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文檔簡介
材料科學(xué)基礎(chǔ)(山東理工大學(xué))知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東理工大學(xué)第一章單元測試
晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別在于晶體中存在長程有序而非晶體中不存在長程有序。
A:錯B:對
答案:對
只有那些自由能趨于降低的過程才能自發(fā)進行。
A:錯B:對
答案:對
結(jié)合能是把兩個原子完全分開需要的力,因此結(jié)合能越大,原子結(jié)合越不穩(wěn)定。
A:錯B:對
答案:錯
利用X射線可以對晶體結(jié)構(gòu)進行研究。
A:錯B:對
答案:對
明顯具有方向性的化學(xué)鍵是
A:
金屬鍵B:
氫鍵C:離子鍵
D:
共價鍵
答案:
共價鍵
單一相的組織要滿足的條件是
A:
化學(xué)組成可以不同,晶體結(jié)構(gòu)相同;B:
化學(xué)組成和晶體結(jié)構(gòu)都可以不同。C:
化學(xué)組成相同,晶體結(jié)構(gòu)可以不同;D:
化學(xué)組成相同,晶體結(jié)構(gòu)也相同;
答案:
化學(xué)組成相同,晶體結(jié)構(gòu)也相同;
在光學(xué)顯微鏡下觀察多晶體,則
A:
無法確定。B:
晶界處比晶粒內(nèi)部亮;C:
晶界與晶粒內(nèi)部亮度一樣;D:
晶界處比晶粒內(nèi)部暗;
答案:
晶界處比晶粒內(nèi)部暗;
原子結(jié)合鍵的一次鍵包括
A:離子鍵;B:
金屬鍵;C:共價鍵;D:
氫鍵。
答案:離子鍵;;
金屬鍵;;共價鍵;
關(guān)于物質(zhì)性能描述正確的是
A:
金屬原子的密集排列導(dǎo)致了高密度;B:
結(jié)合鍵強的物質(zhì)熔點較高;C:
二次鍵結(jié)合的物質(zhì)密度最低。D:
金屬原子的原子量較大也導(dǎo)致密度較大;
答案:
金屬原子的密集排列導(dǎo)致了高密度;;
結(jié)合鍵強的物質(zhì)熔點較高;;
二次鍵結(jié)合的物質(zhì)密度最低。;
金屬原子的原子量較大也導(dǎo)致密度較大;
體系最終得到的結(jié)構(gòu)還與外部條件有關(guān),包括
A:
冷卻速度B:
壓力C:溫度
D:
氣氛
答案:
冷卻速度;
壓力;溫度
第二章單元測試
面心立方和密排六方結(jié)構(gòu)的八面體間隙和四面體間隙都是對稱的。
A:對B:錯
答案:對最難以形成非靜態(tài)結(jié)構(gòu)的是(
)。
A:塑料B:聚合物C:陶瓷D:金屬
答案:金屬底心四方是點陣類型之一。
A:對B:錯
答案:錯某單質(zhì)金屬從高溫冷卻到室溫的過程中發(fā)生同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變時體積膨脹,則低溫相的原子配位數(shù)比高溫相(
)。
A:相同B:低C:高D:其余選項都不對
答案:低簡單立方晶體中原子的配位數(shù)是(
)。
A:6B:12C:8D:10
答案:6已知面心立方結(jié)構(gòu)中原子在(111)面上的堆垛方式為ABCABC…,則在(011)面上的堆垛方式為(
)。
A:ABCDACD...B:ABCABC…C:ABCDEFAB…D:ABAB…
答案:ABAB…碘化銫晶體結(jié)構(gòu)中,碘占據(jù)立方體角頂位置,銫占據(jù)體心位置,所以其結(jié)構(gòu)類型為體心格子。
A:錯B:對
答案:錯離子鍵性可以由兩個原子的電負性決定。
A:對B:錯
答案:錯在四方晶系中,(100)面必定與(110)面相交成45°角。
A:對B:錯
答案:對鮑林規(guī)則適用于所有晶體結(jié)構(gòu)。
A:對B:錯
答案:錯
第三章單元測試
高溫時材料中的點缺陷是發(fā)生蠕變的重要原因。
A:對B:錯
答案:對
不論是刃型位錯還是螺型位錯都可以攀移。
A:錯B:對
答案:錯
位錯只有在某些固定晶面和固定晶向上才能滑移。
A:錯B:對
答案:對
具有平衡數(shù)目點缺陷時的晶體與無缺陷的理想晶體相比自由能
A:
更低B:
更高C:
無法確定D:
一樣
答案:
更低
晶體的實際滑動方向取決于
A:
位錯線方向B:
位錯線法線方向C:
柏氏矢量方向D:
位錯線運動方向
答案:
柏氏矢量方向
位錯運動時原子的實際運動距離
A:
無法確定B:
小于位錯運動距離C:
等于位錯運動距離D:
大于位錯運動距離
答案:
小于位錯運動距離
晶體中的點缺陷將使材料的性能發(fā)生變化,包括
A:
電阻減小B:
體積膨脹C:
密度下降D:
塑性提高
答案:
體積膨脹;
密度下降關(guān)于位錯密度與晶體材料,以下說法正確的是
A:退火后位錯密度較低,晶體強度也較低;;B:
點缺陷的產(chǎn)生使自由能增加冷變形后位錯密度升高,強度反而升高;C:位錯極少的晶須強度很高。D:
點缺陷的產(chǎn)生冷變形后位錯密度升高,晶體強度更低使熵增加;
答案:退火后位錯密度較低,晶體強度也較低;;;
點缺陷的產(chǎn)生使自由能增加冷變形后位錯密度升高,強度反而升高;;位錯極少的晶須強度很高。當材料中有一些點缺陷且超過平衡數(shù)時,以下說法正確的是
A:點缺陷的產(chǎn)生使熵增加;B:點缺陷的產(chǎn)生使自由能下降。C:點缺陷的產(chǎn)生使內(nèi)能增加;D:點缺陷的產(chǎn)生使自由能增加;
答案:點缺陷的產(chǎn)生使熵增加;;點缺陷的產(chǎn)生使內(nèi)能增加;;點缺陷的產(chǎn)生使自由能增加;判斷以下位錯能否發(fā)生。
A:錯B:對
答案:對
第四章單元測試
只有晶體結(jié)構(gòu)相同的兩種物質(zhì)之間才能形成無限固溶體。
A:錯B:對
答案:對
固溶體中原子偏聚主要取決于固溶體中同類原子結(jié)合能與異類原子結(jié)合能的相對大小。當同類原子結(jié)合能大于異類原子結(jié)合能時,溶質(zhì)原子傾向于偏聚。
A:錯B:對
答案:對
共晶轉(zhuǎn)變就是一種成分的固相同時轉(zhuǎn)變?yōu)榱硗鈨煞N不同成分固相的轉(zhuǎn)變。
A:對B:錯
答案:錯
純鐵的塑性韌性好,但強度硬度高,可以用作結(jié)構(gòu)材料。
A:錯B:對
答案:錯
電子化合物大多是以第一族或過渡族金屬元素與第二至第五族金屬元素形成的中間相,其形成主要取決于
A:三者均有。
B:
尺寸因素;C:電子濃度;
D:
化學(xué)價;
答案:電子濃度;
萊氏體中的滲碳體稱為
A:共晶滲碳體;B:
共析滲碳體。C:一次滲碳體;D:
二次滲碳體;
答案:共晶滲碳體;
通過濃度三角形A點的線上的合金成分
A:
線上所有點代表的合金成分所含的A、C組元量比例不變;B:
線上所有點代表的合金成分所含的A組元量均相等;C:
線上所有點代表的合金成分所含的A、B組元量比例不變;D:
線上所有點代表的合金成分所含的B、C組元量比例不變;
答案:
線上所有點代表的合金成分所含的B、C組元量比例不變;
關(guān)于相律,以下說法正確的是
A:
相律不能預(yù)告反應(yīng)動力學(xué);B:
相律只表明組元和相的數(shù)目,不指明組元或相的類型和含量;C:
相律不只是適用于熱力學(xué)平衡狀態(tài);D:
自由度的值可以小于零。
答案:
相律不能預(yù)告反應(yīng)動力學(xué);;
相律只表明組元和相的數(shù)目,不指明組元或相的類型和含量;
常溫下含碳量為1.2%的鐵碳合金中的組織組成物包括
A:
滲碳體。B:
鐵素體;C:
珠光體;D:
奧氏體;
答案:
滲碳體。;
珠光體;
關(guān)于鐵素體與滲碳體,以下說法正確的是
A:
滲碳體則屬于硬脆相;B:
滲碳體屬于強韌相。C:
鐵素體的強度硬度低,而塑性韌性好;D:
鐵素體強度硬度高,塑性韌性差;
答案:
滲碳體則屬于硬脆相;;
鐵素體的強度硬度低,而塑性韌性好;
第五章單元測試
所謂臨界晶核,就是體系自由能的減少補償表面自由能1/3時的晶胚大小。
A:對B:錯
答案:錯
當某液態(tài)金屬與基底潤濕角等于180度時,非均勻形核功最小。
A:錯B:對
答案:錯
在研究某金屬的細化晶粒工藝時,主要尋找那些熔點高且與該金屬晶格常數(shù)相近的形核劑,其形核的效能最高。
A:對B:錯
答案:對
實際金屬結(jié)晶時,形核率隨著過冷度的增加而增加,超過一極大值后,出現(xiàn)相反的變化。
A:錯B:對
答案:對
顯微偏析是無法完全消除的,但正常偏析是可以通過熱處理消除的。
A:對B:錯
答案:對
金屬結(jié)晶時,晶體長大所需的動態(tài)過冷度比形核所需的臨界過冷度大。
A:對B:錯
答案:錯
鑄錠凝固時如大部分結(jié)晶潛熱可通過液相散失時,則固態(tài)顯微組織主要為
A:
球晶B:
柱狀晶C:
樹枝晶D:單晶
答案:
樹枝晶
晶體凝固時若以均勻形核方式進行,則當形成臨界晶核時,體系自由能
A:
不變B:
不確定C:
降低D:升高
答案:升高
凝固時不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪種方法
A:
加入形核劑B:
增加冷卻速度C:
進行再結(jié)晶退火D:
對液相實施攪拌
答案:
進行再結(jié)晶退火
鑄錠中的()屬宏觀偏析
A:
比重偏析B:
枝晶偏析C:晶界偏析
D:
正常偏析
答案:
比重偏析;
正常偏析
第六章單元測試
無論是間隙原子擴散還是置換式的原子擴散,在晶體結(jié)構(gòu)不太緊密的金屬中擴散會相對容易一些。
A:錯B:對
答案:對
在離子晶體中,正離子由于尺寸較小,失去電子,因而易于運動,這就導(dǎo)致正負離子的跳動頻率大不相同。
A:對B:錯
答案:對
無論是固態(tài)相變還是液態(tài)與固態(tài)之間的相變都要有形核與長大過程,因此這兩種相變沒有差異。
A:錯B:對
答案:錯
對于界面控制長大的情況,新相生長時界面的遷移很慢,因此新相的長大最終由界面的遷移速度來決定。
A:對B:錯
答案:對
工業(yè)上滲碳是為了獲得材料的哪種性能?
A:
表面和內(nèi)部均有良好的塑性韌性B:
表面有韌性內(nèi)部有塑性;C:
表面有塑性韌性內(nèi)部有硬度;D:
表面有硬度內(nèi)部有塑性韌性;
答案:
表面有硬度內(nèi)部有塑性韌性;
柯肯達爾實驗將一塊含鋅30%的黃銅放置在一個純銅的盒子中,兩者的界面用鉬絲包扎,經(jīng)過高溫長時間退火后,發(fā)現(xiàn)鉬絲間的間距縮小了,其結(jié)果表明
A:
Zn原子和Cu原子是直接換位進行的擴散;B:
這種差異是Zn原子和Cu原子的擴散系數(shù)不同造成的;C:
擴散是以間隙機制來實現(xiàn)的。D:擴散是以空位機制來實現(xiàn)的;
答案:擴散是以空位機制來實現(xiàn)的;
在Al-Cu合金時效過程中,按照時間先后出現(xiàn)順序正確的是
A:
GP區(qū)、θ相、θ’相、θ”相;B:
GP區(qū)、θ”相、θ’相、θ相。C:
GP區(qū)、θ’相、θ”相、θ相;D:
θ相、θ’相、θ”相、GP區(qū);
答案:
GP區(qū)、θ”相、θ’相、θ相。
關(guān)于自擴散激活能,以下說法正確的是
A:
不包括空位形成能,只包括空位遷移能;B:
它由兩部分構(gòu)成,一部分是空位形成能,一部分是空位遷移能;C:
激活能越高遷移越困難。D:
不包括空位遷移能,只包括空位形成能;
答案:
它由兩部分構(gòu)成,一部分是空位形成能,一部分是空位遷移能;;
激活能越高遷移越困難。
關(guān)于燒結(jié),以下說法正確的是
A:
其它條件相同時,達到一定緊密度的燒結(jié)時間與顆粒尺寸的三次方成正比;B:
燒結(jié)產(chǎn)品會存在一定數(shù)量的顯微裂紋且正比于原材料的粉末尺寸。C:
原材料的顆粒越細,燒結(jié)速率越快;D:
用一般的燒結(jié)方法很容易得到完全致密的產(chǎn)品;
答案:
其它條件相同時,達到一定緊密度的燒結(jié)時間與顆粒尺寸的三次方成正比;;
燒結(jié)產(chǎn)品會存在一定數(shù)量的顯微裂紋且正比于原材料的粉末尺寸。;
原材料的顆粒越細,燒結(jié)速率越快;
關(guān)于新相的生長,以下說法正確的是
A:
生長會始終按照一樣的速度進行B:
新相的長大服從拋物線規(guī)律;C:
在時間固定的情況下,長大速度正比于過飽和度;D:
各自的擴撒區(qū)域相互重疊時,生長也會減慢;
答案:
新相的長大服從拋物線規(guī)律;;
在時間固定的情況下,長大速度正比于過飽和度;;
各自的擴撒區(qū)域相互重疊時,生長也會減慢;
第七章單元測試
彈性模量是原子間結(jié)合力強弱的反映,加入少量合金元素以及熱處理就可以對彈性模量產(chǎn)生較大的影響。
A:對B:錯
答案:錯
當多晶體中少數(shù)趨向有利的晶粒開始滑移時,一個晶粒的位錯在滑移到晶界處,可以直接穿越晶界滑動到臨界的晶粒。
A:對B:錯
答案:錯
對純金屬,單相金屬或者低碳鋼都發(fā)現(xiàn)屈服強度和晶粒大小有關(guān),晶粒越細,材料的強度越高。
A:對B:錯
答案:對
經(jīng)過再結(jié)晶退火可以改善金屬的組織性能從而使后續(xù)的加工工藝得以繼續(xù)進行。
A:對B:錯
答案:對
關(guān)于面心立方金屬的密排面和密排方向,以下說法正確的是
A:
密排面是{111},密排方向是<111>;B:
密排面是{110},密排方向是<111>;C:
密排面是{110},密排方向是<110>;D:
密排面是{111},密排方向是<110>。
答案:
密排面是{111},密排方向是<110>。
在變形由一個晶粒傳遞到另一個晶粒時,為了保證變形的順利進行需要獨立滑移系的最小數(shù)目為
A:
三個B:
六個C:
四個D:
五個
答案:
五個
再結(jié)晶的驅(qū)動力也來自于
A:
表面能B:
界面能C:
表面界面能D:
彈性畸變能
答案:
彈性畸變能
關(guān)于再結(jié)晶以下說法正確的是
A:再結(jié)晶是一種相變過程。B:
在給定溫度下發(fā)生再結(jié)晶需要一個最小變形量;C:
變形量越大,再結(jié)晶后的晶粒越細;D:
第二相尺寸較大時再結(jié)晶核心能在其表面產(chǎn)生;
答案:
在給定溫度下發(fā)生再結(jié)晶需要一個最小變形量;;
變形量越大,再結(jié)晶后的晶粒越細;;
第二相尺寸較大時再結(jié)晶核心能在其表面產(chǎn)生;
關(guān)于位錯,以下說法正確的是
A:
位錯運動會消失,所以變形將導(dǎo)致位錯數(shù)量下降。B:
金屬變形后產(chǎn)生大量位錯;C:位錯數(shù)
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