模擬電子技術(shù)（山東聯(lián)盟-山東建筑大學(xué)）知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋山東建筑大學(xué)

模擬電子技術(shù)（山東聯(lián)盟-山東建筑大學(xué)）知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋山東建筑大學(xué)第一章單元測(cè)試

電子線路是由電子器件和電子元件組成的具有一定功能的電路。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)電子器件又稱無源器件，如電阻、電容、電感等.

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)第一代電子器件為晶體管，晶體管出現(xiàn)后，拉開了人類社會(huì)步入信息時(shí)代的序幕。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)電子器件是電子線路的核心，電子技術(shù)的發(fā)展很大程度上反映在電子器件的發(fā)展上。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)電子器件發(fā)展的第三代是集成電路，具有外接元件少、可靠性高、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)模擬電路和數(shù)字電路處理的信號(hào)特性是相同的，只是處理信號(hào)的幅度有差別。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)計(jì)算機(jī)能夠直接接收和處理的信號(hào)一般為模擬信號(hào)

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)數(shù)字信號(hào)一般指時(shí)間和數(shù)值上都連續(xù)的信號(hào)

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)含有計(jì)算機(jī)的電子信息系統(tǒng)一般屬于模擬和數(shù)字的混合系統(tǒng)

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下列信號(hào)不屬于模擬信號(hào)的是()

A:4~20mA的電流信號(hào)B:燈的亮滅狀態(tài)C:0~5V的電壓信號(hào)D:20Hz~20kHz的音頻信號(hào)

答案:燈的亮滅狀態(tài)

第二章單元測(cè)試

在運(yùn)算電路中，集成運(yùn)放的反相輸入端均為虛地

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)集成運(yùn)放在開環(huán)情況下一定工作在非線性區(qū)

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)理想運(yùn)算放大器的兩個(gè)重要結(jié)論是

A:虛短與虛斷B:短路和斷路C:虛地與反相D:虛短與虛地

答案:虛短與虛斷集成運(yùn)放的線性和非線性應(yīng)用電路都存在

A:虛短與虛斷B:虛斷C:虛地D:虛短

答案:虛斷如圖所示電路中，若電阻Rf虛焊，則電路的輸出電壓為

A:0B:無窮大C:＋UOMD:-UOM

答案:＋UOM；-UOM反相輸入積分電路中的電容接在電路的

A:同相輸入端B:反相端與輸出端之間C:同相端與輸出端之間D:反相輸入端

答案:反相端與輸出端之間電路如圖所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，則VO=

A:1VB:-2VC:2VD:-1V

答案:2V集成運(yùn)放能處理

A:交流和直流信號(hào)B:直流信號(hào)C:交流信號(hào)D:正弦信號(hào)

答案:交流和直流信號(hào)理想運(yùn)算放大器的輸出電阻Ro為

A:無窮大B:有限值C:零D:不確定

答案:零

第三章單元測(cè)試

設(shè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為6V和9V，正向壓降為0.7V，則圖3.2電路中的輸出電壓VO為

A:15VB:6.7VC:9.7VD:3V

答案:6.7V用萬用表的電阻檔測(cè)量二極管，當(dāng)時(shí)說明二極管的單向?qū)щ娦院?/p>

A:正向電阻小反向電阻大B:正向電阻反向電阻都小C:正向電阻反向電阻都大D:正向電阻大反向電阻小

答案:正向電阻小反向電阻大如果把一個(gè)二極管直接同一個(gè)電動(dòng)勢(shì)為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接，則該管

A:擊穿B:電流為0C:電流過大而使管子燒壞D:正常導(dǎo)通

答案:電流過大而使管子燒壞二極管穩(wěn)壓電路一般是由穩(wěn)壓二極管（反向接法）和負(fù)載并聯(lián)而得到。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)當(dāng)二極管的外加反向電壓增加到一定值時(shí)，反向電流急劇增加（反向擊穿），所以二極管不能工作在反向擊穿區(qū)

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管反向飽和電流將

A:增大B:不變C:減小D:先增大再減小

答案:增大半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是

A:溫度穩(wěn)定性B:濾波作用C:放大作用D:單向?qū)щ娦?/p>

答案:放大作用二極管電路如圖3.1所示，則二極管導(dǎo)通情況為

A:都導(dǎo)通B:都截止C:D1導(dǎo)通，D2截止D:D2導(dǎo)通，D1截止

答案:D2導(dǎo)通，D1截止穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在

A:反向截止區(qū)B:正向?qū)▍^(qū)C:反向擊穿區(qū)D:飽和區(qū)

答案:反向擊穿區(qū)

第四章單元測(cè)試

場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流是由的漂移運(yùn)動(dòng)形成的。

A:多子B:少子C:兩種載流子

答案:少子場(chǎng)效應(yīng)管是一種控制型的電子器件。

A:光B:電流C:電壓

答案:電壓場(chǎng)效應(yīng)管是利用外加電壓產(chǎn)生的來控制漏極電流的大小的。

A:電流B:電場(chǎng)C:電壓

答案:電場(chǎng)當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí)，它的低頻跨導(dǎo)將：

A:增大B:減小C:不變

答案:增大當(dāng)柵源電壓VGS＝0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有：

A:耗盡型MOS管B:結(jié)型管C:增強(qiáng)型MOS管

答案:耗盡型MOS管；結(jié)型管廣義地說，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)該：

A:不屬于耗盡型管B:不屬于增強(qiáng)型管C:屬于耗盡型管D:屬于增強(qiáng)型管

答案:屬于耗盡型管圖示是某場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線。據(jù)圖可知，該管是：

A:N溝道耗盡型MOS管B:N溝道增強(qiáng)型MOS管C:P溝道增強(qiáng)型MOS管D:P溝道耗盡型MOS管

答案:P溝道增強(qiáng)型MOS管某場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線如圖所示，該管為：

A:N溝道增強(qiáng)型MOS管B:P溝道增強(qiáng)型MOS管C:P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管D:N溝道耗盡型MOS管

答案:N溝道耗盡型MOS管圖示場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的組態(tài)是:

A:共漏

B:共源C:差動(dòng)放大D:共柵

答案:共源測(cè)得某FET管的輸出特性如圖所示，則判斷此管為:

A:N溝道耗盡型MOS管B:P溝道耗盡型MOS管C:N溝道結(jié)型FET管D:P溝道結(jié)型FET管

答案:N溝道耗盡型MOS管

第五章單元測(cè)試

測(cè)得某放大電路半導(dǎo)體三極管三個(gè)管腳對(duì)地電壓為U1＝3V，U2＝8V，U3＝3.7V，則三個(gè)電極為

A:1為集電極，2為基極，3為發(fā)射極B:1為發(fā)射極，2為基極，3為集電極C:1為發(fā)射極，2為集電極，3為基極

答案:1為發(fā)射極，2為集電極，3為基極當(dāng)輸入電壓為正弦信號(hào)時(shí)，若NPN管共發(fā)射極放大電路發(fā)生飽和失真，則輸出電壓的波形將

A:正半周削波B:負(fù)半周削波C:不削波

答案:負(fù)半周削波為了使放大器具有高輸入電阻，低輸出電阻，應(yīng)采用

A:共基電路B:共集電路C:共射電路

答案:共集電路兩個(gè)三極管參數(shù)分別為：甲管β＝200，ICBO＝0.1uA；乙管β＝260，ICEO＝1uA，選用哪個(gè)管子較好？

A:甲管B:乙管

答案:乙管測(cè)得BJT各極對(duì)地電壓為VB=1.8V，VE=0V，VC=12V，則該管工作在（）狀態(tài)。

A:已損壞B:放大C:飽和D:截止

答案:截止雙極型晶體三極管在放大狀態(tài)工作時(shí)的外部條件是

A:發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏B:發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏C:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏D:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

答案:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏溫度升高，半導(dǎo)體三極管的共射輸出特性曲線下移。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)利用兩只NPN型管構(gòu)成的復(fù)合管只能等效為NPN型管

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因主要是晶體管參數(shù)受溫度的影響。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)是過高可能會(huì)導(dǎo)致飽和失真

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

放大電路的增益和通過信號(hào)的頻率無關(guān)

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)放大器的增益是隨著輸入信號(hào)頻率的改變而改變的，當(dāng)輸入信號(hào)的頻率為上限頻率或下限頻率時(shí)，放大器增益的幅值將：

A:降為中頻時(shí)的1/2倍B:降為中頻時(shí)的0.707倍C:降為中頻時(shí)的1.414倍D:降為1

答案:降為中頻時(shí)的0.707倍在f<fL的低頻區(qū)，放大電路的增益會(huì)隨著信號(hào)頻率的降低而增大

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)放大電路的電壓放大倍數(shù)在高頻區(qū)下降的主要原因是三極管的級(jí)間電容和接線電容的影響

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)MOS管共源極放大電路在低頻信號(hào)作用時(shí)電壓放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是耦合電容和旁路電容的影響。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)放大電路的增益帶寬積為常數(shù)

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為:

A:頻率失真B:飽和失真C:截止失真D:交越失真

答案:頻率失真頻率失真是一種非線性失真

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)分析放大電路頻率響應(yīng)的三個(gè)分區(qū)不包含

A:低頻區(qū)B:中頻區(qū)C:高頻區(qū)D:特頻區(qū)

答案:特頻區(qū)放大電路頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)情況下，輸出隨輸入信號(hào)頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第七章單元測(cè)試

差分式放大電路的主要特點(diǎn)是()

A:同時(shí)放大差模和共模信號(hào)B:同時(shí)抑制差模和共模信號(hào)C:放大差模信號(hào)，抑制共模信號(hào)D:放大共模信號(hào)，抑制差模信號(hào)

答案:放大差模信號(hào)，抑制共模信號(hào)差分放大電路是為了（）而設(shè)置的

A:提高輸入電阻B:提高放大倍數(shù)C:抑制溫漂D:提高輸出電阻

答案:抑制溫漂雙端輸入、雙端輸出差動(dòng)放大電路，設(shè)差模電壓增益AVD=-150，共模電壓增益AVC=0，Vi1=30mV，Vi2=20mV，則輸出電壓|Vo|為()

A:1.5VB:2.5VC:3VD:1V

答案:1.5V.直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是()

A:晶體管參數(shù)受溫度影響B(tài):電源電壓不穩(wěn)定C:晶體管參數(shù)的分散性D:電阻阻值有誤差

答案:晶體管參數(shù)受溫度影響差分放大電路由雙端輸出變?yōu)閱味溯敵?，則空載時(shí)差模電壓增益()

A:不確定B:增加一倍C:為雙端輸出時(shí)的1/2D:不變

答案:為雙端輸出時(shí)的1/2具有理想電流源(動(dòng)態(tài)電阻ro無窮大）的差分放大電路，采用不同的連接方式，其共模抑制比()

A:均為無窮小B:完全相同C:不完全相同D:均為無窮大

答案:均為無窮大共模抑制比KCMR越小，表明電路()

A:交流放大倍數(shù)越小B:輸入信號(hào)中差模成分越小C:放大倍數(shù)越不穩(wěn)定D:抑制溫漂能力越弱

答案:抑制溫漂能力越弱雙端輸入差分放大電路的共模輸入信號(hào)等于兩輸入端信號(hào)的平均值。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)帶有理想電流源的差分放大電路，只要工作在線性范圍內(nèi)，不論是雙端輸出還是單端輸出，其輸出電壓值均與兩個(gè)輸入端電壓的差值成正比，而與兩個(gè)輸入端電壓本身的大小無關(guān)。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)由于集成運(yùn)放實(shí)際上是一個(gè)直接耦合放大電路，因此它只能放大直流信號(hào)，不能放大交流信號(hào)。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第八章單元測(cè)試

放大電路的開環(huán)增益-帶寬積與閉環(huán)增益-帶寬積不相等。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)利用輸出短路法，假設(shè)輸出電壓為零，若反饋信號(hào)不存在了，說明引入的是電流反饋。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)放大電路引入深度負(fù)反饋后，放大電路的增益決定于反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)，而與基本放大電路幾乎無關(guān)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)負(fù)反饋減小非線性失真所指的是反饋環(huán)內(nèi)的失真。如果輸入波形本身就是失真的，這時(shí)即使引入負(fù)反饋，也是無濟(jì)于事。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)負(fù)反饋放大電路，(1+AF)越大，則閉環(huán)增益的相對(duì)變化量越小，閉環(huán)增益的穩(wěn)定性越好。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)在反饋放大電路中，通常把(1+AF)稱為反饋深度，則深度負(fù)反饋的條件是：

A:|1+AF|=1B:|1+AF|>1C:|1+AF|<1D:|1+AF|>>1

答案:|1+AF|>>1在某放大電路中引入了電壓串聯(lián)負(fù)反饋，則下列說法錯(cuò)誤的是：

A:閉環(huán)輸入電阻是開環(huán)輸入電阻的AF倍。B:可使放大電路的輸入電阻增大。C:可以穩(wěn)定輸出電壓。D:可使放大電路的輸出電阻減小。

答案:閉環(huán)輸入電阻是開環(huán)輸入電阻的AF倍。在放大電路中引入負(fù)反饋會(huì)對(duì)電路的性能產(chǎn)生一些影響，下列說法正確的是：

A:可以擴(kuò)展帶寬。B:可以提高增益的穩(wěn)定性。C:可以抑制反饋環(huán)外噪聲。D:可以減小反饋環(huán)內(nèi)的非線性失真。

答案:可以擴(kuò)展帶寬。；可以提高增益的穩(wěn)定性。；可以減小反饋環(huán)內(nèi)的非線性失真。存在于放大電路交流通路中的反饋為交流反饋。交流反饋影響放大電路的交流性能，如：

A:靜態(tài)工作點(diǎn)。B:輸入電阻。C:增益。D:輸出電阻。

答案:輸入電阻。；增益。；輸出電阻。放大電路引入負(fù)反饋后，下面說法正確的有：

A:增益穩(wěn)定度提高。B:降低了閉環(huán)增益。C:負(fù)反饋不能使輸出量保持不變，只能使輸出量趨于不變。D:不同類型的負(fù)反饋能穩(wěn)定的增益也不同。

答案:增益穩(wěn)定度提高。；降低了閉環(huán)增益。；負(fù)反饋不能使輸出量保持不變，只能使輸出量趨于不變。；不同類型的負(fù)反饋能穩(wěn)定的增益也不同。

第九章單元測(cè)試

若功放的效率降低了，則在電源供給功率一定情況下，放大器的輸出功率和耗散功率

A:前者增大，后者減小B:前者減小，后者增大C:都減小D:都增大

答案:前者減小，后者增大乙類互補(bǔ)推挽功放常會(huì)

A:頻率失真B:飽和失真C:交越失真D:截止失真

答案:交越失真要使互補(bǔ)推挽功放輸出功率為50W，則須選兩個(gè)異型管，每個(gè)管的PCM不小于

A:100WB:10WC:50WD:25W

答案:10W隨著輸出功率PO的提高，互補(bǔ)推挽功放輸出級(jí)的電源供給功率

A:不變B:等于POC:減小D:增大

答案:增大理想情況下，單電源互補(bǔ)對(duì)稱功放的最大輸出電壓Vom

A:等于VCC/2B:大于VCCC:等于VCCD:大于VCC/2

答案:等于VCC/2理想情況下，雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功放的最大輸出電壓Vom

A:大于VCC/2B:等于VCC/2C:大于VCCD:等于VCC

答案:等于VCC甲乙類雙電源功放用±VCC，甲乙類單電源功放用VCC，當(dāng)RL相同時(shí)，甲乙類雙電源功功放的最大輸出功率Pom是甲乙類單電源的

A:2倍B:0.5倍C:相等D:4倍

答案:4倍乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路，在理想情況下其最大效率為

A:25%B:75%C:50%D:100%

答案:75%在乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路中，VCC＝24V，RL＝8Ω，理想情況下，Pom＝（）W

A:9B:7C:8D:10

答案:9甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路，當(dāng)功率管的飽和壓降VCES增大時(shí)，最大輸出功率Pom的變化情況為()

A:不變B:增加C:先增大后減小D:減小

答案:減小

第十章單元測(cè)試

只要電路引入了正反饋，就一定會(huì)產(chǎn)生正弦波振蕩。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強(qiáng)，而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)從結(jié)構(gòu)上看，正弦波振蕩電路是一個(gè)無輸入信號(hào)的帶選頻網(wǎng)絡(luò)的正反饋放大器

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)正弦波振蕩電路維持振蕩條件是

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)低通濾波器的通帶截止頻率一定低于高通濾波器的通帶截止頻率。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)理想情況下，有源高通濾波器在時(shí)的放大倍數(shù)就是它的通帶電壓放大倍數(shù)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)正弦波振蕩電路的決定了電路有唯一頻率的振蕩波形輸出。

A:反饋網(wǎng)絡(luò)B:選頻網(wǎng)絡(luò)C:穩(wěn)幅環(huán)節(jié)D:基本放大電路

答案:選頻網(wǎng)絡(luò)欲實(shí)現(xiàn)將正弦波電壓轉(zhuǎn)換成占空比50%的方波電壓，應(yīng)選用。

A:正弦波振蕩電路B:積分電路C:過零比較器D:遲滯比較器

答案:過零比較器在RC橋式正弦波振蕩電路中，若RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)中的電阻均為R，電容均為C，則其振蕩頻率f0＝1/RC。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下電路可能產(chǎn)生正弦波振蕩的是：

A:左下B:左上C:右下D:右上

答案:右下；右上

第十一章單元測(cè)試

直流電源是一種能量轉(zhuǎn)換電路，它將交流能量轉(zhuǎn)換為直流能量

A:錯(cuò)B:對(duì)