高二 化學(xué) 選擇性必修2 第一章《第一節(jié) 原子結(jié)構(gòu)（第二課時(shí)）》課件

第一節(jié)原子結(jié)構(gòu)

（第二課時(shí)）高二—人教版—化學(xué)—選擇性必修2—第一章

學(xué)習(xí)目標(biāo)結(jié)合構(gòu)造原理形成核外電子排布式書寫的思維模型，能夠熟練書寫1~36號元素的電子排布式。（1）各能層最多能容納2n2個(gè)電子。（2）最外層電子數(shù)目不超過8個(gè)（K層為最外層時(shí)不超過2個(gè)）；

次外層電子數(shù)最多不超過18個(gè)；

倒數(shù)第三層不超過32個(gè)。（3）核外電子總是盡量先排滿能量最低、離核最近的能層，然后才由里往外，依次排在能量較高能層。

而失電子總是先失最外層電子。核外電子在能層中的排布規(guī)律能層中填充電子表示方法——原子結(jié)構(gòu)示意圖能層KLMN能級1s2s2p3s3p3d4s4p4d4f填入電子數(shù)

將1~18號元素核外電子按能級填充填下面的表格，直至填滿?！舅伎?討論】能層KLMN能級1s2s2p3s3p3d4s4p4d4f填入電子數(shù)

1s→2s→2p→3s→3p以基態(tài)17Cl為例，其核外電子按能級填充：【思考?討論】一、構(gòu)造原理以光譜學(xué)事實(shí)為基礎(chǔ)，從氫開始，隨核電荷數(shù)遞增，新增電子填入能級的順序稱為構(gòu)造原理。核外電子在能級中的排布順序：22625【鞏固?評價(jià)】根據(jù)構(gòu)造原理分析19K核外電子在能級中的排布。+19289+1928811s→2s→2p→3s→3p

→4s→3d能級交錯(cuò)KLMN1s2s2p3s3p3d4s226261

KLMN1s2s2p3s3p3d4s22626

1√隨核電荷數(shù)增大，電子并不總是填滿一個(gè)能層后再填入下一個(gè)能層的現(xiàn)象。核外電子在能級中的排布順序：×?xí)綪10構(gòu)造原理：

1s→2s→2p→3s→3p

→4s

→3d→4p

→

5s

→4d→5p→6s

→4f→5d

→6p

→7s

→5f→6d

→7p

構(gòu)造原理規(guī)律ns→(n-2)f→(n-1)d→np(n為能層序數(shù))二、電子排布式2He3Li13Al1s22s11s22s22p63s23p11s2將能級上所容納的電子數(shù)標(biāo)在該能級符號的

角，并按照

從左到右的順序排列的式子。電子排布式右上能層1s1能層能級上容納的電子數(shù)能級1s22s22p63s23p64s2鈣Ca+202882【鞏固?評價(jià)】根據(jù)構(gòu)造原理寫出基態(tài)20Ca核外電子排布式和原子結(jié)構(gòu)示意圖。鐵Fe+26K層L層M層28142N層1s22s22p63s23p63d64s2注意書寫：1s22s22p63s23p64s23d6【鞏固?評價(jià)】根據(jù)構(gòu)造原理寫出基態(tài)26Fe核外電子排布式和原子結(jié)構(gòu)示意圖?！眷柟?評價(jià)】請寫出第1—36號元素原子的基態(tài)電子排布式。原子序數(shù)元素名稱元素符號電子排布式KLM1氫H1s12氦He1s2【鞏固?評價(jià)】請寫出第1—36號元素原子的基態(tài)電子排布式。原子序數(shù)元素名稱元素符號電子排布式KLM3鋰Li1s22s14鈹Be1s22s25硼B(yǎng)1s22s22p16碳C1s22s22p27氮N1s22s22p38氧O1s22s22p49氟F1s22s22p510氖Ne1s22s22p6原子序數(shù)元素名稱元素符號電子排布式KLM11鈉Na1s22s22p63s112鎂Mg1s22s22p63s213鋁Al1s22s22p63s23p114硅Si1s22s22p63s23p215磷P1s22s22p63s23p316硫S1s22s22p63s23p417氯Cl1s22s22p63s23p518氬Ar1s22s22p63s23p6【鞏固?評價(jià)】請寫出第1—36號元素原子的基態(tài)電子排布式。原子序數(shù)元素名稱元素符號電子排布式KLMN19鉀K1s22s22p63s23p64s120鈣Ca1s22s22p63s23p64s221鈧Sc1s22s22p63s23p63d1

4s2

22鈦Ti1s22s22p63s23p63d2

4s2

【鞏固?評價(jià)】請寫出第1—36號元素原子的基態(tài)電子排布式。原子序數(shù)元素名稱元素符號電子排布式KLMN23釩V1s22s22p63s23p63d34s224鉻Cr1s22s22p63s23p63d44s125錳Mn1s22s22p63s23p63d54s226鐵Fe1s22s22p63s23p63d64s227鈷Co1s22s22p63s23p63d74s228鎳Ni1s22s22p63s23p63d84s229銅Cu1s22s22p63s23p63d104s130鋅Zn1s22s22p63s23p63d104s2【鞏固?評價(jià)】請寫出第1—36號元素原子的基態(tài)電子排布式。原子序數(shù)元素名稱元素符號電子排布式KLMN31鎵Ga1s22s22p63s23p63d104s24p132鍺Ge1s22s22p63s23p63d104s24p233砷As1s22s22p63s23p63d104s24p334硒Se1s22s22p63s23p63d104s24p435溴Br1s22s22p63s23p63d104s24p536氪Kr1s22s22p63s23p63d104s24p6【鞏固?評價(jià)】請寫出第1—36號元素原子的基態(tài)電子排布式。1.按照構(gòu)造原理寫出稀有氣體2He、10Ne、18Ar、36Kr、54Xe和86Rn的基態(tài)原子的最外層電子排布；除氦外它們的通式是什么？1s22s22p63s23p64s24p65s25p66s26p6通式：ns2np6【思考?討論】書本P11

2He10Ne18Ar36Kr54Xe86Rn2.電子排布式可以簡化，如鈉的電子排布式可簡化為[Ne]3s1。試問:[Ne]的意義是什么？仿照該式，寫出8O、14Si和22Ti的簡化電子排布式?！舅伎?討論】書本P11[Ne]表示內(nèi)層電子已達(dá)到稀有氣體Ne結(jié)構(gòu)的部分，可稱為原子實(shí)。帶有原子實(shí)的電子排布式稱為簡化電子排布式。2.電子排布式可以簡化，如鈉的電子排布式可簡化為[Ne]3s1。試問:[Ne]的意義是什么？仿照該式，寫出8O、14Si和22Ti的簡化電子排布式。8O14Si22Ti[He]

2s22p4[Ne]

3s23p2[Ar]

3d24s2【思考?討論】書本P11該元素的上一周期的稀有氣體在價(jià)層的電子稱為價(jià)層電子，決定元素的化學(xué)性質(zhì)。在化學(xué)反應(yīng)中可能發(fā)生電子變動(dòng)的能級稱為價(jià)電子層，簡稱價(jià)層。[Ne]3s111Na1s22s22p63s13s1簡化簡化電子排布式簡化電子排布式價(jià)層電子排布式簡化電子排布式和價(jià)層電子排布式只有價(jià)電子層的電子排布式稱為價(jià)層電子排布式3.請寫出26Fe、33Ga基態(tài)電子排布式、簡化電子排布式和價(jià)層電子排布?；鶓B(tài)電子排布式：1s22s22p63s23p63d64s21s22s22p63s23p63d104s24p1簡化電子排布式：[Ar]3d64s2[Ar]3d104s24p1價(jià)層電子排布式：3d64s2

4s24p1【思考?討論】書本P1126Fe33Ga4.請寫出Na+、Fe3+、Cl-電子排布式?！舅伎?討論】Fe3+1s22s22p63s23p6Na+Cl-1s22s22p63s23p63d64s21s22s22p63s23p51s22s22p63s23p63d51s22s22p63s11s22s22p61s22s22p63s2基態(tài)鎂原子（3）基態(tài)與激發(fā)態(tài)相互轉(zhuǎn)化的關(guān)系：基態(tài)與激發(fā)態(tài)（1）基態(tài)原子：處于最低能量的原子叫基態(tài)原子。（2）激發(fā)態(tài)原子：當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子會(huì)躍遷到較高

的能級，變成激發(fā)態(tài)原子?；鶓B(tài)原子激發(fā)態(tài)原子吸收能量釋放能量1s22s22p63s13p1激發(fā)態(tài)鎂原子原子光譜能層能級基態(tài)、激發(fā)態(tài)電子排布式原子結(jié)構(gòu)示意圖構(gòu)造原理構(gòu)造原理1.原子核外的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)是怎么樣的？2.不同能級中最多可容納電子數(shù)為什么不同?能層KLMN最多電子數(shù)281832能級1s2s2p3s3p3d4s4p4d4f最多電子數(shù)2262610261014圖片源自網(wǎng)絡(luò)謝謝觀看第一節(jié)原子結(jié)構(gòu)

（第二課時(shí)答疑）高二—人教版—化學(xué)—選擇性必修2—第一章

1.解釋以下問題：1)最外層不超過8個(gè)2)倒數(shù)第二層電子數(shù)不超過18個(gè)3)倒數(shù)第三層電子數(shù)不超過32個(gè)ns2np6ns2(n-1)d10np6ns2(n-2)f14(n-1)d10np6構(gòu)造原理的規(guī)律ns→(n-2)f→(n-1)d→np(n為能層序數(shù))2．下列各基態(tài)原子或離子的電子排布式書寫錯(cuò)誤的是A．K1s22s22p63s23p6

B．F1s22s22p5C．Mg2+1s22s22p6

D．O2-1s22s22p6A3.A、B、C、D是四種短周期元素。