標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 42968.4-2024 集成電路 電磁抗擾度測量 第4部分:射頻功率直接注入法》是關(guān)于集成電路在面對射頻干擾時(shí)的性能評估方法之一。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用射頻功率直接注入技術(shù)來測試集成電路對外部電磁場干擾抵抗能力的具體步驟和要求。射頻功率直接注入法通過將特定頻率范圍內(nèi)的射頻信號直接施加到被測設(shè)備或其連接線上,模擬實(shí)際環(huán)境中可能遇到的電磁干擾情況,以此評估集成電路的工作穩(wěn)定性和可靠性。
標(biāo)準(zhǔn)中明確了實(shí)驗(yàn)所需設(shè)備的基本配置要求,包括但不限于信號發(fā)生器、耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)以及監(jiān)測系統(tǒng)等,并對這些設(shè)備的技術(shù)參數(shù)提出了具體建議。此外,還定義了一系列關(guān)鍵測試參數(shù)如頻率范圍、注入電平、調(diào)制方式等,確保不同實(shí)驗(yàn)室間結(jié)果的一致性和可比性。
對于測試程序,《GB/T 42968.4-2024》給出了詳細(xì)的指導(dǎo),從樣品準(zhǔn)備到最終數(shù)據(jù)分析整個(gè)流程都有覆蓋。其中包括如何正確設(shè)置測試環(huán)境以避免不必要的外部干擾影響測試準(zhǔn)確性;如何選擇合適的耦合點(diǎn)進(jìn)行射頻信號注入;以及完成測試后如何記錄數(shù)據(jù)并分析集成電路的表現(xiàn)等方面的內(nèi)容。
該文件還強(qiáng)調(diào)了安全注意事項(xiàng),在執(zhí)行測試過程中需遵循相關(guān)安全規(guī)范,保護(hù)操作人員免受潛在危害。同時(shí),考慮到環(huán)境保護(hù)因素,也提到了處理廢棄物時(shí)應(yīng)遵守的原則。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2024-12-31 頒布
- 2024-12-31 實(shí)施
文檔簡介
ICS31200
CCSL.56
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T429684—2024/IEC62132-42006
.:
集成電路電磁抗擾度測量
第4部分射頻功率直接注入法
:
Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity—
Part4DirectRFowerinectionmethod
:pj
IEC62132-42006Interatedcircuits—Measurementofelectromanetic
(:,gg
immunit150kHzto1GHz—Part4DirectRFowerinectionmethodIDT
y:pj,)
2024-12-31發(fā)布2024-12-31實(shí)施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T429684—2024/IEC62132-42006
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
通則
4………………………1
測量原理
4.1……………1
單引腳功率直接注入法
4.2……………3
多引腳功率直接注入法
4.3……………3
試驗(yàn)條件
5…………………4
試驗(yàn)設(shè)備
6…………………4
通則
6.1…………………4
功率源
6.2RF……………4
功率計(jì)和定向耦合器
6.3RF……………4
試驗(yàn)布置
7…………………5
概述
7.1…………………5
功率注入布置
7.2………………………5
試驗(yàn)電路板
7.3…………………………5
功率注入布置的特性
7.4………………6
去耦網(wǎng)絡(luò)
7.5……………7
試驗(yàn)程序
8…………………7
通則
8.1…………………7
具體試驗(yàn)程序
8.2………………………7
試驗(yàn)報(bào)告
9…………………8
附錄資料性汽車應(yīng)用中抗擾度電平的示例
A()………9
附錄資料性最佳試驗(yàn)布置的安裝提示
B()RF………10
附錄資料性恒定峰值試驗(yàn)電平的說明
C()……………16
參考文獻(xiàn)
……………………17
Ⅰ
GB/T429684—2024/IEC62132-42006
.:
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分
GB/T429684。GB/T42968:
第部分通用條件和定義
———1:;
第部分輻射抗擾度測量小室和寬帶小室法
———2:TEMTEM;
第部分射頻功率直接注入法
———4:;
第部分輻射抗擾度測量帶狀線法
———8:IC。
本文件等同采用集成電路電磁抗擾度測量第部分射
IEC62132-4:2006《150kHz~1GHz4:
頻功率直接注入法
》。
本文件做了下列最小限度的編輯性改動
:
為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為集成電路電磁抗擾度測量第部分射頻功率直接
———,《4:
注入法
》。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC599)。
本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院南京容測檢測技術(shù)有限公司深圳市北測標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)
:、、
服務(wù)有限公司北京智芯微電子科技有限公司工業(yè)和信息化部電子第五研究所天津先進(jìn)技術(shù)研究院
、、、、
江蘇省質(zhì)量和標(biāo)準(zhǔn)化研究院上海市計(jì)量測試技術(shù)研究院蘇州菲利波電磁技術(shù)有限公司安徽省計(jì)量
、、、
科學(xué)研究院中國信息通信研究院深圳市銓興科技有限公司重慶郵電大學(xué)重慶仕益產(chǎn)品質(zhì)量檢測有
、、、、
限責(zé)任公司東莞職業(yè)技術(shù)學(xué)院上海精密計(jì)量測試研究所
、、。
本文件主要起草人張強(qiáng)崔強(qiáng)沈?qū)W其喬彥彬方文嘯吳建飛劉小軍王少啟付君楊博
:、、、、、、、、、、
李金龍崔培賓廉鵬飛史鎖蘭黃旭彪張紅升劉洋鮑晶晶
、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T429684—2024/IEC62132-42006
.:
引言
為規(guī)范集成電路電磁抗擾度測量以及為集成電路制造商和檢測機(jī)構(gòu)提供不同的電磁抗擾度測量
,
方法規(guī)定了集成電路電磁抗擾度測量的通用條件定義和不同測量方法的試驗(yàn)程序和試
,GB/T42968、
驗(yàn)要求擬由個(gè)部分構(gòu)成
,7。
第部分通用條件和定義目的在于規(guī)定集成電路電磁抗擾度測量的通用條件和定義
———1:。。
第部分輻射抗擾度測量小室和寬帶小室法目的在于規(guī)定小室和寬
———2:TEMTEM。TEM
帶小室法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求
TEM。
第部分大電流注入法目的在于規(guī)定大電流注入法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求
———3:(BCI)。。
第部分射頻功率直接注入法目的在于規(guī)定射頻功率直接注入法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求
———4:。。
第部分工作臺法拉第籠法目的在于規(guī)定工作臺法拉第籠法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求
———5:。。
第部分輻射抗擾度測量帶狀線法目的在于規(guī)定帶狀線法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求
———8:IC。。
第部分輻射抗擾度測量表面掃描法目的在于規(guī)定表面掃描法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求
———9:。。
Ⅳ
GB/T429684—2024/IEC62132-42006
.:
集成電路電磁抗擾度測量
第4部分射頻功率直接注入法
:
1范圍
本文件規(guī)定了在傳導(dǎo)射頻騷擾存在的情況下集成電路抗擾度的測量方法例如由輻射
(RF)(IC),,
騷擾引起的傳導(dǎo)騷擾本方法確??箶_度測量的高度可重復(fù)性和相關(guān)性
RFRF。。
本文件為設(shè)備中的半導(dǎo)體器件在無用電磁波環(huán)境下工作時(shí)的評估建立公共基礎(chǔ)
RF。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
集成電路電磁發(fā)射測量第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法
IEC61967-44:1Ω/150Ω(In-
tegratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—Part4:Measurementofconducted
emissions—1Ω/150Ωdirectcouplingmethod)
注集成電路電磁發(fā)射測量第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法
:GB/T44937.4—20244:1Ω/150Ω
(IEC61967-4:2021,IDT)
集成電路電磁抗擾度測量第部分通用條件和定義
IEC62132-11:(Integratedcircuits—
Measurementofelectromagneticimmunity—Part1:Generalconditionsanddefinitions)
注集成電路電磁抗擾度測量第部分通用條件和定義
:GB/T42968.1—20231:(IEC62132-1:2015,IDT)
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
IEC62132-1。
4通則
41測量原理
.
所需的最小電磁抗擾度電平取決于電子系統(tǒng)所能發(fā)射的最大騷擾電平抗擾度電平的值
ICRF。
由系統(tǒng)和實(shí)際應(yīng)用的具體參數(shù)確定為了確定的抗擾度性能保證較高的可重復(fù)性要求測量程序
。IC,,
簡便以及測量布置能夠避免諧振下面給出了本試驗(yàn)的基本要求
,。
溫馨提示
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