(高清版)GB∕T 5238-2019 鍺單晶和鍺單晶片

ICS29.045GB/T5238—2019代替GB/T5238—2009鍺單晶和鍺單晶片國家市場監(jiān)督管理總局I本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。——規(guī)范性引用文件中刪除了GB/T1552、GB/T5254,增加了GB/T1555、GB/T14264、GB/T14844、GB/T26074(見第2章，2009年版的第2章);——增加了術(shù)語和定義(見第3章);——增加了非摻雜鍺單晶的要求(見第4章);——修訂了鍺單晶晶體完整性的要求(見4.2.6.1,2009年版的3.3——增加了直徑大于100mm鍺單晶的要求(見4.2.7);——刪除了長度的要求(見2009年版的3.3.2.1);——增加了鍺單晶表面質(zhì)量的要求(見4.2.8);——修訂了鍺單晶片表面質(zhì)量的要求(見4.3.3,2009年版的3.3.3);本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：1鍺單晶和鍺單晶片2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T5252鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號表示方法GB/T26074鍺單晶電阻率直流四探針測量方法3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4要求鍺單晶和鍺單晶片的牌號表示應(yīng)符合GB/T14844的規(guī)定。鍺單晶的電阻率應(yīng)符合表1的規(guī)定。2導(dǎo)電類型摻雜劑P型0.001～45.00.001～45.0Au+Ga(In)0.5～5.0N型0.001～45.0非摻雜35.0～50.0鍺單晶的徑向電阻率變化應(yīng)符合表2的規(guī)定。徑向電阻率變化(絕對值)注：直徑指未滾圓鍺單晶的尺寸。鍺單晶的少數(shù)載流子壽命應(yīng)符合表3的規(guī)定。電阻率p少數(shù)載流子壽命sN型P型0.001≤p<1.02.5≤p<4.04.0≤p<8.08.0≤p<16.034.2.6.1不同用途鍺單晶的位錯密度應(yīng)符合表4的規(guī)定。用途位錯密度個(gè)/cm2半導(dǎo)體器件激光器組件紅外光學(xué)部件4.2.6.2鍺單晶不應(yīng)有位錯堆、星形結(jié)構(gòu)。鍺單晶中單根小角晶界和位錯排的長度均應(yīng)不大于3mm,小角晶界和位錯排的總長度均應(yīng)不大于鍺單晶直徑的1/6。鍺單晶的直徑和直徑相對允許偏差符合表5的規(guī)定。mm直徑相對允許偏差不大于注1:直徑及直徑相對允許偏差指未滾圓鍺單晶的尺寸。注2:直徑相對允許偏差指同一根鍺單晶最大直徑和最小直徑之差與平均直徑的比值。鍺單晶片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表6的規(guī)定。4GB/T5238—2019幾何參數(shù)要求允許偏差直徑d厚度0.4～50.0平行度mm圓度—倒角尺寸0.2～0.8士0.10倒角角度45°或30°表面粗糙度Ra*/μm—“僅適用于紅外光學(xué)部件用的鍺單晶片。4.3.3.1鍺單晶片的崩邊長度應(yīng)不大于0.5mm,每個(gè)崩邊的圓周弦長應(yīng)不大于2mm,且每片鍺單晶片上崩邊個(gè)數(shù)應(yīng)不大于2個(gè)。4.3.3.2鍺單晶片表面不應(yīng)有裂紋、孔洞、需方如對鍺單晶和鍺單晶片有特殊要求，由供需雙方協(xié)商并在合同中注明。5試驗(yàn)方法5.1鍺單晶導(dǎo)電類型的測試按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。5.2鍺單晶電阻率和徑向電阻率變化的測試按GB/T26074的規(guī)定進(jìn)行。5.3鍺單晶少數(shù)載流子壽命的測試按GB/T1553的規(guī)定進(jìn)行。5.4鍺單晶晶向及晶向偏離度的測試按GB/T1555的規(guī)定進(jìn)行。5.5鍺單晶晶體完整性測試按GB/T5252的規(guī)定進(jìn)行。5.6鍺單晶和鍺單晶片幾何參數(shù)的測試按表7的規(guī)定進(jìn)行。參數(shù)檢測儀器直徑分度值為0.001mm千分尺或3D影像儀厚度分度值為0.001mm千分尺平行度分度值為0.01mm百分表5表7(續(xù))參數(shù)檢測儀器倒角尺寸、倒角角度3D影像儀圓度圓度儀表面粗糙度表面粗糙度儀6.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方質(zhì)量檢驗(yàn)部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)或訂貨單(或合同)的規(guī)定，并6.1.2需方應(yīng)對收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)，若檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)或訂貨單(或合同)的規(guī)定產(chǎn)品應(yīng)成批提交檢驗(yàn)。每批鍺單晶的檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)符合表8的規(guī)定。每批鍺單晶片應(yīng)對幾何參數(shù)、表面質(zhì)量進(jìn)行檢驗(yàn)。檢驗(yàn)項(xiàng)目半導(dǎo)體器件、激光器組件用鍺單晶紅外光學(xué)部件用鍺單晶導(dǎo)電類型√√電阻率√√徑向電阻率變化√√少數(shù)載流子壽命0X晶向及晶向偏離度√√晶體完整性√0幾何參數(shù)√√表面質(zhì)量√√6.4.1鍺單晶的檢驗(yàn)取樣按表9的規(guī)定進(jìn)行。6檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣位置取樣數(shù)量要求的章條號試驗(yàn)方法的章條號導(dǎo)電類型鍺單晶的頭、尾各切1片逐根電阻率徑向電阻率變化少數(shù)載流子壽命晶向及晶向偏離度晶體完整性幾何參數(shù)表面質(zhì)量6.4.2鍺單晶片幾何參數(shù)的檢驗(yàn)取樣按GB/T2828.1—2012中一般檢驗(yàn)水平Ⅱ,正常檢驗(yàn)一次抽樣方6.5.3鍺單晶片幾何參數(shù)的接收質(zhì)量限(AQL)為0.40。a)供方名稱及商標(biāo)；b)產(chǎn)品名稱；c)產(chǎn)品批號；d)規(guī)格尺寸；