(qiáng)，最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性增強(qiáng)，同主族自上而下非金屬性減弱，最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性減弱，酸性：H2SO4＞H3PO4＞H3AsO4；故a正確；

b．同周期主族元素自左而右原子半徑減小，同主族自上而下原子半徑依次增大，原子半徑：As＞P＞S，故b錯(cuò)誤；

c．同主族元素自上而下第一電離能減小，P和S同周期，但是P原子3p能級(jí)為半滿狀態(tài)，更穩(wěn)定，第一電離能更大，所以第一電離能P>S>As；故c錯(cuò)誤；

綜上所述選a；

(3)根據(jù)分析可知沉淀為微溶物CaSO4；

(4)As2S3與過(guò)量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)，所以需要加入FeSO4除去過(guò)量的硫離子；使平衡逆向移動(dòng)，一級(jí)沉砷更完全；

(5)含砷物質(zhì)物質(zhì)為H3AsO3，加入過(guò)氧化氫可以將其氧化成H3AsO4，根據(jù)電子守恒和元素守恒可得化學(xué)方程式為H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O；

(6)根據(jù)題意可知FeS2被O2氧化生成Fe(OH)3、根據(jù)元素守恒可知反應(yīng)物應(yīng)該還有H2O，F(xiàn)eS2整體化合價(jià)升高15價(jià)，一個(gè)O2降低4價(jià)，所以二者的系數(shù)比為4:15，再根據(jù)元素守恒可得離子方程式為4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+。

【點(diǎn)睛】

同一周期元素的第一電離能在總體增大的趨勢(shì)中有些曲折，當(dāng)外圍電子在能量相等的軌道上形成全空、半滿或全滿結(jié)構(gòu)時(shí)，原子的能量較低，元素的第一電離能大于相鄰元素?！窘馕觥康谒闹芷诘赩A族aCaSO4沉淀過(guò)量的S2-，使As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)平衡逆向移動(dòng)，使一級(jí)沉砷更完全H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+五、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共3題，共27分)24、略

【分析】【詳解】

本題考查過(guò)渡元素Cu及其化合物的結(jié)構(gòu)；電子排布、雜化軌道、晶體結(jié)構(gòu)等物質(zhì)結(jié)構(gòu)的有關(guān)知識(shí)點(diǎn)。根據(jù)Cu的原子結(jié)構(gòu)和電子排布規(guī)律、雜化軌道及分子構(gòu)型的知識(shí)和晶體的類型以及晶包有關(guān)知識(shí)來(lái)解答此題。

（1）基態(tài)Cu原子核外有29個(gè)電子，外圍電子排布式為3d104s1，全充滿結(jié)構(gòu)，穩(wěn)定。簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d104S1

（2）同周期主族元素從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，第ⅡA族和第ⅤA族元素反常，N原子外圍電子排布為2s22p3，為半充滿結(jié)構(gòu)，較穩(wěn)定，N的電離能最大，C、N、O的第一電離能由大到小的順序?yàn)镹＞O＞C。氮原子有4個(gè)雜化軌道，所以為SP3雜化。

（3）N2的結(jié)構(gòu)式為N≡N,含1個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵，所以σ鍵和π鍵數(shù)目比為1:2，N2O與CO2互為等電子體，且N2O分子中O只與一個(gè)N相連，則N2O結(jié)構(gòu)與CO2相似，所以其結(jié)構(gòu)為N=Ｎ=Ｏ，電子式為

（4）甲醛分子中，碳原子為ｓｐ２雜化，分子成平面三角型，鍵角約120°，由于氧原子有孤電子對(duì)，對(duì)氫原子有排斥作用，所以ＯＣＨ鍵角會(huì)稍大于120°，羰基氧有很強(qiáng)的電負(fù)性，與H2O中H有較強(qiáng)的靜電吸引力，而形成氫鍵。

（5）由圖