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文檔簡(jiǎn)介

第四章場(chǎng)效應(yīng)管放大電路結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(MESFET)

JFET的結(jié)構(gòu)和符號(hào)

N溝道JFET的偏置和工作原理

PN結(jié)反向偏置電壓控制器件只有一種載流子參與導(dǎo)電JFET的轉(zhuǎn)移特性

：飽和漏極電流：夾斷電壓JFET的交流小信號(hào)模型

：跨導(dǎo)(表征JFET的放大能力)：輸入電阻:輸出電阻低頻高頻JFET放大電路

JFET與BJT的對(duì)應(yīng)關(guān)系:

用JFET可組成共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路，但后兩者較少用。JFET共源放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)(Q點(diǎn))結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)共源放大電路

聯(lián)立(或圖解)可求出和JFET放大電路的主要指標(biāo)

1.電壓增益：2.輸入電阻：3.輸出電阻：場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比較場(chǎng)效應(yīng)管(FET)雙極型晶體管(BJT)電壓控制器件輸入阻抗高熱穩(wěn)定性好抗輻射能力強(qiáng)噪聲較小集成度高功耗較小制造工藝簡(jiǎn)單用于數(shù)字電路放大能力較差輸出功率較小電流控制器件輸入阻抗低熱穩(wěn)定性較差抗輻射能力差噪聲較大集成度較低功耗較大

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