材料物理性能（山東聯(lián)盟）知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋青島科技大學

材料物理性能（山東聯(lián)盟）知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋青島科技大學第一章單元測試

關于影響材料導電性因素的描述合理的有（）。

A:一般情況下，固溶體的電阻率高于組元的電阻率。B:“熱塑性變形＋退火態(tài)的電阻率”的電阻率高于“熱塑性變形＋淬火態(tài)”C:冷塑性變形對金屬電阻率的影響沒有一定規(guī)律。D:由于晶格振動加劇散射增大，金屬和半導體電阻率均隨溫度上升而升高。

答案:一般情況下，固溶體的電阻率高于組元的電阻率。一般情況下，當合金形成固溶體時其導電性（），并遵循50%原則。（）。

A:先增加后下降B:增加C:下降D:不變

答案:下降下列選項中不屬于超導體性質的選項是（）。

A:完全抗磁性B:熱釋電性C:通量量子化D:完全導電性

答案:熱釋電性電介質極化類型有（）

A:馳豫極化B:空間電荷極化C:彈性位移極化D:取向極化

答案:馳豫極化；空間電荷極化；彈性位移極化；取向極化量子自由電子理論和能帶理論均認為電子隨能量的分布服從費密-狄拉克定律。（）

A:對B:錯

答案:對

第二章單元測試

下面列舉的磁性中屬于強磁性的是（）。

A:反鐵磁性B:順磁性C:抗磁性D:亞鐵磁性

答案:亞鐵磁性關于影響材料鐵磁性的因素，下列說法中正確的是（）。

A:冷塑性變形使得MS、BR、HC均降低。μB:冷塑性變形使得μi增加C:溫度升高使得MS、BR降低D:溫度升高使得MS、BR、HC均升高

答案:溫度升高使得MS、BR降低關于材料磁化過程的說法正確的是（）。

A:為減小體系的能量，疇壁向靜磁能較小的那個磁疇遷移，使靜磁能較大的磁疇增大B:磁疇壁遷移的實質是壁內原子磁矩的逐漸轉向C:技術磁化是指在外磁場的作用下鐵磁體被賦予磁性的過程D:在交換能的作用下，磁矩趨于平行反向排列

答案:為減小體系的能量，疇壁向靜磁能較小的那個磁疇遷移，使靜磁能較大的磁疇增大關于鐵磁性金屬的磁致伸縮現(xiàn)象，下列說法正確的是（）。

A:磁場退火將令磁疇在室溫磁化時沿應伸長的方向預先伸長，磁致伸縮將不妨礙磁化，獲得較高的磁導率B:磁致伸縮是由材料的形狀各項異性引起的C:對于負磁致伸縮材料，膨脹系數(shù)隨溫度變化曲線上存在負反常現(xiàn)象D:對于正磁致伸縮的材料，磁化強度將轉向壓應力方向

答案:磁場退火將令磁疇在室溫磁化時沿應伸長的方向預先伸長，磁致伸縮將不妨礙磁化，獲得較高的磁導率鐵磁體的形狀各向異性是由退磁場引起的。長棒狀的鐵磁體試樣越（），形狀各向異性越明顯（）。

A:不規(guī)則B:圓C:短粗D:細長

答案:短粗

第三章單元測試

光與固體相互作用的本質有兩種方式（）。

A:電子極化B:電子能態(tài)轉變C:偶極子取向極化D:離子極化

答案:電子極化；電子能態(tài)轉變影響材料折射率的因素有（）。

A:材料元素的離子半徑B:材料的結構、晶型C:材料的內應力D:同質異構體

答案:材料元素的離子半徑；材料的結構、晶型；材料的內應力；同質異構體當α+γ=900時，tan(α+γ)=∞，RP=0，表示反射光中沒有平行入射面的矢量成分，此時的入射角稱為布儒斯特角（）。

A:錯B:對

答案:對光在介質中光強隨傳播距離呈指數(shù)式增加（）。

A:錯B:對

答案:錯關于光譜下列說法正確的是（）。

A:發(fā)射光譜指在一定的激發(fā)條件下發(fā)射光強按波長的分布。B:能夠引起材料發(fā)光的激發(fā)波長也一定是材料可以吸收的波長。C:材料吸收光之后一定會發(fā)射光，所以激發(fā)光譜=吸收光譜。D:激發(fā)光譜指材料發(fā)射某一特定譜線（或譜帶）的發(fā)光強度隨激發(fā)光的波長而變化的曲線。

答案:發(fā)射光譜指在一定的激發(fā)條件下發(fā)射光強按波長的分布。；能夠引起材料發(fā)光的激發(fā)波長也一定是材料可以吸收的波長。；激發(fā)光譜指材料發(fā)射某一特定譜線（或譜帶）的發(fā)光強度隨激發(fā)光的波長而變化的曲線。

第四章單元測試

德拜理論認為低溫時，C與（）成正比（）。

A:T2B:T3C:TD:T-1

答案:T3合金材料的導熱機構是（）。

A:光子B:聲子C:電子D:電子和聲子

答案:電子和聲子下列變化屬于二級相變的是（）。

A:同素異構轉變B:固溶體有序—無序轉變C:純金屬的三態(tài)變化D:共晶轉變

答案:固溶體有序—無序轉變金屬熱導率和電導率之間遵循魏德曼-弗蘭茲定律，其數(shù)學表達式為（）。

A:T/ke=L0σB:L0/σ=keTC:ke/σ=L0TD:σ/ke=L0T

答案:ke/σ=L0T格律乃森提出了固態(tài)的體熱膨脹極限方程。指出一般純金屬由溫度0K加熱到熔點TM，膨脹量隨熔點增加而增加（）。

A:錯B:對

答案:錯

第五章單元測試

通過測量材料電阻率變化可以研究材料的內部組織結構及缺陷，下列敘述不正確的是。（）。

A:利用電阻率的變化規(guī)律可以測量固溶體溶解度曲線B:利用電阻率的變化規(guī)律可以研究材料的疲勞和裂紋擴展情況C:直流四探針法主要用于電介質或絕緣體等高電阻率的測試D:與雙電橋法相比較，電位差計法更適合于測試金屬電阻隨溫度的變化

答案:直流四探針法主要用于電介質或絕緣體等高電阻率的測試直流電位差計法和四點探針法測量電阻率均可以消除接觸電阻的影響（）。

A:錯B:對

答案:錯用電阻法研究金屬的晶體缺陷（冷加工或高溫淬火）時電阻測量要在低溫下