晶體管基礎(chǔ)知識單選題100道及答案解析

晶體管基礎(chǔ)知識單選題100道及答案解析1.晶體管是一種（）控制型器件。A.電流B.電壓C.電阻D.電容答案：A解析：晶體管是電流控制型器件，通過基極電流來控制集電極電流。2.晶體管的三個(gè)極分別是（）A.陽極、陰極、柵極B.源極、漏極、柵極C.發(fā)射極、基極、集電極D.正極、負(fù)極、地極答案：C解析：晶體管的三個(gè)極是發(fā)射極、基極、集電極。3.對于NPN型晶體管，在放大狀態(tài)時(shí)，各極電位關(guān)系是（）A.VC>VB>VEB.VB>VC>VEC.VE>VB>VCD.VC>VE>VB答案：A解析：在NPN型晶體管放大狀態(tài)時(shí)，集電極電位最高，基極電位次之，發(fā)射極電位最低。4.PNP型晶體管處于放大狀態(tài)時(shí)，其電流方向是（）A.從發(fā)射極流入，從集電極和基極流出B.從集電極流入，從發(fā)射極和基極流出C.從基極流入，從發(fā)射極和集電極流出D.從發(fā)射極流出，從集電極和基極流入答案：D解析：PNP型晶體管放大時(shí)，電流從發(fā)射極流出，分別流向集電極和基極。5.晶體管的放大作用主要體現(xiàn)在（）A.增大電流B.增大電壓C.以小電流控制大電流D.以小電壓控制大電壓答案：C解析：晶體管的放大作用是用較小的基極電流控制較大的集電極電流。6.晶體管工作在截止區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的狀態(tài)是（）A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏答案：D解析：晶體管工作在截止區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏。7.晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，集電極電流（）A.隨基極電流增大而增大B.隨基極電流增大而減小C.不隨基極電流變化D.與基極電流無關(guān)答案：C解析：在飽和區(qū)，集電極電流幾乎不隨基極電流變化。8.要使晶體管處于放大狀態(tài)，其發(fā)射結(jié)應(yīng)（）A.零偏B.反偏C.正偏D.不確定答案：C解析：發(fā)射結(jié)正偏，晶體管才可能處于放大狀態(tài)。9.晶體管的輸入特性曲線是指（）A.IB與VBE的關(guān)系曲線B.IC與VCE的關(guān)系曲線C.IC與IB的關(guān)系曲線D.VCE與IB的關(guān)系曲線答案：A解析：輸入特性曲線描述的是基極電流IB與發(fā)射結(jié)電壓VBE的關(guān)系。10.晶體管的輸出特性曲線是指（）A.IB與VBE的關(guān)系曲線B.IC與VCE的關(guān)系曲線C.IC與IB的關(guān)系曲線D.VCE與IB的關(guān)系曲線答案：B解析：輸出特性曲線反映的是集電極電流IC與集電極-發(fā)射極電壓VCE的關(guān)系。11.晶體管的電流放大系數(shù)β是指（）A.ΔIC/ΔIBB.IC/IBC.ΔIB/ΔICD.IB/IC答案：A解析：β表示集電極電流變化量與基極電流變化量的比值。12.當(dāng)晶體管的基極電流增大時(shí)，其集電極電流（）A.一定增大B.一定減小C.不變D.不一定增大答案：D解析：在放大區(qū)基極電流增大集電極電流增大，但在飽和區(qū)則不一定。13.晶體管的穿透電流是指（）A.基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的電流B.發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的電流C.集電極開路時(shí)，發(fā)射極與基極之間的電流D.以上都不對答案：A解析：穿透電流是基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的電流。14.溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)β（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：A解析：溫度升高，β值通常會增大。15.溫度升高時(shí)，晶體管的穿透電流（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：A解析：溫度升高，穿透電流會顯著增大。16.晶體管的共射極接法是指（）A.基極作為輸入，集電極作為輸出B.發(fā)射極作為輸入，集電極作為輸出C.基極作為輸入，發(fā)射極作為輸出D.發(fā)射極作為輸入，基極作為輸出答案：B解析：共射極接法中，發(fā)射極作為輸入，集電極作為輸出。17.共射極放大電路中，輸出電壓與輸入電壓的相位關(guān)系是（）A.同相B.反相C.不確定D.有時(shí)同相，有時(shí)反相答案：B解析：共射極放大電路輸出電壓與輸入電壓相位相反。18.共集電極放大電路的特點(diǎn)是（）A.輸入電阻大，輸出電阻小B.輸入電阻小，輸出電阻大C.輸入電阻和輸出電阻都大D.輸入電阻和輸出電阻都小答案：A解析：共集電極放大電路輸入電阻大，輸出電阻小。19.共基極放大電路的特點(diǎn)是（）A.高頻特性好B.低頻特性好C.輸入電阻大D.輸出電阻大答案：A解析：共基極放大電路具有良好的高頻特性。20.晶體管的主要參數(shù)不包括（）A.電流放大系數(shù)B.反向飽和電流C.最高工作頻率D.靜態(tài)工作點(diǎn)答案：D解析：靜態(tài)工作點(diǎn)不是晶體管的參數(shù)，而是電路中的工作狀態(tài)。21.晶體管的極限參數(shù)不包括（）A.集電極最大允許電流B.集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓C.基極最大允許電流D.集電極最大允許耗散功率答案：C解析：沒有基極最大允許電流這一極限參數(shù)。22.選用晶體管時(shí)，應(yīng)使其工作在（）A.截止區(qū)B.飽和區(qū)C.放大區(qū)D.以上均可答案：C解析：正常工作時(shí)，通常希望晶體管工作在放大區(qū)。23.晶體管的頻率特性主要取決于（）A.結(jié)電容B.基區(qū)寬度C.集電區(qū)面積D.發(fā)射區(qū)面積答案：A解析：結(jié)電容對晶體管的頻率特性影響較大。24.提高晶體管的工作頻率，應(yīng)（）A.增大結(jié)電容B.減小結(jié)電容C.增大基區(qū)寬度D.減小集電區(qū)面積答案：B解析：減小結(jié)電容可提高工作頻率。25.場效應(yīng)管與晶體管相比，其優(yōu)點(diǎn)是（）A.輸入電阻高B.電流放大系數(shù)大C.溫度穩(wěn)定性好D.以上都是答案：D解析：場效應(yīng)管輸入電阻高、電流放大系數(shù)大、溫度穩(wěn)定性好。26.以下不是晶體管分類依據(jù)的是（）A.材料B.極性C.頻率D.封裝形式答案：D解析：封裝形式不是晶體管分類的主要依據(jù)。27.硅晶體管與鍺晶體管相比，其特點(diǎn)是（）A.導(dǎo)通電壓高B.溫度穩(wěn)定性好C.受溫度影響大D.以上都是答案：B解析：硅晶體管溫度穩(wěn)定性好。28.高頻晶體管與低頻晶體管的主要區(qū)別在于（）A.電流放大系數(shù)B.基區(qū)寬度C.集電區(qū)面積D.以上都是答案：B解析：高頻晶體管基區(qū)寬度較窄。29.晶體管的噪聲主要來源于（）A.熱噪聲B.散粒噪聲C.分配噪聲D.以上都是答案：D解析：晶體管的噪聲來源包括熱噪聲、散粒噪聲、分配噪聲等。30.減小晶體管的噪聲，可采取的措施是（）A.降低工作溫度B.減小工作電流C.選擇低噪聲晶體管D.以上都是答案：D解析：降低溫度、減小電流、選用低噪聲晶體管都有助于減小噪聲。31.晶體管的開關(guān)特性主要取決于（）A.存儲時(shí)間B.上升時(shí)間C.下降時(shí)間D.以上都是答案：D解析：存儲時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間等都影響晶體管的開關(guān)特性。32.提高晶體管的開關(guān)速度，可（）A.減小存儲時(shí)間B.減小上升時(shí)間C.減小下降時(shí)間D.以上都是答案：D解析：減小存儲、上升、下降時(shí)間能提高開關(guān)速度。33.晶體管在數(shù)字電路中的主要作用是（）A.放大信號B.產(chǎn)生脈沖C.實(shí)現(xiàn)邏輯功能D.濾波答案：C解析：在數(shù)字電路中，晶體管主要用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能。34.下列不是晶體管保護(hù)措施的是（）A.過流保護(hù)B.過壓保護(hù)C.過熱保護(hù)D.短路保護(hù)答案：D解析：一般沒有專門針對晶體管的短路保護(hù)。35.晶體管的安全工作區(qū)由（）決定。A.集電極最大允許電流、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極最大允許耗散功率B.基極最大允許電流、基極-發(fā)射極反向擊穿電壓、基極最大允許耗散功率C.發(fā)射極最大允許電流、發(fā)射極-集電極反向擊穿電壓、發(fā)射極最大允許耗散功率D.以上都不對答案：A解析：晶體管的安全工作區(qū)由集電極最大允許電流、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極最大允許耗散功率決定。36.當(dāng)晶體管的集電極電流超過其最大允許電流時(shí)，會（）A.燒毀晶體管B.使β下降C.使輸出信號失真D.以上都是答案：D解析：集電極電流過大可能導(dǎo)致上述問題。37.當(dāng)晶體管的集電極-發(fā)射極電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，會（）A.燒毀晶體管B.使β下降C.使輸出信號失真D.以上都是答案：A解析：超過反向擊穿電壓可能會燒毀晶體管。38.當(dāng)晶體管的集電極耗散功率超過其最大允許耗散功率時(shí)，會（）A.燒毀晶體管B.使β下降C.使輸出信號失真D.以上都是答案：A解析：超過最大允許耗散功率可能燒毀晶體管。39.為了提高晶體管的穩(wěn)定性，可以采用（）A.分壓式偏置電路B.固定偏置電路C.集電極反饋式偏置電路D.以上都是答案：A解析：分壓式偏置電路能提高穩(wěn)定性。40.分壓式偏置電路中，RE的作用是（）A.穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)B.增大放大倍數(shù)C.減小輸入電阻D.增大輸出電阻答案：A解析：RE起到穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的作用。41.在共射極放大電路中，若靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置過高，容易出現(xiàn)（）失真。A.飽和B.截止C.頻率D.交越答案：A解析：靜態(tài)工作點(diǎn)過高會導(dǎo)致飽和失真。42.在共射極放大電路中，若靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置過低，容易出現(xiàn)（）失真。A.飽和B.截止C.頻率D.交越答案：B解析：靜態(tài)工作點(diǎn)過低易產(chǎn)生截止失真。43.多級放大電路的級間耦合方式不包括（）A.直接耦合B.電容耦合C.電感耦合D.電阻耦合答案：D解析：常見的級間耦合方式是直接耦合、電容耦合、電感耦合。44.直接耦合放大電路存在的主要問題是（）A.零點(diǎn)漂移B.增益低C.輸入電阻小D.輸出電阻大答案：A解析：直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移問題。45.能夠抑制零點(diǎn)漂移的放大電路是（）A.共射極放大電路B.共集電極放大電路C.差分放大電路D.共基極放大電路答案：C解析：差分放大電路能有效抑制零點(diǎn)漂移。46.差分放大電路是利用（）來抑制零點(diǎn)漂移的。A.電路的對稱性B.發(fā)射極電阻C.負(fù)反饋D.以上都是答案：D解析：差分放大電路通過電路對稱性、發(fā)射極電阻、負(fù)反饋等抑制零點(diǎn)漂移。47.集成運(yùn)放的輸入級通常采用（）A.共射極放大電路B.共集電極放大電路C.差分放大電路D.共基極放大電路答案：C解析：集成運(yùn)放的輸入級多采用差分放大電路。48.集成運(yùn)放的中間級通常采用（）A.共射極放大電路B.共集電極放大電路C.差分放大電路D.共基極放大電路答案：A解析：集成運(yùn)放的中間級一般是共射極放大電路。49.集成運(yùn)放的輸出級通常采用（）A.共射極放大電路B.共集電極放大電路C.差分放大電路D.互補(bǔ)對稱電路答案：D解析：集成運(yùn)放的輸出級常采用互補(bǔ)對稱電路。50.理想集成運(yùn)放的開環(huán)電壓放大倍數(shù)為（）A.零B.無窮大C.1D.不確定答案：B解析：理想集成運(yùn)放開環(huán)電壓放大倍數(shù)無窮大。51.理想集成運(yùn)放的輸入電阻為（）A.零B.無窮大C.定值D.不確定答案：B解析：理想集成運(yùn)放輸入電阻無窮大。52.理想集成運(yùn)放的輸出電阻為（）A.零B.無窮大C.定值D.不確定答案：A解析：理想集成運(yùn)放輸出電阻為零。53.集成運(yùn)放的線性應(yīng)用電路不包括（）A.反相比例運(yùn)算電路B.同相比例運(yùn)算電路C.加法運(yùn)算電路D.正弦波振蕩器答案：D解析：正弦波振蕩器屬于非線性應(yīng)用。54.集成運(yùn)放工作在非線性區(qū)時(shí)，其輸出電壓為（）A.+UOM或-UOMB.與輸入電壓成正比C.零D.不確定答案：A解析：工作在非線性區(qū)，輸出為正飽和值或負(fù)飽和值。55.比較器屬于集成運(yùn)放的（）應(yīng)用。A.線性B.非線性C.以上都不是D.無法確定答案：B解析：比較器是非線性應(yīng)用。56.遲滯比較器具有（）特點(diǎn)。A.抗干擾能力強(qiáng)B.靈敏度高C.速度快D.以上都是答案：A解析：遲滯比較器抗干擾能力強(qiáng)。57.功率放大電路的主要任務(wù)是（）A.輸出大電壓B.輸出大電流C.輸出大功率D.以上都是答案：C解析：功率放大電路的主要任務(wù)是輸出大功率。58.功率放大電路的效率是指（）A.輸出功率與輸入功率之比B.輸出功率與電源提供的功率之比C.電源提供的功率與輸出功率之比D.以上都不對答案：B解析：效率是輸出功率與電源提供的功率的比值。59.乙類功率放大電路存在的主要問題是（）A.交越失真B.飽和失真C.截止失真D.頻率失真答案：A解析：乙類功率放大電路會出現(xiàn)交越失真。60.甲乙類功率放大電路可以克服乙類功率放大電路的（）A.交越失真B.飽和失真C.截止失真D.頻率失真答案：A解析：甲乙類功率放大電路能改善交越失真。61.OCL功率放大電路中，輸出端中點(diǎn)電位為（）A.電源電壓B.0C.電源電壓的一半D.不確定答案：B解析：OCL功率放大電路輸出端中點(diǎn)電位為0。62.OTL功率放大電路中，輸出端電容的作用是（）A.耦合B.濾波C.提供偏置D.隔直答案：D解析：輸出端電容起隔直作用。63.晶體管的高頻等效模型中，不包括（）A.發(fā)射結(jié)電容B.集電結(jié)電容C.基區(qū)電阻D.集電極電阻答案：D解析：高頻等效模型中沒有集電極電阻。64.晶體管的混合π型等效模型中，受控電流源的大小取決于（）A.基極電流B.集電極電流C.發(fā)射極電流D.以上都不對答案：A解析：受控電流源大小取決于基極電流。65.晶體管的共射極輸入電阻rbe與（）有關(guān)。A.電流放大系數(shù)B.集電極電阻C.發(fā)射極電阻D.以上都是答案：A解析：rbe與電流放大系數(shù)有關(guān)。66.在晶體管放大電路的分析中，常用的分析方法是（）A.圖解法B.微變等效電路法C.估算法D.以上都是答案：D解析：這幾種方法在放大電路分析中都常用。67.用圖解法分析晶體管放大電路時(shí)，（）A.能直觀地反映晶體管的工作狀態(tài)B.計(jì)算復(fù)雜C.精度高D.以上都是答案：A解析：圖解法能直觀反映工作狀態(tài)。68.微變等效電路法適用于（）A.大信號分析B.小信號分析C.直流分析D.以上都是答案：B解析：微變等效電路法適用于小信號分析。69.晶體管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定的主要原因是（）A.溫度變化B.電源電壓波動C.晶體管老化D.以上都是答案：D解析：這些因素都可能導(dǎo)致靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定。70.在分壓式偏置電路中，當(dāng)溫度升高時(shí)，IC會（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：A解析：溫度升高時(shí)，IC通常會增大。71.為穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，在分壓式偏置電路中引入了（）A.直流負(fù)反饋B.交流負(fù)反饋C.正反饋D.以上都不是答案：A解析：引入了直流負(fù)反饋來穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。72.共射極放大電路的電壓放大倍數(shù)與（）有關(guān)。A.集電極電阻B.基極電阻C.發(fā)射極電阻D.以上都是答案：A解析：電壓放大倍數(shù)與集電極電阻有關(guān)。73.共集電極放大電路的電壓放大倍數(shù)（）A.接近于1B.遠(yuǎn)大于1C.遠(yuǎn)小于1D.等于0答案：A解析：共集電極放大電路電壓放大倍數(shù)接近于1。74.共基極放大電路的輸入電阻（）A.大B.小C.中等D.不確定答案：B解析：共基極放大電路輸入電阻小。75.場效應(yīng)管是（）控制型器件。A.電流B.電壓C.電阻D.電容答案：B解析：場效應(yīng)管是電壓控制型器件。76.場效應(yīng)管的三個(gè)極分別是（）A.源極、漏極、柵極B.發(fā)射極、基極、集電極C.陽極、陰極、控制極D.以上都不對答案：A解析：場效應(yīng)管的三個(gè)極是源極、漏極、柵極。77.增強(qiáng)型MOS管工作在放大區(qū)時(shí)，其柵源電壓（）A.大于開啟電壓B.小于開啟電壓C.等于開啟電壓D.以上都不對答案：A解析：增強(qiáng)型MOS管放大時(shí)，柵源電壓大于開啟電壓。78.耗盡型MOS管工作在放大區(qū)時(shí)，其柵源電壓（）A.大于開啟電壓B.小于開啟電壓C.等于開啟電壓D.以上均可答案：D解析：耗盡型MOS管在放大區(qū)時(shí)，柵源電壓大于、小于、等于開啟電壓均可。79.場效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm反映了（）A.柵源電壓對漏極電流的控制能力B.柵漏電壓對漏極電流的控制能力C.源漏電壓對漏極電流的控制能力D.以上都不對答案：A解析：跨導(dǎo)gm反映柵源電壓對漏極電流的控制能力。80.場效應(yīng)管的輸出特性曲線分為（）A.可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、截止區(qū)B.飽和區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)C.正向區(qū)、反向區(qū)、截止區(qū)D.以上都不對答案：A解析：輸出特性曲線分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、截止區(qū)。81.場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線描述的是（）A.ID與VGS的關(guān)系B.ID與VDS的關(guān)系C.VGS與VDS的關(guān)系D.以上都不對答案：A解析：轉(zhuǎn)移特性曲線描述的是漏極電流ID與柵源電壓VGS的關(guān)系。82.結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能（）A.為正B.為負(fù)C.為零D.以上都不對答案：A解析：結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能為正。83.場效應(yīng)管放大電路的輸入電阻通常（）晶體管放大電路的輸入電阻。A.大于B.小于C.等于D.不確定答案：A解析：場效應(yīng)管放大電路輸入電阻通常大于晶體管放大電路輸入電阻。84.場效應(yīng)管放大電路常用的偏置方式有（）A.自偏壓式B.分壓式C.混合偏置式D.以上都是答案：D解析：場效應(yīng)管放大電路的偏置方式包括自偏壓式、分壓式、混合偏置式。85.共源極放大電路的輸出電壓與輸入電壓的相位關(guān)系是（）A.同相B.反相C.不確定D.有時(shí)同相，有時(shí)反相答案：B解析：共源極放大電路輸出電壓與輸入電壓相位相反。86.共漏極放大電路的特點(diǎn)是（）A.輸入電阻大，輸出電阻小B.輸入電阻小，輸出電阻大C.輸入電阻和輸出電阻都大D.輸入電阻和輸出電阻都小答案：A解析：共漏極放大電路輸入電阻大，輸出電阻小。87.共柵極放大電路的特點(diǎn)是（）A.輸入電阻大B.輸出電阻小C.高頻特性好D.增益高答案：C解析：共柵極放大電路高頻特性好。88.場效應(yīng)管與晶體管相比，其優(yōu)點(diǎn)是（）A.噪聲低B.熱穩(wěn)定性好C.便于集成D.以上都是答案：D解析：場效應(yīng)管噪聲低、熱穩(wěn)定性好、便于集成。89.下列關(guān)于場效應(yīng)管和晶體管的說法，錯(cuò)誤的是（）A.場效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電B.晶體管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子參與導(dǎo)電C.場效應(yīng)管的輸入電阻比晶體管小D.場效應(yīng)管的溫度穩(wěn)定性比晶體管好答案：C解析：場效應(yīng)管的輸入電阻比晶體管大。90.在放大電路中，場效應(yīng)管一般工作在（）A.可變電阻區(qū)B.恒流區(qū)C.截止區(qū)D.飽和區(qū)答案：B解析：在放大電路中，場效應(yīng)管一般工作在恒流區(qū)。91.場效應(yīng)管的漏極電流ID主要取決于（）A.柵源電壓VGSB.漏源電壓VDSC.柵極電阻RGD.漏極電阻RD答案：A解析：漏極電流ID