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電力電子技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋蘭州理工大學(xué)緒論單元測試
變流還包括頻率或者相數(shù)等參數(shù)的變換。()
A:對B:錯
答案:對電力電子技術(shù)的誕生是以硅整流二極管的研制成功為標(biāo)志的。()
A:對B:錯
答案:錯電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)是電力半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)。()
A:對B:錯
答案:對電力電子器件所采用的半導(dǎo)體材料主要是硅材料。()
A:對B:錯
答案:對光伏逆變器屬于()變換電路。
A:DC-AC
B:AC-DC
C:AC-AC
D:DC-DC
答案:DC-AC
提出電力電子學(xué)倒三角描述的學(xué)者W.Newell是()。
A:美國學(xué)者
B:德國學(xué)者
C:英國學(xué)者
D:法國學(xué)者
答案:美國學(xué)者
電力電子系統(tǒng)中主電路和控制電路之間的電氣隔離方式主要有()。
A:電容隔離
B:電介質(zhì)隔離
C:磁隔離
D:光隔離
答案:磁隔離
;光隔離
電力電子學(xué)是由電子學(xué)、電力學(xué)和控制技術(shù)3門學(xué)科交叉而形成的。()
A:錯B:對
答案:對
第一章單元測試
為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件件一般工作在()。
A:放大狀態(tài)
B:導(dǎo)通狀態(tài)
C:截止?fàn)顟B(tài)
D:開關(guān)狀態(tài)
答案:開關(guān)狀態(tài)
當(dāng)電力電子器件開關(guān)頻率較高時,其功率損耗主要為()。
A:開關(guān)損耗
B:開通損耗
C:通態(tài)損耗
D:斷態(tài)損耗
答案:開關(guān)損耗
電力電子系統(tǒng)的主要組成部分有()。
A:主電路
B:控制電路
C:檢測電路
D:驅(qū)動電路
答案:主電路
;控制電路
;檢測電路
;驅(qū)動電路
晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDSM在數(shù)值上通常應(yīng)大于轉(zhuǎn)折電壓Ubo()
A:對B:錯
答案:對電力二極管具有的重要特性是單向?qū)щ娦浴#ǎ?/p>
A:錯B:對
答案:對按照門極能夠被控制的程度,電力電子器件可分為不可控型,半控型和全控型。()
A:對B:錯
答案:對晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài),觸發(fā)信號移除后,能夠維持導(dǎo)通的最小電流稱之為維持電流。()
A:對B:錯
答案:錯按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間控制信號的性質(zhì),可將電力電子器件分為單極型和雙極型兩類。()
A:對B:錯
答案:錯使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)。()
A:錯B:對
答案:對要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。()
A:錯B:對
答案:對
第二章單元測試
在整流電路中,()是整流元件。
A:三極管
B:電容
C:電阻
D:二極管
答案:二極管
整流電路的工作原理是利用整流元件的()。
A:穩(wěn)流特性
B:線性
C:單向?qū)щ娦?/p>
D:穩(wěn)壓特性
答案:單向?qū)щ娦?/p>
單相半波可控整流電阻性負載電路中,控制角α的最大移相范圍是()。
A:0-180o
B:0-150o
C:0-90o
D:0-120o
答案:0-180o
單相全控橋整流電路中,大電感阻感負載條件下晶閘管可能承受的最大正向電壓為()。
A:
B:
C:
D:
答案:
三相半波可控整流電路的自然換相點是()
A:比三相不控整流電路的自然換相點超前30°
B:比三相不控整流電路的自然換相點滯后60°
C:交流相電壓的過零點
D:本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點處
答案:本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點處
下列屬于整流變壓器作用的是()。
A:電氣隔離
B:移相
C:整流
D:調(diào)壓
答案:電氣隔離
;調(diào)壓
整流電路能夠?qū)⒔涣麟娮儞Q為直流電。()
A:對B:錯
答案:對三相橋式整流電路中晶閘管的編號順序是按其導(dǎo)通順序編號的。()
A:錯B:對
答案:對三相橋式全控整流電路中的六個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差60o。()
A:對B:錯
答案:對全控整流電路中開關(guān)器件均為可控器件。()
A:錯B:對
答案:對半控整流電路中開關(guān)器件不全是可控器件,而有不可控器件二極管。()
A:錯B:對
答案:對對于三相半波可控整流電路,換相重疊角的影響,將使用輸出電壓平均值升高。()
A:對B:錯
答案:錯在理想情況下,假定輸入電壓為無畸變的正弦波,則整流電路輸入功率因數(shù)λ=υcosφ1,其中υ為基波因數(shù),φ1為輸入電壓與輸入電流基波分量之間的相位差。()
A:錯B:對
答案:對
第三章單元測試
晶閘管交-交變換電路將一種形式的交流電變?yōu)榱硪环N形式的交流電。()
A:錯B:對
答案:對交流調(diào)壓相位控制,即在電源電壓每一周期中,選定的時刻內(nèi)將負載與電源接通,改變選定的時刻來達到調(diào)壓的目的。()
A:對B:錯
答案:對交流調(diào)功電路直接調(diào)節(jié)對象是電路的平均輸出功率。()
A:錯B:對
答案:對交流電力電子開關(guān)通常沒有明確的控制周期,只是根據(jù)需要控制電路的接通和斷開。()
A:對B:錯
答案:對可控整流電路結(jié)構(gòu)無需改變,只要滿足一定的條件就可以工作在有源逆變狀態(tài)。()
A:對B:錯
答案:對
第四章單元測試
下列電力電子器件中,屬于單極型的器件是()。
A:電力二極管
B:MOSFET
C:GTR
D:光控晶閘管
答案:MOSFET
下列電力電子器件中,屬于電流控制型的器件是()。
A:GTR
B:MOSFET
C:IGBT
D:SITH
答案:GTR
下列器件中,最適合用在小功率、高開關(guān)頻率場合的是()。
A:GTR
B:GTO
C:IGBT
D:MOSFET
答案:MOSFET
下列電力電子器件中,屬于復(fù)合型的器件是()。
A:IGCT
B:MOSFET
C:電力二極管
D:GTR
答案:IGCT
在電力電子器件的驅(qū)動電路中,一般采用的電氣隔離有()。
A:電容隔離和磁隔離
B:光隔離和磁隔離
C:電感隔離和磁隔離
D:光隔離和電感隔離
答案:光隔離和磁隔離
IGBT是MOSFET與GTR復(fù)合而成的。()
A:錯B:對
答案:對電力電子電路的開關(guān)頻率越高,開關(guān)損耗越小。()
A:對B:錯
答案:錯IGBT與MOSFET相比,其通態(tài)電阻較大,因而導(dǎo)通損耗也較大。()
A:對B:錯
答案:錯陽極電流為1000A的GTO,其電流關(guān)斷增益為5,則關(guān)斷時門極所加的負脈沖電流約200A。()
A:錯B:對
答案:對電力電子電路中,IGBT工作于輸出特性曲線的放大區(qū)。()
A:對B:錯
答案:錯
第五章單元測試
電壓型單相全橋逆變電路輸出電壓波形為:()
A:正弦波
B:矩形波
C:余弦波
D:直線
答案:矩形波
單相電流型逆變電路忽略換流過程,輸出電流波形為:()
A:矩形波
B:余弦波
C:正弦波
D:直線
答案:矩形波
電壓型單相半橋逆變電路中二極管的作用是:()
A:整流
B:是負載向直流側(cè)反饋無功能量的通道
C:逆變
D:使負載電流連續(xù)的作用
答案:是負載向直流側(cè)反饋無功能量的通道
;使負載電流連續(xù)的作用
換流方式通常分為以下幾種:()
A:強迫換流
B:負載換流
C:器件換流
D:電網(wǎng)換流
答案:強迫換流
;負載換流
;器件換流
;電網(wǎng)換流
推挽式單相逆變電路,當(dāng)交替驅(qū)動兩個橋臂時,輸出的電壓波形為180度寬的交流方波。()
A:錯B:對
答案:對面積等效原理是PWM控制技術(shù)的重要理論基礎(chǔ)。()
A:對B:錯
答案:對在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號頻率之比稱為調(diào)制度。()
A:對B:錯
答案:錯PWM波形分為單極性PWM和雙極性PWM兩種模式。()
A:對B:錯
答案:對單極性PWM模式下,PWM逆變電路輸出的PWM波形只有±Ud兩種電平。()
A:對B:錯
答案:錯三電平及更多電平的逆變電路統(tǒng)稱為多電平逆變電路。()
A:對B:錯
答案:對
第六章單元測試
根據(jù)電感及負載電流大小,降壓變換電路可以工作在電流連續(xù)狀態(tài),也可以工作在電流斷續(xù)狀態(tài)。()
A:錯B:對
答案:對降壓變換電路占空比α的取值范圍是()。
A:大于1
B:大于0
C:小于0
D:0-1之間
答案:0-1之間
降壓變換電路占空比α的調(diào)節(jié)方式主要有PWM調(diào)制、調(diào)頻型和混合型三種。()
A:對B:錯
答案:對升壓變換電路輸出電壓高于輸入電壓。()
A:錯B:對
答案:對調(diào)節(jié)升壓比可調(diào)節(jié)升壓變換電路的輸出電壓大小。()
A:錯B:對
答案:對由于升壓變換電路中電容C值不可能無窮大,這使電容C向負載放電時,輸出電壓必然會有所下降,故實際輸出電壓會略低于理論計算所得的結(jié)果。()
A:對B:錯
答案:對在升壓變換電路的控制中,占空比α可以常為1。()
A:錯B:對
答案:錯以下對升降壓變換電路占空比α的描述正確的是()。
A:占空比α在0-0.5之間取值時,電路升壓運行
B:占空比α大于1
C:占空比α在0-0.5之間取值時,電路降壓運行
D:占空比α在0.5-1之間取值時,電路降壓運行
答案:占空比α在0-0.5之間取值時,電路降壓運行
升降壓變換電路輸出電壓的極性與輸入電壓極性相反。()
A:對B:錯
答案:對Cuk變換器的輸出電壓和輸入電壓的關(guān)系和升降壓變換器一樣,因此,可以得到與升降壓變換器一樣的結(jié)論,但通過調(diào)節(jié)占空比,無法控制Cuk變換器的輸出電壓。()
A:對B:錯
答案:錯
第七章單元測試
PWM整流電路分為電壓型和電流型兩大類,目前研究和應(yīng)用較多的電壓型PWM整流電路。()
A:錯B:對
答案:對電路可以實現(xiàn)能量正反兩個方向流動,且這兩種狀態(tài)下,電路功率因數(shù)都可以達到1。()
A:錯B:對
答案:對PWM整流電路的直接電流控制方法的系統(tǒng)動態(tài)響應(yīng)速度要比直接電流控制的快。()
A:對B:錯
答案:錯PWM整流電路的直接電流控制方法開關(guān)頻率不固定,給濾波器的設(shè)計帶來一定的困難。()
A:錯B:對
答案:對斬控式交流調(diào)壓與相控調(diào)壓相比克服了輸出電壓諧波分量較大、控制角α較大時功率因數(shù)較低以及電源側(cè)電流諧波分量高等缺點。()
A:錯B:對
答案:對斬控式交流調(diào)壓電路工作時,在開關(guān)頻率比較高的斬控情況下,可以將交流電源的正負半周分別當(dāng)做一個短暫的直流電壓源。()
A:對B:錯
答案:對斬控式交流調(diào)壓電路的功率因數(shù)接近于1。()
A:對B:錯
答案:對以下描述不正確的是()。
A:在一定的導(dǎo)通比下,交流斬波調(diào)壓電路的斬波頻率越高,感性負載的畸變越小,波形越接近正弦波,電路功率因數(shù)也就越高
B:交流斬波調(diào)壓電路與交流相控調(diào)壓電路相比,響應(yīng)速度較慢
C:交流斬波調(diào)壓電路對電源側(cè)功率因數(shù)的改善很明顯
D:為了進一步提高功率因數(shù),交流斬波調(diào)壓電路還可以采用不規(guī)則的控制方法
答案:交流斬波調(diào)壓電路與交流相控調(diào)壓電路相比,響應(yīng)速度較慢
以下描述正確的是()。
A:矩陣式變頻電路的輸入電流也可以控制為正弦波
B:矩陣式變頻電路的輸出電壓頻率受電網(wǎng)頻率的限制
C:矩陣式變頻電路的輸出電壓可以控制為正弦波
D:矩陣式變頻電路可單位功率因數(shù)工作,也可以將電路功率因素控制為需要的大小
答案:矩陣式變頻電路的輸出電壓頻率受電網(wǎng)頻率的限制
諧振開關(guān)型變換器是利用諧振的原理,使流過開關(guān)器件的電流或施加給開關(guān)器件的電壓,按照正弦或準(zhǔn)正弦規(guī)律變化,當(dāng)電流自然過零時使開關(guān)器件關(guān)斷;或者當(dāng)電壓為零時使開關(guān)器件開通,從而使開關(guān)損耗減小到接近于零。()
A:錯B:對
答案:對
第八章單元測試
過電壓抑制器件主要有()、金屬氧化物壓敏電阻、轉(zhuǎn)折二極管等元件。
A:二極管
B:電容器
C:硒堆
D:壓敏電阻
答案:電容器
常用的系統(tǒng)的過電流保護措施有:快速熔斷器、過電流繼電器、直流快速斷路器、()。
A:二極管
B:硒堆
C:電子電路
D:壓敏電阻
答案:電子電路
電力電子系統(tǒng)主要由()四部分組成。
A:檢測電路
B:主電路
C:驅(qū)動電路
D:控制電路
答案:檢測電路
;主電路
;驅(qū)動電路
;控制電路
電力電子過電壓、過電流保護電路中,常用的電壓、電流檢測方法有()等。
A:直流放大器檢測法
B:直流互感器檢測法
C:霍爾傳感器檢測法
D:取樣電阻直接檢測法
答案:直流放大器檢測法
;直流互感器檢測法
;霍爾傳感器檢測法
;取樣電阻直接檢測法
采用快速熔斷器是電力電子系統(tǒng)中最有效、應(yīng)用最廣的一種過電流保護措施。()
A:對B
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