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…………○…………內…………○…………裝…………○…………內…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁,總=sectionpages22頁第=page11頁,總=sectionpages11頁2024年浙教版選修3化學上冊月考試卷900考試試卷考試范圍:全部知識點;考試時間:120分鐘學校:______姓名:______班級:______考號:______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共9題,共18分)1、下列有關化學用語的表述正確的是()A.次氯酸的電子式:B.基態(tài)銅原子的外圍電子排布圖:C.Se的簡化電子排布式:[Ar]3d104s24p4D.F-的結構示意圖:2、第三周期,基態(tài)原子的第一電離能處于Al、P之間的元素有A.1種B.2種C.3種D.4種3、下列分子或離子中,空間構型是平面三角形的是A.B.C.D.4、與鹵素單質化學性質相似的物質稱為擬鹵素或類鹵素,如氰氣,它的結構式為N≡C—C≡N,下列說法不正確的是()A.其中叁鍵的鍵長比單鍵要短B.分子中含3個σ鍵和4個π鍵C.分子構型為直線形D.可以發(fā)生加成反應,但不能與氫氧化鈉溶液反應5、CH3COOH分子中—CH3及—COOH中碳原子的雜化類型分別是()A.sp3、sp2B.sp3、spC.sp2、spD.sp2、sp36、氯化硼的熔點為-107℃,沸點為12.5℃,其分子中鍵與鍵之間的夾角為120°,它能水解,有關敘述不正確的是A.氯化硼液態(tài)時能導電而固態(tài)時不導電B.硼原子以sp2雜化C.氯化硼分子呈正三角形,屬非極性分子D.氯化硼遇水蒸氣會產生白霧7、已知干冰晶胞屬于面心立方最密堆積,晶胞中相鄰最近的兩個CO2分子間距為apm,阿伏加德羅常數(shù)為NA,下列說法正確的是A.晶胞中一個CO2分子的配位數(shù)是8B.晶胞的密度表達式是g·cm-3C.一個晶胞中平均含6個CO2分子D.CO2分子的立體構型是直線形,中心C原子的雜化類型是sp3雜化8、羰基硫(COS)是一種有臭雞蛋氣味的無色氣體,分子結構與CO2相似,高溫下分解為CO和S。下列有關說法正確的是()A.COS、CO、CO2、S四種物質的晶體類型相同B.COS高溫分解時,碳元素化合價升高C.COS分子是非極性分子D.22.4LCOS中約含有3′6.02′1023個原子9、已知:SiCl4的分子結構與CCl4相似,下列說法不正確的是A.SiCl4的分子是由極性鍵構成的非極性分子B.NH4Cl與NaOH所含化學鍵類型和晶體類型均相同C.SiO2、SiCl4的相對分子質量不同,所以沸點不同D.熔點:LiF>NaF>NaCl>KCl評卷人得分二、填空題(共8題,共16分)10、根據(jù)題給要求填空。
(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p2,它的次外層上電子云形狀有________種,原子中所有電子占有________個軌道,核外共有________種運動狀態(tài)不同的電子。
(2)E原子核外占有9個軌道,且具有1個未成對電子,E離子結構示意圖是_______。
(3)F、G都是短周期元素,F(xiàn)2-與G3+的電子層結構相同,則G元素的原子序數(shù)是________,F(xiàn)2-的電子排布式是______。
(4)M能層上有________個能級,有________個軌道,作為內層最多可容納________個電子,作為最外層時,最多可含有________個未成對電子。11、Cu2O廣泛應用于太陽能電池領域。以CuSO4、NaOH和抗壞血酸為原料,可制備Cu2O。
(1)在基態(tài)Cu2+核外電子中,M層的電子運動狀態(tài)有_________種。
(2)Cu2+與OH-反應能生成[Cu(OH)4]2-,[Cu(OH)4]2-中的配位原子為_____(填元素符號)。
(3)[Cu(NH3)4]2+具有對稱的空間構型,[Cu(NH3)4]2+中的兩個NH3被兩個Cl取代,能得到兩種不同結構的產物,則[Cu(NH3)4]2+的空間構型為________。
(4)抗壞血酸的分子結構如圖1所示,分子中碳原子的軌道雜化類型為________;推測抗壞血酸在水中的溶解性:________(填“難溶于水”或“易溶于水”)。
(5)一個Cu2O晶胞(如圖2)中,Cu原子的數(shù)目為________。
(6)單質銅及鎳都是由_______________鍵形成的晶體:元素銅與鎳的第二電離能分別為:ICu=1959kJ/mol,INi=1753kJ/mol,ICu>INi的原因是_________________________________。12、元素銅(Cu);砷(As)、鎵(Ga)等形成的化合物在現(xiàn)代工業(yè)中有廣泛的用途;回答下列問題:
(1)基態(tài)銅原子的價電子排布式為_____________,價電子中未成對電子占據(jù)原子軌道的形狀是__________________________。
(2)化合物AsCl3分子的立體構型為________________,其中As的雜化軌道類型為_____________。
(3)第一電離能Ga__________As。(填“>”或“<”)
(4)若將絡合離子[Cu(CN)4]2-中的2個CN-換為兩個Cl-,只有一種結構,則[Cu(CN-)4]2-中4個氮原子所處空間構型為_______________,一個CN-中有__________個π鍵。
(5)砷化鎵是一種重要的半導體材料;晶胞結構如圖所示。
熔點為1238℃,密度為?g·cm-3,該晶體類型為______________,Ga與As以__________鍵鍵合,Ga和As的相對原子質量分別為Ma和Mb,原子半徑分別為racm和rbcm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,GaAs晶胞中原子體積占晶胞體積的百分率為____________________。(列出計算公式)13、四種元素X;Y、Z、W位于元素周期表的前四周期;已知它們的核電荷數(shù)。
依次增加;且核電荷數(shù)之和為51;Y原子的L層p軌道中有2個電子;Z與Y原子的價層電子數(shù)相同;W原子的L層電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為4:1,其d軌道中的電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為5:1。
(1)Y、Z可分別與X形成只含一個中心原子的共價化合物a、b,它們的分子式分別是_____、_______;雜化軌道分別是________、_________;a分子的立體結構是____________。
(2)Y的最高價氧化物和Z的最高價氧化物的晶體類型分別是_______晶體、_______晶體:
(3)X的氧化物與Y的氧化物中,分子極性較小的是(填分子式)__________;
(4)Y與Z比較,電負性較大的____________,其+2價離子的核外電子排布式是_________。14、在極性分子中,正電荷重心與負電荷重心間的距離稱為偶極長,通常用表示。極性分子的極性強弱與偶極長和電荷量()有關,一般用偶極矩()來衡量。分子的偶極矩是偶極長和電荷量的乘積,即在非極性分子中,其正、負電荷重心重合,故為0。試回答下列問題:
(1)HCl、CS2、H2S、SO2四種分子中的有______________________________。
(2)實驗測得:
①由此可知,PF3分子的空間構型為____________________;
②BCl3分子的空間構型為____________________,中心原子的雜化方式為____________________。
(3)治癌藥物具有平面四邊形結構,Pt處在四邊形中心,NH3和Cl分別處在四邊形的4個頂點。已知該化合物有兩種同分異構體,棕黃色化合物的淡黃色化合物的試寫出兩種同分異構體的結構簡式:____________________(棕黃色)、____________________(淡黃色),在水中溶解度較大的是____________________(填結構簡式)。15、如圖為一個金屬銅的晶胞;請完成以下各題。
①該晶胞“實際”擁有的銅原子數(shù)是___個。
②該晶胞稱為___(填序號).
A.六方晶胞B.體心立方晶胞C.面心立方晶胞.16、單質硼有無定形和晶體兩種;參考下表數(shù)據(jù)回答:
(1)晶體硼的晶體類型屬于____________________晶體,理由是_____________。
(2)已知晶體的結構單元是由硼原子組成的正二十面體(如圖),其中有20個等邊三角形的面和一定數(shù)目的頂角,每個頂角各有一個硼原子。通過觀察圖形及推算,得出此基本結構單元是由__________個硼原子構成的,其中B—B鍵的鍵角為____________,共含有___________個B—B鍵。
17、Ⅰ、在金剛石、CS2、N2、C2H4、H2O2;金屬Fe等六種晶體中:
(1)以非極性鍵結合的非極性分子是______________;
(2)通過非極性鍵形成的原子晶體是______________;
(3)含有極性共價鍵和非極性共價鍵的非極性分子是______________;
(4)固態(tài)和熔融狀態(tài)下都能導電的晶體是______________;
Ⅱ;C和Si元素在化學中占有極其重要的地位.
(1)CO2屬于______________晶體,熔化時克服的微粒間作用力是______________;SiO2屬于______________晶體,熔化時克服的微粒間作用力是______________;所以熔點CO2______________SiO2(填“<”;“=”或“>”).
(2)SiO2晶體中每個硅與______________個O相連,每個氧與______________Si相連.
(3)石墨晶體中,層內形成正六邊形的平面網(wǎng)狀結構,試分析層內每個正六邊形占有的碳原子數(shù)為___________個。
評卷人得分三、工業(yè)流程題(共1題,共2分)18、飲用水中含有砷會導致砷中毒,金屬冶煉過程產生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在;可用化學沉降法處理酸性高濃度含砷廢水,其工藝流程如下:
已知:①As2S3與過量的S2-存在反應:As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq);
②亞砷酸鹽的溶解性大于相應砷酸鹽。
(1)砷在元素周期表中的位置為_______;AsH3的電子式為______;
(2)下列說法正確的是_________;
a.酸性:H2SO4>H3PO4>H3AsO4
b.原子半徑:S>P>As
c.第一電離能:S
(3)沉淀X為__________(填化學式);
(4)“一級沉砷”中FeSO4的作用是________。
(5)“二級沉砷”中H2O2與含砷物質反應的化學方程式為__________;
(6)關于地下水中砷的來源有多種假設,其中一種認為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3,同時生成導致砷脫離礦體進入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。評卷人得分四、有機推斷題(共1題,共7分)19、有A、B、D、E、F、G六種前四周期的元素,A是宇宙中最豐富的元素,B和D的原子都有1個未成對電子,B+比D少一個電子層,D原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道全充滿;E原子的2p軌道中有3個未成對電子,F(xiàn)的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4。R是由B、F兩元素形成的離子化合物,其中B+與F2-離子數(shù)之比為2∶1。G位于周期表第6縱行且是六種元素中原子序數(shù)最大的。請回答下列問題:
(1)D元素的電負性_______F元素的電負性(填“>”;“<”或“=”)。
(2)G的價電子排布圖_________________________________。
(3)B形成的晶體堆積方式為________,區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學方法是對固體進行_______實驗。
(4)D-的最外層共有______種不同運動狀態(tài)的電子,有___種能量不同的電子。F2D2廣泛用于橡膠工業(yè),各原子均滿足八電子穩(wěn)定結構,F2D2中F原子的雜化類型是___________,F2D2是______分子(填“極性”或“非極性”)。
(5)A與E形成的最簡單化合物分子空間構型為_____,在水中溶解度很大。該分子是極性分子的原因是_____。
(6)R的晶胞如圖所示,設F2-半徑為r1cm,B+半徑為r2cm。試計算R晶體的密度為______。(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示;寫表達式,不化簡)
評卷人得分五、計算題(共3題,共21分)20、鐵有δ;γ、α三種同素異形體;三種晶體在不同溫度下能發(fā)生轉化。
(1)δ、γ、α三種晶體晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為_________。
(2)若δ-Fe晶胞邊長為acm,α-Fe晶胞邊長為bcm,則兩種晶胞空間利用率之比為________(用a、b表示)
(3)若Fe原子半徑為rpm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則γ-Fe單質的密度為_______g/cm3(用含r的表達式表示;列出算式即可)
(4)三氯化鐵在常溫下為固體,熔點為282℃,沸點為315℃,在300℃以上升華,易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮等有機溶劑。據(jù)此判斷三氯化鐵的晶體類型為______。21、SiC有兩種晶態(tài)變體:α—SiC和β—SiC。其中β—SiC為立方晶胞;結構與金剛石相似,晶胞參數(shù)為434pm。針對β—SiC回答下列問題:
⑴C的配位數(shù)為__________。
⑵C和Si的最短距離為___________pm。
⑶假設C的原子半徑為r,列式并計算金剛石晶體中原子的空間利用率_______。(π=3.14)22、NaCl晶體中Na+與Cl-都是等距離交錯排列,若食鹽的密度是2.2g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)6.02×1023mol-1,食鹽的摩爾質量為58.5g·mol-1。則食鹽晶體中兩個距離最近的鈉離子中心間的距離是多少?_______評卷人得分六、元素或物質推斷題(共5題,共40分)23、已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素?;衔顳C為離子化合物,D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構?;衔顰C2為一種常見的溫室氣體。B;C的氫化物的沸點比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點高。E的原子序數(shù)為24。請根據(jù)以上情況;回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示)
(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是________,在第四周期中,與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同還有_______(填元素符號)。
(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序為____________。
(3)寫出化合物AC2的電子式_____________。
(4)D的單質在AC2中點燃可生成A的單質與一種熔點較高的固體產物,寫出其化學反應方程式:__________。
(5)1919年,Langmuir提出等電子原理:原子數(shù)相同、電子數(shù)相同的分子,互稱為等電子體。等電子體的結構相似、物理性質相近。此后,等電子原理又有發(fā)展,例如,由短周期元素組成的微粒,只要其原子數(shù)相同,各原子最外層電子數(shù)之和相同,也可互稱為等電子體。一種由B、C組成的化合物與AC2互為等電子體,其化學式為_____。
(6)B的最高價氧化物對應的水化物的稀溶液與D的單質反應時,B被還原到最低價,該反應的化學方程式是____________。24、現(xiàn)有屬于前四周期的A、B、C、D、E、F、G七種元素,原子序數(shù)依次增大。A元素的價電子構型為nsnnpn+1;C元素為最活潑的非金屬元素;D元素核外有三個電子層,最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的E元素正三價離子的3d軌道為半充滿狀態(tài);F元素基態(tài)原子的M層全充滿;N層沒有成對電子,只有一個未成對電子;G元素與A元素位于同一主族,其某種氧化物有劇毒。
(1)A元素的第一電離能_______(填“<”“>”或“=”)B元素的第一電離能,A、B、C三種元素的電負性由小到大的順序為_______(用元素符號表示)。
(2)C元素的電子排布圖為_______;E3+的離子符號為_______。
(3)F元素位于元素周期表的_______區(qū),其基態(tài)原子的電子排布式為_______
(4)G元素可能的性質_______。
A.其單質可作為半導體材料B.其電負性大于磷。
C.其原子半徑大于鍺D.其第一電離能小于硒。
(5)活潑性:D_____(填“>”或“<”,下同)Al,I1(Mg)_____I1(Al),其原因是____。25、原子序數(shù)小于36的X;Y、Z、R、W五種元素;其中X是周期表中原子半徑最小的元素,Y是形成化合物種類最多的元素,Z原子基態(tài)時2p原子軌道上有3個未成對的電子,R單質占空氣體積的1/5;W的原子序數(shù)為29?;卮鹣铝袉栴}:
(1)Y2X4分子中Y原子軌道的雜化類型為________,1molZ2X4含有σ鍵的數(shù)目為________。
(2)化合物ZX3與化合物X2R的VSEPR構型相同,但立體構型不同,ZX3的立體構型為________,兩種化合物分子中化學鍵的鍵角較小的是________(用分子式表示),其原因是________________________________________________。
(3)與R同主族的三種非金屬元素與X可形成結構相似的三種物質,三者的沸點由高到低的順序是________。
(4)元素Y的一種氧化物與元素Z的單質互為等電子體,元素Y的這種氧化物的結構式是________。
(5)W元素原子的價電子排布式為________。26、下表為長式周期表的一部分;其中的編號代表對應的元素。
。①
②
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
⑨
⑩
請回答下列問題:
(1)表中⑨號屬于______區(qū)元素。
(2)③和⑧形成的一種常見溶劑,其分子立體空間構型為________。
(3)元素①和⑥形成的最簡單分子X屬于________分子(填“極性”或“非極性”)
(4)元素⑥的第一電離能________元素⑦的第一電離能;元素②的電負性________元素④的電負性(選填“>”、“=”或“<”)。
(5)元素⑨的基態(tài)原子核外價電子排布式是________。
(6)元素⑧和④形成的化合物的電子式為________。
(7)某些不同族元素的性質也有一定的相似性,如表中元素⑩與元素⑤的氫氧化物有相似的性質。請寫出元素⑩的氫氧化物與NaOH溶液反應的化學方程式:____________________。27、下表為長式周期表的一部分;其中的序號代表對應的元素。
(1)寫出上表中元素⑨原子的基態(tài)原子核外電子排布式為___________________。
(2)在元素③與①形成的水果催熟劑氣體化合物中,元素③的雜化方式為_____雜化;元素⑦與⑧形成的化合物的晶體類型是___________。
(3)元素④的第一電離能______⑤(填寫“>”、“=”或“<”)的第一電離能;元素④與元素①形成的X分子的空間構型為__________。請寫出與元素④的單質互為等電子體分子、離子的化學式______________________(各寫一種)。
(4)④的最高價氧化物對應的水化物稀溶液與元素⑦的單質反應時,元素④被還原到最低價,該反應的化學方程式為_______________。
(5)元素⑩的某種氧化物的晶體結構如圖所示,其中實心球表示元素⑩原子,則一個晶胞中所包含的氧原子數(shù)目為__________。參考答案一、選擇題(共9題,共18分)1、C【分析】【詳解】
A.次氯酸的電子式:故A錯誤;
B.書寫基態(tài)銅原子的外圍電子排布圖時,應遵循洪特規(guī)則可知應為3d104s1,故B錯誤;
C.Se的簡化電子排布式:[Ar]3d104s24p4;故C正確;
D.F-的最外層電子數(shù)是8;故D錯誤;
故答案為C。2、C【分析】【詳解】
同一周期元素;元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但同一周期中第ⅡA族元素比第ⅢA族元素的第一電離能大,第ⅤA族比第ⅥA族第一電離能大;Mg;Al、Si、P、S、Cl屬于同一周期且其原子序數(shù)依次增大,但Mg屬于第ⅡA元素,Al屬于第ⅢA族,P屬于第VA元素,S屬于第ⅥA族,所Mg、Al、Si、P、S、Cl幾種元素的第一電離能從大到小排序是P、S、Si、Mg、Al,所以第一電離能處于Al、P之間的元素有3種,C項正確;
答案選C。
【點睛】
同一周期第一電離能隨原子序數(shù)增大呈現(xiàn)增大的趨勢,但同一周期第ⅡA族元素比第ⅢA族元素的第一電離能大,第ⅤA族比第ⅥA族第一電離能大。3、C【分析】【詳解】
A.中原子形成4個鍵,孤電子對數(shù)中心原子采取雜化;空間構型為正四面體形,A不合題意;
B.中N原子形成3個鍵,孤電子對數(shù)中心原子采取雜化;空間構型為三角錐形,B不合題意;
C.中N原子形成3個鍵,孤電子對數(shù)中心原子采取雜化;空間構型為平面三角形,C符合題意;
D.中碳原子形成2個鍵,孤電子對數(shù)中心原子采取sp雜化,空間構型為直線形,D不合題意;
故選C。4、D【分析】【詳解】
A.氮原子半徑小于碳原子半徑;叁鍵的鍵能大于單鍵,所以長度小于單鍵,A正確;
B.N≡C-C≡N中含有單鍵和三鍵;共價單鍵是一個σ鍵,共價三鍵中一個是σ鍵,兩個π鍵,所以分子中含3個σ鍵和4個π鍵,B正確;
C.三鍵為直線型;所以N≡C-C≡N的分子構型為直線形,C正確;
D.三鍵能發(fā)生加成反應;N≡C-C≡N與鹵素單質化學性質相似,鹵素單質能與氫氧化鈉溶液反應,所以該物質也能與氫氧化鈉溶液反應,D錯誤。
答案選D。
【點睛】
三鍵的特點:碳原子為sp雜化,結構為直線型;三鍵中一個是σ鍵,兩個π鍵。5、A【分析】【分析】
根據(jù)題中CH3COOH分子中—CH3及—COOH中碳原子的雜化類型可知;本題考查原子的雜化類型,根據(jù)VSEPR理論分析。
【詳解】
甲基中碳原子形成4個單鍵,雜化軌道數(shù)目為4,采用的是雜化;羧基中碳原子形成3個鍵,雜化軌道數(shù)目為3,采用的是雜化;
答案選A。6、A【分析】【分析】
【詳解】
A.根據(jù)題意得出氯化硼是分子晶體;液態(tài)時不能導電,故A錯誤;
B.氯化硼中硼原子價層電子對數(shù)為因此為sp2雜化;故B正確;
C.氯化硼中硼原子價層電子對數(shù)為分子空間構型為平面正三角形,屬非極性分子,故C正確;
D.氯化硼能水解,遇水蒸氣反應生成HCl和H3BO3;氯化氫遇水蒸氣會產生白霧,故D正確。
綜上所述;答案為A。
【點睛】
根據(jù)價層電子對數(shù)分析雜化方式和空間構型。7、B【分析】【詳解】
A.面心立方最密堆積配位數(shù)為12,故A錯誤;
B.該晶胞中最近的相鄰兩個CO2分子間距為apm,即晶胞面心上的二氧化碳分子和其同一面上頂點上的二氧化碳之間的距離為apm,則晶胞棱長=apm=a×10-10cm,晶胞體積=(a×10-10cm)3,該晶胞中二氧化碳分子個數(shù)=8×+6×=4,晶胞密度=故B正確;
C.該晶胞中二氧化碳分子個數(shù)=8×+6×=4,故C錯誤;
D.二氧化碳分子是直線形分子,C原子價層電子對個數(shù)是2,根據(jù)價層電子對互斥理論判斷C原子雜化類型為sp,故D錯誤;
故選:B。
【點睛】
六方最密堆積、面心立方最密堆積的配位數(shù)均為12,體心立方堆積配位數(shù)為8,簡單立方堆積配為數(shù)為6。8、A【分析】【詳解】
A.COS、CO、CO2;S四種物質的晶體都是分子晶體;晶體類型相同,A正確;
B.COS高溫分解為CO和S時;碳元素由+4價降低為+2價,B不正確;
C.COS分子結構不對稱;是極性分子,C不正確;
D.沒有指明是否為標準狀況;22.4LCOS不一定是1mol,所含原子個數(shù)無法計算,D不正確;
故選A。9、C【分析】【詳解】
A.SiCl4的分子結構與CCl4相似,則SiCl4的結構為以Si原子為中心,Cl原子在正四面體頂點的正面體結構,則SiCl4的分子是由極性鍵構成的非極性分子;故A正確;
B.NH4Cl與NaOH均含有極性鍵和離子鍵;均屬于離子化合物,故B正確;
C.SiO2屬于原子晶體,熔點很高,SiCl4屬于分子晶體;熔點較低,故C錯誤;
D.四者均屬于離子晶體;離子所帶電荷數(shù)相同,離子半徑越小,晶格能越大,熔點越高,同主族簡單陰陽離子從上往下半徑以此增大,則熔點:LiF>NaF>NaCl>KCl,故D正確;
答案選C。二、填空題(共8題,共16分)10、略
【分析】【詳解】
(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布為3s23p2,該元素為Si,核外電子排布式為1s22s22p63s23p2;次外層能級為2s;2p,有s、p兩種不同的軌道,電子云形狀有2種。原子中所有電子占有8個軌道,分別為1s、2s、3s共3個軌道,3個2p軌道,2個3p軌道;原子核外有14個電子,每個電子的運動狀態(tài)都不一樣,因此有14種不同的運動狀態(tài);
(2)E原子核外占有9個軌道,且具有1個未成對電子,則其核外電子排布圖為從圖可知,該原子為Cl原子,得到1個電子,形成Cl-,其結構示意圖為
(3)F、G都是短周期元素,F(xiàn)2-與G3+的電子層結構相同,F(xiàn)為短周期元素,能夠形成離子F2-,只能是O2-或S2-,但是G也是短周期元素,G3+的電子層結構與F2-相同,如果F是S元素,則G不是短周期元素,因此F為O,G為Al;G為Al,其原子序數(shù)為13;F2-是O2-,其電子排布式1s22s22p6;
(4)M能層上3個能級,分別為3s、3p、3d;3s有1個軌道,3p有3個軌道,3d有5個軌道,共9個軌道;每個軌道可以容納2個電子,作為內層最多可容納9×2=18個電子;作為最外層時,只有3s、3p能級上填充電子,未成對電子最多,則3個3p軌道上均只有1個電子,最多可含有3個未成對電子?!窘馕觥竣?2②.8③.14④.⑤.13⑥.1s22s22p6⑦.3⑧.9⑨.18⑩.311、略
【分析】【分析】
根據(jù)Cu2+的核外電子排布式,求出M層上的電子數(shù),判斷其運動狀態(tài)種數(shù);根據(jù)配位鍵形成的實質,判斷配原子;根據(jù)[Cu(NH3)4]2+中的兩個NH3被兩個Cl取代;能得到兩種不同結構的產物,判斷其空間構型;根據(jù)抗壞血酸的分子結構,求出價層電子對數(shù),由價層電子對互斥理論,判斷碳原子雜化類型;由均攤法求出原子個數(shù)比,根據(jù)化學式判斷Cu原子個數(shù);根據(jù)外圍電子排布,判斷失電子的難易,比較第二電離能的大小。
【詳解】
(1)Cu元素原子核外電子數(shù)為29,其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,Cu原子失去4s、3d能級的1個電子形成Cu2+,Cu2+的核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d9;M層上還有17個電子,其運動狀態(tài)有17種;答案為17。
(2)Cu2+與OH-反應能生成[Cu(OH)4]2-,該配離子中Cu2+提供空軌道;O原子提供孤電子對形成配位鍵;所以配原子為O;答案為O。
(3)[Cu(NH3)4]2+中形成4個配位鍵,具有對稱的空間構型,可能為平面正方形或正四面體,若為正四面體,[Cu(NH3)4]2+中的兩個NH3被兩個Cl-取代;只有一種結構,所以應為平面正方形;答案為平面正方形。
(4)該分子中亞甲基、次亞甲基上C原子價層電子對個數(shù)都是4,連接碳碳雙鍵和碳氧雙鍵的C原子價層電子對個數(shù)是3,根據(jù)價層電子對互斥理論判斷該分子中碳原子的軌道雜化類型,前者為sp3雜化、后者為sp2雜化;抗壞血酸中羥基屬于親水基,能與水分子形成氫鍵,所以抗壞血酸易溶于水;答案為sp3、sp2;易溶于水;
(5)該晶胞中白色球個數(shù)=8×+1=2;黑色球個數(shù)為4;則白色球和黑色球個數(shù)之比=2:4=1:2,根據(jù)其化學式知,白色球表示O原子、黑色球表示Cu原子,則該晶胞中Cu原子數(shù)目為4;答案為4。
(6)單質銅及鎳都屬于金屬晶體,都是由金屬鍵形成的晶體;Cu+的外圍電子排布為3d10,呈全充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,Ni+的外圍電子排布為3d84s1,Cu+失去電子是3d10上的,Cu+的核外電子排布穩(wěn)定,失去第二個電子更難,Ni+失去電子是4s上的,比較容易,第二電離能就小,因而元素銅的第二電離能高于鎳的第二電離能;答案為金屬,Cu+電子排布呈全充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,失電子需要能量高,第二電離能數(shù)值大。【解析】①.17②.O③.平面正方形④.sp3、sp2⑤.易溶于水⑥.4⑦.金屬⑧.銅失去的是全充滿的3d10電子,鎳失去的是4s1電子12、略
【分析】【分析】
本題考查的是原子核外電子排布;元素電離能、電負性的含義及應用,、晶胞的計算、原子軌道雜化方式及雜化類型判斷。
(1)銅是29號元素;原子核外電子數(shù)為29,根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫銅的基態(tài)原子價電子電子排布式。
(2)AsCl3中價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)=3+(5?3×1)/2=4,所以原子雜化方式是sp3;由于有一對孤對電子對,分子空間構型為三角錐形;
(3)同一周期;原子序數(shù)越小半徑越大,同周期第一電離能從左到右,逐漸增大;
(4)若[Cu(CN-)4]2-中4個氮原子為平面構型,用兩個Cl-換2個CN-有兩種結構,分別為兩個Cl-換相鄰或相對,若[Cu(CN-)4]2-中4個氮原子為正四面體構型,用兩個Cl-換2個CN-有一種結構;由于共價鍵單鍵中含有一個σ鍵;雙鍵中含有一個σ鍵和一個π鍵,三鍵中有一個σ鍵和兩個π鍵;
(5)GaAs的熔點為1238℃,熔點較高,以共價鍵結合形成屬于原子晶體,密度為ρg?cm?3,根據(jù)均攤法計算,As:8×1/8+6×1/2=4,Ga:4×1=4,故其晶胞中原子所占的體積V1=(4/3πr3b×4+4/3πr3a×4)×10?30,晶胞的體積V2=m/ρ=[4×(Ma+Mb)/NA]/ρ,故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為V1/V2×100%將V1、V2帶入計算得百分率據(jù)此解答。
【詳解】
(1)Cu是29號元素,原子核外電子數(shù)為29,銅的基態(tài)原子價電子電子排布式為3d104s1,價電子中未成對電子占據(jù)原子軌道的形狀是球形。本小題答案為:3d104s1;球形。
(2)AsCl3中價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)=3+(5?3×1)/2=4,所以原子雜化方式是sp3,由于有一對孤對電子對,分子空間構型為三角錐形。本小題答案為:三角錐形;sp3。
(3)根據(jù)元素周期律,Ga與As位于同一周期,Ga原子序數(shù)小于As,故半徑Ga大于As,同周期第一電離能從左到右,逐漸增大,故第一電離能Ga小于As。本小題答案為:<。
(4)若[Cu(CN-)4]2-中4個氮原子為平面構型,用兩個Cl-換2個CN-有兩種結構,分別為兩個Cl-換相鄰或相對,若[Cu(CN-)4]2-中4個氮原子為正四面體構型,用兩個Cl-換2個CN-有一種結構;由于共價鍵單鍵中含有一個σ鍵,雙鍵中含有一個σ鍵和一個π鍵,三鍵中有一個σ鍵和兩個π鍵,則CN-中含有三鍵;三鍵中含有兩個π鍵。本小題答案為:正四面體;2。
(5)GaAs的熔點為1238℃,熔點較高,以共價鍵結合形成屬于原子晶體,密度為ρg?cm?3,根據(jù)均攤法計算,As:8×1/8+6×1/2=4,Ga:4×1=4,故其晶胞中原子所占的體積V1=(4/3πr3b×4+4/3πr3a×4)×10?30,晶胞的體積V2=m/ρ=[4×(Ma+Mb)/NA]/ρ,故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為V1/V2×100%將V1、V2帶入計算得百分率本小題答案為:原子晶體;共價鍵;【解析】3d104s1球形三角錐形sp3<正四面體2原子晶體共價鍵13、略
【分析】【分析】
由“Y原子的L層p軌道中有2個電子”可知Y原子的電子排布式是1s22s22p2,為碳元素;由“Z與Y原子的價層電子數(shù)相同”可知Z與碳元素同主族,又因Z位于元素周期表的前四周期且核電荷數(shù)大于Y,所以Z可能為硅元素(14號)或鍺元素(32號),若Z為鍺元素,則四種元素的核電荷數(shù)之和大于51(因W的核電荷數(shù)比Z的還要大),即Z只能為硅元素;由“W原子的L層電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為4︰1”可知W的最外層電子數(shù)為2,由“d軌道中的電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為5︰1”可知d軌道中的電子數(shù)為10,所以W原子的電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s2;即W為鋅元素;又因四種元素的核電荷數(shù)之和為51,所以X元素的核電荷數(shù)為1,是氫元素。
【詳解】
(1)C和Si可分別與H形成只含一個中心原子的共價化合物a、b,它們的分子式分別是CH4、SiH4;雜化軌道分別是sp3、sp3;兩種分子的立體結構都是正四面體。
(2)C的最高價氧化物和Si的最高價氧化物分別為CO2和SiO2;其晶體類型分別是分子晶體;原子晶體:
(3)H的氧化物與C的氧化物中,分子極性較小的是非極性分子CO2;
(4)C與Si是同一主族的元素,非金屬性越強的電負性越大,電負性較大的是C,其+2價離子的核外電子排布式是1s22s2?!窘馕觥竣?CH4②.SiH4③.sp3④.sp3⑤.正四面體⑥.分子⑦.原子⑧.CO2⑨.C⑩.1s22s214、略
【分析】【詳解】
(1)是由極性鍵形成的雙原子極性分子;根據(jù)價電子對互斥理論可知,是直線形分子,正、負電荷重心重合,為非極性分子,其偶極矩為0;都是V形結構,是極性分子,其
(2)①說明是極性分子,則是三角錐形結構;
②說明是非極性分子,其正、負電荷重心重合,應是平面正三角形結構;中心原子B與3個原子形成3個共價鍵(沒有孤電子對),即B原子的雜化方式是雜化;
(3)根據(jù)題意,具有平面四邊形結構,若則為非極性分子,和分別對稱分布在四邊形的個頂點上,即正、負電荷重心重合,故淡黃色化合物是若則為極性分子,和在四邊形的4個頂點上的分布是不對稱的,即正、負電荷重心不重合,故棕黃色化合物是根據(jù)相似相溶規(guī)律,水是極性分子,因此屬于極性分子的溶質易溶解在水中,即在水中溶解度較大的是棕黃色化合物,其結構簡式為【解析】CS2三角錐形平面正三角形sp2雜化15、略
【分析】【分析】
根據(jù)晶胞的結構;銅在頂點和面心上。
【詳解】
①根據(jù)晶胞的結構,銅在頂點和面心上,因此該晶胞“實際”擁有的銅原子數(shù)是個;故答案為:4。
②根據(jù)銅在頂點和面心上,則為面心立方晶胞;故答案為C?!窘馕觥竣?4②.C16、略
【分析】【分析】
(1)根據(jù)表中數(shù)據(jù)判斷可知晶體硼熔沸點和硬度介于金剛石和晶體硅之間;判斷為原子晶體;
(2)在硼原子組成的正二十面體結構中,每5個面共用一個頂點,每個面擁有這個頂點的共20個等邊三角形;B-B鍵組成正三角形;每2個面共用一個B-B鍵,每個面擁有這個B-B鍵的據(jù)此答題。
【詳解】
(1)根據(jù)表中數(shù)據(jù)判斷可知晶體硼熔沸點和硬度介于金剛石和晶體硅之間,熔沸點、硬度都很大,可知晶體硼為原子晶體,
故答案為原子晶體;熔;沸點很高、硬度很大;
(2)在硼原子組成的正二十面體結構中,每5個面共用一個頂點,每個面擁有這個頂點的每個等邊三角形擁有的頂點為:×3=20個等邊三角形擁有的頂點為:×20=12;B-B鍵組成正三角形,則每個鍵角均為60°;每2個面共用一個B-B鍵,每個面擁有這個B-B鍵的每個等邊三角形占有的B-B鍵為:×3=20個等邊三角形擁有的B-B鍵為:×20=30。
【點睛】
明確頂點、棱、面心上每個原子被幾個晶胞占有是解本題關鍵。本題利用均攤法計算該晶胞中各種原子個數(shù),硼原子組成的正二十面體結構中,每5個面共用一個頂點,每個面擁有這個頂點的每個等邊三角形擁有的頂點為:×3=20個等邊三角形擁有的頂點為:×20=12。【解析】①.原子②.熔點高,硬度大,并且各數(shù)據(jù)均介于金剛石和晶體硅之間③.12④.60°⑤.3017、略
【分析】【分析】
【詳解】
試題分析:Ⅰ、(1)雙原子單質分子是以非極性鍵結合的非極性分子,則N2是以非極性鍵結合的非極性分子,故答案為N2;
(2)金剛石是通過非極性鍵形成的原子晶體;故答案為金剛石;
(3)C2H4分子中含有C-H極性共價鍵和C-C非極性共價鍵的非極性分子,故答案為C2H4;
(4)金屬Fe中存在自由電子;所以固態(tài)和熔融狀態(tài)下都能導電,故答案為金屬Fe.
Ⅱ、(1)CO2屬于分子晶體,熔化時克服的微粒間作用力是分子間作用力;SiO2屬于是原子晶體;熔化時克服的微粒間作用力是共價鍵,化學鍵比分子間作用強得多,所以二氧化硅熔點高于二氧化碳氣體,故答案為分子;分子間作用;原子;共價鍵;<;
(2)SiO2晶體是原子晶體;一個硅與四個氧相連,一個氧與兩個硅相連形成正四面體,故答案為4;2;
(3)石墨層狀結構中,每個碳原子被三個正六邊形共用,所以平均每個正六邊形占有的碳原子數(shù)=6×=2;故答案為2。
【考點】
考查共價鍵的形成及共價鍵的主要類型;晶體的類型與物質熔點;硬度、導電性等的關系。
【點晴】
本題主要考查極性鍵和非極性鍵,熟悉常見元素之間的成鍵是解答本題的關鍵,注意化學鍵、空間構型與分子的極性的關系來分析解答即可,不同非金屬元素之間易形成極性共價鍵,分子的結構對稱、正負電荷的中心重合,則為非極性分子,如果存在自由移動的離子和電子就能導電,要學會利用均攤法進行有關晶胞的計算?!窘馕觥竣?、(1)N2;
(2)金剛石;
(3)C2H4;
(4)金屬Fe.
Ⅱ;(1)分子;分子間作用;原子;共價鍵;<;
(2)4;2;
(3)2三、工業(yè)流程題(共1題,共2分)18、略
【分析】【分析】
廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在,加入硫化鈉生成As2S3沉淀,為防止As2S3與硫離子反應再次溶解,所以再加入硫酸亞鐵除去過量的硫離子,過濾得到As2S3和FeS,濾液中加入過氧化氫將亞砷酸氧化成砷酸,亞鐵離子氧化成鐵離子,再加入CaO沉淀砷酸根、鐵離子、硫酸根,得到Ca2(AsO4)2、FeAsO4、Fe(OH)3、CaSO4沉淀和低濃度含砷廢水。
【詳解】
(1)As元素為33號元素,與N元素同主族,位于第四周期第VA族;AsH3和氨氣分子結構相同為共價化合物,砷原子和三個氫原子形成三個As-H鍵,電子式為:
(2)a.同周期主族元素自左而右非金屬性增強,最高價氧化物對應水化物酸性增強,同主族自上而下非金屬性減弱,最高價氧化物對應水化物酸性減弱,酸性:H2SO4>H3PO4>H3AsO4;故a正確;
b.同周期主族元素自左而右原子半徑減小,同主族自上而下原子半徑依次增大,原子半徑:As>P>S,故b錯誤;
c.同主族元素自上而下第一電離能減小,P和S同周期,但是P原子3p能級為半滿狀態(tài),更穩(wěn)定,第一電離能更大,所以第一電離能P>S>As;故c錯誤;
綜上所述選a;
(3)根據(jù)分析可知沉淀為微溶物CaSO4;
(4)As2S3與過量的S2-存在反應:As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq),所以需要加入FeSO4除去過量的硫離子;使平衡逆向移動,一級沉砷更完全;
(5)含砷物質物質為H3AsO3,加入過氧化氫可以將其氧化成H3AsO4,根據(jù)電子守恒和元素守恒可得化學方程式為H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O;
(6)根據(jù)題意可知FeS2被O2氧化生成Fe(OH)3、根據(jù)元素守恒可知反應物應該還有H2O,F(xiàn)eS2整體化合價升高15價,一個O2降低4價,所以二者的系數(shù)比為4:15,再根據(jù)元素守恒可得離子方程式為4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+。
【點睛】
同一周期元素的第一電離能在總體增大的趨勢中有些曲折,當外圍電子在能量相等的軌道上形成全空、半滿或全滿結構時,原子的能量較低,元素的第一電離能大于相鄰元素?!窘馕觥康谒闹芷诘赩A族aCaSO4沉淀過量的S2-,使As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)平衡逆向移動,使一級沉砷更完全H3AsO3+H2O2=H3AsO4+H2O4FeS2+15O2+14H2O=4Fe(OH)3+8+16H+四、有機推斷題(共1題,共7分)19、略
【分析】【分析】
A是宇宙中最豐富的元素,說明A為H,D原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道全充滿,說明D為17號元素Cl,B和D的原子都有1個未成對電子,B+比D少一個電子層,說明B為Na,E原子的2p軌道中有3個未成對電子,說明E為N,F(xiàn)的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4,說明F為S,G位于周期表第6縱行且是六種元素中原子序數(shù)最大的,說明G為Cr,R是由B、F兩元素形成的離子化合物,其中B+與F2-離子數(shù)之比為2∶1,則R為Na2S,綜上,A為H,B為Na,D為Cl,E為N,F(xiàn)為S,G為Cr;據(jù)此分析作答。
【詳解】
(1)根據(jù)元素周期律可知Cl的電負性大于S;
(2)Cr為24號元素,價電子排布圖為
(3)晶體鈉為體心立方堆積;區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學方法為對固體進行X-射線衍射實驗;
(4)根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知,每個電子的運動狀態(tài)不同,Cl-最外層有8個電子,所以就有8種不同運動狀態(tài)的電子,最外層有兩個能級,每個能級上電子能量是相同的,所以最外層有2種能量不同的電子,在S2Cl2中要使個原子都滿足8電子穩(wěn)定結構,則分子存在一個S-S鍵和2個S-Cl鍵,S原子的價電子數(shù)為4,因此S原子以sp3方式雜化;S原子周圍有2對孤電子對,所以分子為極性分子;
(5)A與E形成的最簡單化合物為NH3,NH3分子中N原子周圍有3個共價鍵,一個孤電子對,因此分子空間構型為三角錐形,由于在NH3中有孤電子對的存在;分子中正電中心和負電中心不重合,使分子的一部分呈正電性,另一部分呈負電性,所以分子顯極性;
(6)R為Na2S,在每個晶胞中含有Na+數(shù)為8,S2-為8×+6×=4,由R的晶胞可設S2-的半徑為r1cm,Na+半徑為r2cm,則晶胞的體對角線為4(r1+r2)cm,晶胞的邊長為(r1+r2)cm,晶體的密度==g/cm3=
【點睛】
本題的難點是晶胞密度的計算,只要掌握晶胞中粒子數(shù)與M、ρ(晶體密度,g·cm-3)之間的關系,難度即會降低。若1個晶胞中含有x個粒子,則1mol該晶胞中含有xmol粒子,其質量為xMg;又1個晶胞的質量為ρa3g(a3為晶胞的體積,單位為cm3),則1mol晶胞的質量為ρa3NAg,因此有xM=ρa3NA?!窘馕觥浚倔w心立方堆積X-射線衍射82sp3極性三角錐形分子中正電中心和負電中心不重合,使分子的一部分呈正電性,另一部分呈負電性五、計算題(共3題,共21分)20、略
【分析】【分析】
(1)根據(jù)各種晶體結構中微粒的空間位置確定三種晶體晶胞中鐵原子的配位數(shù);然后得到其比值;
(2)先計算出兩種晶體中Fe原子個數(shù)比;然后根據(jù)密度定義計算出其密度比,就得到其空間利用率之比;
(3)先計算γ-Fe晶體中Fe原子個數(shù),根據(jù)Fe原子半徑計算晶胞的體積,然后根據(jù)計算晶體的密度;
(4)根據(jù)物質的熔沸點;溶解性等物理性質分析判斷。
【詳解】
(1)δ-Fe晶體中與每個鐵原子距離相等且最近的鐵原子是晶胞頂點的Fe異種;個數(shù)是8個;
γ-Fe晶體中與每個鐵原子距離相等且最近的鐵原子個數(shù)=3××8=12;
α-Fe晶體中與每個鐵原子距離相等且最近的鐵原子是相鄰頂點上鐵原子;鐵原子個數(shù)=2×3=6;
則三種晶體晶胞中鐵原子的配位數(shù)的比為8:12:6=4:6:3;
(2)若δ-Fe晶胞邊長為acm,α-Fe晶胞邊長為bcm,則兩種晶體中鐵原子個數(shù)之比=(1+):(8×)=2:1,密度比==2b3:a3,晶體的密度比等于物質的空間利用率之比,所以兩種晶體晶胞空間利用率之比為2b3:a3;
(3)在γ-Fe晶體中Fe原子個數(shù)為8×+6×=4,F(xiàn)e原子半徑為rpm,假設晶胞邊長為L,則L=4rpm,所以L=2rpm=2×10-10cm,則晶胞的體積V=L3=(2×10-10)cm3,所以γ-Fe單質的密度
(4)FeCl3晶體的熔沸點低;易溶于水,也易溶于乙醚;丙酮等有機溶劑,根據(jù)相似相溶原理,結合分子晶體熔沸點較低,該物質的熔沸點較低,屬于分子晶體。
【點睛】
本題考查了Fe的晶體類型的比較、晶體空間利用率和密度的計算、鐵元素化合物晶體類型的判斷。學會利用均攤方法分析判斷晶胞中鐵原子數(shù)目,熟練掌握各種類型晶體的特點,清楚晶體密度計算公式是解答本題的關鍵?!窘馕觥?:6:32b3:a3分子晶體21、略
【分析】【分析】
每個C周圍有4個硅,C和Si的最短距離為體對角線的四分之一,先計算金剛石晶胞中碳的個數(shù),再根據(jù)公式計算空間利用率。
【詳解】
⑴每個C周圍有4個硅,因此C的配位數(shù)為4;故答案為:4。⑵C和Si的最短距離為體對角線的四分之一,因此故答案為:188。⑶金剛石晶胞中有個碳,假設C的原子半徑為r,則金剛石晶胞參數(shù)為金剛石晶體中原子的空間利用率故答案為:34%?!窘馕觥?18834%22、略
【分析】【分析】
從上述NaCl晶體結構模型中分割出一個小立方體,如圖中所示:其中a代表其邊長,d代表兩個距離最近的Na+中心間的距離,利用“均攤法”計算小立方體中Na+、Cl-的數(shù)目,進而計算小立方體的質量,根據(jù)公式密度計算出小立方體的邊長;進而計算兩個距離最近的鈉離子中心間的距離。
【詳解】
從上述NaCl晶體結構模型中分割出一個小立方體,如圖中所示:其中a代表其邊長,d代表兩個Na+中心間的距離。由此不難想象出小立方體頂點上的每個離子均為8個小立方體所共有。因此小立方體含Na+:4×1/8=1/2,含Cl-:4×1/8=1/2,即每個小立方體含有1/2個(Na+-Cl-)離子對;
每個小立方體的質量
解得:a≈2.81×10-8cm,兩個距離最近的Na+中心間的距離d=a≈4.0×10-8cm;
故答案為兩個距離最近的Na+中心間的距離為4.0×10-8cm?!窘馕觥績蓚€距離最近的Na+中心間的距離d=a=4.0×10-8cm。六、元素或物質推斷題(共5題,共40分)23、略
【分析】【分析】
已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素?;衔顳C為離子化合物,D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構,化合物AC2為一種常見的溫室氣體,則A為C,C為O,B為N,D為Mg。B、C的氫化物的沸點比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點高。E的原子序數(shù)為24,E為Cr。
【詳解】
(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1),在第四周期中,與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同即最外層電子數(shù)只有一個,還有K、Cu;故答案為:1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1);K;Cu;
(2)同周期從左到右電離能有增大趨勢;但第IIA族元素電離能大于第IIIA族元素電離能,第VA族元素電離能大于第VIA族元素電離能,因此A;B、C的第一電離能由小到大的順序為C<O<N;故答案為:C<O<N;
(3)化合物AC2為CO2,其電子式故答案為:
(4)Mg的單質在CO2中點燃可生成碳和一種熔點較高的固體產物MgO,其化學反應方程式:2Mg+CO22MgO+C;故答案為:2Mg+CO22MgO+C;
(5)根據(jù)CO與N2互為等電子體,一種由N、O組成的化合物與CO2互為等電子體,其化學式為N2O;故答案為:N2O;
(6)B的最高價氧化物對應的水化物的稀溶液為HNO3與Mg的單質反應時,NHO3被還原到最低價即NH4NO3,其反應的化學方程式是4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O;故答案為:4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O?!窘馕觥?s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1)K、CuC<O<N2Mg+CO22MgO+CN2O4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O24、略
【分析】【分析】
A元素的價電子構型為nsnnpn+1,則n=2,故A為N元素;C元素為最活潑的非金屬元素,則C為F元素;B原子序數(shù)介于氮、氟之間,故B為O元素;D元素核外有三個電子層,最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的最外層電子數(shù)為2,故D為Mg元素;E元素正三價離子的3d軌道為半充滿狀態(tài),原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2,則原子序數(shù)為26,為Fe元素;F元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個未成對電子,核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1;故F為Cu元素;G元素與A元素位于同一主族,其某種氧化物有劇毒,則G為As元素,據(jù)此解答。
【詳解】
(1)N原子最外層為半充滿狀態(tài);性質穩(wěn)定,難以失去電子,第一電離能大于O元素;同一周期元素從左到右元素的電負性逐漸增強,故元素的電負性:N<O<F;
(2)C為F元素,電子排布圖為E3+的離子符號為Fe3+;
(3)F為Cu,位于周期表ds區(qū),其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1,故答案為:ds;1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1;
(4)A.G為As元素;與Si位于周期表對角線位置
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