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文檔簡介
高中化學(xué)選修三終極整理
第一部分原子結(jié)構(gòu)
原子結(jié)構(gòu)常見模型:實(shí)心球模型、盧瑟福模型、道爾頓模型、電子云模型
原子基本結(jié)構(gòu):原子核(中子、質(zhì)子)核外電子
原子軌道(描述核外電子運(yùn)動狀態(tài)):
主量子數(shù)(能層,即電子層,用n表示,各個(gè)電子層用字母表示為K、L、M、N、。、P、Q,
思考為什么不存在R電子層?)。
角量子數(shù)(能級,即電子亞層,用I表示,l<n;有s、p、d、f四個(gè)能級);
磁量子數(shù)(用m表示,|m|WD;
自旋量子數(shù)(用mz表示,mz=O,±]/2)
能級交錯(cuò)現(xiàn)象:E(n-1)s<End[n=4>5]
E(n-2)f<E(n-1)d<Ens[n=6>7]
軌道形狀:s軌道球形p軌道:啞鈴形d軌道:花瓣形
電子排布式(表達(dá)核外電子排布情況的式子):
普通表示法:is22s22P6……(所有電子排布情況全部表示出來)
如MgIs22s22P63s2[適用于短周期元素]
簡單表示法:[稀有氣體]最外層電子
如Na:[Ar]3sl[適用于長周期元素]
電子排布遵循的幾個(gè)原則:
能量最低原則(能量最低結(jié)構(gòu)越穩(wěn)定)
泡利不相容原理(每個(gè)軌道只能容納一對自旋相反的電子)
洪特規(guī)則(電子填充時(shí)優(yōu)先填充一個(gè)自旋方向一致的電子在每個(gè)軌道上)
軌道穩(wěn)定的情況:全滿、全空、半滿
每個(gè)軌道所能容納的最大電子數(shù):
s軌道:2p軌道:6d軌道:10f軌道:14
元素周期表分類排布:按元素分類(金屬區(qū)、非金屬區(qū))按族分類(主族、副族)按周期分
類(短周期、長周期)按最外層軌道分類(s區(qū)、p區(qū)、d區(qū)、f區(qū))
元素周期律:同周期元素從左至右元素非金屬性增強(qiáng),同主族元素從上至下元素金屬性增強(qiáng)。
電負(fù)性:原子對共用電子對的吸引能力一般而言,用鮑林電負(fù)性數(shù)值去表示,元素非金屬性
越強(qiáng)電負(fù)性越強(qiáng)。
第一電離能:原子失去一個(gè)電子變成正一價(jià)陽離子所需能量稱之。正一價(jià)陽離子繼續(xù)失去一
個(gè)電子變成正二價(jià)陽離子所需能量稱之為第二電離能,以此類推,一般而言元素的金屬性越
強(qiáng),其第一電離能越低,特例:對于周期元素而言IIA族>IIIA族;V族〉VIA族
用途:(1)判斷元素金屬性強(qiáng)弱(2)判斷元素化合價(jià)大小
第一電子親和能:原子得到一個(gè)電子變成負(fù)一價(jià)陰離子所放出的能量,得到第二個(gè)電子變成
負(fù)二價(jià)離子所需能量)稱之為第二電子親和能,以此類推,一般來說,非金屬性越強(qiáng),第一
電子親和能越強(qiáng)。例外:對于VI族和VIIA族而言第二周期元素〈第三周期元素
第二部分化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)
一、化學(xué)鍵(化合物分子內(nèi)部各原子之間的作用力)分類:離子鍵(陰陽離子靜電引力)共
價(jià)鍵(共用電子對)金屬鍵(金屬離子與核外電子)
1、離子鍵與共價(jià)鍵判斷的一般規(guī)則:元素電負(fù)性之差是否小于等于1.7,小于等于則為離子
鍵,大于則為共價(jià)鍵。特例:NaH(離子化合物,電負(fù)性之差為1.9)
2、共價(jià)鍵:(1)飽和性:原子軌道所能容納的最大共用電子對的數(shù)目。一般與其最外層電子
數(shù)相等
(2)共價(jià)鍵分類:。鍵與n鍵;
。鍵:原子之間沿鍵軸方向頭碰頭重疊,。鍵一般在s軌道與px軌道上成鍵
n鍵:原子之間沿垂直于鍵軸方向肩并肩重疊,31鍵一般在py與pz軌道上成鍵
最大重疊原理:共價(jià)鍵成鍵滿足軌道重疊程度最大,這樣成鍵化學(xué)鍵穩(wěn)定。
一般而言:化學(xué)鍵的穩(wěn)定性。鍵>n鍵(特例N2)
配位鍵:一個(gè)原子提供空軌道另一個(gè)原子提供孤對電子形成的化學(xué)鍵。配位鍵是一種特殊的
共價(jià)鍵(。鍵)
二、分子結(jié)構(gòu)
1、決定分子結(jié)構(gòu)的三要素:鍵長、鍵角、鍵能[鍵長鍵角決定分子空間構(gòu)型;鍵長和鍵能決
定分子穩(wěn)定性]一般規(guī)律:鍵長越短化學(xué)鍵越穩(wěn)定;鍵能越高化學(xué)鍵越穩(wěn)定。
2、雜化軌道理論:中心原子電子激發(fā)到高能態(tài)后,剩余能量相近的空軌道線性組合變成相等
數(shù)目能量完全相同新的軌道。
3、價(jià)成電子對互斥理論(VSEPR):分子內(nèi)部各個(gè)共用電子對會收到彼此之間的相互排斥力,
當(dāng)彼此之間受力平衡時(shí),分子到達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。
一般判斷步驟:①、計(jì)算價(jià)電子對數(shù)目,
價(jià)電子對數(shù)目=(中心原子最外層電子數(shù)+配位原子的價(jià)電子數(shù)X配位原子數(shù))/2[若為離子
則還應(yīng)減去(陽離子)或加上(陰離子)對應(yīng)的電荷數(shù)]
②、判斷價(jià)電子對數(shù)目以及中心原子雜化方式
③、得出空間構(gòu)型
一般規(guī)律:價(jià)電子數(shù)目雜化方式空間構(gòu)型
2sp直線型;3sp2平面三角形;4sp3四面體型;5sp3d三角雙錐;6sp3d2八面體;7sp3d3
五角雙錐
3、現(xiàn)代價(jià)鍵理論
在價(jià)成電子對互斥理論基礎(chǔ)上去掉孤對電子即可
4、等電子體:原子數(shù)目相同、價(jià)電子數(shù)目也相同的一類粒子,等電子體之間空間構(gòu)型相同
5、極性分子與非極性分子判定:價(jià)成電子對數(shù)目等于配位原子數(shù)目,空間結(jié)構(gòu)完全對稱的分
子為非極性分子;反之則為極性分子。
6、相似相溶原理:極性分子易溶于由極性分子之間組成的溶劑;非極性分子易溶于非極性分
子之間組成的溶劑。
三、氫鍵:電負(fù)性較強(qiáng)的原子對氫原子的吸引力。形如:H—(X為氮氧氟),氫鍵的強(qiáng)
度數(shù)目在一定程度上影響物質(zhì)的溶沸點(diǎn)、溶解度高低,一般而言氫鍵強(qiáng)度較強(qiáng)和數(shù)目較多的
分子,其溶沸點(diǎn)更高。
四、配合物
以配位鍵形成的化合物稱之為配位化合物
如[C(B)m]A或A[C(B)m]兩種
命名方法:[A(B)m]C命名為:A化mB合C
A[C(B)m]命名為:mB合C酸A
配合物分為內(nèi)界和外界兩部分:內(nèi)界即中括號里的部分,包括中心原子(C)與配位原子(B),
以。鍵形式成鍵同時(shí)配體對配位原子形成反饋“鍵。外界(A)則為陰陽離子,內(nèi)外界以離子
鍵形式成鍵。
第三部分晶體計(jì)算
一、晶體的有關(guān)概
晶體:大量物質(zhì)分(原子)子在空間有序排列組合成一個(gè)有規(guī)則的幾何圖形,這樣的結(jié)構(gòu)稱
之為晶體。如果是不規(guī)則的幾何圖形稱之為非晶體,介于二者之間即成為準(zhǔn)晶體。區(qū)別三者
可以使用X射線衍射法。
點(diǎn)陣:這是說明晶體有關(guān)周期性的概念,空間里的可以找一個(gè)己知點(diǎn)作為原點(diǎn),在這個(gè)空間
里存在一系列的點(diǎn)與已知點(diǎn)所處環(huán)境相同,這一系列點(diǎn)便可在空間平移重復(fù),這一系列環(huán)境
相同的點(diǎn)組成一個(gè)最簡單的結(jié)構(gòu)單元即晶胞。
晶格能:晶體轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)原子,或者氣態(tài)原子結(jié)合變成晶體所需的能量。它決定了晶體溶沸
點(diǎn)高低、化學(xué)性質(zhì)的穩(wěn)定性。一般來說晶格能越高晶體越穩(wěn)定。
晶體分類:按照化學(xué)鍵類型分為原子晶體、離子晶體、金屬晶體、分子晶體
晶體溶沸點(diǎn)大小規(guī)律:
原子晶體>離子晶體或金屬晶體>分子晶體
二、高中化學(xué)常見的晶體類型
1、立方最密堆積(一般為長方體或正方體)
分為面心立方(NaCI型)配位數(shù):12空間利用率:74%
常見金屬:Cu、Al、Ag、Au、Ni等
體心立方(CsCI型)配位數(shù)為8空間利用率:68%
常見金屬:堿金屬、Fe、Cr等
各點(diǎn)對于晶體貢獻(xiàn)值,頂點(diǎn):抽棱心:皿面心:V2體心:1
2、六方最密堆積(一般為直正六棱柱)
配位數(shù):12空間利用率:74%
常見金屬:Ca、Mg、Zn等
各點(diǎn)對于晶胞貢獻(xiàn)值:頂點(diǎn):優(yōu)棱心3面心:四
體心:1
三、晶胞密度、原子半徑、晶胞原子坐標(biāo)的有關(guān)計(jì)算
晶胞密度:
P=NXm/V[N為晶胞中的原(分)子數(shù),m為原(分)子的質(zhì)量m=M/NA,M
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