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文檔簡介
1.5電子產(chǎn)品中常用的元器件(電聲器件、光電器件)1教學(xué)目標(biāo)1.掌握電聲元件、光電器件的結(jié)構(gòu)及工作原理2.掌握電聲元件、光電器件的主要技術(shù)參數(shù)3.根據(jù)用途進行選用,建立產(chǎn)品的成本、質(zhì)量意識2本次課主要內(nèi)容3光電器件1.光電二極管工作原理主要參數(shù)2.光電晶體管3.發(fā)光二極管4.七段字符顯示器5.光電耦合器PART1光電二極管41.光電二極管的工作原理5光電二極管(Photodiode)也是由一個PN結(jié)組成的半導(dǎo)體器件,也具有單方向?qū)щ娞匦?。它反向接在電路中,?dāng)有光照射時,把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。暗電流:光電二極管是在反向電壓作用下工作的,沒有光照時,反向電流極其微弱,叫暗電流;光電流:有光照時,反向電流迅速增大到幾十微安,稱為光電流。光的強度越大,反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化,這就可以把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。電路符號
反向電流與入射光線的照度之間的關(guān)系曲線3.光電二極管伏安特性曲線6不同照度下反向電壓與反向電流之間的關(guān)系曲線73.光電二極管伏安特性曲線
光電靈敏度E:它表示照度增加時,反向電流增大了多少(單位:nA/lx)。其他重要的特征參數(shù):最大光電靈敏度波長λES
截止頻率fg
耗盡層電容CS
4.特征參數(shù)和極限參數(shù)85.請分析電路工作過程9PART2光電晶體管4112.光電三極管的伏安特性12集電級亮電流ICh;集電級暗電流ICd;最大光電靈敏度的波長λES;光電靈敏度E。常用光電晶體管的典型特征參數(shù)如下:E≈0.15μA/lx;λES≈0.85μm;ICh≈0.8mA;ICd≈0.2μA。3.特征參數(shù)和極限參數(shù)13PART3發(fā)光二極管4發(fā)光二極管(LED)151.發(fā)光原理是利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料。當(dāng)兩端加上正向電壓,P半導(dǎo)體中的空穴和N半導(dǎo)體中的電子發(fā)生復(fù)合,放出過剩的能量而引起光子發(fā)射,直接發(fā)出紅、橙、黃、綠、青、藍、紫、白色的光。16P-AlxGa1-xAsN-AlyGa1-yAsP-GaAs光輸出鋁砷化鎵(AlGaAs)磷砷化鎵(GaAsP)磷化鋁銦鎵(AlGaInP)磷化鎵(GaP)鋁磷化鎵(AlGaP)氮化鎵(GaN)銦氮化鎵(InGaN)紅色及紅外線紅色,橘紅色橘紅色,橙色紅色,黃色,綠色
綠色綠色,翠綠色,藍色近紫外線,藍綠色,藍色不同發(fā)光材料所發(fā)出的光的顏色
發(fā)光二極管的發(fā)光材料不用硅,而使用磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷鋁鎵(GaAIAs)、GaN、InN、AlN及其混合晶體材料。2.發(fā)光二極管的材料主要特征參數(shù):發(fā)光面積A發(fā)光強度IV
極限參數(shù):最大允許正向直流電流IFmax最大允許反向電壓VRmax最大允許功耗PTOT允許的環(huán)境溫度范圍UT
3.特征參數(shù)和極限參數(shù)18發(fā)光二極管的典型極限參數(shù)如下:IFmax≈50mA;VRmax≈3V;PTOT≈120mW;UT≈-40~+100℃。4.LED的優(yōu)點節(jié)能省電在保證亮度的同時,相比傳統(tǒng)白熾燈節(jié)能90%以上超低發(fā)熱超長壽命健康環(huán)保低壓電源不易損壞正常情況下使用,壽命可長達5萬小時。相當(dāng)于節(jié)能燈的5到10倍固體冷光源,熱量散發(fā)少不含汞,無輻射,廢棄物可回收,不會污染環(huán)境使用安全,單體工作電壓在1.5V~5V之間,工作電流在20mA左右環(huán)氧樹脂封裝,堅固耐用七段字符顯示器20共陰極連接
共陽極連接
1.結(jié)構(gòu)和工作原理212.多位七段字符顯示器22PART4光電耦合器4241.結(jié)構(gòu)和工作原理光電耦合器由光發(fā)送器和一個光接收器組成。常用的是以砷化鎵發(fā)光二極管為發(fā)光部分和以硅光敏器件為受光部分構(gòu)成。光電耦合器的主要特點是:1.輸入端與輸出端之間沒有電的直接聯(lián)系,實現(xiàn)了輸入電路與輸出電路之間的電氣隔離;1.結(jié)構(gòu)和工作原理252.信號單向傳遞,輸出信號對輸入信號無影響;3.抗干擾能力強。信號輸入端(光發(fā)送器):反向電壓VR≈3V
正向電流IF≈60mA信號輸出端(光接收器):集電極-發(fā)射極反向電壓VCEO≈70V;發(fā)射極-基極反向電壓VEBO≈7V;集電極電流ICmax≈100mA。263.
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