半導(dǎo)體單晶硅生長用石英坩堝團體標準

2半導(dǎo)體單晶硅生長用石英坩堝本文件界定了半導(dǎo)體單晶硅生長用石英坩堝的術(shù)語和定義，并規(guī)定了尺寸偏差、技術(shù)要求GB/T2828.1-2012計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限GB/T3284-2015石英玻璃化學(xué)成分分析T/CEMIA004-2018光伏單晶硅生長用石英石英坩堝內(nèi)表面的外來污染物質(zhì)，如灰塵、水印、指紋、油膜、噴濺物以及其他污染4規(guī)格尺寸4.1石英坩堝外形及表示W(wǎng)3——r角與壁部交接處壁厚；W4——r角中心處壁厚；Ci——內(nèi)倒角；按石英坩堝外徑不同分為兩種：D≤22英寸、D65.1尺寸偏差rR5.2外觀質(zhì)量Φ>1.5Φ>2.50.5<Φ≤1.51.5<Φ≤2.50.5<Φ≤1.5Φ>2.5Φ>2.52.0<Φ≤2.52.0<Φ≤2.51.5<Φ≤2.01.5<Φ≤2.070.5<Φ≤1.50.5<Φ≤1.5Φ>2.5Φ>2.52.0<Φ≤2.52.0<Φ≤2.51.5<Φ≤2.01.5<Φ≤2.01.0<Φ≤1.51.0<Φ≤1.50.5<Φ≤1.00.5<Φ≤1.0Φ>2.5Φ>3.02.0<Φ≤2.52.0<Φ≤3.01.0<Φ≤2.01.0<Φ≤2.0面積范圍在Φ>3.01.0<Φ≤3.0Φ>2.0Φ>5.03.0<Φ≤5.01.0<Φ≤3.085.2.2微氣泡5.3物理化學(xué)性能位置元素名稱KPB9同一橫截面上最大與最小直徑之差，取其中的大數(shù)為圓平臺與石英坩堝外表面底部中心的高度，即為石英坩堝高度。每隔120度測量一組直徑方向的高度值。最大高度與標稱高度之差為高度上偏差，最小高度與標稱尺寸之差為高度下偏量位置（W1-W5），每個位置測量180度分布的兩個點。最大透明層厚度與標稱透明厚度上偏差，最小透明層厚度與標稱透明層厚度之差為透明層厚度缺陷尺寸采用分度值不大于0.02mm的游標卡尺進行測量。b)將鏡頭對準一個測量點，進行對焦，完成對焦的測量點為零點；P——微氣泡密度,單位為個每平米毫米；S——與A對應(yīng)的面積之和,單位為平米毫米。從石英坩堝直壁上切取50mm×50mm原壁厚試樣三塊，試樣切口處用碳化硅（W10）磨平，不能有缺凈，操作過程中不得直接觸摸樣品。試樣于1500℃±10℃下恒溫6小時，冷卻至室的石英半管，并使試樣與石英半管接觸面積最小，放入高溫爐中，于1500℃±10℃下恒溫1小時，置高r——高溫變形率；ΔH——測量試樣的拱高變化值。按GB/T2828.1-2012中規(guī)定的特殊檢驗水平S-1，AQL為0.65，正常檢驗一次技術(shù)要求試驗方法出廠檢驗型式檢驗● ● ●——●—●●—●—●—●——● ● ●每個包裝箱外應(yīng)標明“防潮、朝上、小心輕放/易碎、堆碼層數(shù)”等字樣或圖形標識以及產(chǎn)品