GB∕ T 40300-2021 微束分析 分析電子顯微學(xué) 術(shù)語（正式版）

微束分析分析電子顯微學(xué)術(shù)語國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) I Ⅱ 13縮略語 1 2 56分析電子顯微術(shù)試樣制備常用術(shù)語 7分析電子顯微術(shù)成像和像處理術(shù)語 8分析電子顯微術(shù)像詮釋和分析術(shù)語 9分析電子顯微術(shù)像放大倍率和分辨率測量與校準(zhǔn)的術(shù)語 20索引 21I本文件修改采用ISO15932:2013《Ⅱ分析電子顯微學(xué)(AEM)是應(yīng)用透射電子顯微術(shù)(TEM)和掃描透射電子顯微術(shù)(STEM)對(duì)固態(tài)物和STEM相結(jié)合的實(shí)踐中所應(yīng)用術(shù)語的統(tǒng)一定本文件是ISO/TC202(微束分析)研制的一系列標(biāo)準(zhǔn)之一，這些標(biāo)準(zhǔn)包含掃描電子顯微術(shù)術(shù)語1自的層次分類。3縮略語分析電子顯微鏡/分析電子顯微術(shù)(analyticalelectronmicroscope/analyticalelectron會(huì)聚束電子衍射(convergentbeamel電荷耦合器件(charge-coupleddevice)microscope/high-resolutiontransmissio微束分析(microbeamanalysis)透射電子顯微鏡/透射電子顯微術(shù)(transmissionelectronmicroscope/microscopy)2熱場發(fā)射thermalfieldemission3未散射電子、彈性散射電子連同聲子激發(fā)后僅有極小能量損失的電電子能量損失譜(EELS)中的一種能量損失，是由試樣中的自由電子集體振蕩而導(dǎo)致入射電子損4垂直于入射輻照方向的一個(gè)假想的幾何截面，通過該截面的所有入射輻射應(yīng)用具有小球差系數(shù)的電磁透鏡使直射電子波和衍射波干涉獲得點(diǎn)陣像和晶體結(jié)構(gòu)像的方法。掃描透射電子顯微鏡利用環(huán)形暗場探測器收集高角度的非相干散射電子形成5利用電子雙棱鏡使相干電子束分裂成至少兩洛倫茲電子顯微術(shù)Lorentzelectronmicroscopy相位襯度電子顯微術(shù)phase-contrastelectronmicroscopy將電子束和試樣互作用在直射束中產(chǎn)生的微小相移轉(zhuǎn)換成振幅或者圖像襯度變化的TEM技術(shù)。場發(fā)射槍fieldemissiongun冷場發(fā)射槍coldfieldemissiongun6發(fā)夾式鎢絲槍tungstenhaiββ=4i/(π2d2a2)亮度除以電子束的加速電壓。7從一個(gè)物點(diǎn)發(fā)出的電子被聚焦成兩條互成正交的分離焦線而不是像理8選區(qū)光闌selected-area(selector)ape可以改變物鏡球差系數(shù)(Cs)的裝置。物鏡objectivelens物平面objectiveplane9側(cè)插式試樣臺(tái)side-entrystage壓差抽氣法differentialpumpingL機(jī)械拋光mechanicalpolishing噴射電解拋光jetpolishing微柵microgridFIB減薄應(yīng)用能量為1keV～40keV的聚焦的場發(fā)射鎵離子定點(diǎn)濺射試樣特定區(qū)域的減薄技術(shù)?？砂褬悠非谐蓪?duì)電子束透明的薄片供TEM觀察的機(jī)械設(shè)備。為了在電子顯微鏡觀察中減輕荷電問題而在非導(dǎo)電試樣表面涂覆的碳或金在含有析出物或夾雜物的樣品表面生成塑性膜或碳膜并將其剝離下來，這種由于樣品特征的周期性與形成掃描圖像的像點(diǎn)格柵的周期性疊C圖像中任選兩個(gè)關(guān)注點(diǎn)(P?,P?)的信號(hào)強(qiáng)度差，并由在該特定操作條件下可能獲得的最大信號(hào)強(qiáng)通過觀察物鏡后焦平面的衍射花樣并利用物鏡光闌遮擋所有衍射束僅用直射電子束(未散射電子)用物鏡光闌選擇一支衍射束形成的像(TEM模式)或用環(huán)形暗場探測器接收一支或多支衍射束形使用一支弱激發(fā)衍射束成像的方法，由于位錯(cuò)附近高應(yīng)變區(qū)對(duì)衍射束強(qiáng)晶格像latticeimage通過從極薄試樣發(fā)出的直射束和(一支或多支)衍射束相互干涉所形成的像通過將衍射束的相位移動(dòng)π/2使襯度傳遞函數(shù)第一個(gè)零點(diǎn)處的空間頻率最大化，從而形成相位物菲涅爾條紋Fresnelfringe系列離焦成像法through-focusmethod利用在一系列稍微不同的離焦條件下形成一系列像，以獲得點(diǎn)陣/晶格像和結(jié)構(gòu)像的成像方法。8分析電子顯微術(shù)像詮釋和分析術(shù)語衍射襯度diffractioncontrast由于衍射條件的局域變化引起布拉格衍射束強(qiáng)度的空間變化而產(chǎn)生的一種散射襯度。雙束近似two-beamapproximation假定只有直射波和一支衍射波被激發(fā)進(jìn)行分析電子顯微圖像計(jì)算的近似。彎曲消光輪廓bendcontour等傾條紋由于試樣彎曲，使得布拉格衍射條件的偏離矢量在局部區(qū)域發(fā)生改變，從而產(chǎn)生的一種衍射襯度。等厚消光輪廓thicknesscontour等厚條紋thicknessfringe在單一布拉格衍射激發(fā)條件(雙束條件)下由于直射束與衍射束的強(qiáng)度振蕩而在楔形試樣上觀察到的衍射襯度。菲涅爾衍射Fresneldiffraction一束波在近場通過并發(fā)生衍射，導(dǎo)致離焦?fàn)顟B(tài)下在試樣邊緣附近產(chǎn)生干涉條紋的現(xiàn)象。相位襯度phasecontrast由散射波的相位移所導(dǎo)致的圖像襯度，可形成TEM的高分辨像。試樣不改變?nèi)肷洳ǖ恼穹?，但稍微改變其相位的近似。散射襯度scatteringcontrast由于試樣局域的元素組成和質(zhì)量厚度變化導(dǎo)致出射電子強(qiáng)度空間變化而產(chǎn)生的像襯度。圖像模擬imagesimulation關(guān)于各種AEM成像技術(shù)形成圖像的理論計(jì)算。TEM高分辨圖像的模擬算法，此算法把電子當(dāng)作入射波、而把與物質(zhì)的相互作用處理為發(fā)生在試樣多個(gè)連續(xù)的單個(gè)薄片上。TEM高分辨圖像的模擬算法，該算法通過求解計(jì)入多次散射的薛定諤方程來求出晶體中的電子襯度傳遞函數(shù)contrasttransferfunction;CTF特征X射線characteristicX-ray具有被激發(fā)元素特征能量的X射線。特定電子殼層電離后產(chǎn)生特征X射線發(fā)射的百分?jǐn)?shù)。X射線連續(xù)譜X-raycontinuum由于帶電粒子如電子減速而發(fā)射X射線連續(xù)譜的電磁輻射。試樣平面與EDS探測器晶體軸線之間的夾角。Y計(jì)數(shù)測量系統(tǒng)在處理前一個(gè)光子信號(hào)時(shí)，無法進(jìn)行光子測量的時(shí)間。死時(shí)脈沖測量電路能夠檢測X射線光子的時(shí)間。EDX定量分析的校正方法，對(duì)試樣發(fā)射特征X射線的原子序數(shù)、吸收和熒光效應(yīng)的影響都進(jìn)行了能譜分析中可識(shí)別的最小能量間隔，取決于所探測的X射線能量、探測器的類型以及安裝探測器利用入射電子與試樣相互作用發(fā)生的非彈性散射電子來分析元素和電子原子序數(shù)效應(yīng)atomic-numbere由入射電子的背散射導(dǎo)致特征X射線產(chǎn)率隨試樣元素的原子序數(shù)而慢掃描CCD相機(jī)slow-scanCCDcamera測量從試樣發(fā)射的X射線的能量及強(qiáng)度的固態(tài)檢測器。窗口無覆蓋材料的EDS探測器，此類探測器可提高軟X射原子序數(shù)大于5(硼)的元素。M試樣圖像上的線度L,與試樣本身對(duì)應(yīng)長度l之間的比率。用掃描儀對(duì)圖片進(jìn)行數(shù)字化掃描時(shí)用于測量數(shù)字圖像中距離的參考標(biāo)尺，該標(biāo)尺具有精細(xì)的由符合布拉格衍射關(guān)系的相長干涉導(dǎo)致入射電子束在相對(duì)于晶體原子平面特定角度發(fā)生顯發(fā)生衍射時(shí)入射輻射的波長、晶體原子面間距以及入射束與原子平運(yùn)動(dòng)學(xué)衍射kinematicaldiffrac二次衍射doublediffraction選區(qū)電子衍射selectedareaelectrondiffra應(yīng)用小電子束斑在試樣的亞微米尺寸區(qū)域獲取衍射花樣對(duì)所有陣點(diǎn)位置矢量R滿足關(guān)系exp(iR·K)=1的所有矢量K的集合。在倒易點(diǎn)陣中定義半徑為1/λ的球(λ為電子波長),其中心位于沿入射電子束方向且與倒易點(diǎn)陣當(dāng)晶體學(xué)平面(hkl)平行于方向[uvw]時(shí)，通過關(guān)系式hu+kv+lw=偏離矢量excitationerror[1]GB/T21636—2008微束分析電子探針顯微分析(EPMA)術(shù)語(ISO23833:2006,[2]GB/T23414—2009微束分析掃描電子顯微術(shù)術(shù)語(ISO22493:2008,IDT)[6]ReimerL.TransmissionElectronMicroscopy.Springer-Verlag,Berlin,Fifth[7]CullityD.,&StockS.R.ElementsofX-raydiffraction.PrenticeHallCol[8]GuinierA.X-rayDiffraction:InCrystals,Impe(DoverPubns;Reprint,19[9]IntroductiontoAnalyticalElectronMicroscopy[10]PrinciplesofAnalyticalElectronMicroscopyGB/T40300—2021A埃瓦爾德球10.5.2暗場像7.6凹坑機(jī)6.9B布拉格衍射關(guān)系10.3.1C參考物質(zhì)9.8超薄切片機(jī)6.8襯度7.2襯度傳遞函數(shù)8.4.3D倒易點(diǎn)陣10.5.1倒易空間10.5(燈絲)飽和5.1.7點(diǎn)分辨率9.5點(diǎn)陣缺陷8.5點(diǎn)陣像7.8電子斷層成像術(shù)4.9電子斷層三維重構(gòu)術(shù)4.9電子發(fā)射4.1.2電子光學(xué)4.1電子棱鏡4.6.1電子能量損失譜術(shù)8.7電子槍5.1電子全息術(shù)4.6電子散射4.2電子束誘導(dǎo)污染5.4.4電子透鏡4.1.3電子透鏡系統(tǒng)5.2電子源4.1.1[堆垛]層錯(cuò)8.5.3多層法8.4.1EF發(fā)夾式鎢絲槍防污染裝置5.4.5菲涅爾衍射8.1.4輻照損傷6.7傅里葉變換7.4.1G光闌5.2.3H化學(xué)拋光6.2會(huì)聚束電子衍射10.3.6活時(shí)間8.6.7J檢出角8.6.5晶格像7.8晶格分辨率9.6聚光鏡5.2.5聚光鏡光闌聚焦4.1.4聚焦離子束減薄6.6K快速傅里葉變換快速傅里葉逆變換L冷場發(fā)射.1冷場發(fā)射槍離焦成像7.9離子減薄6.1亮度5.1.4螺位錯(cuò)洛倫茲電子顯微術(shù)4.7M慢掃描CCD相機(jī)8.11明場像7.5模擬圖像處理7.3莫爾效應(yīng)7.1N能量擴(kuò)展P噴射電解拋光6.4偏離矢量10.5.5偏轉(zhuǎn)線圈5.2.6Q球差R熱場發(fā)射.2熱場發(fā)射槍熱電子發(fā)射槍5.1.3熱漫散射S散射截面4.2.3柵極帽試樣室5.4雙束近似8.1.1死時(shí)間8.6.6T彈性散射4.2.1特征X射線8.6.1投影鏡5.2.10透射電子顯微鏡4.5透射電子顯微術(shù)4.5圖像分辨率9.1W微衍射10.3.5物鏡光闌X系列離焦成像法7.9.6相干性4.4相機(jī)長度5.7相位襯度8.2相位襯度電子顯微術(shù)4.8像散肖特基發(fā)射5.1.1消光距離10.5.4消像散器5.2.4芯損失信息極限9.3Y選區(qū)電子衍射10.3.4選區(qū)光闌衍射波10.2衍射襯度8.1衍射光柵復(fù)型9.2.2衍射極限9.4異常吸收4.3.1熒光屏5.5有效源尺寸原子序數(shù)效應(yīng)8.9約化亮度5.1.5運(yùn)動(dòng)學(xué)衍射10.3.2Z支持膜6.5錐角STEM環(huán)形明場像4.5.5X射線連續(xù)譜8.6.3X射線能譜法8.6英文對(duì)應(yīng)詞索引A ABF-STEM ADFdetector 7.3annulardark-fielddetector 8.13 anomalousabsorption………anomaloustransmission4.anti-contaminationdeviceapertureangle………………aperturediffraction…………astigmatism…………………BBlochwaveBraggdiffraction……………………Braggdiffractionrelation…………Bremsstrahlung………………8.6.4bright-fieldimage………………7.5brightness……………………Burgersvector……C 9.2.1 3 3certifiedreferencema 9.8.1characteristicX-ray Cliff-Lorimermethod8.6.9coherencecoldfieldemissiongun……………condenseraperture…………conductivecoating……………6.10coneangle………………… 8.4.3convergent-beamelectrondiffr 3 Ddark-fieldimage………………defocusimaging…………demagnification……………………diffractedwavediffractionlimitdigitalimageprocessing……………dimplegrinder…………… E EDSdetectorenergyr 8.6.10 effectivesourcesizeelasticscatteringelectromagneticlens……electronbeam-inducedcontaminationelectronemissionelectronenergylossspectroscopy…………electrongun…electronholography………electronlenssystem………electronoptics……………………electronscattering…………………electrontomography……………electrostaticlensemissioncurrent 3 10.5.4extractingelectrode…………………extractionreplica…F 3FIBmilling………………fluorescenceyield…… 4.1.4 8.1.4 3G H 3 Iimagemagnification……………imageresolution………imagesimulation……………………imagewobbler………………imagingplate…………………8.10inelasticscattering……………intermediatelensJjetpolishing…………………K LLAADF-STEMLaB?gun……………latticedefectlatticeimage…………… 4.7M 3 0objectiveaperture…………………………5.objectivelens………objectiveplane…………overfocusimaging………Pphasecontrast…………………phase-contrastelectronmicroscopy……………4.8plasmonloss…………pointresolution…………………9.5projectorlens………Rradiationdamage…………reciprocallattice………………reciprocalspace……………………reducedbrightness…referencematerialreplica………………S 4.2.3 3 3 5.4.7sphericalaberration…………………stackingfault………………