半導體基礎知識和半導體器件工藝

導電流，如：金屬類，銅、銀、鋁、金等；電解液類：NaCl*Si200℃時電阻率比室溫時的電阻率低幾千倍?？梢岳冒雽w的這個N4N單個N型半導體或P型半導體是沒有什麼用途的但使一塊完整的半導體的一部分是N型，另一部分爲P型，?在兩端加上電壓，我們會發(fā)現(xiàn)有很奇怪的現(xiàn)象。當電壓很小時，一般小於0.7V時基本沒有電流流過，但大於0.7V以後，隨電壓方法爲正向連接，所加的電壓稱爲正向電壓。將N型半導體接電源的正極，P型壓。這是由於載子（電子和電洞）的擴散作用，在P型和N型半導體的交界面附近，由於電子和電洞的擴散形成了一個薄層（阻擋層，這個薄層稱作PN接面。在沒有外加電壓時，PN接面本身建立起一個電場，電場的方向是由N區(qū)指向PPN接面中的電場，在外加電場的作用下，N 區(qū)的電子不斷地走向P區(qū)，P區(qū)的電洞不斷地走向N區(qū)，使電流流通。當外加反向電壓時，加強了電場阻止電子和電洞流通的作用，因此電流很難通過。這就是PN接面的單向導電性。PN第二章半導體器件和工藝第一節(jié)半導體器件的發(fā)展過程1947PN（又稱晶閘（JFET（MESFET（MOSFET第三節(jié)管、臺面管等。1960年左右矽平面工藝和外延技術的誕生，半導體器件的製造(一)由于平面管在整個製造過程中硅片表面及最後的管芯表面都覆蓋有一層二P—N：1.噪音低。電晶體的低頻噪音與P—N第四 矽外延平面管製造工NPN（8）蒸鋁（11）鋁反刻（12）合金化（13）CVD（14）壓點光刻（15）烘焙（16）(7)磷擴散（磷再擴：形成發(fā)射區(qū)的過程。改變再擴條件來改變參數(shù)β值和BVCEOβ（1）(2)(3)45)67)(8)(9)基區(qū)氧化(10)(11)(12)發(fā)射區(qū)光刻(13)磷擴散(磷再擴)(14)低氧(15)刻引線孔(16)蒸鋁(17)鋁反刻(18)合金化(19)CVD(20)壓點光刻(21)烘培(22)中測。N+擴散區(qū)。這是由於積體電路是各散的目的是形成穿透外延層的P+隔離槽，把外延層分割成若干個彼此獨立的隔 98%。工業(yè)用矽經(jīng)過加工變成在拉制的過程中根據(jù)需要摻入微量的雜質，形成一定電阻率的P型單晶棒或N6812是〈100NP一 化工藝的種氣體種 反應 速O2（乾 H2O或 二、（1）（3）MOS1、厚度均勻性問題。造成不均勻的主要原因是氧化反應管中的氧氣和雜質的掩蔽作用和絕緣作用，而且在光刻腐蝕時容易造成局部鑽蝕。2、（1）（2）氧3、氧化膜針孔。當矽片存在位錯和層錯時就會形成針孔，它能使擴散 如鈉離子、氫離子、氧空位等使P型矽一側感應出負電荷，從而出現(xiàn)了反型。 （1）顔 氧化膜厚度（埃 （1）RS（Ω/；(2)Xj（um。RsR□，它表示表面爲正方形的擴散薄層在電流方向(電質在這些缺陷處的擴散速度特別快，造成結平面不平坦，PN接面低擊穿或分段第九 光刻工（1）TR\SCR\TRIAC\JEFT（片，也可能對應多個版圖晶片（如9012對應9611—0.44*0.44和0.4*0.49611N)。晶片名稱爲我們自己起的名稱，多與此品種光刻板的名稱對應，，B90128050，X601NPX1225PCR40631放大倍數(shù)HFETRHFE*2，120-240、150-300、200-400、500-1000，檔位過窄則生産有困難，而現(xiàn)在市HFE9901