《再生水利用 電子級水水源》

ICS

CCS點(diǎn)擊此處添加CCS號

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CSESXXXX—XXXX

再生水利用電子級水水源

Guidelinesforwaterreuse-ElectronicGradeUltrapureWaterSource

（征求意見稿）

在提交反饋意見時(shí)，請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

中國環(huán)境科學(xué)學(xué)會??發(fā)布

T/CSESXXXX—XXXX

再生水利用電子級水水源

1范圍

本文件規(guī)定了用于電子級水水源的再生水用途分類及水質(zhì)、處理、安全和監(jiān)測要求。

本文件適用于作為電子級水水源的再生水，再生水水源包括：城鎮(zhèn)污水處理廠出水和企業(yè)內(nèi)循環(huán)水。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T5750.4生活飲用水標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)方法感官性狀和物理指標(biāo)

GB/T5750.12生活飲用水標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)方法微生物指標(biāo)

GB/T6276.1工業(yè)用碳酸氫銨總堿度的測定容量法

GB/T6920水質(zhì)pH值的測定玻璃電極法

GB/T7477水質(zhì)鈣和鎂總量的測定EDTA滴定法

GB/T7478水質(zhì)銨的測定蒸餾和滴定法

GB/T11446.6電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法

GB/T11446.7電子級水中痕量陰離子的離子色譜測試方法

GB/T11446.8電子級水中總有機(jī)碳的測試方法

GB/T11901水質(zhì)懸浮物的測定重量法

GB/T13200水質(zhì)濁度的測定比濁法

GB/T18204.2公共場所衛(wèi)生檢驗(yàn)方法第2部分：化學(xué)污染物

GB/T41016水回用導(dǎo)則再生水分級

HJ620水質(zhì)揮發(fā)性鹵代烴的測定頂空氣相色譜法

HJ776水質(zhì)32種元素的測定電感耦合等離子體發(fā)射光譜法

JJG376電導(dǎo)率儀檢定規(guī)程

ASTMD5127-13(2018)StandardGuideforUltra-PureWaterUsedintheElectronicsand

SemiconductorIndustries

ITRS（2015）InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors(ITRS)2015

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

再生水reclaimedwater

污水經(jīng)處理后，達(dá)到一定水質(zhì)要求，滿足某種使用功能，可以安全、有益使用的水。

[來源：GB/T41017-2021]

再生水廠

以污水或達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)GB8978或GB18918的污水處理廠出水為水源，生產(chǎn)和供給再生水的企業(yè)和

單位。

[來源：GB/T41016-2021]

再生水處理

1

T/CSESXXXX—XXXX

以生產(chǎn)再生水為目的，對達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)的污水廠出水進(jìn)一步凈化的過程。

[來源：T/CSES07-2020]

常規(guī)水源conventionalwatersource

用于制備生產(chǎn)用水的傳統(tǒng)水源，包括自來水、工業(yè)自來水、地下水和地表水。

電子工業(yè)

電子工業(yè)指電子專用材料、電子元件、印制電路板、半導(dǎo)體器件、顯示器件及光電子器件、電子中

斷產(chǎn)品等電子產(chǎn)品制造業(yè)。

[來源：GB39731-2020]

電子級水electronicgradewater

電子和半導(dǎo)體工藝過程中所用的高純水。

[來源：GB/T11446.1-2013]

電導(dǎo)率conductivity

度量水溶液導(dǎo)電的能力，等于電阻率的導(dǎo)數(shù)，其單位為S/cm或S/cm。

[來源：GB50685-2011]

μ

全硅

水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。

[來源：GB/T11446.6-2013]

總有機(jī)碳totalorganiccarbon；TOC

水中以各種有機(jī)物形式存在的碳的總量。包括易被一般強(qiáng)氧化劑氧化的有機(jī)物和需用特殊方法氧化

的有機(jī)物。

[來源：GB/T11446.8-2013]

反滲透reverseosmosis

在高于滲透壓差的壓力作用下，溶劑（如水）通過半透膜進(jìn)入膜的低壓側(cè)，而溶液中的其他組分（如

鹽）被阻擋在膜的高壓側(cè)并隨濃溶液排出，從而達(dá)到有效分離的過程。

[來源：GB/T20103-2006]

高級處理advancedtreatment

為滿足用戶特定要求，在三級處理的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步強(qiáng)化無機(jī)離子、微量有毒有害污染物和一般溶

解性有機(jī)污染物去除的水質(zhì)凈化過程。

[來源：GB/T41018-2021]

E-1電子級水TypeE-1electronicgradewater

用于0.5至1.0μm線寬電子和半導(dǎo)體工藝的電子級水。

[來源：ASTMD5127-13(2018)]

E-1.1電子級水TypeE-1.1electronicgradewater

用于0.25至0.35μm線寬電子和半導(dǎo)體工藝的電子級水。

[來源：ASTMD5127-13(2018)]

E-1.2電子級水TypeE-1.2electronicgradewater

用于0.09至0.18μm線寬電子和半導(dǎo)體工藝的電子級水。

[來源：ASTMD5127-13(2018)]

2

T/CSESXXXX—XXXX

E-1.3電子級水TypeE-1.3electronicgradewater

用于0.032至0.065μm線寬電子和半導(dǎo)體工藝的電子級水。

[來源：ASTMD5127-13(2018)]

E-2電子級水TypeE-2electronicgradewater

用于1.0至5.0μm線寬電子和半導(dǎo)體工藝的電子級水。

[來源：ASTMD5127-13(2018)]

E-3電子級水TypeE-3electronicgradewater

用于大于5.0μm線寬電子和半導(dǎo)體工藝的電子級水。

[來源：ASTMD5127-13(2018)]

E-4電子級水TypeE-4electronicgradewater

用于電子和半導(dǎo)體工藝中的電鍍?nèi)芤褐苽浼捌渌^程。

[來源：ASTMD5127-13(2018)]

4用途分類

根據(jù)水質(zhì)，將再生水分為EWS-1、EWS-2和EWS-3三類，各類再生水的用途見表1。

水質(zhì)達(dá)到相關(guān)要求時(shí)，再生水可用于相應(yīng)的電子級水水源。EWS-1再生水也可用于EWS-2和EWS-3

再生水對應(yīng)的電子級水水源。EWS-2再生水也可用于EWS-3再生水對應(yīng)的電子級水水源。

表1再生水分類

分類用途

0.007至0.028μm線寬電子和半導(dǎo)體工藝的電子級水水源。該電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ITRS

2015》的規(guī)定。1

EWS-1E-1.3電子級水水源。E-1.3電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ASTMD5127-13(2018)》的規(guī)定。2

E-1.2電子級水水源。E-1.2電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ASTMD5127-13(2018)》規(guī)定。2

E-1.1電子級水水源。E-1.1電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ASTMD5127-13(2018)》規(guī)定。2

EWS-2

E-1電子級水水源。E-1電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ASTMD5127-13(2018)》規(guī)定。2

E-2電子級水水源。E-2電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ASTMD5127-13(2018)》規(guī)定。2

EWS-3

E-3電子級水水源。E-3電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ASTMD5127-13(2018)》規(guī)定。2

3

T/CSESXXXX—XXXX

E-4電子級水水源。E-4電子級水水質(zhì)應(yīng)符合《ASTMD5127-13(2018)》規(guī)定。2

液晶面板工藝的電子級水水源。該電子級水水質(zhì)應(yīng)符合液晶面板工藝要求。3

注1：《ITRS2015》的全稱為《InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors(ITRS)2015》，

由半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation）發(fā)布，規(guī)定了0.007至0.028μm線寬電子

和半導(dǎo)體工藝電子級水的水質(zhì)。

注2：《ASTMD5127-13(2018)》的全稱為《ASTMD5127-13(2018)StandardGuideforUltra-PureWater

UsedintheElectronicsandSemiconductorIndustries》，由美國材料與試驗(yàn)協(xié)會（AmericanSociety

forTestingandMaterials）發(fā)布，規(guī)定了0.032μm及以上線寬電子和半導(dǎo)體工藝電子級水的水質(zhì)。

注3：液晶面板工藝的電子級水水質(zhì)可參照相同線寬的電子與半導(dǎo)體工藝的電子級水水質(zhì)。

5水質(zhì)控制項(xiàng)目及其限值

根據(jù)電子級水水質(zhì)的要求，將再生水的水質(zhì)控制項(xiàng)目分為基本水質(zhì)控制項(xiàng)目和參考水質(zhì)控制項(xiàng)目。

再生水基本水質(zhì)控制項(xiàng)目及其限值見表2，再生水參考水質(zhì)控制項(xiàng)目及其限值見表3。

表2基本水質(zhì)控制項(xiàng)目及其限值

序號項(xiàng)目EWS-1EWS-2EWS-3

1總有機(jī)碳（mg/L）<0.5<1.0<2.0

4尿素（μg/L）<10<15<40

5總?cè)u甲烷（μg/L）<20<20<80

2硼（mg/L）<0.1<0.3

3總硅（mg/L）<3<10

6電導(dǎo)率（μS/cm）<250

7總?cè)芙庑怨腆w（mg/L）<150

8氟離子（mg/L）<0.5

表3參考水質(zhì)控制項(xiàng)目及其限值

序號項(xiàng)目1再生水參考水質(zhì)指標(biāo)

1pH6.0-8.5

2濁度（NTU）<0.3

3懸浮顆粒物（mg/L）<1.0

4總硬度（以CaCO3計(jì)）（mg/L）<50

5氨氮（mg/L）<0.5

6亞硝酸氮（mg/L）<0.1

7硝酸鹽氮（mg/L）<10

8磷酸根（以P計(jì)）（mg/L）<0.5

4

T/CSESXXXX—XXXX

9氯離子（mg/L）<20

10硫酸根（mg/L）<45

11堿度（以CaCO3計(jì)）（mg/L）<30

12菌落總數(shù)（MPN/mL或CFU/mL）1<100

注1：再生水廠出水和末梢水中消毒劑限值、消毒劑余量均應(yīng)符合《生活飲用水衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》（GB5749）

的規(guī)定。

6再生水處理

再生水應(yīng)經(jīng)過反滲透處理，符合GB/T41018規(guī)定的A1級要求。

再生水經(jīng)過濾、離子交換樹脂、反滲透、脫氣膜、紫外線氧化等技術(shù)處理，制備成電子級水。電

子級水的制備流程、處理環(huán)節(jié)與技術(shù)示例見附錄A。

再生水符合表2水質(zhì)要求，但不符合表3水質(zhì)要求時(shí)，應(yīng)對再生水進(jìn)行高級處理，或?qū)⒃偕c

常規(guī)水源混合。高級處理技術(shù)選擇見附錄B。高級處理或混合后的再生水應(yīng)同時(shí)符合表2和表3水質(zhì)要

求。

電子級水的水質(zhì)限值低于表1所列電子級水的水質(zhì)要求時(shí)，應(yīng)對再生水進(jìn)行高級處理，降低基本

水質(zhì)控制項(xiàng)目和參考水質(zhì)控制項(xiàng)目的濃度。高級處理技術(shù)選擇見附錄B。

7安全與風(fēng)險(xiǎn)控制

應(yīng)將再生水補(bǔ)充進(jìn)入電子級水制備系統(tǒng)的取水池。

應(yīng)設(shè)置備用的電子級水水源，應(yīng)監(jiān)測取水池的再生水水量和水質(zhì)，保障電子級水制備的穩(wěn)定性和

可靠性。

應(yīng)在再生水管道和用水點(diǎn)的顯著位置設(shè)置“再生水”和“禁止飲用”標(biāo)識及說明。

應(yīng)制定措施管控再生水利用過程中的生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

應(yīng)制定全過程的水質(zhì)異常和突發(fā)事件應(yīng)對措施。

8取樣與監(jiān)測

取樣

再生水水質(zhì)監(jiān)測取樣點(diǎn)宜設(shè)在再生水廠供水管道末端或電子級水水源補(bǔ)水點(diǎn)。水樣應(yīng)為24h混合樣，

至少每2h取樣一次，以日均值計(jì)。

監(jiān)測頻率

應(yīng)在線監(jiān)測電導(dǎo)率、總有機(jī)碳、二氧化硅，應(yīng)每周監(jiān)測氟離子、尿素、硼和總?cè)u甲烷1次。

監(jiān)測分析方法

水質(zhì)控制項(xiàng)目的監(jiān)測分析方法見表4，或按照國家認(rèn)定的替代方法或等效方法執(zhí)行。

表4水質(zhì)監(jiān)測方法

5

T/CSESXXXX—XXXX

序號監(jiān)測項(xiàng)目監(jiān)測方法依據(jù)

1總有機(jī)碳氧化和紅外線分析方法GB/T11446.8

2尿素分光光度法GB/T18204.2

3總?cè)u甲烷氣相色譜法HJ620

4硼電感耦合等離子體發(fā)射光譜法HJ776

5全硅分光光度法GB/T11446.6

6電導(dǎo)率便攜式電導(dǎo)率儀法JJG376

7總?cè)芙庑怨腆w重量法GB/T5750.4

8氟離子離子色譜法GB/T11446.7

9pH玻璃電極法GB/T6920

10濁度比濁法GB/T13200

11懸浮顆粒物重量法GB/T11901

12總硬度乙二胺四乙酸二鈉滴定法GB/T7477

13氨氮蒸餾和滴定法GB/T7478

14亞硝酸氮離子色譜法GB/T11446.7

15硝酸鹽氮離子色譜法GB/T11446.7

16磷酸根離子色譜法GB/T11446.7

17氯離子離子色譜法GB/T11446.7

18硫酸鹽離子色譜法GB/T11446.7

19總堿度容量法GB/T6276.1

20菌落總數(shù)平板計(jì)數(shù)法GB/T5750.12

6

T/CSESXXXX—XXXX

A

A

附錄A

（資料性）

電子級水制備流程及處理環(huán)節(jié)和處理技術(shù)

A.1電子級水的制備流程

A.2再生水作為水源時(shí)電子級水的制備環(huán)節(jié)與技術(shù)示例

再生水用途制備環(huán)節(jié)處理技術(shù)

預(yù)處理熱交換、多介質(zhì)過濾、酸化脫碳、活性炭過濾

兩級反滲透處理、陰離子樹脂交換、陰陽離子樹脂混床交換、紫外線氧化、

EWS-1精處理

陰陽離子拋光樹脂混床交換、脫氣

拋光處理紫外線氧化、熱交換、陰陽離子拋光樹脂混床交換、脫氣、超濾

預(yù)處理熱交換、多介質(zhì)過濾、酸化脫碳、活性炭過濾、小分子有機(jī)物去除裝置

兩級反滲透處理、陰離子樹脂交換、陰陽離子樹脂混床交換、紫外線氧化、

EWS-2精處理

陰陽離子拋光樹脂混床交換、脫氣

拋光處理紫外線氧化、熱交換、陰陽離子拋光樹脂混床交換、脫氣、超濾

預(yù)處理熱交換、多介質(zhì)過濾、酸化脫碳、活性炭過濾

EWS-3

兩級反滲透處理、陰離子樹脂交換、陰陽離子樹脂混床交換、紫外線氧化、

精處理

陰陽離子拋光樹脂混床交換

7

T/CSESXXXX—XXXX

B

B