硅材料制備技術(shù)基礎(chǔ)知識單選題100道及答案

硅材料制備技術(shù)基礎(chǔ)知識單選題100道及答案1.硅在自然界中主要以什么形式存在？A.單質(zhì)硅B.二氧化硅C.硅酸鈉D.硅酸答案：B2.以下哪種方法不是常用的制備高純硅的方法？A.區(qū)熔精煉法B.化學(xué)氣相沉積法C.電解法D.直拉法答案：C3.單晶硅的制備過程中，常用的籽晶材料是？A.多晶硅B.高純硅C.單晶硅D.石英答案：C4.化學(xué)氣相沉積法制備硅材料時，常用的硅源氣體是？A.SiH4B.SiCl4C.SiF4D.以上都是答案：D5.硅材料中雜質(zhì)的存在會影響其？A.導(dǎo)電性B.硬度C.顏色D.密度答案：A6.區(qū)熔精煉法主要是利用了雜質(zhì)在？A.固相和液相中的溶解度差異B.不同溫度下的揮發(fā)性差異C.不同相中的擴(kuò)散速度差異D.不同相中的化學(xué)活性差異答案：A7.直拉法制備單晶硅時，晶體的生長方向主要由什么決定？A.坩堝的形狀B.籽晶的方向C.加熱功率D.熔體的溫度答案：B8.硅材料在半導(dǎo)體器件中主要利用的是其？A.光學(xué)性質(zhì)B.力學(xué)性質(zhì)C.電學(xué)性質(zhì)D.熱學(xué)性質(zhì)答案：C9.以下哪種雜質(zhì)在硅材料中是施主雜質(zhì)？A.硼B(yǎng).磷C.鋁D.鎵答案：B10.硅材料的禁帶寬度大約是？A.0.5eVB.1.12eVC.2.0eVD.3.0eV答案：B11.硅材料的晶體結(jié)構(gòu)屬于？A.簡單立方結(jié)構(gòu)B.體心立方結(jié)構(gòu)C.面心立方結(jié)構(gòu)D.金剛石結(jié)構(gòu)答案：D12.制備硅材料時，對原材料純度的要求通常是？A.90%以上B.95%以上C.99%以上D.99.9999%以上答案：D13.硅材料在集成電路中的主要作用是？A.絕緣B.導(dǎo)電C.作為襯底和有源區(qū)D.散熱答案：C14.化學(xué)氣相沉積法制備硅材料的優(yōu)點不包括？A.可以精確控制薄膜的成分和厚度B.沉積溫度低C.可以大面積均勻沉積D.設(shè)備簡單答案：D15.單晶硅的生長過程中，需要控制的關(guān)鍵參數(shù)不包括？A.溫度B.壓力C.光照強(qiáng)度D.拉速答案：C16.硅材料的熱導(dǎo)率隨溫度的升高？A.升高B.降低C.不變D.先升高后降低答案：B17.以下哪種方法可以用于檢測硅材料中的雜質(zhì)？A.X射線衍射法B.拉曼光譜法C.二次離子質(zhì)譜法D.掃描電子顯微鏡法答案：C18.硅材料的電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系是？A.雜質(zhì)濃度越高，電阻率越高B.雜質(zhì)濃度越高，電阻率越低C.雜質(zhì)濃度與電阻率無關(guān)D.雜質(zhì)濃度在一定范圍內(nèi)與電阻率成正比答案：B19.多晶硅的制備方法中，西門子法的主要原料是？A.石英砂B.三氯氫硅C.四氯化硅D.硅烷答案：B20.硅材料在光伏電池中的作用是？A.吸收光能并產(chǎn)生電子-空穴對B.作為電極C.作為封裝材料D.反射光線答案：A21.單晶硅的制備過程中，縮頸的目的是？A.排除雜質(zhì)B.控制晶體直徑C.提高晶體質(zhì)量D.便于籽晶的引入答案：A22.硅材料的化學(xué)性質(zhì)比較？A.活潑B.不活潑C.介于活潑與不活潑之間D.隨溫度變化而變化答案：B23.以下哪種物質(zhì)可以與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)？A.氧氣B.氮氣C.氦氣D.氬氣答案：A24.硅材料在高溫下與氧氣反應(yīng)生成？A.一氧化硅B.二氧化硅C.三氧化硅D.四氧化硅答案：B25.硅材料的制備過程中，需要進(jìn)行嚴(yán)格的？A.濕度控制B.光照控制C.磁場控制D.噪聲控制答案：A26.單晶硅的晶向?qū)ζ潆妼W(xué)性能有？A.很大影響B(tài).較小影響C.沒有影響D.影響不確定答案：A27.硅材料的硬度與？A.晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)B.雜質(zhì)濃度有關(guān)C.溫度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D28.化學(xué)氣相沉積法制備硅薄膜時，沉積速率主要取決于？A.氣體流量B.溫度C.壓力D.以上都是答案：D29.硅材料在電子器件中能夠承受的最高溫度一般是？A.100℃B.200℃C.500℃D.1000℃答案：C30.以下哪種方法可以改善硅材料的晶體質(zhì)量？A.快速冷卻B.緩慢冷卻C.反復(fù)加熱D.增加雜質(zhì)濃度答案：B31.硅材料的光學(xué)吸收系數(shù)與？A.波長有關(guān)B.溫度有關(guān)C.雜質(zhì)濃度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D32.單晶硅的制備過程中，放肩的目的是？A.擴(kuò)大晶體直徑B.減小晶體直徑C.提高晶體純度D.降低晶體缺陷答案：A33.硅材料的介電常數(shù)大約是？A.3.9B.10C.20D.50答案：A34.硅材料在集成電路制造中，常用的摻雜方法不包括？A.擴(kuò)散摻雜B.離子注入摻雜C.化學(xué)摻雜D.熱摻雜答案：D35.以下哪種雜質(zhì)在硅材料中是受主雜質(zhì)？A.砷B.銻C.硼D.磷答案：C36.硅材料的少數(shù)載流子壽命與？A.雜質(zhì)濃度有關(guān)B.晶體缺陷有關(guān)C.溫度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D37.多晶硅的提純過程中，常用的物理方法是？A.蒸餾法B.萃取法C.吸附法D.浮選法答案：A38.硅材料的能帶結(jié)構(gòu)屬于？A.直接帶隙B.間接帶隙C.半直接帶隙D.無帶隙答案：B39.單晶硅的生長過程中，等徑生長階段的關(guān)鍵是？A.保持穩(wěn)定的溫度和拉速B.增加加熱功率C.減小拉速D.更換籽晶答案：A40.硅材料在太陽能電池中的效率主要取決于？A.硅材料的純度B.電池結(jié)構(gòu)C.光照強(qiáng)度D.以上都是答案：D41.硅材料在高溫下與氫氣反應(yīng)生成？A.硅烷B.氫化硅C.二氧化硅D.不反應(yīng)答案：A42.以下哪種設(shè)備常用于單晶硅的制備？A.電弧爐B.單晶爐C.多晶爐D.反應(yīng)釜答案：B43.硅材料的載流子遷移率與？A.雜質(zhì)濃度有關(guān)B.溫度有關(guān)C.晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D44.化學(xué)氣相沉積法制備硅材料時，反應(yīng)室的壓力一般是？A.常壓B.低壓C.高壓D.超高壓答案：B45.硅材料的制備過程中，對環(huán)境的要求主要是？A.潔凈度高B.濕度大C.溫度高D.有磁場答案：A46.單晶硅的晶面指數(shù)常用的表示方法是？A.密勒指數(shù)B.笛卡爾坐標(biāo)C.極坐標(biāo)D.球面坐標(biāo)答案：A47.硅材料的電子親和能是指？A.電子從真空進(jìn)入硅材料所需要的能量B.電子從硅材料進(jìn)入真空所需要的能量C.電子在硅材料中的束縛能D.電子在硅材料中的遷移能答案：A48.以下哪種方法可以檢測硅材料的晶體結(jié)構(gòu)？A.原子力顯微鏡B.X射線衍射C.掃描隧道顯微鏡D.電子顯微鏡答案：B49.硅材料在集成電路中的摻雜工藝主要是為了？A.改變硅材料的導(dǎo)電性B.提高硅材料的硬度C.改善硅材料的光學(xué)性能D.降低硅材料的成本答案：A50.多晶硅的制備過程中，流化床法的優(yōu)點是？A.能耗低B.產(chǎn)量高C.純度高D.設(shè)備簡單答案：B51.硅材料的禁帶寬度隨溫度的升高？A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B52.單晶硅的制備過程中，收尾的目的是？A.防止晶體脫離B.提高晶體質(zhì)量C.排除雜質(zhì)D.控制晶體直徑答案：A53.硅材料的光學(xué)透過率與？A.波長有關(guān)B.厚度有關(guān)C.雜質(zhì)濃度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D54.化學(xué)氣相沉積法制備硅材料時，常用的催化劑是？A.鎳B.銅C.鐵D.鉑答案：D55.硅材料的熱膨脹系數(shù)與？A.溫度有關(guān)B.晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)C.雜質(zhì)濃度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D56.以下哪種現(xiàn)象與硅材料的半導(dǎo)體性質(zhì)有關(guān)？A.光電效應(yīng)B.壓電效應(yīng)C.磁致伸縮效應(yīng)D.霍爾效應(yīng)答案：A57.硅材料的制備過程中，需要進(jìn)行嚴(yán)格的雜質(zhì)控制，主要是因為雜質(zhì)會？A.影響硅材料的晶體結(jié)構(gòu)B.改變硅材料的電學(xué)性能C.降低硅材料的硬度D.使硅材料的顏色發(fā)生變化答案：B58.單晶硅的生長過程中，常用的加熱方式是？A.電阻加熱B.感應(yīng)加熱C.電弧加熱D.電子束加熱答案：B59.硅材料的化學(xué)穩(wěn)定性主要是由于？A.硅原子的電子結(jié)構(gòu)B.硅材料的晶體結(jié)構(gòu)C.硅材料的純度高D.硅材料的硬度大答案：A60.以下哪種方法可以提高硅材料的純度？A.區(qū)域熔煉法B.熱退火法C.化學(xué)腐蝕法D.機(jī)械拋光法答案：A61.硅材料在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用主要是基于其？A.本征半導(dǎo)體特性B.雜質(zhì)半導(dǎo)體特性C.金屬特性D.絕緣體特性答案：B62.化學(xué)氣相沉積法制備硅材料時，反應(yīng)溫度一般在？A.100-200℃B.300-500℃C.600-1000℃D.1000-1500℃答案：C63.硅材料的少數(shù)載流子擴(kuò)散長度與？A.雜質(zhì)濃度有關(guān)B.晶體缺陷有關(guān)C.溫度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D64.單晶硅的制備過程中，晶體的生長速度主要取決于？A.溫度梯度B.拉速C.熔體的過冷度D.以上都是答案：D65.硅材料的光學(xué)折射率與？A.波長有關(guān)B.溫度有關(guān)C.雜質(zhì)濃度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D66.以下哪種物質(zhì)不能用于蝕刻硅材料？A.氫氟酸B.硝酸C.氫氧化鈉D.鹽酸答案：D67.硅材料的制備過程中，對原材料的粒度要求是？A.越細(xì)越好B.越粗越好C.有一定的粒度范圍D.沒有要求答案：C68.單晶硅的晶向?qū)ζ錂C(jī)械性能有？A.很大影響B(tài).較小影響C.沒有影響D.影響不確定答案：A69.硅材料的熱穩(wěn)定性與？A.晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)B.雜質(zhì)濃度有關(guān)C.溫度有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D70.化學(xué)氣相沉積法制備硅材料時，反應(yīng)氣體的純度要求是？A.90%以上B.95%以上C.99%以上D.99.99%以上答案：D71.硅材料在電子器件中的散熱主要依靠？A.熱傳導(dǎo)B.熱對流C.熱輻射D.以上都是答案：A72.以下哪種方法可以檢測硅材料中的位錯缺陷？A.化學(xué)腐蝕法B.光學(xué)顯微鏡法C.電子顯微鏡法D.以上都是答案：D73.硅材料的電阻率隨溫度的升高？A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B74.單晶硅的制備過程中，為了提高晶體的均勻性，通常采用？A.旋轉(zhuǎn)坩堝B.增加拉速C.提高溫度D.減小壓力答案：A75.硅材料的光學(xué)吸收主要是由于？A.電子躍遷B.晶格振動C.雜質(zhì)吸收D.以上都是答案：D76.化學(xué)氣相沉積法制備硅材料時，沉積薄膜的質(zhì)量與？A.反應(yīng)氣體的流量有關(guān)B.反應(yīng)溫度有關(guān)C.反應(yīng)室的壓力有關(guān)D.以上都有關(guān)答案：D77.硅材料的制備過程中，為了防止雜質(zhì)的引入，通常采用？A.密封設(shè)備B.高溫處理C.化學(xué)清洗D.以上都是答案：D78.單晶硅的晶向?qū)ζ浠瘜W(xué)腐蝕速率有？A.很大影響B(tài).較小影響C.沒有影響D.影響不確定答案：A79.硅材料的電學(xué)性能主要由？A.晶體結(jié)構(gòu)決定B.雜質(zhì)濃度決定C.溫度決定D.以上都決定答案：D80.以下哪種雜質(zhì)元素對硅材料的電學(xué)性能影響最?。緼.金（Au）B.銅（Cu）C.氦（He）D.鐵（Fe）答案：C81.硅材料在制造光電器件時，為了提高光吸收效率，常采用的結(jié)構(gòu)是？A.多層結(jié)構(gòu)B.多孔結(jié)構(gòu)C.納米結(jié)構(gòu)D.以上都是答案：D82.在硅材料的摻雜過程中，離子注入法相對于擴(kuò)散法的優(yōu)勢是？A.可以精確控制摻雜濃度和深度B.工藝簡單C.成本較低D.可以在較低溫度下進(jìn)行答案：A83.硅材料的熱導(dǎo)率在（）方向上最高？A.[100]B.[110]C.[111]D.各向同性答案：A84.對于硅材料制備中的化學(xué)氣相沉積過程，以下哪種情況可能導(dǎo)致薄膜質(zhì)量下降？A.反應(yīng)氣體混合不均勻B.沉積溫度過高C.沉積時間過長D.反應(yīng)室壓力過低答案：A85.硅材料在高溫下的（）性能會顯著影響其在某些特殊電子器件中的應(yīng)用？A.抗氧化B.抗腐蝕C.抗變形D.抗輻射答案：C86.以下哪種方法可用于測量硅材料的少數(shù)載流子壽命？A.光電導(dǎo)衰退法B.四探針法C.電容-電壓法D.霍爾效應(yīng)測量法答案：A87.硅材料在半導(dǎo)體制造中，為了形成良好的歐姆接觸，通常需要進(jìn)行（）處理？A.表面氧化B.表面金屬化C.表面氮化D.表面碳化答案：B88.在硅材料的晶體生長過程中，（）可能會導(dǎo)致孿晶的形成？A.溫度波動過大B.籽晶質(zhì)量差C.熔體對流異常D.以上都是答案：D89.硅材料的介電損耗與（）有關(guān)？A.頻率B.溫度C.雜質(zhì)濃度D.以上都是答案：D90.以下哪種硅材料的制備方法對設(shè)備要求最高？A.直拉法B.區(qū)熔精煉法C.化學(xué)氣相沉積法D.流化床法答案：C91.硅材料在太陽能光伏應(yīng)用中，為了提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要對硅片進(jìn)行（）處理？A.減薄B.增厚C.表面織構(gòu)化D.表面鈍化答案：C92