GB∕ T 20870.10-2023 半導體器件 第16-10部分：單片微波集成電路技術(shù)可接收程序（正式版）

GB/T20870.10—2023/半導體器件第16-10部分：(IEC60747-16-10:2國家市場監(jiān)督管理總局國家標準化管理委員會1 Ⅲ IV 1 1 2 23.2標準值和優(yōu)選值 2 2 3 4 44.1器件技術(shù)的范圍 4 5 6 8 8 8 9 5.4過程的確認與控制 6.1掩模制造的范圍 6.2活動說明及流程圖 6.3工藝的確認和控制 7MMIC的晶圓制造 7.1MMIC的晶圓制造范圍 7.2活動說明和流程圖 7.4材料 7.6工藝的確認方法和控制 7.7相互關(guān)系 Ⅱ 8.1MMIC的晶圓測試的范圍 8.2活動說明和流程圖 8.4測試程序 8.5相互關(guān)系 209裸芯片交付的背面工藝 209.1裸芯片交付的背面工藝的范圍 209.2活動說明和流程圖 20 229.4材料 229.5工藝的確認方法和控制 229.6相互關(guān)系 229.7放行的有效性 23 23 2310.2活動說明和流程圖 23 24 25 10.6工藝的確認和控制 25 26 2611.2活動說明和流程圖 26 2811.5接口 2911.6工藝的確認和控制 11.7工藝極限驗證 12.1工藝表征的識別 13.1活動說明和流程圖 ⅢGB/T20870.10—202 3813.3放行的有效性 38 40Ⅲ本文件等同采用IEC60747-16-10:2004《半導體器件第16-10部分單片微波集成電路技術(shù)可接GB/T20870.10—2023/IEC6074 1GB/T20870.10—2023/IEC6074半導體器件第16-10部分：theuseoftheirmultiplesandcertainotherIEC60027(所有部分)電工技術(shù)用字母符號(Lettersymbolstobeusedinelectricaltechnology)IEC60050國際電工詞匯(InterIEC60068(所有部分)環(huán)境試驗(Environmentaltesting)IEC60191-2半導體器件的機械標準化第2部分：尺寸(Mechanicalstandardisationofsemicon-IEC60617(所有部分)簡圖用圖形符號(Graphicalsymbolsfordiagrams)IEC60747-1半導體器件分立器件和集成電路第1部分：總則(Semiconductordevices—Dis-IEC60747-16-1半導體器件第16-1部分：微波集成電路-放大器(Semiconductordevices—PartIEC60747-16-2半導體器件第16-2部分：微波集成電路預分頻器(Semiconductordevices—Part16-2:Microwaveintegratedcircuits—FPart16-3:Microwaveintegratedcircuits—FrequencyIEC60747-16-4半導體器件第16-4部分：微波集成電路開關(guān)(Semiconductordevices—PartIEC60748-1半導體器件集成電路第1部分：總則(Semiconductordevices—Integratedcir-QualityAssessmentSystemforElectronicComponent(I2QC001005:2000電子元器件IEC質(zhì)量評定體系(IECQ)程序規(guī)則-經(jīng)ISO9000批準的企業(yè)、產(chǎn)品和服務(wù)的登記表(IECQualityAssessmentSystemforElectronicComponent(IECQ)-Registeroffirms,productsandservicesapprovedusystem,includingISO技術(shù)可接收允許定制器件或工藝來適應(yīng)每個客戶。因優(yōu)選值的傳統(tǒng)概念應(yīng)用可以有一定局限3ASIC——專用集成電路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit);BDS——空白詳細規(guī)范(BlankDetailSpecification);BICMOS——雙極互補金屬氧化物硅(BipolarandComplementaryMetalOxideSilicoCAD——計算機輔助設(shè)計(ComputerAidedDesign);CAE——計算機輔助工程(ComputerAidedEngineering);CECC——歐洲電工標準化委員會電子元器件委員會(CENELECElectronicComponentsCom-CMB——合同管理處(ContractManagementBranch);Cpk——關(guān)鍵過程能力指數(shù)(Indexofcriticalprocesscapability);DIL——雙列直插封裝(DualInLinePackage);DyePenetrant(ZYGLO)——染料浸透(即熒光透視法)密封試驗；EDP——電子數(shù)據(jù)處理(ElectronicDataProcessing);EFR——電氣故障率(ElectricalFaERC——電氣規(guī)則檢查(ElectricalRulesCheck);ESD——靜電放電(ElectroStaticDischarge);HBT——異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Hetero-junctionBipolarTransistor);HEMT——高電子遷移率晶體管(HighElectronMobilityTransistor);ISO9000——ISO國際質(zhì)量標準(ISOInternationalQualityRules);JFET——結(jié)型場效應(yīng)管(JunctionFieldEffectTransistor);LRM——延遲線反射匹配(LineReflectMatch);LVS——布局與原理圖(LayoutVersusSchematics);MESFET——金屬半導體場效應(yīng)晶體管(MetalSemiconductorFieldEffectTransistor);MMIC——單片微波集成電路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuits);MODFET——調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管(ModulationDopedFieldEffectTransistor);45集成電路的設(shè)計和制造周期可涉及一個或多個有資質(zhì)的公司或制造廠，這些公司或制造廠在6晶圓測試組裝測試將在QC001005-2000中發(fā)布的信息、公司的注冊者、IECQ-7GB/T20870.10—2023/IEC6074最大互連層數(shù)：金屬成分：柵極材料：鈍化材料：支架/引線框架：芯片安裝：(如GaAs)*等)(如銅/合金42等)8等對濕度85%下1000h)(如一65℃~+150℃)9b)工藝設(shè)計1)物理特性(電路設(shè)計要求);2)電特性；3)布局規(guī)則。2)布局與原理圖(LVS);3)工藝規(guī)則(晶圓制造和組裝);1)線性仿真(頻域);2)諧波平衡；規(guī)則);4)驗證和確認程序；5)封裝選擇或設(shè)計程序；布局布局組裝 ●編制技術(shù)需求規(guī)范。 ●功能仿真；●針對測試的仿真●位置和電磁仿真?！駥υ偷谋碚骱驮u價。b)定義 ●布局與原理圖：●反向建模。 表面尺寸；100%按規(guī)范預測試劃片封裝貯存 合格應(yīng)規(guī)定背面工藝設(shè)備和預定范圍的信息。維修和校準方案宜包括在內(nèi)。所有成品制造商用設(shè)備宜符合7.3的要求。9.4材料 應(yīng)規(guī)定用于確認和控制工藝的程序。應(yīng)規(guī)定使用基于測試數(shù)據(jù)和工藝知識的統(tǒng)計方法，確定控制TRB在質(zhì)量控制方面的直接責任，允許對組裝和封裝的工藝裸芯片傳遞的背面工藝分包可依據(jù)4.4的規(guī)定。 ——劃線 說明表(QDS)GB/T20870.10—2023/IEC6074 ●熱阻值。 ●接地和電源阻抗；●交叉耦合效應(yīng)；●高電壓效應(yīng)；●高電流效應(yīng)?！裎锢硐拗?尺寸等);●環(huán)境條件的限制；●引線布局。測試工廠也可以為最終測試和/或工藝表征開發(fā)軟件工具和程序。但-—環(huán)境和清潔度控制； 組裝預老煉終點測試拒收批 ●未測試參數(shù)的評價?！翊_認電路技術(shù)規(guī)范是否完整?！窳私饧夹g(shù)限制；●軟件工具到位(后處理器等); ●測量標準維護；●待測試產(chǎn)品的處理；●環(huán)境保護(ESD等); ●可追溯性記錄。 b)穩(wěn)態(tài)應(yīng)力試驗態(tài)應(yīng)力底板最高溫度應(yīng)比步進應(yīng)力試驗底板溫度低至少20℃,該步150℃上)至少2000h,來驗證外推工作范圍的有效性。在這個溫度，預計很少出現(xiàn)失效，200℃下的2000h壽命對應(yīng)在器件最高工作溫度150℃下的1年，或如果失效激活能是2eV,則是32年)。GB/T20870.10—2023/IEC6074 除非TADD另有規(guī)定，技術(shù)可接收的擴展/修訂申請應(yīng)包括與新引進和/或變更的工藝有關(guān)的 ●關(guān)鍵工藝的識別；●測量參數(shù)選擇；●測量系統(tǒng)選擇。 ●同一平面上的規(guī)則(間距);●對齊規(guī)則和疊加規(guī)則(步長覆蓋);GB/T20870.10—2023/IEC6074 ●建立該技術(shù)的ESD限制；