高中化學(xué)實驗題核心考點總結(jié)

高中化學(xué)實驗題核心考點總結(jié)！

今天給大家分享高中化學(xué)實驗題核心考點鞏固，一起看

看吧~

一、三大氣體制備裝置的連接

1、CI2的實驗室制備系統(tǒng)

2、S02的實驗室制備系統(tǒng)

3、NH3的實驗室制備系統(tǒng)

4、實驗裝置選擇的思路：

二、氣體的制備

1、常見氣體制備的反應(yīng)原理

試劑的選擇：以實驗室常用藥品為原料，依據(jù)制氣原理，

選擇方便、經(jīng)濟、安全的試劑，盡量做到有適宜的反應(yīng)速

率，且所得氣體比較純凈。如：用鋅粒與酸制取氫氣，一

般選擇稀硫酸，而不用稀鹽酸，原因是鹽酸是揮發(fā)性酸,

制取的氫氣中?；煊蠬CI氣體

2、氣體的發(fā)生裝置

(1)裝置的選擇：由反應(yīng)物的狀態(tài)，反應(yīng)條件和所制備氣體

的性質(zhì)、量的多少決定

(2)加熱操作要求

①使用可燃性氣體(如H2、CO、CH4等)，先用原料氣趕

走系統(tǒng)內(nèi)的空氣，再點燃酒精燈加熱，以防止爆炸

②制備一些易與空氣中的成分發(fā)生反應(yīng)的物質(zhì)(如H2還原

CuO的實驗),反應(yīng)結(jié)束時，應(yīng)先熄滅酒精燈，繼續(xù)通原料

氣至試管冷卻

3、氣體的凈化裝

置

(1)判斷氣體中的雜質(zhì)方法：凡是反應(yīng)物中有易揮發(fā)性液體，

如鹽酸、濃硝酸、漠水等，制得的氣體中一定含有相應(yīng)的雜

質(zhì)HCI、HNO3、漠蒸氣及水蒸氣等。還有一些發(fā)生副反應(yīng)

的，如用酒精和濃硫酸反應(yīng)制乙烯時，由于副反應(yīng)的發(fā)生而

使乙烯中含有雜質(zhì)S02、C02和水蒸氣

(2)除雜原則：①不損失主體氣體；②不引入新的雜質(zhì)氣體；

③在密閉裝置內(nèi)進行；④先除易除的雜質(zhì)氣體

(3)除雜試劑選擇的依據(jù)：主體氣體和雜質(zhì)氣體性質(zhì)上的差

異，如溶解性、酸堿性、氧化性、還原性

(4)根據(jù)試劑選擇合適的裝置：洗氣瓶、球形干燥管、U形

管、硬質(zhì)玻璃管

(5)除雜順序：先除雜，后除水

(6)常見氣體的凈化實例

4、氣體的干燥

氣體的干燥是指除去氣體中所含的水蒸氣，實質(zhì)上也屬于除

雜范疇(是一種特定的除雜過程)；氣體干燥的關(guān)鍵是選擇干燥

劑，并根據(jù)干燥劑的狀態(tài)選擇干燥裝置，常用的裝置有洗氣

瓶、干燥管等

5、氣體的收集裝置

收集方排水法向上排空氣法向下排空氣

法法

收集原收集的氣體不與水反與空氣不反應(yīng)且密度與空氣不反

理應(yīng)或難溶于水比空氣的大應(yīng)且密度比

空氣的小

收集裝

置

適用的H2、02、N0、Cl2>C02、NO2、H2、NH3

氣體CH4、C2H4等SO2

6、尾氣處理裝置

(1)原因：有些氣體有毒或有可燃性，任其逸散到空氣中，

會污染空氣或者引發(fā)火災(zāi)、爆炸等災(zāi)害

(2)處理方法:

①轉(zhuǎn)化處理：一般根據(jù)氣體的相關(guān)性質(zhì)，用溶液吸收或點

燃使它們變?yōu)闊o毒、無害、無污染的物質(zhì)，使其轉(zhuǎn)化為非

氣態(tài)物質(zhì)或無毒物質(zhì)。實驗室中常見有毒氣體的處理方法

如表所示

02SO2NO2H2sHCINH3CO、NO

H2

NaOH溶液硫酸銅溶液或水水或硫占燃與氧氣混合后通

NaOH溶液酸溶液入NaOH溶液

②直接排入空氣中：主要是針對無毒、無害氣體的處理。

如：N2、02、C02等

（3）吸收原則：能充分吸收氣體；不能倒吸（4）常見裝置

①吸收溶解度較小的尾氣（如：CI2等）用圖D裝置

②吸收溶解度較大的尾氣（如：HCI、NH3等）用圖B、C裝

置（防倒吸）

③CO、H2等氣體可用點燃或收集的方法除去，用圖A、E

裝置

（5）防倒吸裝置（以氨氣吸收為例）

①液體容納：圖甲、乙原理相同，當(dāng)易溶性氣體被吸收液

吸收時，導(dǎo)管內(nèi)壓強減小，吸收液上升到漏斗或干燥管

中，導(dǎo)致燒杯中液面下降"吏漏斗口、干燥管脫離液面，

吸收液受自身重力作用又流回?zé)瓋?nèi)，從而防止吸收液倒

吸

②安全瓶：如圖丙所示，當(dāng)吸收液發(fā)生倒吸時，倒吸進來

的吸收液進入安全瓶，從而防止吸收液進入受熱儀器或反

應(yīng)容器，起到防倒吸作用

③間接吸收：如圖丁所示，NH3、HCI等易溶于水卻不溶

于CCI4的氣體，在CCI4中形成氣泡，增大與水的接觸面

積，進行間接吸收，可以達