CSTM(B)071-2022 導(dǎo)熱絕緣墊片(編制說明)_第1頁(yè)
CSTM(B)071-2022 導(dǎo)熱絕緣墊片(編制說明)_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CSTMXXXXX—202X

《導(dǎo)熱絕緣墊片》編制說明

1.任務(wù)來源及簡(jiǎn)要過程

1.1任務(wù)來源

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CSTMXXXXX—202X《導(dǎo)熱絕緣墊片》(計(jì)劃編號(hào)XXXX)。

該標(biāo)準(zhǔn)由工業(yè)和信息化部電子第五研究所起草,由中國(guó)材料與試驗(yàn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委

員會(huì)(CSTM)歸口。

1.2工作過程

1.2.1背景

隨著數(shù)字化、多功能化、網(wǎng)絡(luò)化的5G通訊、物聯(lián)網(wǎng)以及新能源逆變器等

電子設(shè)備蓬勃發(fā)展,電子產(chǎn)品出現(xiàn)了功耗大幅度增加,機(jī)身結(jié)構(gòu)愈發(fā)緊湊,高

散熱產(chǎn)品失效問題層出不窮等趨勢(shì),這使產(chǎn)品對(duì)散熱要求愈來愈高。傳統(tǒng)的散

熱材料如金屬、陶瓷等,具有比重大、難加工、電絕緣性差、難于加工成型、

無法適應(yīng)不同形狀導(dǎo)熱界面的缺點(diǎn),跟不上電子技術(shù)發(fā)展要求。近年來,用高

導(dǎo)熱金屬或無機(jī)填料填充膠粘劑制得的復(fù)合型導(dǎo)熱絕緣墊片因具有導(dǎo)熱性,同

時(shí)又具有一定的柔韌性、絕緣性、壓縮性,能夠填充縫隙,完成發(fā)熱部位與散

熱部位間的熱傳遞,同時(shí)還起到絕緣、減震、密封等作用,受到廣大用戶的青

睞,導(dǎo)致各種導(dǎo)熱絕緣墊片的需求急劇增長(zhǎng),而其質(zhì)量好壞對(duì)電子產(chǎn)品的質(zhì)量

與可靠性有著極其重要的影響,如何確保導(dǎo)熱絕緣墊片滿足組裝工藝的要求,

提高或保證產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性水平就顯得尤為重要。因此,當(dāng)務(wù)之急是建立

一套完整的導(dǎo)熱絕緣墊片測(cè)試與驗(yàn)證方法,為導(dǎo)熱絕緣墊片的相關(guān)性能檢測(cè)提

供技術(shù)依據(jù)。

1.2.2工作過程

1

2021年10月團(tuán)隊(duì)開展《導(dǎo)熱絕緣墊片》項(xiàng)目研究工作,并將該項(xiàng)目的研

究成果轉(zhuǎn)化為科技成果。根據(jù)項(xiàng)目的進(jìn)度,著手調(diào)研導(dǎo)熱界面材料相關(guān)國(guó)內(nèi)外

標(biāo)準(zhǔn),于2021年11月完成了標(biāo)準(zhǔn)《導(dǎo)熱絕緣墊片》草稿的編制。本標(biāo)準(zhǔn)的主

要參與單位為工業(yè)和信息化部電子第五研究所,標(biāo)準(zhǔn)草案起草過程中的主要參

與單位有中國(guó)航空工業(yè)集團(tuán)公司西安航空計(jì)算技術(shù)研究所、中興通訊股份有限

公司、無錫小天鵝電器有限公司、新華三技術(shù)有限公司、浙江宇視科技有限公

司、廣州市香港科大霍英東研究院、深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院、深圳

市博恩實(shí)業(yè)有限公司、深圳德邦界面材料有限公司、蘇州天脈導(dǎo)熱科技股份有

限公司、億鋮達(dá)(深圳)新材料有限公司、北京中石偉業(yè)科技股份有限公司。

在標(biāo)準(zhǔn)編制過程中,充分吸收了以上單位的意見和建議,并經(jīng)過幾輪的標(biāo)準(zhǔn)修

改,最終呈現(xiàn)出本草案。

具體過程如下:

(1)2021年11月,完成標(biāo)準(zhǔn)草案初稿的起草工作。

(2)2021年11月17日,在“賽寶可靠性”公眾號(hào)和FC51領(lǐng)域發(fā)起征集

該標(biāo)準(zhǔn)的參編單位。

(3)2021年12月9日,經(jīng)審查和篩選,完成參編單位的征集工作,共征

集到12家上下游單位,其中,6家應(yīng)用單位,5家生產(chǎn)單位,1家第三方檢測(cè)

機(jī)構(gòu)。

(4)2021年12月14日,發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)草案第一稿給各參編單位,征集意見。

(5)2021年12月24日,收到12家參編單位的征求意見稿的回復(fù),共收

集86條意見和建議。

(6)2022年1月4日~2022年1月25日,起草組對(duì)征集的意見進(jìn)行討論,

對(duì)于需要討論后確認(rèn)的項(xiàng)目也一一通過電話形式向各參編單位進(jìn)行確認(rèn)。最

2

終,86條建議中,采納了42條,部分采納15條,不采納29條并作出解釋。

(7)2022年1月26日~2022年2月28日,修改標(biāo)準(zhǔn)草案第一稿,期間,

與各參編單位保持溝通,對(duì)于關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)的確定,充分吸收了行業(yè)內(nèi)龍頭企

業(yè)的經(jīng)驗(yàn)。

(8)2022年2月21日,分析中心內(nèi)部召開標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì),對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)提出了

修改建議。

(9)2022年2月22日~2022年3月20日,完成標(biāo)準(zhǔn)草案第二稿的修改,

編制編寫說明和項(xiàng)目建議書。

(10)2022年2月28日,提交CSTM官網(wǎng)立項(xiàng)申請(qǐng)。

2.編制原則和確定主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問題

按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和

起草規(guī)則》給出的規(guī)則,注重相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)統(tǒng)一,在充分研究消化國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

ASTMD5470、國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)(GB/T528、GB/T31838、GB/T531.1、GJB150、

GJB548B等)基礎(chǔ)上,同時(shí)考慮各項(xiàng)試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)的“科學(xué)性”、“前瞻性”、“適

用性”、實(shí)施檢測(cè)的可行性,研究制訂技術(shù)先進(jìn),滿足行業(yè)使用需求的《導(dǎo)熱

絕緣墊片》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),為導(dǎo)熱絕緣墊片測(cè)試提供技術(shù)依據(jù)。

導(dǎo)熱絕緣墊片在電子信息行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛和深入,因此對(duì)導(dǎo)熱絕緣

墊片材料提出了更高的性能要求。導(dǎo)熱絕緣材料國(guó)內(nèi)有T/CEEIA542—2021《電

氣絕緣用高導(dǎo)熱云母帶》,該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的云母帶主要針對(duì)電線、電纜、光纜等

應(yīng)用,且材料為云母類材料,而本標(biāo)準(zhǔn)主要應(yīng)用于電子器件,材料為硅基高分

子體系,應(yīng)用場(chǎng)景與材料特性均與T/CEEIA542—2021規(guī)定的不同。導(dǎo)熱絕緣

墊片作為電子元器件間傳熱的關(guān)鍵載體,其各項(xiàng)性能均影響著器件散熱的穩(wěn)定

性和完整性。但是對(duì)于導(dǎo)熱絕緣墊片材料的性能測(cè)試及驗(yàn)證方法,國(guó)內(nèi)外尚無

3

完整的標(biāo)準(zhǔn),沒有一個(gè)針對(duì)導(dǎo)熱絕緣墊片材料的通用規(guī)范。涉及到導(dǎo)熱絕緣墊

片各項(xiàng)性能的國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)如下:

GB/T1408.1絕緣材料電氣強(qiáng)度試驗(yàn)方法第1部分:工頻下試驗(yàn)

GB/T1409測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電

容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

GB/T22588閃光法測(cè)量熱擴(kuò)散系數(shù)或?qū)嵯禂?shù)

GB/T2941橡膠物理試驗(yàn)方法試樣制備和調(diào)節(jié)通用程序

GB/T1914化學(xué)分析濾紙

GB/T12636微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線測(cè)試方法

GB/T5169.16電子電工產(chǎn)品著火危險(xiǎn)試驗(yàn)第16部分:50W水平與垂直火焰

試驗(yàn)方法

GB/T7759.1硫化橡膠或熱塑性橡膠壓縮永久變形的測(cè)定第1部分:在常溫及

高溫條件下

GB/T7759.2硫化橡膠或熱塑性橡膠壓縮永久變形的測(cè)定第2部分:在低溫條

件下

GB/T17359電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則

GB/T2423.1電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫

GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

GB/T2423.3電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cab:恒定濕

熱試驗(yàn)

GB/T2423.4電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db:交變濕熱

GB/T2423.16電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J及導(dǎo)則:長(zhǎng)

4

GB/T2423.22電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化

GB/T31838.2固體絕緣材料介電和電阻特性第2部分:電阻特性(DC方法)

體積電阻和體積電阻率

GB/T31838.3固體絕緣材料介電和電阻特性第3部分:電阻特性(DC方法)

表面電阻和表面電阻率

GB/T6040紅外光譜分析方法通則

GB/T6041質(zhì)譜分析方法通則

GB/T528硫化橡膠或熱塑性橡膠拉伸應(yīng)力應(yīng)變性能的測(cè)定

GB/T529硫化橡膠或熱塑性橡膠撕裂強(qiáng)度的測(cè)定(褲形、直角形和新月形試樣)

GB/T531.1硫化橡膠或熱塑性橡膠壓入硬度試驗(yàn)方法第1部分:邵氏硬度

計(jì)法(邵爾硬度)

GB/T34517航天器用非金屬材料真空出氣評(píng)價(jià)方法

GB/T22588—2008閃光法測(cè)量熱擴(kuò)散系數(shù)或?qū)嵯禂?shù)等,

HG/T25025201硅脂

ASTMD5470StandardTestMethodforThermalTransmissionPropertiesof

ThermallyConductiveElectricalInsulationMaterials

ISO22007—2Plastics—Determinationofthermalconductivityandthermal

diffusivity—Part2:Transientplaneheatsource(hotdisc)method》

本標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)性和創(chuàng)新性:

a)首次制定了關(guān)于導(dǎo)熱絕緣墊片材料完整度較高的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn);

b)該產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目涵蓋范圍廣,較為完整;

c)該產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)適用于各應(yīng)用場(chǎng)景下導(dǎo)熱絕緣墊片材料;

5

d)該產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)指標(biāo)具有先進(jìn)性。

制定本標(biāo)準(zhǔn)的原因有以下幾點(diǎn):

a)導(dǎo)熱絕緣墊片近幾年來作為新材料蓬勃發(fā)展,各種類型、應(yīng)用于各種

場(chǎng)景下的導(dǎo)熱絕緣墊片產(chǎn)品越來越多,而微型化電子器件對(duì)散熱的要求越來越

高使得導(dǎo)熱絕緣墊片質(zhì)量變得尤為重要。對(duì)于高可靠性要求的電子產(chǎn)品而言,

其散熱模塊可靠性要求更為苛刻,因此,需要制定關(guān)于導(dǎo)熱絕緣墊片的產(chǎn)品標(biāo)

準(zhǔn)。

b)導(dǎo)熱絕緣墊片主要功能是將多余熱量導(dǎo)出,而在使用過程中,其各項(xiàng)

性能均需要有一定的要求,例如理化性能、電性能、安全性能、熱性能、力學(xué)

性能等,這些性能的評(píng)價(jià)與其主要功能的評(píng)價(jià)同樣重要,因?yàn)槭褂眠^程中任何

一項(xiàng)不達(dá)標(biāo)均可能使整個(gè)模塊發(fā)生失效,而現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)外對(duì)于導(dǎo)熱絕緣墊片沒

有統(tǒng)一產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),無論是對(duì)于生產(chǎn)企業(yè)還是用戶單位,對(duì)評(píng)估導(dǎo)熱絕緣墊片有

迫切需求,急需形成一套健全的導(dǎo)熱絕緣墊片材料試驗(yàn)及評(píng)價(jià)方法,填補(bǔ)該領(lǐng)

域的空白。

3.主要實(shí)驗(yàn)(或驗(yàn)證)結(jié)果的分析

表1采用標(biāo)準(zhǔn)情況說明

序號(hào)試驗(yàn)方法采用標(biāo)準(zhǔn)情況備注

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考GB/T36763

1外觀

√新制定方法并做了修改

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考GB/T2941中尺

2厚度

√新制定方法寸測(cè)定并做了修改

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考中興通訊、蘇州天

3出油率

√新制定方法脈方法并做了修改

6

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________

4銅鏡腐蝕參考GB/T9491

√新制定方法

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考ASTMD792—20

5密度

√新制定方法并做了修改

√采用標(biāo)準(zhǔn):GB/T34517

6溢氣率

□新制定方法

體積電阻√采用標(biāo)準(zhǔn):_GB/T31838.2

7

率□新制定方法

表面電阻√采用標(biāo)準(zhǔn):_GB/T31838.3

8

率□新制定方法

√采用標(biāo)準(zhǔn):_GB/T1408.1

9電氣強(qiáng)度

□新制定方法

介電常數(shù)√采用標(biāo)準(zhǔn):_GB/T1409、GB/T

10和介質(zhì)損12636

耗□新制定方法

阻燃等級(jí)按照GB/T

5169.16

√采用標(biāo)準(zhǔn):GB/T5169.16___

11阻燃性增加燃燒試驗(yàn)參考

√新制定方法

HG/T25025201硅脂

并修改

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考GJB548B離子

12離子雜質(zhì)

√新制定方法雜質(zhì)并修改

13導(dǎo)熱系數(shù)□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考ASTM

7

√新制定方法D5470—17編寫甲法,

參考ISO22007—2015

編寫乙法

√采用標(biāo)準(zhǔn):__GB/T531.1_

14硬度

□新制定方法

√采用標(biāo)準(zhǔn):__GB/T528_

15拉伸強(qiáng)度

□新制定方法

√采用標(biāo)準(zhǔn):__GB/T529

16撕裂強(qiáng)度

□新制定方法

√采用標(biāo)準(zhǔn):__GB/T7759.1、

壓縮永久

17GB/T7759.2

變形

□新制定方法

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考ASTMD575并修

18壓縮率

√新制定方法改。

參考GB/T2423.2,增

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________

19高溫試驗(yàn)加試驗(yàn)條件和試驗(yàn)步

√新制定方法

參考GB/T2423.1,增

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________

20低溫試驗(yàn)加試驗(yàn)條件和試驗(yàn)步

√新制定方法

參考GJB150.9A,增

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________

21濕熱試驗(yàn)加試驗(yàn)條件和試驗(yàn)步

√新制定方法

8

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考GB/T2423.22,增

22溫循試驗(yàn)

√新制定方法加試驗(yàn)條件和步驟

√采用標(biāo)準(zhǔn):_GJB150.10A_

23霉菌試驗(yàn)

□新制定方法

參考GB/T6040通則

□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________

24紅外光譜編寫ATR法與KBr壓

√新制定方法

片法

填料成分□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考GB/T17359并修

25

分析√新制定方法改

熱分解溫□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________結(jié)合經(jīng)驗(yàn)優(yōu)化試驗(yàn)方

26

度√新制定方法法

揮發(fā)份成□采用標(biāo)準(zhǔn):_______________參考GB/T6041并結(jié)

27

分分析√新制定方法合經(jīng)驗(yàn)優(yōu)化試驗(yàn)方法

3.1密度:

國(guó)內(nèi)外現(xiàn)已有與導(dǎo)熱絕緣墊片相關(guān)的密度標(biāo)準(zhǔn)情況如下:

a)GB/T533—2008《硫化橡膠或熱塑性橡膠密度的測(cè)定》,該標(biāo)準(zhǔn)中使

用排水法進(jìn)行密度的測(cè)定,但是通過征集意見,博恩實(shí)業(yè)有限公司提出導(dǎo)熱絕

緣墊片中部分產(chǎn)品為疏水材料,在水中會(huì)出現(xiàn)氣泡,故不能直接規(guī)定使用水作

為液體介質(zhì)。

b)GB/T6343—2009《泡沫塑料及橡膠表觀密度的測(cè)定》中表觀密度使

用密度定義式,質(zhì)量除以體積計(jì)算,而導(dǎo)熱絕緣墊片部分產(chǎn)品中表面粗糙度較

大,且形狀不一定非常規(guī)則,計(jì)算體積存在較大誤差,故不能使用該方法進(jìn)行

測(cè)試。

9

c)GB/T4472—2011《化工產(chǎn)品密度、相對(duì)密度的測(cè)定》中4.2.3方法2

中指出固體試樣在液體介質(zhì)中的測(cè)試方法,比較適用于導(dǎo)熱絕緣墊片相關(guān)產(chǎn)

品。

d)ASTMD1817—05(20)《StandardTestMethodforRubber

Chemicals—Density》中規(guī)定的是橡膠填料的密度測(cè)試方法,不適用于整體橡

膠產(chǎn)品。

e)ASTMD792—20《StandardTestMethodsforDensityandSpecificGravity

(RelativeDensity)ofPlasticsbyDisplacement》中規(guī)定的是塑料產(chǎn)品的密度,

采用排水法測(cè)定。

綜上國(guó)內(nèi)外方法調(diào)研,采用GB/T4472—2011中通過電子天平方法,因

密度天平的普及以及簡(jiǎn)化操作方法,故依據(jù)經(jīng)驗(yàn)編寫甲法—密度天平法進(jìn)行導(dǎo)

熱絕緣墊片的密度測(cè)試。

關(guān)于液體介質(zhì)的選擇:對(duì)于不同種類的導(dǎo)熱絕緣墊片,應(yīng)根據(jù)材料種類

選擇不與材料相互作用的液體介質(zhì)作為測(cè)量過程中的液體介質(zhì),故標(biāo)準(zhǔn)草案中

表述為液體,可用蒸餾水或其他不與樣品作用的液體。

密度作為導(dǎo)熱絕緣墊片的一個(gè)理化性質(zhì),是衡量填料添加量的一個(gè)參考

指標(biāo),同時(shí)密度還可以衡量材料的均勻性,經(jīng)過以往相關(guān)材料的分析測(cè)試以及

參考GJB548B方法5011中對(duì)微電路中使用的聚合材料的規(guī)定,密度指標(biāo)在

標(biāo)稱值±10%以內(nèi)時(shí),產(chǎn)品各項(xiàng)性能指標(biāo)均處于相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài),在征集意見時(shí),

沒有生產(chǎn)單位、應(yīng)用單位等對(duì)該項(xiàng)指標(biāo)提出異議。

3.2厚度:

導(dǎo)熱絕緣墊片的厚度是非常重要的一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo),厚度影響其在使用過

程中的性能,導(dǎo)熱絕緣墊片設(shè)計(jì)時(shí),發(fā)熱芯片頂部與散熱冷板之間的預(yù)留間隙

10

尺寸時(shí)導(dǎo)熱絕緣墊片正常工作的關(guān)鍵,理想情況下,預(yù)留間隙尺寸推薦設(shè)計(jì)為

導(dǎo)熱墊壓縮25%后的厚度值。所以厚度的標(biāo)稱值以及厚度的技術(shù)要求確認(rèn)需要

進(jìn)一步確定,國(guó)內(nèi)外現(xiàn)已有與導(dǎo)熱絕緣墊片相關(guān)的密度標(biāo)準(zhǔn)情況如下:

a)GB/T2941—2006《橡膠物理試驗(yàn)方法試樣制備和調(diào)節(jié)通用程序》中

規(guī)定了各種橡膠制品尺寸的測(cè)定方法,同時(shí)規(guī)定了對(duì)不同硬度橡膠制品下施加

壓力的不同,但是對(duì)于導(dǎo)熱絕緣墊片相關(guān)產(chǎn)品來說,一部分產(chǎn)品的硬度很低,

壓縮較容易變形,所以應(yīng)強(qiáng)調(diào)在不壓縮試樣的情況下進(jìn)行測(cè)量。

b)ASTMD6988—21《StandardGuideforDeterminationofThicknessof

PlasticFilmTestSpecimens》規(guī)定了塑料薄膜的厚度測(cè)量方法,用來測(cè)量厚度小

于0.25mm厚度的產(chǎn)品,而導(dǎo)熱絕緣墊片大部分產(chǎn)品均大于該值,故不采用該

標(biāo)準(zhǔn)的方法。

綜上,測(cè)試方法參考GB/T2941—2006的要求選取合適的測(cè)厚儀尺寸,

同時(shí)在測(cè)量時(shí)強(qiáng)調(diào)在不壓縮試樣的情況下,由于導(dǎo)熱絕緣墊片特性,部分產(chǎn)品

較軟,故不規(guī)定特定的壓縮壓力進(jìn)行厚度測(cè)量。

對(duì)于導(dǎo)熱絕緣墊片厚度技術(shù)要求,通過征集各方意見以及以往試驗(yàn)結(jié)果,

規(guī)定厚度應(yīng)在其標(biāo)稱值10%。表2為提出關(guān)于該項(xiàng)技術(shù)要求的單位及意見:

表2各單位對(duì)厚度技術(shù)要求意見表

序號(hào)文檔中的位置原文內(nèi)容修改為建議提出人

結(jié)合業(yè)內(nèi)實(shí)際情況,±5%標(biāo)準(zhǔn)較為嚴(yán)

格,建議按±10%取值。

按照5.4的要求試業(yè)內(nèi)導(dǎo)熱絕緣墊片厚度公差通常為分

驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊級(jí)管控,參考值(T:厚度):浙江宇視—

14.3,厚度

片的厚度應(yīng)在公T≤0.5mm,±0.05mm李國(guó)棟

稱值±5%0.5mm<T≤5mm,±10%

5mm<T≤10mm,±0.5mm

T>10mm,±1.0mm

現(xiàn)階段行業(yè)內(nèi)厚度調(diào)整仍需要靠人工

導(dǎo)熱絕緣墊片的

來調(diào),每次調(diào)整都會(huì)有厚度偏差,并蘇州天脈—

24.3厚度厚度應(yīng)在公稱值

且同一張導(dǎo)熱片不同位置通常也有一陳紅梅

±5%。

定的差異,有人為誤差和設(shè)備誤差,

11

序號(hào)文檔中的位置原文內(nèi)容修改為建議提出人

尤其是做汽車行業(yè)寬的產(chǎn)品,差異會(huì)

更大。

建議:導(dǎo)熱絕緣墊片的厚度應(yīng)在公稱

值±10%,特殊要求的特殊對(duì)待。

補(bǔ)充:導(dǎo)熱墊的厚度必須均勻一致,

導(dǎo)熱絕緣墊片的標(biāo)稱厚度大于等于20mil,實(shí)際厚度

新華三—陳

34.3厚度厚度應(yīng)在公稱值與標(biāo)稱厚度偏差小于10%。標(biāo)稱厚度

德鵝

±5%。小于20mil,實(shí)際厚度與標(biāo)稱厚度偏

差小于5%。

按照5.4的要求試

深圳德邦界

驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊按照5.4的要求試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊

44.3厚度面材料有限

片的厚度應(yīng)在公片的厚度應(yīng)在公稱值±10%

公司

稱值±5%

導(dǎo)熱絕緣墊片的深圳市博恩

導(dǎo)熱絕緣墊片的厚度應(yīng)在公稱值

54.3厚度厚度應(yīng)在公稱值實(shí)業(yè)有限公

±10%

±5%司

按照5.4的要求試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊

片的厚度應(yīng)在公稱值±10%。

原因:

按照5.4的要求試

一般導(dǎo)熱絕緣墊片(霍尼韋爾等品牌)億鋮達(dá)(深圳)

驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊

64.3的厚度范圍:0.5—5.0mm,增量為:新材料有限公司

片的厚度應(yīng)在公

0.25mmor0.5mm石學(xué)堂

稱值±5%。

厚度公差:≥1mm,10%,

0.5—1mm,±0.1mm

≤0.5mm±0.05mm

3.3出油率:

導(dǎo)熱絕緣墊片在使用過程中,在高溫、壓力環(huán)境下,可能會(huì)有滲油現(xiàn)象,

滲油過多時(shí)會(huì)影響電子器件引起失效,考察導(dǎo)熱絕緣墊片出油情況,國(guó)內(nèi)外相

關(guān)標(biāo)準(zhǔn)如下:

a)ASTMG120《StandardPracticeforDeterminationofSolubleResidual

ContaminationbySoxhletExtraction》通過索式萃取法測(cè)量產(chǎn)品中的出油情況,

但是該方法測(cè)試條件及環(huán)境與導(dǎo)熱絕緣墊片實(shí)際使用場(chǎng)景相差較大,故不采用

該方法。

蘇州天脈和新華三提出ASTMG120中索式萃取法對(duì)于導(dǎo)熱絕緣墊片中

硅油的提取指導(dǎo)意義不大,無法完全萃取出墊片中分子量大的硅油。導(dǎo)熱絕緣

12

墊片中只有樹脂部分會(huì)滲油,在交聯(lián)程度較大的情況下油很難被萃取液洗出,

同時(shí)與實(shí)際應(yīng)用過程中導(dǎo)熱絕緣墊片環(huán)境不符2,參考中興通訊與蘇州天脈給

出的方法,調(diào)整為通過壓縮導(dǎo)熱絕緣墊片,高溫烘烤后測(cè)量出油面積與質(zhì)量的

方法,通過化學(xué)分析濾紙吸收析出的油,直觀觀察油面積的同時(shí)可以測(cè)定出油

質(zhì)量,從而判斷產(chǎn)品在使用過程中是否會(huì)存在大量油析出的情況,更加貼近實(shí)

際應(yīng)用過程中的情況,后續(xù)立項(xiàng)之后需驗(yàn)證出油量及出油面積的技術(shù)指標(biāo)。表

3為各單位對(duì)出油率項(xiàng)目相關(guān)意見:

表3各單位對(duì)出油率項(xiàng)目意見表

建議提出

序號(hào)文檔中的位置原文內(nèi)容修改為

采用出油率對(duì)測(cè)試高導(dǎo)熱系數(shù)的墊片,因?yàn)榻宦?lián)

度很低,抽提之后不管分子量大小,基本上只要

沒有形成大的網(wǎng)狀交聯(lián)結(jié)構(gòu)的都被會(huì)溶出,但,

導(dǎo)熱片在實(shí)際應(yīng)用中,滲油和分子量大小是有直

導(dǎo)熱絕緣

接關(guān)系的,分子量大的通常不容易滲出,采用抽

墊片的出蘇州天脈

14.4出油率提的方法沒有辦法體現(xiàn)出來。采用測(cè)試出油面積

油率應(yīng)<—陳紅梅

的方法,更直觀、客觀。

0.05%

建議:觀察出油面積:樣品采用

30mm*30mm*1.0mm的導(dǎo)熱片壓縮50%,放置

72小時(shí),觀察吸油紙上出油面積的大小,記錄實(shí)

際出油面積的大小。

出油率<0.05%,業(yè)界是無法實(shí)現(xiàn)的。索氏萃取

不能完全萃取出墊片中的硅油含量,而且對(duì)于實(shí)

際應(yīng)用無特別指導(dǎo)意義?,F(xiàn)在關(guān)注導(dǎo)熱墊的滲油

和小分子揮發(fā)性能對(duì)產(chǎn)品可靠性的影響,測(cè)試方

導(dǎo)熱絕緣

法包括壓縮一定比例,并在高溫烘烤條件下的滲

墊片的出新華三—

24.4出油率油比例。另外一種是定性的方法,主要是測(cè)試低

油率應(yīng)<陳德鵝

分子揮發(fā)量,對(duì)有鏡頭的安防和汽車電子應(yīng)用很

0.05%。

關(guān)鍵。滲出的硅油(硅基導(dǎo)熱墊,非硅基導(dǎo)熱墊

滲出的是其它形式的油)會(huì)吸附灰塵,影響SI,

甚至在密閉環(huán)境下和助焊劑殘留物發(fā)生反應(yīng),希

望針對(duì)這種情況,也做一個(gè)評(píng)估。

深圳德邦

出油率應(yīng)按照5.5的要求試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊片的出油率

34.4出油率界面材料

<0.05%應(yīng)<2%。

有限公司

深圳市博

出油率應(yīng)萃取法測(cè)試導(dǎo)熱絕緣墊片的出油率應(yīng)<10%(一

44.4出油率恩實(shí)業(yè)有

<0.05%般為10%,不同導(dǎo)熱系數(shù)值有區(qū)別)。

限公司

13

建議提出

序號(hào)文檔中的位置原文內(nèi)容修改為

出油率應(yīng)出油率:按照5.5的要求試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊片中興—鄭

54.4出油率

<0.05%。的出油率應(yīng)<3%。金橋

3.4銅鏡腐蝕:

在電子器件中,銅作為導(dǎo)電載體在器件中分布非常多,需要考察考察導(dǎo)

熱絕緣墊片對(duì)銅及其他金屬的腐蝕性,模擬在應(yīng)用過程中對(duì)金屬的腐蝕情況。

國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)如下:

a)IPC—TM—6502.3.32D《FluxInducedCorrosion(CopperMirror

Method)》規(guī)定了助焊劑對(duì)銅鏡的腐蝕情況,可參考該方法表征導(dǎo)熱絕緣墊片

對(duì)銅鏡的腐蝕情況。

b)GB/T9491—2002《錫焊用液態(tài)焊劑(松香基)》中5.10規(guī)定了銅鏡

腐蝕試驗(yàn)的步驟,比較適用于導(dǎo)熱絕緣墊片在該測(cè)試中的步驟,但導(dǎo)熱絕緣墊

片大多為有機(jī)硅體系,故將對(duì)比溶液換為甲基硅油進(jìn)行對(duì)比,考察導(dǎo)熱絕緣墊

片內(nèi)是否含有腐蝕性添加劑。

同時(shí),各單位征集意見對(duì)此項(xiàng)測(cè)試及技術(shù)要求沒有意見

3.5溢氣率:

導(dǎo)熱絕緣墊片在真空環(huán)境下使用需要考察其真空環(huán)境下溢氣情況,如果

有溢氣情況出現(xiàn)會(huì)影響其他電子元件正常功能,同時(shí)在高可靠性領(lǐng)域也有該項(xiàng)

目要求,光通信領(lǐng)域?qū)υ擁?xiàng)目也有要求,導(dǎo)熱墊溢氣對(duì)產(chǎn)品可靠性會(huì)有較大影

響。而如果用途為普通環(huán)境下使用,則不需要進(jìn)行該項(xiàng)目測(cè)試。國(guó)內(nèi)外關(guān)于溢

氣率標(biāo)準(zhǔn)如下:

a)GB/T34517—2017《航天器用非金屬材料真空出氣評(píng)價(jià)方法》規(guī)定

了非金屬材料真空出氣的方法,導(dǎo)熱絕緣墊片滿足其對(duì)樣品的要求,可參考該

方法進(jìn)行真空出氣試驗(yàn)。

14

b)QJ1558—1988《真空中材料揮發(fā)性能測(cè)試方法》對(duì)于適用材料范圍

更廣,具體測(cè)試方法與GB/T34517—2017相似。

c)ASTME595—15《StandardTestMethodforTotalMassLossand

CollectedVolatileCondensableMaterialsfromOutgassinginaVacuum

Environment》該標(biāo)準(zhǔn)同樣規(guī)定了在真空中材料揮發(fā)性的測(cè)試方法,具體操作及

試樣準(zhǔn)備與GB/T34517—2017基本相同。

綜上,對(duì)于導(dǎo)熱絕緣墊片的溢氣率采用GB/T34517—2017進(jìn)行測(cè)試,同

時(shí)各單位對(duì)該項(xiàng)測(cè)試意見如下表,對(duì)于不同用途的導(dǎo)熱絕緣墊片可選測(cè)該項(xiàng)

目,該項(xiàng)目不作為必做項(xiàng),表4為各單位對(duì)溢氣率項(xiàng)目相關(guān)意見:

表4各單位對(duì)溢氣率意見表

序文檔中的位

原文內(nèi)容修改為建議提出人

號(hào)置

絕大部分的產(chǎn)品對(duì)于導(dǎo)熱絕緣墊片的

揮發(fā)沒有特別的要求,或者目前的硅

油普遍能夠滿足行業(yè)要求,制定溢氣

率意義不大。而對(duì)于監(jiān)控行業(yè)等有攝

像頭的行業(yè)來說,采用導(dǎo)熱絕緣墊片

底部加熱上部冷凝的方法更直觀,簡(jiǎn)

蘇州天脈—

15.7溢氣率便,也是行業(yè)內(nèi)普遍采用的方法,也

陳紅梅

是客戶都認(rèn)可的方法,當(dāng)然,如果想

知道失重,可以單獨(dú)制定失重的測(cè)試

方法。航空航天領(lǐng)域我們不熟悉,可

能會(huì)有這方面的要求。

建議:根據(jù)不同的行業(yè)制定標(biāo)準(zhǔn),或

者標(biāo)準(zhǔn)中注明適用于哪個(gè)行業(yè)。

升溫速率

深圳市博恩

≥2℃/min

25.7溢氣率150℃以下實(shí)業(yè)有限公

(150℃一

下)

3.6體積電阻率/表面電阻率:

由于導(dǎo)熱絕緣墊片作用必須為導(dǎo)熱不導(dǎo)電,對(duì)其絕緣性有較高要求,在

導(dǎo)熱絕緣墊片兩面施加直流電壓,依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB/T31838.2測(cè)定其體積電阻率,

考察其內(nèi)部是否均勻,是否存在導(dǎo)電雜質(zhì);依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB/T31838.3測(cè)定其表面

15

電阻率考察其表面是否存在導(dǎo)電雜質(zhì)以及污染程度,總體考察導(dǎo)熱絕緣墊片在

直流電壓下的絕緣性,國(guó)內(nèi)外關(guān)于導(dǎo)熱絕緣墊片產(chǎn)品體積電阻率標(biāo)準(zhǔn)如下:

a)GB/T31838.2《固體絕緣材料介電和電阻特性第2部分:電阻特

性(DC方法)體積電阻和體積電阻率》規(guī)定了固體絕緣材料的體積電阻率測(cè)試

方法,其中的電極要求,測(cè)量范圍要求均符合導(dǎo)熱絕緣墊片產(chǎn)品相關(guān)要求。

b)GB/T31838.3《固體絕緣材料介電和電阻特性第3部分:電阻特

性(DC方法)表面電阻和表面電阻率》規(guī)定了固體絕緣材料的表面電阻率測(cè)試

方法,其中的電極要求,測(cè)量范圍要求均符合導(dǎo)熱絕緣墊片產(chǎn)品相關(guān)要求。

c)ASTMD257—14(2021)《StandardTestMethodsforDCResistanceor

ConductanceofInsulatingMaterials》規(guī)定了絕緣材料體積電阻率測(cè)試方法,與

GB/T31838.3不同的是測(cè)試電壓為500V。

通過以往測(cè)試經(jīng)驗(yàn),GB/T31838.3中推薦測(cè)試電壓為100V與ASTM

D257—14(2021)推薦電壓500V對(duì)比,材料的體積電阻率與表面電阻率數(shù)量級(jí)

不會(huì)發(fā)生變化,故該項(xiàng)測(cè)試直接采用GB/T31838.3進(jìn)行測(cè)試。

其技術(shù)要求通過調(diào)研市場(chǎng)上常見產(chǎn)品的規(guī)格書(包括浙江三元、北化新

橡、聯(lián)騰達(dá)、樂普泰、金陵通達(dá)等)、以往測(cè)試數(shù)據(jù)經(jīng)驗(yàn)以及GJB548B方法

5011中對(duì)微電路中使用的電絕緣材料的要求,制定為≥1013Ω?cm,各單位對(duì)于

體積電阻率/表面電阻率意見如表5所示:

表5各單位對(duì)體積電阻率/表面電阻率意見表

序文檔中的位

原文內(nèi)容修改為建議提出人

號(hào)置

導(dǎo)熱系數(shù)越高,體積電阻率一般約低,

對(duì)于高導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱絕緣墊片體積

導(dǎo)熱絕緣墊

電阻率一般在1010范圍內(nèi)。

4.6體積電阻片體積電阻蘇州天脈—

1

率一般

率建議:不同導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱片體積電陳紅梅

≥1011Ω?cm

阻率會(huì)有差異,中低導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱

絕緣墊片體積電阻率≥1011,高

16

序文檔中的位

原文內(nèi)容修改為建議提出人

號(hào)置

導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱絕緣墊片體積電阻率

≥1010更合理

導(dǎo)熱絕緣墊

4.7表面電阻片表面電阻蘇州天脈—

2導(dǎo)熱絕緣墊片表面電阻率一般≥1014Ω

率率一般陳紅梅

≥1011?Ω

3.7電氣強(qiáng)度:

導(dǎo)熱絕緣墊片應(yīng)在高交流電壓下有一定的耐電壓能力,在實(shí)際應(yīng)用過程

中,導(dǎo)熱絕緣墊片將一直處于電氣環(huán)境中,要保證導(dǎo)熱絕緣墊片能夠正常工作,

需具有一定的電氣強(qiáng)度,國(guó)內(nèi)外關(guān)于導(dǎo)熱絕緣墊片相關(guān)產(chǎn)品電氣強(qiáng)度測(cè)試的標(biāo)

準(zhǔn)如下:

a)GB/T1408.1—2016《絕緣材料電氣強(qiáng)度試驗(yàn)方法第1部分:工頻

下試驗(yàn)》規(guī)定了絕緣材料電氣強(qiáng)度的測(cè)試方法,按照該標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行導(dǎo)熱絕緣墊片

的電氣強(qiáng)度測(cè)試可以滿足要求。

b)ASTMD149—20《StandardTestMethodforDielectricBreakdown

VoltageandDielectricStrengthofSolidElectricalInsulatingMaterialsat

CommercialPowerFrequencies》同樣規(guī)定了絕緣材料的電氣強(qiáng)度測(cè)試方法,與

GB/T1408.1—2016類似。

直接采用GB/T1408.1—2016即可滿足導(dǎo)熱絕緣墊片電氣強(qiáng)度測(cè)試需求,

技術(shù)要求各單位意見如表6所示:

表6各單位對(duì)電氣強(qiáng)度技術(shù)要求意見表

序號(hào)文檔中的位置原文內(nèi)容修改為建議提出人

按照5.10的要求建議后續(xù)結(jié)合電子產(chǎn)品耐壓要求以及導(dǎo)

試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕熱絕緣墊片實(shí)測(cè)值,綜合評(píng)估取值。浙江宇視—李

1強(qiáng)度/擊穿電壓

緣墊片電氣強(qiáng)度業(yè)內(nèi)廠家參考值:>6000VAC(1mm厚國(guó)棟

一般≥?。度)

4.8電氣強(qiáng)度/擊4.8電氣強(qiáng)度/擊穿電壓按照5.10的要求曾小亮/深圳先

2第二頁(yè)穿電壓按照5.10試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊片電氣強(qiáng)度一般進(jìn)電子材料國(guó)

的要求試驗(yàn)時(shí),≥1.0Kv/mm際創(chuàng)新研究院

17

序號(hào)文檔中的位置原文內(nèi)容修改為建議提出人

導(dǎo)熱絕緣墊片電

氣強(qiáng)度一般≥

一般中低導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱絕緣墊片擊穿

電壓會(huì)≥8KV/mm,10KV/mm甚至更高,

4.8電氣強(qiáng)度/導(dǎo)熱絕緣墊片電蘇州天脈—陳

3高導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱絕緣墊片電氣強(qiáng)度一

擊穿電壓氣強(qiáng)度一般≥?紅梅

般6~7kV/mm;可以根據(jù)不同導(dǎo)熱絕緣

墊片來制定或者統(tǒng)一定位≥6KV

按照5.10的要求

4.8電氣強(qiáng)度/試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕按照5.10的要求試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊片深圳德邦界面

4

擊穿電壓緣墊片電氣強(qiáng)度電氣強(qiáng)度一般≥6材料有限公司

一般≥?

4.8電氣強(qiáng)度、導(dǎo)熱絕緣墊片電深圳市博恩實(shí)

5導(dǎo)熱絕緣墊片電氣強(qiáng)度≥3KV/mm

擊穿電壓氣強(qiáng)度一般≥?。業(yè)有限公司

導(dǎo)熱絕緣墊片電導(dǎo)熱絕緣墊片電氣強(qiáng)度一般中石偉業(yè)—周

64.8

氣強(qiáng)度一般≥?≥3Kv(AC)/mm占玉

按照5.10的要求試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊片

電氣強(qiáng)度一般≥3KV/mm。

按照5.10的要求一般硅墊片在3—8KV/mm。樂泰TFX

億鋮達(dá)(深圳)新

試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕系列在6KV/mm,GTP在3.2KV/mm;

74.8材料有限公司

緣墊片電氣強(qiáng)度3M熱導(dǎo)電有機(jī)硅墊片在3.2KV/mm;

石學(xué)堂

一般≥?。熱導(dǎo)電丙烯酸墊片16KV/mm。

按照5.10的要求

按照5.10的要求試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊片

4.8電氣強(qiáng)度/試驗(yàn)時(shí),導(dǎo)熱絕

8擊穿電壓(500V直流)≥3KV/mm,耐壓中興—鄭金橋

擊穿電壓緣墊片電氣強(qiáng)度

值(交流220V,60s)≥3KV/mm

一般≥?。

技術(shù)指標(biāo)浙江宇視、蘇州天脈、德邦界面均給出了≥6kV/mm;博恩實(shí)業(yè)、

中石偉業(yè)、億鋮達(dá)、中興通訊給出了≥3kV/mm的技術(shù)要求。同時(shí),通過對(duì)25

款導(dǎo)熱能力不同、厚度不同的導(dǎo)熱絕緣墊片電氣強(qiáng)度測(cè)試,其中24款電氣強(qiáng)

度均達(dá)到了≥6kV/mm要求,故技術(shù)要求定為6kV/mm,從而保證導(dǎo)熱絕緣墊片

在高交流電壓下不會(huì)被擊穿導(dǎo)致產(chǎn)品失效。

3.8介電常數(shù)/介質(zhì)損耗:

同樣是導(dǎo)熱絕緣墊片的絕緣性能,因?qū)峤^緣墊片會(huì)有接觸PCB的情況,

需要表征其介電常數(shù)與介質(zhì)損耗,測(cè)試導(dǎo)熱絕緣墊片在交流電場(chǎng)下的極化程

度,尤其是在5G應(yīng)用過程中,導(dǎo)熱絕緣墊片一直處于高頻環(huán)境下,需要有良

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好的介電常數(shù)和較低的介質(zhì)損耗。國(guó)內(nèi)外關(guān)于導(dǎo)熱絕緣墊片相關(guān)材料的介電常

數(shù)/介質(zhì)損耗標(biāo)準(zhǔn)如下:

a)GB/T1409—2006《測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米

波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法》該方法適合測(cè)定30MHz

以下頻率的介電常數(shù)與介質(zhì)損耗,低頻下導(dǎo)熱絕緣墊片適合該方法測(cè)量。

b)GB/T12636—1990《微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線測(cè)試方法》適

合測(cè)定1GHz以上的樣品,適合高頻下測(cè)導(dǎo)熱絕緣墊片材料,尤其是用于5G

通訊等需要處于高頻環(huán)境下的產(chǎn)品。

c)ASTMD150—18《StandardTestMethodsforACLossCharacteristics

andPermittivity(DielectricConstant)ofSolidElectricalInsulation》與GB/T

1409—2006類似,測(cè)定低頻下的介電常數(shù)與介質(zhì)損耗。

d)IEC61189—2—721—2015《Testmethodsforelectricalmaterials,printed

boardsandotherinterconnectionstructuresandassemblies—Part2—721:Test

methodsformaterialsforinterconnectionstructures—Measurementofrelative

permittivityandlosstangentforcoppercladlaminateatmicrowavefrequencyusing

splitpostdielectricresonator》規(guī)定了5種特定頻率下的測(cè)試,分別為1.1GHz、

2.5GHz、5GHz、10GHz、15GHz,對(duì)于其他頻率范圍沒有測(cè)試要求。

綜上,由于導(dǎo)熱絕緣墊片材料用途廣泛,且所處電磁環(huán)境各不相同,需

要測(cè)定不同頻率下的介電常數(shù)與介質(zhì)損耗,所以采用GB/T1409測(cè)試應(yīng)用于低

頻環(huán)境下(小于30MHz)的導(dǎo)熱絕緣墊片,而高頻環(huán)境下(大于1GHz,小于

20GHz)按GB/T12636進(jìn)行測(cè)試。不同用途下導(dǎo)熱絕緣墊片介電常數(shù)要求不

同,故技術(shù)要求規(guī)定為產(chǎn)品規(guī)格書公稱值±10%以內(nèi),產(chǎn)品的介質(zhì)損耗越小越

好,故應(yīng)不低于其規(guī)格書公稱值。

19

3.9燃燒性:

在電氣環(huán)境中,防火是很重要的安全要素,此項(xiàng)目分為兩個(gè)方法,首先

是燃燒等級(jí),其次是燃燒試驗(yàn),模擬在實(shí)際應(yīng)用過程中,若所處環(huán)境溫度極高,

且有明火環(huán)境時(shí),導(dǎo)熱絕緣墊片的燃燒性,國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)如下:

a)UL94《TestsforFlammabilityofPlasticMaterialsforPartsinDevices

andAppliances》由于導(dǎo)熱絕緣墊片大部分較軟,只能采用垂直燃燒法進(jìn)行阻燃

等級(jí)測(cè)試。

b)GB/T5169.16—2017《電工電子產(chǎn)品著火危險(xiǎn)試驗(yàn)第16部分:試驗(yàn)

火焰50W水平與垂直火焰試驗(yàn)方法》由于大多數(shù)品類較軟,需用垂直燃燒法

進(jìn)行阻燃測(cè)試。

c)HG/T2502—935201《硅脂》5.7中規(guī)定了硅脂的燃燒試驗(yàn),可參考作

為導(dǎo)熱絕緣墊片的燃燒試驗(yàn)方法。

阻燃等級(jí)測(cè)試可以采用GB/T5169.16—2017進(jìn)行為保證安全性,技術(shù)要

求需符合V-0級(jí),采用燃燒法進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),三次平行結(jié)果需均為自熄才可判定

為自熄,有一個(gè)平行樣不自熄則不可判定為自熄。通過兩種方法保障導(dǎo)熱絕緣

墊片的安全性。

3.10導(dǎo)熱系數(shù)/熱阻:

導(dǎo)熱絕緣墊片最重要的性質(zhì),也是導(dǎo)熱絕緣墊片最主要的功能,國(guó)內(nèi)外

適用于導(dǎo)熱絕緣墊片產(chǎn)品的方法標(biāo)準(zhǔn)如下:

a)GB/T22588—2008《閃光法測(cè)量熱擴(kuò)散系數(shù)或?qū)嵯禂?shù)》是通過閃

光法直接測(cè)量熱擴(kuò)散系數(shù)的一個(gè)瞬態(tài)方法,測(cè)量溫度范圍較廣,但是對(duì)于導(dǎo)熱

絕緣墊片產(chǎn)品不是一個(gè)很理想的方法:第一點(diǎn),導(dǎo)熱絕緣墊片部分產(chǎn)品比較軟,

上下兩表面不是非常的平整,而該方法對(duì)上下兩表面的平整度及厚度均勻性有

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較大要求;第二點(diǎn),在測(cè)試過程中,對(duì)導(dǎo)熱絕緣墊片沒有作用壓力,無法較好

的模擬產(chǎn)品在適用過程中的狀態(tài),故不建議采用該方法測(cè)試導(dǎo)熱絕緣墊片的導(dǎo)

熱系數(shù)。

b)ASTME1461—13《StandardTestMethodforThermalDiffusivitybythe

FlashMethod》與GB/T22588—2008相同,不建議使用該方法測(cè)導(dǎo)熱絕緣墊片

產(chǎn)品的導(dǎo)熱系數(shù)。

c)ASTMD5470—17《StandardTestMethodforThermalTransmission

PropertiesofTherm

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