河北省“集成電路開發(fā)及應(yīng)用職業(yè)技能大賽”賽題樣卷

集成電路開發(fā)及應(yīng)用賽項來源于集成電路行業(yè)真實工作任務(wù)，由“集成電路工藝仿真”、“集成電路測試”及“集成電路應(yīng)用”三部分組成。第一部分集成電路工藝仿真一、單選題1、窄間距小外形封裝的英文簡稱為（）。A、SIPB、SOPC、SSOPD、QFP2、視頻展示的是封裝工藝中引線鍵合的操作過程，其中現(xiàn)象①表示的環(huán)節(jié)是（）。A、燒球B、植球C、走線D、壓焊4、在外觀檢查中發(fā)現(xiàn)料管破損，應(yīng)()。A、繼續(xù)使用B、及時更換C、對破損部位進(jìn)行修補D、視情況而定5、管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊()處貼上“合格”標(biāo)簽。A、左側(cè)B、右側(cè)C、中央D、任意位置6、SOP封裝的芯片一般采用()形式進(jìn)行包裝。A、卷盤B、編帶C、料管D、料盤7、晶圓貼膜過程中，需要外加一個（），它起到支撐的作用。A、晶圓基底圓片B、晶圓貼片環(huán)C、藍(lán)膜支撐架D、固定掛鉤8、下圖中，不屬于晶須的是（）。A、圖1B、圖2C、圖3D、圖49、干-濕-干氧化過程中，第一次干氧氧化的目的是（）。A、形成所需的二氧化硅膜厚度B、獲得致密的二氧化硅表面C、提高二氧化硅和光刻膠的黏附性D、改善二氧化硅和硅交界面的性能10、平移式設(shè)備芯片檢測工藝流程中，上料之后的環(huán)節(jié)通常是()。A、測試B、分選C、真空包裝D、外觀檢查二、多選題1、編帶具有()等優(yōu)點。A、容量大B、體積小C、節(jié)約存放空間D、保護(hù)元器件不受污染或損壞2、涂膠過程中，造成圖中所示的異?，F(xiàn)象的原因可能是什么？A、滴膠時膠中帶有氣泡B、旋涂時間過長C、噴膠時膠液偏離襯底中心D、給膠量不足？3、通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機設(shè)備進(jìn)行測試。A、LGAB、DIPC、SOPD、QFN4、晶圓檢測工藝的外檢環(huán)節(jié)可能會檢查到的異常情況有：()。A、墨點沾污B、扎針異常C、墨點大小點D、長形點三、填空題1、加溫測試時將需要高溫加熱的晶圓放置在_____上，根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件對晶圓進(jìn)行加溫。2、在完成料管真空包裝后，如果發(fā)現(xiàn)包裝袋有明顯空氣殘留，就需要_______。3、對單晶硅錠進(jìn)行外形整理主要包括切割分段、_______研磨、定位面研磨。4、完整的編帶由蓋帶和______組成。四、交互動畫1、單晶硅生長—拉晶與檢測第二部分集成電路測試一、比賽要求比賽現(xiàn)場下發(fā)若干塊集成電路芯片、配套的焊接套件及相關(guān)技術(shù)資料（芯片手冊、焊接套件清單等）。參賽選手在規(guī)定時間內(nèi)，按照相關(guān)電路原理與電子裝接工藝，設(shè)計、焊接、調(diào)試集成電路功能測試工裝板，完成相應(yīng)測試要求，填寫測試報告。二、比賽內(nèi)容（1）元器件核查參賽選手按照賽題所提供的焊接套件清單進(jìn)行元器件的辨識、清點和焊接。賽題所涉及的元器件種類可能包括：電阻、電容、電感、二極管、三極管、電位器、LED發(fā)光二極管、MCU、晶振、74系列芯片、CMOS系列芯片、運算放大器芯片等，集成電路封裝包含但不限于DIP及SOP等形式。（2）測試工裝焊接調(diào)試參賽選手利用賽場發(fā)放的芯片，按照芯片手冊、電路特性與電路原理在現(xiàn)場下發(fā)的測試工裝基板、DUT轉(zhuǎn)換板及綜合電路功能板上自行焊接測試工裝電路板并調(diào)試，自行完成測試工裝與測試平臺之間的信號接入。電路板焊接調(diào)試完成后，必須用萬用表測量功能測試電路板VCC及GND之間是否存在短路，若存在短路現(xiàn)象，必須排除后方可使用測試平臺進(jìn)行測試，以免造成設(shè)備損壞。（3）集成電路測試程序的編寫參賽選手在Windows7及以上操作系統(tǒng)的VisualStudio開發(fā)環(huán)境下編寫基于C語言的測試參考程序，賽題提供測試所用的相應(yīng)函數(shù)，其余代碼由選手自行編寫并完成調(diào)試。參賽選手根據(jù)任務(wù)書測試要求及被測集成電路的芯片手冊，將需要測試的結(jié)果按照要求通過編寫的上位機程序界面呈現(xiàn)，參賽選手應(yīng)首先確保制作的集成電路測試工裝無短路等故障，避免由于工裝板短路等故障造成競賽平臺的損壞。（4）芯片參數(shù)、基本功能及綜合應(yīng)用電路的測試參賽選手在完成規(guī)定測試任務(wù)后填寫相關(guān)測試報告。任務(wù)一：數(shù)字集成電路測試SN74HC245總線收發(fā)器，是典型的CMOS型三態(tài)緩沖門電路。主要用于實現(xiàn)數(shù)據(jù)總線的雙向異步通信?？赡軠y試的參數(shù)包括開短路測試、輸出高低電平測試（VOH、VOL）、輸入高低電流測試（IIH、IIL）、電源電流測試等。參數(shù)測試要求：對地測試電流設(shè)置為-100μA，對電源測試電流設(shè)置為100μA，完成測試并填寫測試報告。芯片功能測試要求：從輸入端輸入10101010和01010101電平。測得在兩種方向情況下的對應(yīng)輸出端電平值，將輸出端電平值在屏幕顯示并記錄至測試報告。測試電流設(shè)置為1mA（其中X代表任意電平，L代表低電平，H代表高電平，1為高電平，0為低電平）ControlInputs控制輸入Operation運行工作狀態(tài)GDIRLLB數(shù)據(jù)到A總線LHA數(shù)據(jù)到B總線HX隔離參賽選手根據(jù)以上測試條件編寫測試程序，判斷SN74HC245的雙向功能是否正常。任務(wù)二：模擬集成電路測試參賽選手利用LM358芯片按照下列要求，完成測試工裝板的設(shè)計及裝配，要求如下：（1）測試輸入失調(diào)電壓，共模抑制比，最大輸出電流，短路電流，最大輸出電壓等參數(shù)測試。（2）根據(jù)給定要求和提供的元器件，完成運算放大器應(yīng)用電路設(shè)計及裝配，測試相關(guān)參數(shù)，填寫測試報告。利用LM358和給定的其他元器件，設(shè)計一個輸入為1.5V，輸出為-3.5V的放大器，利用測試平臺測量相關(guān)參數(shù)并記錄至測試報告。任務(wù)三：綜合應(yīng)用電路測試根據(jù)現(xiàn)場下發(fā)的元器件清單和裝配位號圖完成綜合應(yīng)用電路的裝配；根據(jù)測試狀態(tài)設(shè)置及測試要求，測試綜合應(yīng)用電路的相關(guān)參數(shù)，完成測試任務(wù)，并根據(jù)任務(wù)要求描述在一幅屏幕中顯示相關(guān)測試結(jié)果。（1）電路板裝配根據(jù)現(xiàn)場下發(fā)的裝配圖、元器件清單及綜合應(yīng)用電路板套件，完成綜合應(yīng)用電路板的裝配。將裝配好的綜合應(yīng)用電路板裝入測試底板并完成連線。（2）功能實現(xiàn)根據(jù)現(xiàn)場下發(fā)的任務(wù)參數(shù)要求說明，設(shè)置好綜合應(yīng)用電路板中功能測試狀態(tài)，完成相關(guān)測試任務(wù)。第三部分集成電路應(yīng)用一、比賽要求選手利用現(xiàn)場下發(fā)集成電路應(yīng)用產(chǎn)品套件和下發(fā)的芯片，完成應(yīng)用電路板裝配及單片機編程調(diào)試，實現(xiàn)相應(yīng)功能。二、比賽內(nèi)容選手利用集成電路測試中任務(wù)一測試的74HC245及集成電路下發(fā)的兩顆74HC04芯片，裝入現(xiàn)場下發(fā)的典型應(yīng)用電路中相