TJSSIA 0001-2024 光敏介質(zhì)薄膜與互連金屬界面結(jié)合力的評價方法

JSSIAEvaluationmethodforinterfacialadhesionbetweenphotosensitivepoI 2 2 5 6 7本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定本文件起草單位：華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司、中國科學(xué)院微電子研究所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所、通富微電子股份有限公司、蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司、華天科技（昆山）電子有限公司、國家集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)本文件主要起草人：曹立強(qiáng)、王啟東、孫鵬、蘇梅英、趙靜毅、陳思、吉勇、帥喆、李晨、孫向1光敏介質(zhì)薄膜與互連金屬界面結(jié)合力的評價方法本文件規(guī)定了晶圓/板級扇出型封裝、晶圓級封裝中光敏介質(zhì)薄膜與互連金屬界面結(jié)合力的試驗方法，包括試驗樣件、試驗設(shè)備、界面測試方法本文件適用于晶圓/板級扇出型封裝、晶圓級封裝中光敏下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適采用重布線層將電路從晶圓上裸芯片的金屬焊盤扇出到金屬焊球，且部分互連線路超出芯片邊緣采用重布線層將電路從非硅載板上裸芯片的金屬焊盤扇出到金屬焊球，且部分互連線路超出芯片光敏介質(zhì)薄膜是一類在高分子鏈上兼有亞胺環(huán)以及光敏基因，集優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、良好的力學(xué)性能、化學(xué)和感光性能的有機(jī)材料，在電子領(lǐng)域主要兼光刻膠及電子封裝兩大作用，主要用于裸芯片保作用在界面單位面積上，使薄膜與金屬層從界面結(jié)合態(tài)分離剪切試驗時，推刀底部到襯底金屬薄膜上表面的距離為剪切界面粘結(jié)強(qiáng)度試驗中施加于試樣上致使界面開裂時所對應(yīng)的4測試原理21)提供高精度的拉力測試功能，其精確度應(yīng)為1級或0.5級；2)位移分辨率不應(yīng)低于0.01mm;3)能獲得恒定的試驗速度，試驗速度不應(yīng)超過0.5mm/min,加卸力應(yīng)平穩(wěn)、無振動、無沖4)載荷誤差不應(yīng)超過1%;5)載荷量程不低于500N。1)提供高精度的推力測試功能，推力測試模組配有不低于24位高2)推力測試模組采用氣浮式觸底設(shè)計，推力測試時推刀觸底力(LandingForce)輕。一般1Kgf時，觸底力(LandingForce)一般設(shè)為10gf左右；3)最大的推力應(yīng)不高于200Kgf,X/Y平臺的最大移動距離不低于100mm,Z軸的最大移4)位移分辨率不應(yīng)低于0.001mm;3試樣1A硅載板、氧化層薄膜、光敏介質(zhì)薄膜的B硅載板、氧化層薄膜光敏介質(zhì)薄膜的寬度CDEFG試樣1公差公差A(yù)BC5DEF4 FF定義ABCDF注3:剪切試樣的光敏介質(zhì)薄膜邊長最小尺寸由光刻設(shè)備能力決定，保證樣公差A(yù)BCDEF5T/JSSIA006.2樣本量大小每組試樣應(yīng)不小于10個。6.3試樣的一般要求試樣加工完成，需要存放于氮氣柜中。7.1試驗環(huán)境應(yīng)在下列條件下進(jìn)行測試：b)試驗環(huán)境相對濕度：30%～60%RH。7.2測試方法7.2.1試驗前準(zhǔn)備對每個試驗編號，在試樣上選取測試區(qū)域。對拉伸試樣進(jìn)行銷釘焊接或粘接，光學(xué)檢查測試樣品銷釘界面是否完整，且無其他污染。若有缺失或污染，樣品丟棄。圖6拉伸試驗示意圖圖6為拉伸試驗示意圖，將試樣固定在試驗設(shè)備的夾具中。拉伸測試時保證拉力方向與被測界面垂直。設(shè)置最大載荷與位移速率，沿著薄膜與金屬結(jié)合面的垂直方向連續(xù)施加并逐漸增大拉力，直至薄膜與金屬層界面分離。61)有效數(shù)據(jù)不少于10個；是附著失效：光敏介質(zhì)薄膜與