材料科學(xué)基礎(chǔ)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋長(zhǎng)春理工大學(xué)

材料科學(xué)基礎(chǔ)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋長(zhǎng)春理工大學(xué)緒論單元測(cè)試

以下材料屬于結(jié)構(gòu)材料的是（）

A:半導(dǎo)體B:新能源材料C:透明陶瓷D:工程塑料

答案:工程塑料以下材料屬于功能材料的是（）

A:激光晶體B:建筑用玻璃C:鋼材D:混凝土

答案:激光晶體光學(xué)塑料屬于無(wú)機(jī)非金屬材料（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)應(yīng)用在太陽(yáng)能領(lǐng)域的GaAs成本高，這個(gè)不利于其大規(guī)模推廣。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)判斷以下哪些物質(zhì)屬于材料（）

A:水泥B:冰糖C:蔬菜D:陶瓷

答案:水泥；陶瓷

第一章單元測(cè)試

晶胞的形狀可以是？（）

A:六方柱B:三方柱C:四方柱D:四面體

答案:四方柱晶體是？（）

A:透明、表面光潔的物體B:具有格子構(gòu)造的固體C:具有多面體形態(tài)的固體D:具有光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的固體

答案:具有格子構(gòu)造的固體晶體的基本性質(zhì)由晶體的格子構(gòu)造決定的（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)晶體的對(duì)稱(chēng)性也是晶體異向性的體現(xiàn)（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)晶胞的形狀可以是（）。

A:菱形柱B:立方體C:四方柱D:六方柱

答案:菱形柱；立方體；四方柱

第二章單元測(cè)試

當(dāng)不等價(jià)離子置換形成固溶體時(shí)，說(shuō)法不正確的是（）

A:補(bǔ)償缺陷只能是陽(yáng)離子空位。B:YF3加入到CaF2時(shí)，Y3+占據(jù)Ca2+的晶格節(jié)點(diǎn)，F(xiàn)-離子進(jìn)入間隙平衡電荷。C:為保持電中性，在晶體結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生電荷補(bǔ)償。D:低價(jià)陽(yáng)離子置換高價(jià)陽(yáng)離子時(shí)，產(chǎn)生帶有負(fù)電荷的雜質(zhì)缺陷，補(bǔ)償缺陷帶正電荷。

答案:補(bǔ)償缺陷只能是陽(yáng)離子空位。關(guān)于非化學(xué)計(jì)量化合物的說(shuō)法正確的是（）

A:非化學(xué)計(jì)量化合物都不是半導(dǎo)體。B:可以看作是高價(jià)化合物與低價(jià)化合物的固溶體。C:非化學(xué)計(jì)量化合物產(chǎn)生及缺陷濃度與氣氛性質(zhì)、壓力無(wú)關(guān)。D:缺陷濃度與溫度無(wú)關(guān)。

答案:可以看作是高價(jià)化合物與低價(jià)化合物的固溶體。兩種晶體結(jié)構(gòu)不同或相互取代的離子半徑差別較大，只能生成有限固溶體。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)形成固溶體，對(duì)晶體性質(zhì)的影響可以表現(xiàn)在提高材料的強(qiáng)度和硬度，一般置換式溶質(zhì)原子的強(qiáng)化效果更顯著。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)非化學(xué)計(jì)量化合物Zn1+xO，正確的說(shuō)法是（）

A:在還原氣氛中才能形成。B:電導(dǎo)率隨溫度的升高而呈指數(shù)規(guī)律增加。C:電導(dǎo)率隨氧分壓升高而升高。D:Zn1+xO是一種n型半導(dǎo)體。

答案:電導(dǎo)率隨溫度的升高而呈指數(shù)規(guī)律增加。；Zn1+xO是一種n型半導(dǎo)體。

第三章單元測(cè)試

當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度降低，低聚物數(shù)量？粘度？（）

A:增加，降低B:不變，降低C:增加，不變D:降低，增加

答案:降低，增加硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si降低而？隨溫度升高而？（）

A:降低，降低B:增大，增大C:增大，降低D:降低，增大

答案:增大，降低高價(jià)金屬氧化物加入硅酸鹽熔體中，根據(jù)加入量的多少來(lái)判斷對(duì)粘度的影響。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)氧化鈣加入硅酸鹽熔體中，會(huì)降低熔體的粘度。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受因素的影響有（）。

A:組成B:溫度C:時(shí)間D:壓力

答案:組成；溫度

第四章單元測(cè)試

為提高固液界面的結(jié)合強(qiáng)度，不可以采取的方式是（）

A:液相潤(rùn)濕固相，增加固相表面的粗糙度。B:通過(guò)一定的方式，一定程度地提高固體表面能γSV。C:通過(guò)形成表面吸附膜，降低表面能，實(shí)現(xiàn)增加固液結(jié)合強(qiáng)度。D:使固、液二相的化學(xué)組成相近，降低γSL，提高附著功W。

答案:通過(guò)形成表面吸附膜，降低表面能，實(shí)現(xiàn)增加固液結(jié)合強(qiáng)度。以下關(guān)于粉體表面說(shuō)法不正確的是（）

A:表面層離子的極化變形和重排使表面晶格畸變，有序性降低。B:粉體顆粒越細(xì)，比表面能越高。C:隨著粒子的微細(xì)化，比表面增大，表面結(jié)構(gòu)的有序程度受到愈來(lái)愈強(qiáng)烈的擾亂并不斷向顆粒深部擴(kuò)展。D:粉體表面結(jié)構(gòu)的高度變形導(dǎo)致其與同組成塊體材料相比具有低的表面能。

答案:粉體表面結(jié)構(gòu)的高度變形導(dǎo)致其與同組成塊體材料相比具有低的表面能。固體的表面張力是各向異性的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)固體表面常常處于熱力學(xué)非平衡狀態(tài)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下列關(guān)于潤(rùn)濕的說(shuō)法中正確的是。（）

A:Wc的大小表征了液體分子間的相互作用力,叫做內(nèi)聚功。Wc越大,液體本身結(jié)合越牢固B:沾濕過(guò)程中,單位面積體系對(duì)外所做的功稱(chēng)為粘附功C:體系自由能減少得越多,沾濕過(guò)程越容易進(jìn)行,粘附功越大,液-固界面結(jié)合越牢D:S稱(chēng)之為鋪展系數(shù):S的大小表征了液體在固體表面鋪展的能力

答案:Wc的大小表征了液體分子間的相互作用力,叫做內(nèi)聚功。Wc越大,液體本身結(jié)合越牢固；沾濕過(guò)程中,單位面積體系對(duì)外所做的功稱(chēng)為粘附功；體系自由能減少得越多,沾濕過(guò)程越容易進(jìn)行,粘附功越大,液-固界面結(jié)合越牢；S稱(chēng)之為鋪展系數(shù):S的大小表征了液體在固體表面鋪展的能力

第五章單元測(cè)試

三元系統(tǒng)中，無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)可以根據(jù)無(wú)變量點(diǎn)與對(duì)應(yīng)副三角形的位置關(guān)系來(lái)判斷，如果無(wú)變量點(diǎn)處于相對(duì)應(yīng)副三角形的重心位置，則該無(wú)變量點(diǎn)為。（）

A:過(guò)渡點(diǎn)B:雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)C:單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)D:低共熔點(diǎn)

答案:低共熔點(diǎn)三元系統(tǒng)中，如果無(wú)變量點(diǎn)周?chē)娜齻€(gè)初晶區(qū)對(duì)應(yīng)的三種晶相的組成點(diǎn)在一條直線上，不能形成一個(gè)副三角形，那么該無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)是（）。

A:過(guò)渡點(diǎn)B:單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)C:雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)D:低共熔點(diǎn)

答案:過(guò)渡點(diǎn)在玻璃生產(chǎn)中，常常選擇低共熔點(diǎn)組成點(diǎn)配料，這是因?yàn)榻M成位于低共熔點(diǎn)的熔體析晶能力小，不易析晶形成玻璃缺陷。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)在水泥生產(chǎn)過(guò)程中，熟料煅燒后采用急冷工藝，所得到的熟料中結(jié)晶相的含量較平衡冷卻增加（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下關(guān)于三元相圖平衡冷卻析晶時(shí)，析晶結(jié)束對(duì)應(yīng)的無(wú)變量點(diǎn)的說(shuō)法錯(cuò)誤的是.（）

A:多晶轉(zhuǎn)變點(diǎn)一定不是析晶結(jié)束點(diǎn)B:共熔點(diǎn)不一定是析晶結(jié)束點(diǎn)C:轉(zhuǎn)熔點(diǎn)一定是析晶結(jié)束點(diǎn)D:過(guò)渡點(diǎn)不一定是析晶結(jié)束點(diǎn)

答案:共熔點(diǎn)不一定是析晶結(jié)束點(diǎn)；轉(zhuǎn)熔點(diǎn)一定是析晶結(jié)束點(diǎn)；過(guò)渡點(diǎn)不一定是析晶結(jié)束點(diǎn)

第六章單元測(cè)試

以下關(guān)于擴(kuò)散系數(shù)的說(shuō)法，哪一個(gè)是正確的（）：

A:表面的擴(kuò)散系數(shù)小于晶界的擴(kuò)散系數(shù)。B:擴(kuò)散離子性質(zhì)與擴(kuò)散截止性質(zhì)間差異越大，擴(kuò)散活化能越高。C:間隙型固溶體比置換型固溶體容易擴(kuò)散。D:晶體結(jié)構(gòu)中的原子間的結(jié)合力越強(qiáng)，擴(kuò)散系數(shù)越大。

答案:間隙型固溶體比置換型固溶體容易擴(kuò)散。以下關(guān)于菲克定律的說(shuō)法，哪一個(gè)是正確的（）

A:菲克定律是唯象關(guān)系式，并不涉及擴(kuò)散系統(tǒng)內(nèi)部原子運(yùn)動(dòng)的微觀過(guò)程。B:菲克定律中的擴(kuò)散方向與濃度梯度方向一致。C:菲克定律中的擴(kuò)散系數(shù)部分反映了擴(kuò)散系統(tǒng)的特性。D:菲克第一定律僅適用于穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散，菲克第二定律僅適用于非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散。

答案:菲克定律是唯象關(guān)系式，并不涉及擴(kuò)散系統(tǒng)內(nèi)部原子運(yùn)動(dòng)的微觀過(guò)程。擴(kuò)散是固體中質(zhì)點(diǎn)傳輸?shù)奈ㄒ煌緩?。?/p>

）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)物質(zhì)的擴(kuò)散方向不一定是與濃度梯度方向相反的（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)以下不是原子擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力是（）。

A:組元的濃度梯度B:組元的化學(xué)勢(shì)梯度C:壓力梯度D:溫度梯度

答案:組元的濃度梯度；壓力梯度；溫度梯度

第七章單元測(cè)試

根據(jù)相變過(guò)程的溫度條件，若相變過(guò)程是吸熱過(guò)程，則該過(guò)程必須（）。

A:吸熱B:不加熱C:過(guò)熱D:過(guò)冷卻

答案:過(guò)熱形成臨界晶核時(shí)，體積自由能的減少可以補(bǔ)償表面能，但只能補(bǔ)償表面能的（）

A:1/2B:1/3。C:2/3D:3/4

答案:1/3。一級(jí)相變的特點(diǎn)是，相變發(fā)生時(shí)，兩平衡相的化學(xué)勢(shì)相等，但其一階偏微分不相等。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)馬氏體轉(zhuǎn)變是無(wú)擴(kuò)散型相變（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)按相變機(jī)理不同，可以將相變分為（）

A:馬氏相變B:成核-長(zhǎng)大相變C:連續(xù)型相變D:有序無(wú)序相變

答案:馬氏相變；成核-長(zhǎng)大相變；連續(xù)型相變；有序無(wú)序相變

第八章單元測(cè)試

擴(kuò)散控制的動(dòng)力學(xué)方程，主要有那些（）

A:金斯特林格方程和楊德方程B:二元一次方程C:擴(kuò)散方程D:薛定諤方程

答案:金斯特林格方程和楊德方程溫度和壓力如何影響固相反應(yīng)（）

A:溫度升高、壓力升高，一般會(huì)降低反應(yīng)速度。B:溫度升高、壓力降低，一般會(huì)提高反應(yīng)速度。C:溫度升高、壓力升高，一般會(huì)提高反應(yīng)速度。D:溫度降低，壓力降低，一般會(huì)提高反應(yīng)速度。

答案:溫度升高、壓力升高，一般會(huì)提高反應(yīng)速度。從熱力學(xué)的觀點(diǎn)看，促使反應(yīng)自行發(fā)生的推動(dòng)力是系統(tǒng)自由焓的下降（）。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)金斯特林格方程與楊德方程一樣，也沒(méi)有考慮反應(yīng)物與產(chǎn)物密度不同所帶來(lái)的體積效應(yīng)，因此仍然存在誤差（）。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)固相反應(yīng)的類(lèi)型有那些（）。

A:有氣體參與的反應(yīng)B:純固相反應(yīng)C:真空條件下的反應(yīng)D:有液相參與的反應(yīng)

答案:有氣體參與的反應(yīng)；純固相反應(yīng)；有液相參與的反應(yīng)

第九章單元測(cè)試

外加劑與燒結(jié)主體形成化合物會(huì)（）。

A:抑制晶界移動(dòng)，利于燒結(jié)。B:促進(jìn)晶界移動(dòng)，利于燒結(jié)。C:抑制晶界移動(dòng)，不利于燒結(jié)。D:促進(jìn)晶界移動(dòng)，不利于燒結(jié)。

答案:抑制晶界移動(dòng)，不