集成電路技術(shù)十年發(fā)展

重要領(lǐng)域。新世紀以來，我國的集成電路科技與產(chǎn)業(yè)在國務(wù)院國文件和各級地方政府的持續(xù)支持下，獲得了長足進步，取得了一系列重要成果：的產(chǎn)業(yè)鏈格局。集成電路產(chǎn)業(yè)中占有重要地位主音視頻標準AVS芯片、華為網(wǎng)絡(luò)通品化和產(chǎn)業(yè)化的重大進展，并獲得國家科技進步獎勵。度，2003年國務(wù)院科教領(lǐng)導(dǎo)小組批準實施國家科技重大專項——集成電路與軟批準建設(shè)國家集成電路人才培養(yǎng)基地。集成電路設(shè)計業(yè)是包括中國在內(nèi)的全球整個集成電路產(chǎn)業(yè)中最分。集成電路設(shè)計企業(yè)在新興產(chǎn)品的開發(fā)上扮演著關(guān)鍵作用。在用芯片、3G通信芯片、數(shù)字電視芯片、第二代居民身份證芯片等領(lǐng)人矚目的成果。CPU被譽為電子信息產(chǎn)品的心臟，是集成電路產(chǎn)品得了一系列重要突破，部分產(chǎn)品達到國際領(lǐng)先領(lǐng)域的科技水平和支撐電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的能力。在超級計算機用高性能CPU領(lǐng)域，我國實現(xiàn)了從無到有的重大歷史跨越。經(jīng)過十余年不懈努力，掌握了高性能CPU體系架構(gòu)設(shè)計的核心技術(shù)，突破了微結(jié)構(gòu)設(shè)計、Cache設(shè)計、核間通信、總線設(shè)計、存儲器接口設(shè)計、低功耗設(shè)計、可靠性及安全性設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù)，達到了國際領(lǐng)先水平。制自主設(shè)計、全流程可控生產(chǎn)”的技術(shù)路線，積極承擔國家重大科研攻關(guān)項目，不斷提升科研創(chuàng)新能力、突破高性能CPU研制關(guān)體系，具備了從架構(gòu)研究、邏輯設(shè)計到物理實現(xiàn)全過程的自主研發(fā)能力。理器為RISC結(jié)構(gòu)，采用0.13微米CMOS代工工藝，集成近5700萬只晶體管，峰值運算速度達到每秒50億次浮點運算。具有高性能、高可靠、高頻率等特點，國紀錄，獲當年集成電路領(lǐng)域唯一一個“Aa”級評價。心關(guān)鍵技術(shù)上有重大創(chuàng)新和突破，整體技術(shù)居國內(nèi)領(lǐng)先、達到國際先進水平。頻率突破1.5GHz的高端通用多核運行功耗在50W以內(nèi)，能效比提升近一倍等方面已達到了國際主流處理器的同等水平。內(nèi)迄今為止唯一一臺全部采用國產(chǎn)處理器實現(xiàn)速度超過千萬億次的高性能超級大信息系統(tǒng)自主可控發(fā)展具有重大意義?？貦C等產(chǎn)品中，部分產(chǎn)品已在國家核心部門和重點項目中進行了重要示范應(yīng)用。團（CEC）等大型國有企業(yè)開展深度合作，取得了階段性進展。在桌面計算機/服務(wù)器CPU領(lǐng)域，中科龍芯和月研發(fā)成功國內(nèi)第一款64位通用CPU“龍芯2號”（“龍芯2B”在此基礎(chǔ)上，“龍芯2E”處理器使用90nm工藝，最高主頻達到1GHz，實測性能與中低檔PentiumIV相當，標志著我國在自主CPU設(shè)計技術(shù)上達到了當時國際先進水平?！笆晃濉逼陂g，自主CPU技術(shù)水平進一步提高，并進行了從實驗室樣品到面向市場的產(chǎn)品的有益嘗試。以“龍芯”CPU為例，一方次浮點運算，片上包含4.25億只晶體管。另一方面，中科龍芯在科技部的安排和部署下，與歐洲的意法半導(dǎo)體公司合作，在“十五”期成果上，通過質(zhì)量、成本和成熟度等的優(yōu)化設(shè)計，研在江蘇省常熟市建立了“龍芯”產(chǎn)業(yè)化基地進行“龍芯”系列成了基于“龍芯”CPU的桌面整機產(chǎn)品中試。2010年初，在科學院和北京市企業(yè)轉(zhuǎn)型，實現(xiàn)了“龍芯”CPU的企業(yè)化運做。“十一五”后期，桌面CPU和服務(wù)器步應(yīng)用，如“十一五”末研發(fā)完成的“龍芯3C”采用32nm工藝設(shè)計，片內(nèi)集成8二五”開始，“核高基”科技重大專項從產(chǎn)業(yè)鏈的的發(fā)展，聯(lián)合包括操作系統(tǒng)、辦公軟件、數(shù)據(jù)庫、中間介、ODM/OEM、整機、系統(tǒng)集成等企業(yè)，基于自主CPU構(gòu)造完整的產(chǎn)業(yè)鏈，形成了良好的發(fā)展勢頭。的應(yīng)用。軟硬件協(xié)同發(fā)展、整機與應(yīng)用帶動芯片和軟件發(fā)展已經(jīng)成為廣泛共識。級。在嵌入式CPU領(lǐng)域，浙江大學、蘇州國芯和杭當。上述嵌入式CPU均在國際主流先進集成電路代工線（臺積電、中芯國際等）技進步二等獎。領(lǐng)域,具有可擴展指令、可配置硬件資源、可重新綜合、易于集成等平臺和集成開發(fā)環(huán)境，形成了從高端到低端多款微控制器芯片，類、通訊類的多種應(yīng)用。碼密度指令集；32位地址與數(shù)據(jù)通路；單發(fā)）；支持3種低功耗模式；支持硬件調(diào)試模塊；支面向中高端嵌入式應(yīng)用，具有高性能、低功耗和高代碼密度等特征。CKCK610ESM-F等多種配置型號。CK600和CK500在指令和工作環(huán)境上全兼容。CK600的微體系結(jié)構(gòu)包括：RISC體系架構(gòu)；16比特指令，3（BHT非阻塞指令發(fā)射和數(shù)據(jù)Cache訪問機制；數(shù)據(jù)Cache寫回和寫通動態(tài)可配置；亂序隨機執(zhí)行和硬件保留棧；返回地址預(yù)測，4入口硬件返回地址棧；）；（32/64/128）；可擴展的協(xié)處理器接口；CPU性能：1.82DMIPS/MHz。CK500與CK600系列嵌入式CPU形成了完整的開發(fā)工具鏈和軟硬件環(huán)境，開發(fā)套件、CKCore編譯、鏈接和調(diào)試工具鏈及開發(fā)板、硬件仿真器等。CK系列CPU軟件開發(fā)套件涵蓋了從啟動代碼和軟件仿真器；代碼示例項目。根據(jù)國家新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)和信息化對高水平嵌入式CPU的應(yīng)用需求，面向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用國產(chǎn)自主創(chuàng)新指令體系CPU的研發(fā)。杭州運算指令與單精度、雙精度浮點指令，CK800系度和降低功耗。采用先進的10級流水線技術(shù)與亂序猜測執(zhí)行框架，具有高主頻、高單位性能、高代碼密度、高功耗效率等優(yōu)點。CK810可應(yīng)用于新一代移動通信代高清數(shù)字電視機頂盒、汽車電子等高性能嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域。CK810CK803是一款高性能、低功耗嵌入式CPU核，可應(yīng)用于低功耗、高性能、攜式應(yīng)用。CK803采取取指、解碼、執(zhí)行回寫指令預(yù)取緩存器，消除32位指令非對齊順解碼階段的邏輯與地址計算的優(yōu)化，實現(xiàn)存儲/載入指令的全流水運理乘法、乘累加與乘累減DSP運算。低成本微控制器、無線傳感網(wǎng)絡(luò)等嵌入式應(yīng)用。CK802處理的產(chǎn)生和內(nèi)存的訪問，最快支持在一個時鐘周期內(nèi)完成存可配置的內(nèi)存管理單元支持超級用戶自定義內(nèi)存空間的訪問權(quán)限，權(quán)限劃分為：（CP0）和內(nèi)存。CK802同時設(shè)計有針對信息安全應(yīng)用的可配置模塊?？上驳氖钦憬髮W和杭州中天協(xié)同創(chuàng)新研發(fā)了自主創(chuàng)新的嵌入式CPU指令體系，嵌入式CPU支撐新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展寫下歷史性的一筆。取得技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)的突破，成功研制了我國自主端專用芯片，標志著我國移動通信終端SoC邁進明顯提升?！笆濉敝衅冢瑖摇笆濉?63計劃超大規(guī)模集成電路重大專項首次部署了自主SoC的研發(fā)和攻關(guān)課題，由大唐電信牽頭，聯(lián)發(fā)展條件，針對移動通信終端研制適合我國國情的通信So在當年的北京微電子國際研討會上正式發(fā)布。帶I/Q通道的高速AD/DA，能夠提供每秒5億條指令（500MIPS）的運算能力，復(fù)雜通信終端的核心處理芯片。一統(tǒng)天下的格局，填補了國內(nèi)在這一領(lǐng)域的空白。美國先后榮獲北京市科學技術(shù)獎三等獎，“中國鋁業(yè)杯”首屆中央企業(yè)青年創(chuàng)新獎等。數(shù)字家電在內(nèi)的多個領(lǐng)域。其中，北京信威通信有限公司的“大靈通動了數(shù)十億元的SCDMA終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展，取得了重大的經(jīng)濟效益。端基帶芯片和參考設(shè)計方案研究開發(fā)項目。并于業(yè)務(wù)中的多模處理策略等關(guān)鍵技術(shù)。在充分研究T成的周期縮短了3/4以上。TD-HSPA/TD-SCDMA多模手機通信芯片本的優(yōu)勢。40nm工藝作為一種國際先進的集成電路生產(chǎn)工藝，展訊相關(guān)設(shè)計生產(chǎn)經(jīng)驗的情況下，努力攻關(guān)，成功實現(xiàn)了一次性流片成式發(fā)展。SC8800G在40nm工藝流片成功，無線通信網(wǎng)”國家科技重大專項TDD-LTE基帶芯片項目提供了的寶貴經(jīng)驗積累，品化基礎(chǔ)。CDMA2000的競爭中獲得了優(yōu)勢，有力地促進了我國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。樣化發(fā)展?，F(xiàn)在已有數(shù)十款采用SC8800G數(shù)十億元的新增產(chǎn)值。提供了有力的技術(shù)支撐。TD產(chǎn)業(yè)的繁榮，也使得產(chǎn)業(yè)鏈上下游在研向良性循環(huán)，從而進一步提升了TD產(chǎn)業(yè)的競爭力。最重要的產(chǎn)品支撐。2002年國家“十五”863計劃設(shè)立超大規(guī)模集符合國家標準的高清晰度電視和數(shù)字音視頻集成電路的開發(fā)。在該專項“高清晰計開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化產(chǎn)品開發(fā)的基礎(chǔ)和能力。統(tǒng)驗證模型、AVS符合性測試規(guī)范及符合性測試碼流。編碼和調(diào)制》（簡稱DTMB標準）和GB/T20090.2-2006《信息技術(shù)先進音視頻編碼第2部分：視頻》（簡稱AVS標準）。2007年運營，該系統(tǒng)是國內(nèi)第一個采用地面國標和AVS信源標準開始運營的地面運營網(wǎng)絡(luò)，支持車載、便攜、機頂盒等多種類型終端的移動接收和固定接收。同年，“AVS視頻編碼標準關(guān)鍵支撐技術(shù)”榮獲信息產(chǎn)業(yè)部重大技術(shù)發(fā)明獎、“中國標準創(chuàng)新貢獻獎”一等獎。2009年數(shù)字電視SoC芯片列入國家《ITUTechnicalPaperHSTP-MCTBMediacodingtoolboxforIPTV:Audioandvideoco電信聯(lián)盟通過中國DTMB標準為國際電聯(lián)的第四個地面數(shù)字電視標準。正式實施。我國地面數(shù)字電視傳輸采用GB20600-起，所有地面數(shù)字電視終端產(chǎn)品必須支持DTMB解調(diào)和AVS解碼。技術(shù)產(chǎn)業(yè)化推廣應(yīng)用的最佳業(yè)績。相關(guān)產(chǎn)品榮獲明獎、2009年度國家科學技術(shù)進步二等獎、2010年度電子信息科學技術(shù)一等獎。級以上的城市的全覆蓋，并同時在20多個國家和上能夠提供DTMB國標地面解調(diào)芯片的主要供應(yīng)商包括：高拓訊達、上海高清、家，美、歐、日、韓共10家其中杭州國芯科技成電路有限公司均已實現(xiàn)了大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，并已形成系列產(chǎn)品。AVS已經(jīng)在浙大規(guī)模應(yīng)用，全球范圍內(nèi)采用AVS標準播出的數(shù)字電視頻道數(shù)已經(jīng)超過600套。動態(tài)隨機存儲器（DRAM）與中央處理器（戰(zhàn)略意義。但是，DRAM產(chǎn)業(yè)對制造技術(shù)要求高，設(shè)計復(fù)雜，生產(chǎn)線投資巨大，知識產(chǎn)權(quán)壁壘高，我國企業(yè)在過去20多年中雖然不斷努力，但終因各種條件的限制，未能有所突破。2008年，山東華芯半導(dǎo)體計，晶圓、顆粒及模組測試等相關(guān)的專利、Knowhow等知識產(chǎn)權(quán)和開發(fā)工具，以及上萬件專利的使用權(quán)，掃清了自主發(fā)展D了優(yōu)秀的人才資源、技術(shù)資源和設(shè)備資源等，具礎(chǔ)條件。2009年，“核高基”重大專項抓住機遇產(chǎn)品。經(jīng)過2年多的努力，山東華芯半導(dǎo)體公司推出了DDR2產(chǎn)品，經(jīng)過測試DRAM產(chǎn)品零的突破。更為可貴的是，山東華芯在引進消化吸收奇要的DRAM研發(fā)企業(yè)。山東華芯的DDR2產(chǎn)品采用掩埋字線（BWL）技術(shù)，使用65nm工藝制造，符合掩埋字線技術(shù)和理論上的特點：相對于傳統(tǒng)的深溝槽（Stack）技術(shù)，山東華芯半導(dǎo)體所采用的掩埋字線（BWL著的優(yōu)點：即更少的關(guān)鍵工藝和更小的字線位線耦合電容。山東華芯的DDR2產(chǎn)品主要面向計算機、服務(wù)器等主部分應(yīng)用情況。和承載電信業(yè)務(wù)的智能卡（SmartCard并在電信、身份證年國家科技進步二等獎。統(tǒng)，SIM卡成為不可或缺的關(guān)鍵產(chǎn)品。遺憾的是，當時我國每年發(fā)卡芯片的研發(fā)提供了強有力的技術(shù)保障。等單位聯(lián)合攻關(guān)，勇于創(chuàng)新、善于創(chuàng)新，在全球率先采用閃爍存儲器（F（EEPROM并突破了芯片設(shè)計、可靠性、安全防護等一系列關(guān)鍵技術(shù)，一舉動了IC卡向智能卡的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變?！盎陂W存和世界知識產(chǎn)權(quán)組織的專利金獎。華虹NEC致力于自主工藝的研發(fā)，在嵌入式閃存制造方面形的工藝和技術(shù)，為基于閃存的SIM卡研發(fā)和大批量生產(chǎn)打下了牢固的基礎(chǔ)。在系列化產(chǎn)品，強有力地支撐了國產(chǎn)智能卡芯片的發(fā)展。華虹NEC已經(jīng)成為世界上最有影響力、最有優(yōu)勢的智能卡芯片制造商。在基于閃存的智能卡集成電路的攻關(guān)過程中，清華大學、大唐微電子和華虹NEC三家單位密切配合、共同努力，先后攻克了閃存型智能卡集成電路一系列重大技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化成績。包括：無法保證代碼的安全；第三，由于EEPROM的結(jié)決，實現(xiàn)了閃存型智能卡的實用化和產(chǎn)業(yè)化；COS和數(shù)據(jù)的后期寫入，防止了COS代碼和數(shù)據(jù)的前期泄露，但是對閃存的可硬件的可靠性保障設(shè)計、COS的閃存操作控制、軟硬件容錯控制等門設(shè)計，開發(fā)了高可靠的制造工藝，保證了C達到和超過了傳統(tǒng)IC卡的芯片；等技術(shù)，保證了動態(tài)更新的安全性；現(xiàn)了可執(zhí)行代碼的安全寫入和執(zhí)行切換；5.閃存型智能卡業(yè)務(wù)動態(tài)管理技術(shù)。通過在硬件和軟件兩個方面的協(xié)同設(shè)計，使得存儲空間的動態(tài)分配和管理成為可能。在軟件方面，承研單位發(fā)明了基于更新等以往無法實現(xiàn)的功能。運營商或用戶可以對卡內(nèi)增值業(yè)務(wù)進行在線變更，有效提高了用戶黏性和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的運營收益?；至穗娦胚\營商在SIM卡上開發(fā)全球領(lǐng)先我國電信業(yè)在該領(lǐng)域領(lǐng)先全球、引領(lǐng)國際同行的新業(yè)務(wù)發(fā)展；穩(wěn)定、可靠的工藝平臺，工藝水平也從早期的0.7.閃存型智能卡IP核庫。IP核是SoC的重要組成部分，本項目實施過程中，依托自主的嵌入式閃存工藝，形成了系列化的閃存I大規(guī)模生產(chǎn)的檢驗；生了巨大的經(jīng)濟和社會效益。到2011年，存的智能卡技術(shù)為全球智能卡的發(fā)展也做出了積極的貢獻。企業(yè)的壟斷，填補了空白，其技術(shù)的先進性帶動了全球智能卡芯片的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，也推動了我國智能卡企業(yè)的群體突破，具有重大的戰(zhàn)略意義。非接觸式集成電路卡技術(shù)具備綜合優(yōu)點，適于居民身份證的應(yīng)用；2001年1月，民身份證有關(guān)問題的批復(fù)》，至此，我國新一代居民身份證(以下簡稱：二代證)應(yīng)用任務(wù)。位開展了多項專題技術(shù)攻關(guān)：重點研究第二代居民身份證專用芯片抗靜電放電技術(shù)、芯片失效機理分析等關(guān)鍵技術(shù)；取得了觸卡條帶優(yōu)化技術(shù)、非接觸模塊抗壓測量技術(shù)、芯片參數(shù)測試分析技術(shù)與裝置、EEPROM壽命預(yù)測技術(shù)、失效分析技術(shù)、芯片失效統(tǒng)計分析方法和評測方法等20項關(guān)鍵技術(shù)與方法成果，并產(chǎn)品設(shè)計與優(yōu)化。近6年的事實證明，在產(chǎn)業(yè)的共同努力下，已發(fā)行近12測試等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要的技術(shù)推動作用。該科技進步一等獎。成電路制造關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域也獲得了喜人的突破。段性創(chuàng)新成果；與此同時，成立不久的中芯國際自主（Cu）制程工藝，這為后來在納米級集成電路大生產(chǎn)工藝開展研究大專項課題-《0.09微米CMOS集成電路大生產(chǎn)工藝與可制造性》，北京大學、具有研究基礎(chǔ)和研發(fā)優(yōu)勢的單位合作，組成了產(chǎn)學研聯(lián)合的研90nm-65nmCMOS大生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)方面開展多方位硅化物自對準淺結(jié)技術(shù)、微細加工工藝中的特征破。高性能、低成本的90nmCMOS邏輯集成術(shù)指標及可靠性順利通過了客戶的考核和認證，所制造產(chǎn)品的成品90%以上，已于2005年底開始量產(chǎn)和承擔對外加工服務(wù)。2.在適于90-65nm技術(shù)的器件模國際在大生產(chǎn)中采用，另一部分被應(yīng)用到相關(guān)技術(shù)的開發(fā)和應(yīng)用中。件、電路工作模式等對器件失效模式的影響，發(fā)現(xiàn)了接近于實際工藝的CMOS器件和電路重要失效模90nm-65nm技術(shù)的可靠性模型和評測平臺，在中芯國應(yīng)用。4.在90nm技術(shù)的可制造性檢查驗證優(yōu)化設(shè)計技術(shù)方面：基于大生產(chǎn)工藝，芯片的可制造性進行檢查驗證和校正處理。術(shù)、工藝、材料等方面的集成創(chuàng)新，成功地開發(fā)了GeSi源漏結(jié)構(gòu)誘導(dǎo)的PMOS應(yīng)力硅新技術(shù)，采用沉積加刻蝕多次重復(fù)等方法，開發(fā)了滿足65nm技術(shù)需求的微細加工技術(shù)、低K介質(zhì)材料的CVD淀積技術(shù)。金屬柵技術(shù)、新型器件結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝的研究，提出了高K/金屬柵與CMOS器SONOS和氧化物阻變存儲器等多種新型邏輯和存儲器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，其為了進一步推動我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提升我國集成電路制造裝備、工藝及材料技術(shù)的自主創(chuàng)新能力，在《國家中長期科學和技術(shù)發(fā)展綱要（2006-項（簡稱“02”專項），在02專項中，已經(jīng)布局了65納米、45納米、32－28納制造方面一定會取得更新、更大的成就。2.中芯國際在其12英寸大生產(chǎn)工藝線完成了90nm和65nm低功耗邏輯電工服務(wù)，代工服務(wù)的產(chǎn)品涵蓋了用于移動電子產(chǎn)品DSP芯片、數(shù)字電視芯片、代高端產(chǎn)品。實的基礎(chǔ)。100nm高密度等離子體刻蝕機、中科信的大傾和退火高溫爐管、有研硅股的12英寸大直和PRAM存儲技術(shù)等，這為我國在參與未爭中占得先機和有利地位，奠定了基礎(chǔ)。用。高性能集成電路設(shè)計中心、中星微、展訊等企業(yè)已在采用或擬能力的提高，為新一代45nm-28nm技術(shù)開電路技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將具有重要的里程碑作用和影響。依據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖），就需要各類特色工藝的支持。從“十五”開始，在國家“863”計劃和國家科技重大專項支持了多器件擊穿電壓、導(dǎo)通電阻和安全工作區(qū)等相互制約關(guān)系的技術(shù)瓶頸，開展研究、集成向SOI基功率集成、基于硅外延片的功率集成和基于體硅的功率集成發(fā)展，多年的研究，取得了一系列重要的核心技術(shù)突破。（1）提出了以局部介質(zhì)增厚技術(shù)提高電感性能厚度的限制和風險。該方法步驟簡單，完全兼容感的品質(zhì)因數(shù)及諧振頻率；（2）提出了超厚鋁的高精度刻蝕新方法。利用鋁對氧化硅的高用“氧化硅/光刻膠”雙層掩模掩蔽反應(yīng)離子刻蝕鋁，突破了常規(guī)干法度限制，實現(xiàn)了厚達6μm的鋁，顯著減小了電感的串聯(lián)電阻和提高了品質(zhì)因數(shù)；（3）采用上述自主開發(fā)的局部介質(zhì)增厚技術(shù)和超厚示意圖和芯片照片。（4）研制了緩變溝道摻雜的射頻SOINMOS于LDMOS器件，適用于0.25μm以上的NMOS器件；國內(nèi)領(lǐng)先水平；（6）針對薄柵氧LDMOS難于制作自對準硅化物氮化硅”雙層復(fù)合側(cè)墻基礎(chǔ)上的自對準硅化物新技術(shù)，成功地用于制作薄柵氧、μmSOICMOS工藝線上實現(xiàn)了兩種0.25μm的SOI射頻集成電路，包含了功率頻集成電路剖視圖。2.嵌入式Flash存儲器制造工藝（1）清華大學和中芯國際（上海）集成電路制造有限可靠性好、適宜更小線寬工藝兼容等優(yōu)點；頂盒和各種消費類電子產(chǎn)品等產(chǎn)品領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景；芯片圖；3.高壓集成電路制造工藝方面：（1）提出了多種可集成的創(chuàng)新型功率MOS器件結(jié)構(gòu)，包括具有緩沖層、壓、導(dǎo)通電阻、安全工作區(qū)等關(guān)鍵技術(shù)指標獲得突破性提升；適用于多種功率MOS集成電路的量產(chǎn)；（3）首次提出了一種帶有緩沖級的新型低功耗高低壓轉(zhuǎn)換電路，使功率集（4）提出了多種功率MOS集成電路可靠性和成工藝中復(fù)用光刻板套準誤差影響的技術(shù)和功等；（5）在國際上首次提出SOI（Silicon增強理論；場優(yōu)化”技術(shù)相對應(yīng)，稱之為“體內(nèi)場優(yōu)化”技術(shù)；（7）基于背柵場控效應(yīng)，降低SOI橫向高壓橫向高壓器件的擊穿電壓；技術(shù)，解決薄層SOI高壓器件穿通擊穿難題；（8）發(fā)明了系列高壓半導(dǎo)體器件新結(jié)構(gòu)和功率集成電路產(chǎn)品。近十年來，我國集成電路封裝產(chǎn)業(yè)始終保持著1109.13億元增長29.8%，在集成電路設(shè)計、芯的實施加快了集成電路封裝產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新步伐，為其發(fā)展增添了活力。地區(qū)的資本在大規(guī)模進入，總體分布情況變化不大，數(shù)量有少量增加。中本土企業(yè)或內(nèi)資控股企業(yè)23家，其余均高端產(chǎn)品；而內(nèi)資封裝測試企業(yè)的產(chǎn)品已由分布情況。術(shù)的進一步融合與發(fā)展，先進封裝產(chǎn)品的市場需求將穩(wěn)步增長。力。陣列四邊無引腳封測、高密度BUMP、雙層線路WLCSP，多芯片封裝（MCP）國電子報等聯(lián)合舉辦的“第五屆（2010年度）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和活動中，長電科技、通富微電等單位的四項技術(shù)成功入選。律（MoreMoore）、擴展摩爾定律（MorethenMoore