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Pspice電路仿真第02講Spice語(yǔ)言(三)5子電路語(yǔ)句6模型語(yǔ)句5.子電路語(yǔ)句35.1子電路語(yǔ)句---定義.SUBCKTsubcircuit_namenode1node2...Elementstatements..........ENDSsubcircuit_name

在一個(gè)整體電路中如果多次用到某一個(gè)電路模塊,那么可以把該模塊電路定義為一個(gè)子電路,并且該子電路可以被重復(fù)使用,其語(yǔ)言為:定義的子電路以.SUBCKT開(kāi)頭,已.ENDS結(jié)尾,subcircuit_name為定義的子電路名稱(chēng),node1node2為定義的子電路向外引出的節(jié)點(diǎn),Elementstatements為定義的子電路內(nèi)部電路的元件描述語(yǔ)句。5.子電路語(yǔ)句45.2子電路語(yǔ)句---調(diào)用Xnamenode1node2...subcircuit_name

子電路調(diào)用的通用符號(hào)為X,子電路調(diào)用的語(yǔ)言為:Xname為調(diào)用后的子電路模塊名稱(chēng),node1node2...為調(diào)用后的子電路連接節(jié)點(diǎn),子電路定義節(jié)點(diǎn)與調(diào)用后的子電路節(jié)點(diǎn)一定要完全匹配,subcircuit_name為定義的子電路名稱(chēng)。子電路可以進(jìn)行嵌套,即子電路之間可以互相調(diào)用,但是嵌套不能循環(huán),即如果子電路A調(diào)用子電路B,則子電路B不允許再調(diào)用子電路A。5.子電路語(yǔ)句55.3子電路語(yǔ)句---示例R11kR23kR111kR123kR211kR223k23abefX1X2X3含多個(gè)相同子電路的電路…….SUBCKTparan1n2R1n1n21kR2n1n23k.endspara…………X123para……X2abpara……X3efpara6.模型語(yǔ)句66.1模型語(yǔ)句--定義.MODELmodel_namemodel_type[parameter_name=value]電阻、電容和電感元件,其參數(shù)都比較簡(jiǎn)單,在SPICE文件中編寫(xiě)這些元件時(shí)只需每次輸入?yún)?shù)就可以了。但是有些元件的參數(shù)是很多的,如二極、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管,如果對(duì)于某種型號(hào)的二極管,每用到一次都輸入?yún)?shù)是不現(xiàn)實(shí)的。.model語(yǔ)句將具體的參數(shù)填到某種器件模型的模板中,形成一個(gè)具體的器件,使用時(shí)只需調(diào)用這個(gè)器件就可以了,其語(yǔ)言為:其中,model_name為特定模型類(lèi)型的名稱(chēng),必須以字母開(kāi)頭,為避免混淆,開(kāi)頭字母最好為元件類(lèi)型代號(hào);model_type為元件模型類(lèi)型;parameter_name為相應(yīng)模型的參數(shù)名稱(chēng)。6.模型語(yǔ)句76.1模型語(yǔ)句--定義元件類(lèi)型模型類(lèi)型常用名稱(chēng)電阻RESRXXX電容CAPCXXX電感INDLXXX二極管DDXXXNPN晶體管NPNQXXXPNP晶體管PNPQXXX橫向PNP晶體管LPNPQXXXN溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NJFJXXXP溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PJFJXXXN溝道MOSFETNMOSMXXXP溝道MOSFETPMOSMXXXN溝道砷化鎵MOSFETGASFETBXXX非線性磁芯COREKXXX電壓控制開(kāi)關(guān)VSWITCHSXXX電流控制開(kāi)關(guān)ISWITCHWXXX元件類(lèi)型及相應(yīng)的模型類(lèi)型與常用名稱(chēng)6.模型語(yǔ)句8電阻1Rnamenode1node2model_nameR_value.MODELmodel_nameRES[parameter_name=value]6.2模型語(yǔ)句--常用元件的模型調(diào)用與定義模型參數(shù)含義描述默認(rèn)值R電阻因子1TC1線性溫度系數(shù)0TC2二次溫度系數(shù)0電阻的模型參數(shù)及其默認(rèn)值6.模型語(yǔ)句9電容2Cnamenode+node-model_nameC_value[IC].MODELmodel_nameCAP[parameter_name=value]6.2模型語(yǔ)句--常用元件的模型調(diào)用與定義模型參數(shù)含義描述默認(rèn)值C電容因子1TC1線性溫度系數(shù)0TC2二次溫度系數(shù)0VC1線性電壓系數(shù)0VC2二次電壓系數(shù)0電容的模型參數(shù)及其默認(rèn)值6.模型語(yǔ)句10電感3Lnamenode+node-model_nameL_value[IC].MODELmodel_nameIND[parameter_name=value]6.2模型語(yǔ)句--常用元件的模型調(diào)用與定義模型參數(shù)含義描述默認(rèn)值L電感因子1TC1線性溫度系數(shù)0TC2二次溫度系數(shù)0IL1線性電流系數(shù)0IL2二次電流系數(shù)0電感的模型參數(shù)及其默認(rèn)值6.模型語(yǔ)句11二極管4Dnameanodecathodemodel_name[area_value].MODELmodel_nameD[parameter_name=value]6.2模型語(yǔ)句--常用元件的模型調(diào)用與定義模型參數(shù)含義描述默認(rèn)值IS反向飽和電流1E-14BV反向擊穿電壓∞VJPN結(jié)電勢(shì)1二極管的模型參數(shù)及其默認(rèn)值見(jiàn)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)手冊(cè)

其中,anode表示陽(yáng)極節(jié)點(diǎn),cathode表示陰極節(jié)點(diǎn),area_value表示二極管的并聯(lián)數(shù)量。部分參數(shù)6.模型語(yǔ)句12三極管5QnameCBEmodel_name[area_value].MODELmodel_nametransistor_type[parameter_name=value]6.2模型語(yǔ)句--常用元件的模型調(diào)用與定義模型參數(shù)含義描述默認(rèn)值ISPN結(jié)反向飽和電流1E-16BF理想正向電流放大倍數(shù)100VJE基極-發(fā)射極內(nèi)建電勢(shì)0.75三極管的模型參數(shù)及其默認(rèn)值見(jiàn)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)手冊(cè)

其中,C表示集電極節(jié)點(diǎn),B表示基極節(jié)點(diǎn),E表示發(fā)射極節(jié)點(diǎn),area_value表示三極管的并聯(lián)數(shù)量。部分參數(shù)6.模型語(yǔ)句13場(chǎng)效應(yīng)晶體管6MnameDGSBmodel_name[device_parameters].MODELmodel_nametransistor_type[parameter_name=value]6.2模型語(yǔ)句--常用元件的模型調(diào)用與定義模型參數(shù)含義描述默認(rèn)值LEVEL模型類(lèi)型(1、2、3、4、5)1L溝道長(zhǎng)度

W溝道寬度

VTO無(wú)體效應(yīng)閾值電壓0場(chǎng)效應(yīng)晶體管的模型參數(shù)及其默認(rèn)值見(jiàn)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)手冊(cè)其中,D表示漏極節(jié)點(diǎn),G表示柵極節(jié)點(diǎn),S表示源極節(jié)點(diǎn),B表示襯底節(jié)點(diǎn),device_parameters表示場(chǎng)效應(yīng)晶體管的模型參數(shù),主要包括L、W。部分參數(shù)6.模型語(yǔ)句146.3模型語(yǔ)句--示例.model1N4148

D(IS=0.1PA,RS=16CJO=2PFTT=12NBV=100+IBV=0.1PA)**D1121N4148…………D20ab1N4148……12abD11N4148D201N4148含1N4148二極管的電路6.模型語(yǔ)句156.3模型語(yǔ)句--示例Drawtheoutputcurveof2N2222a.model2N2222a

NPN(Level=1IS=3.0611e-014BF=220NF=1.00124VAF=104IKF=0.52+ISE=7.5e-015NE=1.41BR=4NR=1.005VAR=28IKR=0.24+ISC=1.06525e-011NC=1.3728RB=0.13RE=0.22RC=0.12+CJE=2.701e-011TF=3.25

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