SJ∕T 2658.4-2015 半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測(cè)量方法 第4部分：總電容_第1頁(yè)
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SJ/T2658.4—2015代替SJ/T2658.4—1986半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測(cè)量方法第4部分：總電容Measuringmethodforsemiconductor—Part4:Totalcapacitance2015-10-10發(fā)布2016-04-01實(shí)施ISJ/T2658.4—2015SJ/T2658《半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測(cè)量方法 ——第2部分：正向電壓；——第4部分：總電容；——第5部分：串聯(lián)電阻；——第6部分：輻射功率；——第7部分：輻射通量；——第8部分：輻射強(qiáng)度；——第9部分輻射強(qiáng)度空間分布和半強(qiáng)度角；—第10部分合調(diào)制帶寬；——第12部分峰值發(fā)射波長(zhǎng)和光譜輻射帶寬；—第13部分輻射功率溫度系數(shù)——第16部分：光電轉(zhuǎn)換效系本部分依據(jù)GB1—2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》給出的規(guī)則起草。本部分代替SJ/26584—1986《半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測(cè)試方法電容的測(cè)試方法》,除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下——細(xì)化了總電容的測(cè)量步驟(見5.2);—補(bǔ)充了總電容測(cè)量方法的規(guī)定條件(見5.3)。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。本部分由工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口本部分起草單位：工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。本部分主要起草人：張戈、趙英。本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為： 1半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測(cè)量方法本部分規(guī)定了半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管(以下簡(jiǎn)稱器件)總電容的測(cè)量原理圖、測(cè)量步驟以及規(guī)定條凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。SJ/T2658.1半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測(cè)量方法第1部分：總則總電容totalcapacitanceC2SJ/T2658.4—2015DUT被測(cè)器件； 5.2測(cè)量步驟總電容的測(cè)量列步驟進(jìn)行：a)按圖1連接測(cè)量系統(tǒng)，并進(jìn)行儀器預(yù)有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)采用本

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