納米制造 材料規(guī)范 電化學(xué)電容器 第2部分：電化學(xué)電容器用納米使能電極片 空白詳細規(guī)范 編制說明

1Nanomanufacturing—Materialspecifications—Electrochemicalcapacitor—Part2:Nano-enabledelectrodesofelectrochemicalcapacitor–Blankdetailspecification(IEC/TS62565-5-2:2022,Nanomanufacturing—Materialspecifications—Electrochemicalcapacitor—Part2:Nano-enabledelectrodesofelectrochemicalcapacitor–Blankdetail23123456784），極片空白詳細規(guī)范》制定計劃下達，正式立項，國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃項目編號5本文件中的電極片包括含有納米/納米結(jié)構(gòu)材料（如納米多孔活性炭、石墨對于KCC表中“測量程序”項下的條目和測量方法的可用性，總結(jié)給出了6標(biāo)號項目信息3.1供應(yīng)商3.2產(chǎn)品3.3貿(mào)易名3.4電極片類型3.5活性材料3.63.7可獲得的制造過程描述文件參考3.8典型批量o質(zhì)量[kg]o體積[L]3.9可追溯性要求o系列號o其他,具體………….制造七日3.10規(guī)格序號修訂等級發(fā)布日期3.11包裝要求3.12材料安全數(shù)據(jù)表（MSDS）可用參考7序號KCC規(guī)格測試方法測量程序4.1水含量卡爾費休法IECTS62607-4-8(錯誤!未找到引用源。)灰分含量灼燒法尚不可用(錯誤!未找到引用源。)熱重分析(TGA)尚不可用(錯誤!未找到引用源。)4.3磁性雜質(zhì)含量Co:小于[]ppmNi:小于[]ppmICP-MSIECTS62607-6-20(錯誤!未找到引用源。)ICP-OES尚不可用(錯誤!未找到引用源。)AAS尚不可用(錯誤!未找到引用源。)=5cm×3.5cm）。從最大直徑到最小直徑測量彎曲強度，直到8序號KCC規(guī)格測試方法測量程序5.1標(biāo)稱[]±公差[]mm薄膜彎曲測試法尚不可用(錯誤!未找到引用源。)5.2標(biāo)稱[]±公差[]N/m剝離法尚不可用(錯誤!未找到引用源。)5.3標(biāo)稱[]±公差[]mm厚度變化法尚不可用(錯誤!未找到引用源。)標(biāo)稱[]±公差[]S/mL時間測試法尚不可用(錯誤!未找到引用源。)標(biāo)稱[]±公差[]°圖像法尚不可用(錯誤!未找到引用源。)電阻率標(biāo)稱[]±公差[]Ω.cm四探針測試法IECTS62607-4-3(錯誤!未找到引用源。)9序號KCC規(guī)格測試方法測量程序6.1壓實密度標(biāo)稱[]±公差[]g/cm3稱重法IECTS62607-4-2(錯誤!未找到引用源。)6.2厚度標(biāo)稱[]±公差[]mm千分尺IECTS62607-4-2(錯誤!未找到引用源。)6.3面密度標(biāo)稱[]±公差[]g/cm2稱重法IECTS62607-4-2(錯誤!未找到引用源。)6.4比表面積標(biāo)稱[]±公差[]m2/gN2吸附法ISO9277(錯誤!未找到引用源。)6.5孔體積標(biāo)稱[]±公差[]cm3/g壓汞法ISO15901-2(錯誤!未找到引用源。)6.6表面粗糙度標(biāo)稱[]±公差[]nm光學(xué)顯微鏡ISO25178(錯誤!未找到引用源。)序號KCC規(guī)格測試方法測量程序7.1比電容恒流充電(CCC)和恒流放電(CCD)尚不可用(錯誤!未找到引用源。)7.2電壓保持率恒流充電(CCC)和恒壓放電(CCV)尚不可用(錯誤!未找到引用源。)7.3漏電流恒流充電(CCC)和恒壓放電(CCV)尚不可用(錯誤!未找到引用源。)7.4循環(huán)耐受性n圈后大于[]%恒流充電(CCC)和恒流放電(CCD)尚不可用(錯誤!未找到引用源。)7.5溫度耐受性[]小時在[]°C后大于