版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
一、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管1.結(jié)構(gòu)和符號(hào)
在一塊N型半導(dǎo)體的兩側(cè)制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū),形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)P區(qū)連在一起稱為柵極G,N型溝道的一端是漏極D,另一端是源極S。N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管沒有絕緣層,漏極、源極不斷開。只有耗盡型,沒有增強(qiáng)型。4.2.2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管2.工作原理(1)uGS對(duì)iD的控制作用
耗盡層較窄,溝道較寬。PN結(jié)反偏,耗盡層向中間靠攏,溝道變窄。
溝道合攏,發(fā)生夾斷。uGS=0VuGS<0VuGS=UGS(off)(2)uDS對(duì)iD的影響
漏極處耗盡層變寬,溝道變窄,溝道呈楔形分布
漏極處出現(xiàn)夾斷區(qū),發(fā)生預(yù)夾斷。
夾斷區(qū)向源極方向延長(zhǎng),uDS的增大幾乎全部用于克服夾斷區(qū)電阻。uGD=uGS-uDS>UGS(off)可變電阻區(qū)uGD=uGS-uDS=UGS(off)uGD=uGS-uDS<UGS(off)預(yù)夾斷恒流區(qū)
3.特性曲線(1)輸出特性曲線(2)轉(zhuǎn)移特性曲線在恒流區(qū)時(shí),有0uGS/V
iD/mA2-4-6-1234=-10VUDS表4.2.1場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和特性曲線對(duì)比N溝道增強(qiáng)型MOSFETP溝道增強(qiáng)型MOSFETN溝道耗盡型MOSFETP溝道耗盡型MOSFET表4.2.1場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和特性曲線對(duì)比N溝道JFETP溝道
JFET表4.2.1場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和特性曲線對(duì)比4.2.3場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)和型號(hào)1.直流參數(shù)①開啟電壓UGS(th)(或UT)----開啟電壓是增強(qiáng)型MOS管的參數(shù),柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值,場(chǎng)效應(yīng)管不導(dǎo)通。②夾斷電壓UGS(off)(或UP)----夾斷電壓是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù),當(dāng)UGS=UGS(off)時(shí),漏極電流為零。③飽和漏極電流IDSS----耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管,當(dāng)UGS=0V時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④輸入電阻RGS----場(chǎng)效應(yīng)管柵源之間的電阻,對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效管,反偏時(shí)RGS約大于107Ω,對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,RGS約是109~1015Ω。2.交流參數(shù)⑤低頻跨導(dǎo)gm----低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取,單位是mS(毫西門子)⑥極間電容----場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)電極之間存在電容。一般Cgs和Cgd約為1~3pF,Cds約為0.1~1pF。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管3.極限參數(shù)⑦最大漏極電流IDM----場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)的漏極電流的上限值。⑧擊穿電壓U(BR)GS----結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源之間所加的反向電壓使PN結(jié)擊穿的電壓值,或絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極絕緣層擊穿的電壓值。⑩最大漏極功耗PDM----最大漏極功耗可由PDM=UDSID決定,與雙極型晶體管的PCM相當(dāng)。⑨擊穿電壓U(BR)DS----場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入恒流區(qū),uds的增加使
iD驟然增加的漏源電壓值。4.場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)
第一種命名方法是與雙極型晶體管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料,D是P型硅N溝道;C是N型硅P溝道。例如3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的型號(hào),現(xiàn)行有兩種命名方法。表4.2.2雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管性能對(duì)比晶體管類型項(xiàng)目雙極型晶體管(BJT)場(chǎng)效應(yīng)管(FET)結(jié)構(gòu)NPN型PNP型結(jié)型:N溝道,P溝道絕緣柵增強(qiáng)型:N溝道,P溝道絕緣柵耗盡型:N溝道,P溝道電極使用C、E電極不能互換使用D、S可以互換使用載流子多子、少子多子輸入量電流電壓控制電流控制電流源CCCS(β)電壓控制電流源VCCS(gm)噪聲系數(shù)較大較小熱穩(wěn)定性差
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 房地產(chǎn)交易合同模板
- 房地產(chǎn)合同補(bǔ)充協(xié)議的范例
- 房屋買賣合同律師法律解答顧問
- 酒店轉(zhuǎn)讓合同的效力
- 股東墊資合同協(xié)議書注意事項(xiàng)
- 招標(biāo)文件與施工合同審查要點(diǎn)透析
- 室內(nèi)設(shè)計(jì)項(xiàng)目合同
- 購銷合作服務(wù)協(xié)議
- 游戲代理權(quán)授權(quán)協(xié)議示范
- 塑料制品購銷協(xié)議
- 2024年全國(guó)人才流動(dòng)中心招聘事業(yè)編制人員3人歷年公開引進(jìn)高層次人才和急需緊缺人才筆試參考題庫(共500題)答案詳解版
- 中班音樂《小看戲》課件
- 電大財(cái)務(wù)大數(shù)據(jù)分析編程作業(yè)2
- 葡萄糖醛酸在藥物開發(fā)中的應(yīng)用
- 導(dǎo)尿管相關(guān)尿路感染預(yù)防與控制技術(shù)指南(試行)-解讀
- 長(zhǎng)安歷史文化概論智慧樹知到期末考試答案2024年
- (正式版)JBT 7122-2024 交流真空接觸器 基本要求
- 幼兒自主游戲中教師角色定位現(xiàn)狀調(diào)查問卷(教師卷)
- 中華民族共同體概論課件專家版4第四講 天下秩序與華夏共同體的演進(jìn)(夏商周時(shí)期)
- 小班社會(huì)《圍巾、帽子、手套》課件
- 《金屬塑性加工原理》考試總復(fù)習(xí)題
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論