GB-T 14264-2024 半導(dǎo)體材料術(shù)語

ICS29.045CCSH80中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14264—2024代替GB/T14264—2009Terminologyofsemiconductormaterials2024-04-25發(fā)布2024-11-01實(shí)施國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)ⅠGB/T14264—2024前言 Ⅲ1范圍 12規(guī)范性引用文件 13一般術(shù)語 14材料制備與工藝 335缺陷 386縮略語和簡稱 47索引 50ⅢGB/T14264—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件代替GB/T14264—2009《半導(dǎo)體材料術(shù)語》,與GB/T14264—2009相比,除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外,主要技術(shù)變化如下:—增加了“寬禁帶半導(dǎo)體”等261項(xiàng)術(shù)語及其定義(見第3章~第5章);—?jiǎng)h除了“脊形崩邊”等64項(xiàng)術(shù)語及其定義(見2009年版的第3章);—更改了“化合物半導(dǎo)體”等62項(xiàng)術(shù)語及其定義(見第3章~第5章,2009年版的第3章)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本文件起草單位:有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、北京大學(xué)東莞光電研究院、南京國盛電子有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司、中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所、有研國晶輝新材料有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司、新特能源股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、四川永祥股份有限公司、云南馳宏國際鍺業(yè)有限公司、麥斯克電子材料股份有限公司、浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司、常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司、東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。本文件于1993年首次發(fā)布,2009年第一次修訂,本次為第二次修訂。1GB/T14264—20241范圍本文件界定了半導(dǎo)體材料的一般術(shù)語和定義,材料制備與工藝及缺陷的術(shù)語和定義,以及縮略語。本文件適用于半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)、制備及相關(guān)領(lǐng)域。2規(guī)范性引用文件本文件沒有規(guī)范性引用文件。3一般術(shù)語導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間,室溫下電阻率約為10-5Ω·cm~1012Ω·cm,由帶正電的空穴物質(zhì)。注:半導(dǎo)體按其結(jié)構(gòu)分為單晶體、多晶體和非晶體。3.2本征半導(dǎo)體intrinsicsemiconductor晶格完整且不含雜質(zhì),在熱平衡條件下,其中參與導(dǎo)電的電子和空穴數(shù)目近乎相等的理想半導(dǎo)體。注:通常所說的本征半導(dǎo)體是指僅含極痕量雜質(zhì),導(dǎo)電性能與理想情況很相近的半導(dǎo)體。3.3元素半導(dǎo)體elementalsemicondu由單一元素的原子組成的半導(dǎo)體材料。3.4由2種或2種以上不同元素按確定的原子配比形成的半導(dǎo)體材料。注:如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、碲化鎘(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(GaO)、銦鎵氮(InGaN)和鋁鎵銦磷(AlGaInP)等。3.5寬禁帶半導(dǎo)體widebandgapsemiconduct通常為禁帶寬度不低于2.3eV的半導(dǎo)體材料。注:常見寬禁帶半導(dǎo)體材料有,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(β-Ga2O3)、金剛石、氮化鋁(AlN)等。3.6半絕緣砷化鎵semi-insulatingGaAs電阻率大于1×107Ω·cm的砷化鎵單晶。注:用作微電子器件的襯底材料。2GB/T14264—20243.7類金剛石碳膜diamond-likecarbonfilm具有類似于金剛石正四面體鍵結(jié)構(gòu)的多晶或非晶碳膜。注:具有負(fù)電子親和勢、高硬度和抗腐蝕性,能用作光電陰極材料和器件的鈍化保護(hù)膜。3.8藍(lán)寶石襯底sapphiresubstrate用于外延生長半導(dǎo)體薄膜的藍(lán)寶石單晶拋光片。3.9金剛石terminaldiamond禁帶寬度為5.5eV,擁有耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫特性的半導(dǎo)體材料。注:也被稱為第四代半導(dǎo)體材料。氫終端金剛石hydrogenterminaldiamond;H-diamond表面吸附大量氫原子,呈現(xiàn)負(fù)電子親和勢特性(-1.2eV),且本身無需摻雜即具有p型導(dǎo)電特性的金剛石。以碳化硅、氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表,通常具有高擊穿電場、高遷移率、高飽和電子速度、能承受大功率特點(diǎn)的半導(dǎo)體材料。注:第一代半導(dǎo)體材料(以硅、鍺為代表),大量應(yīng)用于CPU、GPU、存儲芯片、各種功率器件,目前仍然是半導(dǎo)體器件和集成電路制造的主要材料。第二代半導(dǎo)體材料(以砷化鎵、銻化銦、磷化銦為代表),主要應(yīng)用于光電子、微電子、微波功率等器件。第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體材料主要是應(yīng)用場景及出現(xiàn)時(shí)間上的區(qū)別,有交叉,但不完全重合,因此第三代半導(dǎo)體材料和第二代、第一代之間不是迭代關(guān)系。特征尺寸featuresize集成電路中由特定工藝決定的所能光刻或制作的最小尺寸。注:也被稱為技術(shù)節(jié)點(diǎn)或線寬。金剛石結(jié)構(gòu)diamondstructure由2個(gè)面心立方點(diǎn)陣沿立方晶胞的體對角線偏移1/4單位嵌套而成的晶體結(jié)構(gòu)。閃鋅礦結(jié)構(gòu)Sphaleritestructure由2種元素的原子各自形成面心立方晶格,再沿對角線滑移至對角線長度的四分之一,套迭而成的屬立方晶系的面心立方點(diǎn)陣。注:閃鋅礦結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體有GaAs、InP、InSb等。纖鋅礦結(jié)構(gòu)Lead-zincorestructure由2種元素的原子按六角排列的原子面以AaBbAaBb次序堆垛而成的屬六方晶系的密排六角點(diǎn)陣。注1:以ZnS為例,其中A、B面表示Zn原子面,a、b面表示S原子面。S原子作六方密堆積,Zn原子填充在半數(shù)的四面體空隙中。注2:纖鋅礦結(jié)構(gòu)化合物半導(dǎo)體有4H-SiC、6H-SiC和GaN等。3GB/T14264—2024半導(dǎo)體中接受從價(jià)帶激發(fā)的電子形成空穴導(dǎo)電的一類雜質(zhì)。施主donor半導(dǎo)體中向?qū)峁╇娮有纬呻娮訉?dǎo)電的一類雜質(zhì)或缺陷。電子(導(dǎo)電)electron(conduction)半導(dǎo)體導(dǎo)帶中,作用類似帶負(fù)電荷的自由電子的帶電載流子。注:電子是n型半導(dǎo)體材料中的多數(shù)載流子,通常具有不同的質(zhì)量。空穴hole半導(dǎo)體價(jià)帶中的一個(gè)可移動(dòng)空位,其作用類似一個(gè)具有正有效質(zhì)量帶正電荷的電子。注:空穴是p型半導(dǎo)體材料中的多數(shù)載流子。3.20二維電子氣two-dimensionalelectrongas;2DEG在2個(gè)維度上能夠自由移動(dòng),而在第三個(gè)維度上被嚴(yán)格約束住的電子氣。注:例如在半導(dǎo)體表面施加與表面垂直的電場,在表面附近形成電子勢壘,便會(huì)積累大量電子,這些電子在表面層能夠自由運(yùn)動(dòng),而在垂直于表面方向的運(yùn)動(dòng)會(huì)受到限制。即在平行于表面的運(yùn)動(dòng)能量是連續(xù)的,在垂直表面的能量是分立的。其具有高的遷移率以及許多量子特性,是許多場效應(yīng)器件的工作基礎(chǔ)。3.21二維空穴氣two-dimensionalholegas;2DHG在2個(gè)維度上能夠自由移動(dòng),而在第三個(gè)維度上被嚴(yán)格約束住的空穴氣。3.22激子exciton在一定的條件下由于庫侖相互吸引作用將電子和空穴在空間上束縛在一起形成的電子-空穴對。3.23極性polarity當(dāng)化合物半導(dǎo)體晶胞內(nèi)部沿著某一晶向正、負(fù)電荷中心不重合時(shí),存在凈的電偶極矩的表現(xiàn)形式。3.24非極性non-polarity當(dāng)化合物半導(dǎo)體晶胞內(nèi)部沿著某一晶向正、負(fù)電荷中心完全重合時(shí),不存在凈的電偶極矩的表現(xiàn)形式。3.25半極性semi-polarity化合物半導(dǎo)體中介于極性面和非極性面之間的晶面,與極性面具有一定的夾角,因此僅具有部分極性面的極化強(qiáng)度的電偶極矩的表現(xiàn)形式。3.26極化效應(yīng)polarizationeffect一個(gè)分子或原子中的電子云分布不均勻,導(dǎo)致分子或原子帶有偏極性(極性)的現(xiàn)象。注:包括自發(fā)極化效應(yīng)和壓電極化效應(yīng),自發(fā)極化效應(yīng)是源于晶體本身對稱性導(dǎo)致的極化,壓電極化效應(yīng)是源于外部應(yīng)力導(dǎo)致晶格變形導(dǎo)致的極化。4GB/T14264—20243.27耗盡層depletionlayer空間電荷區(qū)spacechargeregion在p-n結(jié)附近,由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和內(nèi)電場導(dǎo)致的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),p區(qū)和n區(qū)交界面產(chǎn)生的,很薄的電子、空穴都很稀少的區(qū)域。注:該區(qū)域中自由載流子密度不足以中和施主和受主的固定摻雜電荷密度,又稱勢壘區(qū)、阻擋層。該區(qū)域的寬度被稱為耗盡層寬度。3.28總固定電荷密度totalfixedchargedensity;Ntf不可移動(dòng)的氧化物固定電荷密度、氧化物俘獲的電荷密度以及界面俘獲的電荷密度之和。3.29半導(dǎo)體中對電子和空穴起復(fù)合作用的雜質(zhì)或缺陷。3.30陷阱trap半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)出現(xiàn)非平衡載流子時(shí),能夠產(chǎn)生顯著積累非平衡載流子作用的雜質(zhì)能級。注:重金屬雜質(zhì)在半導(dǎo)體禁帶中形成的深能級,俘獲非平衡載流子后,經(jīng)過一段時(shí)間釋放出來的現(xiàn)象被稱為陷阱效應(yīng)。3.31半導(dǎo)體內(nèi)同時(shí)存在施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)時(shí),施主雜質(zhì)施放的電子被受主雜質(zhì)俘獲,或受主雜質(zhì)施放的空穴被施主雜質(zhì)俘獲,導(dǎo)致除主要摻雜劑雜質(zhì)外,自由載流子數(shù)量減少的現(xiàn)象。3.32純度purity;intrinsic表征單質(zhì)或化合物含量的參數(shù)。注1:一般的計(jì)算方法是按照100%減去按該產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的元素或成分種類的實(shí)測值以后得到的數(shù)值。例如,純度為99.999%,也寫作5個(gè)9或5N。注2:通常說硅的純度是針對本征硅而言,且不包含氧、碳。如果是摻雜單晶,也不包含特意摻雜的元素。3.33量子阱quantumwell;QW具有量子限制效應(yīng)或其厚度和電子德布羅意波長可比擬的半導(dǎo)體薄層結(jié)構(gòu)。3.34遷移率mobilityμ載流子在單位電場強(qiáng)度作用下的平均漂移速度。注1:單位為平方厘米每伏秒[cm2/(V·s)]。注2:在單一載流子體系中,載流子遷移率與特定條件下測定的霍爾遷移率成正比。3.35霍爾效應(yīng)Hall-effect當(dāng)電流垂直于外磁場方向通過半導(dǎo)體樣品時(shí),在垂直于電流和磁場方向的樣品兩側(cè)產(chǎn)生電勢差的現(xiàn)象。3.36霍爾系數(shù)Hall-coefficientRH霍爾效應(yīng)產(chǎn)生的霍爾電場正比于磁感應(yīng)強(qiáng)度(Bz)和電流密度(jx)的比例系數(shù)。5GB/T14264—2024式中:R=±γ/ne“+”“-”—分別對應(yīng)空穴導(dǎo)電和電子導(dǎo)電;γ—與散射機(jī)構(gòu)、樣品溫度、能帶結(jié)構(gòu)及磁場強(qiáng)度有關(guān)的因子;n—載流子濃度,單位為每立方厘米(cm-3);e—電子電荷,單位為庫侖(C)。3.37霍爾遷移率Hall-mobilityμH霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的乘積,與遷移率有相同的量綱。式中:μH=│RHσ│μH—霍爾遷移率,單位為微秒(μs);RH—霍爾系數(shù),單位為立方厘米每庫侖(cm3/C);σ—電導(dǎo)率,單位為每歐姆厘米[(Ω·cm)-1]。3.38單晶singlecrystal原子按照一定規(guī)則有序排列,不含大角晶粒間界或?qū)\晶的晶體。3.39多晶polycrystalline由許多不同取向的小單晶晶粒無序排列而成,包含大角度晶粒間界和孿晶的晶體。3.40非晶amorphouscrystalline原子排列不具有周期性,但在近鄰或次近鄰原子間仍具有基本相同的鍵結(jié)構(gòu)和配位數(shù),只是鍵長和鍵角相對于晶體而言有所改變,即呈現(xiàn)短程有序、長程無序的材料。3.41通過單晶籽晶,以定向凝固法生長形成的具有明顯與籽晶同方向的大晶粒鑄造多晶。注:也稱為鑄造單晶或準(zhǔn)單晶。3.42最大晶粒面積比例percentageofthelargestsinglegrain類單晶硅塊橫截面上,具有指定晶向的最大單晶的面積與類單晶硅塊橫截面總面積的比值。注:以百分比表示。3.43載流子carrier半導(dǎo)體中導(dǎo)帶和價(jià)帶中的荷電粒子。3.44載流子濃度carrierconcentration;carrierdensity單位體積的載流子數(shù)目。注:本征半導(dǎo)體中等于每單位體積中多數(shù)載流子的數(shù)目。雜質(zhì)半導(dǎo)體中在室溫?zé)o補(bǔ)償存在的條件下等于電離雜質(zhì)的濃度。3.45多數(shù)載流子majoritycarrier非本征半導(dǎo)體中占總載流子濃度一半以上的載流子類型。6GB/T14264—2024注1:如p型半導(dǎo)體中的空穴、n型半導(dǎo)體中的電子,這時(shí)通常忽略遷移率的影響。注2:在理想半導(dǎo)體中,由于導(dǎo)電電子和空穴的濃度是相同的,因此多數(shù)載流子能夠通過測量導(dǎo)電類型(p型或n型)確定。3.46少數(shù)載流子minoritycarrier非本征半導(dǎo)體中占總載流子濃度不到一半的載流子類型。注:如p型半導(dǎo)體中的電子、n型半導(dǎo)體中的空穴。3.47直接帶隙半導(dǎo)體directbandgapsemiconductor導(dǎo)帶最小值(導(dǎo)帶底)和價(jià)帶最大值(價(jià)帶頂)在波矢空間中處于同一波矢位置的半導(dǎo)體。3.48間接帶隙半導(dǎo)體indirectbandgapsemiconductor導(dǎo)帶最小值(導(dǎo)帶底)和價(jià)帶最大值(價(jià)帶頂)在波矢空間中處于不同波矢位置的半導(dǎo)體。3.49p型半導(dǎo)體p-typesemiconductor多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體材料。3.50n型半導(dǎo)體n-typesemiconductor多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體材料。3.51p-n結(jié)p-njunction一個(gè)半導(dǎo)體晶體內(nèi)彼此相鄰接的p型和n型的界面區(qū)域。3.52垂直梯度凝固法verticalgradientfreeze;VGF通過設(shè)計(jì)特定的溫度梯度,使固液界面以一定速度從下向上端移動(dòng),單晶也從下向上生長的方法。3.53垂直布里奇曼法verticalBridgman;VB垂直放置加熱爐,在加熱爐中預(yù)先設(shè)定好溫度梯度,通過加熱爐與熔體的相對運(yùn)動(dòng),使熔體逐步結(jié)晶而完成單晶生長的方法。3.54水平梯度凝固法horizontalgradientfreeze通過設(shè)計(jì)特定的溫度梯度,使固液界面以一定速度在水平面上從一端向另一端移動(dòng),單晶也從一端向另一端水平生長的方法。3.55水平布里奇曼法horizontalBridgman;HB水平放置加熱爐,在加熱爐中預(yù)先設(shè)定好溫度梯度,通過加熱爐與熔體的相對運(yùn)動(dòng),使熔體逐步結(jié)晶而完成單晶生長的方法。3.56在液態(tài)凝固過程中,由于液態(tài)凝出的固相的化學(xué)成分和液相不同,隨著凝固的進(jìn)行,液相成分不斷變化,先后凝出的固相成分不同形成的現(xiàn)象。3.57在平衡狀態(tài)時(shí),組分在固定相與流動(dòng)相中的濃度之比。7GB/T14264—20243.58有效分凝系數(shù)effectivesegregationcoefficient在固-液交界面處,固相雜質(zhì)濃度與遠(yuǎn)離界面的熔體內(nèi)部的雜質(zhì)濃度的比值。注:有效分凝系數(shù)keff=CS/CLO,式中:CS為固相雜質(zhì)濃度,CLO為遠(yuǎn)離界面的熔體內(nèi)部的雜質(zhì)濃度。3.59非本征extrinsic半導(dǎo)體材料內(nèi)由摻雜劑原子提供的電子或空穴控制的狀態(tài)。3.60摻雜doping為控制半導(dǎo)體材料的性能,有目的摻入一定種類、一定數(shù)量雜質(zhì)的過程。3.61摻雜劑dopant摻入半導(dǎo)體材料中,用以確定其導(dǎo)電類型和電阻率的痕量元素。注:摻雜劑也有合金形式。3.62摻雜密度dopantdensity摻雜濃度dopantconcentration單位體積中摻雜元素的原子數(shù)目。3.63重?fù)诫sheavydoping在半導(dǎo)體材料中摻入較高的雜質(zhì)濃度。注:通常硅單晶中雜質(zhì)濃度大于1018cm-3。3.64為控制半導(dǎo)體材料的性能,有目的同時(shí)摻入2種或2種以上雜質(zhì)的過程。3.65深能級雜質(zhì)deep-levelimpurity在半導(dǎo)體中形成一個(gè)或多個(gè)位于禁帶中央?yún)^(qū)域能級的化學(xué)元素,以及一些能引入電活性深能級的缺陷或復(fù)合物。3.66EL2能級EL2energylevel砷化鎵單晶中,與過量砷相關(guān)的缺陷(EL2缺陷)所產(chǎn)生的深能級。3.67等電子摻雜isoelectronicimpurity與被替代的基體原子具有相同價(jià)電子結(jié)構(gòu)的替代原子的摻雜。注:在砷化鎵中等電子摻雜主要是In、Al、P、Sb等元素。3.68調(diào)制摻雜modulationdoping;MD在具有量子效應(yīng)的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中,選擇特定空間上的材料中摻入n型或p型雜質(zhì)原子,其他區(qū)域不摻雜的方法。3.69中子嬗變摻雜neutrontransmutationdoping;NTD用中子流輻照硅單晶錠,使晶體中的Si30嬗變成磷原子,達(dá)到在硅單晶中摻雜的方法。8GB/T14264—20243.70自摻雜(外延層)autodoping(ofanepitaxiallayer);self-doping外延生長工藝中來自襯底的背表面、正表面以及邊緣、反應(yīng)器中的其他襯片、基座或沉積系統(tǒng)的其他部分的雜質(zhì)元素?fù)饺氲酵庋訉又械倪^程。3.71為調(diào)控材料和器件的性能,人為實(shí)現(xiàn)載流子補(bǔ)償?shù)墓に嚒?.72導(dǎo)電類型conductivitytype半導(dǎo)體材料中多數(shù)載流子的性質(zhì)所決定的導(dǎo)電特性。注:分為n型和p型。3.73電導(dǎo)率conductivityσ載流子在材料中流動(dòng)程度的量度。注1:單位為每歐姆厘米[(Ω·cm)-1]或每歐姆米[(Ω·m)-1]。注2:一般摻雜半導(dǎo)體在常溫范圍內(nèi)導(dǎo)電性能主要由摻雜元素決定,其數(shù)值等于電阻率的倒數(shù)。3.74電阻率resistivityρ荷電載體通過材料受阻程度的一種量度。注:其數(shù)值等于電導(dǎo)率的倒數(shù),單位為歐姆厘米(Ω·cm)或歐姆米(Ω·m)。3.75電阻率允許偏差allowableresistivitytolerance晶片中心點(diǎn)或晶錠斷面中心點(diǎn)的電阻率與標(biāo)稱電阻率的最大允許差值。注:也能用標(biāo)稱值的百分?jǐn)?shù)表示。3.76徑向電阻率變化radialresistivitytolerance徑向電阻率梯度radialresistivitygradient;RRG晶片中心點(diǎn)與偏離晶片中心的某一點(diǎn)或若干對稱分布的設(shè)置點(diǎn)(典型設(shè)置點(diǎn)是晶片半徑的1/2處或靠近晶片邊緣處)的電阻率之間的差值。注:這種電阻率的差值表示為測量差值除以中心值,以百分?jǐn)?shù)表示。3.77表面電阻sheetresistanceRs方塊電阻squareresistance半導(dǎo)體或金屬薄膜中,平行于電流的電位梯度(電場)與電流密度和厚度的乘積之比。注1:單位取每個(gè)表面的歐姆值或每個(gè)方塊的歐姆值,通常業(yè)內(nèi)用“Ω/sq”或“Ω/□”表示。注2:數(shù)值上等于體電阻率除以材料的厚度,取厚度趨于零時(shí)的極限,也被稱為薄層電阻。3.78擴(kuò)展電阻spreadingresistance;Rs微小導(dǎo)電金屬探針和晶片上一參考點(diǎn)之間的電勢差與通過探針的電流之比。注1:單位為歐姆(Ω)。9GB/T14264—2024注2:該比值測量了金屬與半導(dǎo)體的接觸電阻,以及在探針附近沒有電邊界的均勻試樣的經(jīng)典擴(kuò)展電阻。對于具有電阻率梯度或電邊界的試樣,該比值還包括由于這些梯度或邊界而產(chǎn)生的影響。3.79晶體crystal由原子、離子或分子以一定的周期性規(guī)律排列組成的固體。3.80晶面crystallographicplane通過空間點(diǎn)陣中不在同一直線上的3個(gè)結(jié)點(diǎn)的平面。3.81晶片wafer;slice從半導(dǎo)體晶體切取的具有一定幾何形狀和厚度的平行平面的薄片。注:晶片包括單晶片、類單晶片、鑄造多晶硅片,晶片通常是圓形、方形或準(zhǔn)方形。3.82晶胞unitcell具有整個(gè)晶體的性質(zhì),組成空間點(diǎn)陣最基本的單元。3.83晶粒grain原子按照一定的規(guī)則排列形成的具有一定外觀邊界的集合體。注:每個(gè)晶粒就是一個(gè)小單晶體。3.84晶粒間界grainboundary固體內(nèi)一晶粒與另一晶粒相接觸的界面,該界面上的任一點(diǎn)至少構(gòu)成2個(gè)晶向差大于1°的晶格點(diǎn)陣。3.85密勒指數(shù)Millerindices晶體指數(shù)crystalindices晶面在3個(gè)單位長度晶軸上截距倒數(shù)的最小整數(shù)比。3.86結(jié)晶學(xué)表示法crystallographicnotation用于標(biāo)示晶體中晶面和晶向的密勒指數(shù)的符號體系。注:晶面用“()”表示,如(111);晶面族用“{}”表示,如{111};晶向用“[]”,如[111];晶向族用“<>”表示,如3.87單晶的表面與其理想表面重合時(shí),用密勒指數(shù)描述的晶體學(xué)平面方向表示該單晶的表面方向。3.88晶向偏離off-orientation晶片表面法線與晶體結(jié)晶學(xué)方向偏離的角度。3.89正交晶向偏離orthogonalmisorientation在晶體被有意偏離晶向切割時(shí),晶片表面法向矢量與最鄰近的特定晶向在規(guī)定的晶面上的投影之間的夾角。10GB/T14264—2024注1:硅片表面的法向矢量在{111}晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{111}晶面上的投影之間的夾角(見圖1),砷化鎵晶片表面的法向矢量在{100}晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{100}晶面上的投影之間的夾角(見圖2)。注2:如果偏離方向的角度是由籽晶端確定的,則成品的拋光面是朝向籽晶端的面,反之亦然。由于業(yè)內(nèi)確定偏離定向角度的習(xí)慣不一樣,因此有必要建立準(zhǔn)確的統(tǒng)一規(guī)定。標(biāo)引序號說明:1—晶片表面法向矢量;2—最近的<110>方向矢量;3—正交晶向偏離;4—<110>晶向在{111}平面上的投影;5—主參考面;6—{111}平面;7—晶向偏離的晶片。圖1硅單晶{111}晶向晶片的正交晶向偏離示意圖標(biāo)引序號說明:--1—(111)Ga;2—(100)平面法向矢量;3—晶片表面法向矢量;4—(110)平面法向矢量;5—晶片表面法向在(100)平面上的投影;6—[110]在(100)平面上的投影;7—(111)Ga。圖2砷化鎵單晶{100}晶向晶片的正交晶向偏離示意圖11GB/T14264—20243.90勞埃法Lauemethod用連續(xù)能譜的X射線投射到固定的單晶體上,滿足布拉格定律的X射線得到的反射,對反射出的X射線進(jìn)行晶體學(xué)分析,以確定晶體宏觀對稱性的X射線衍射方法。3.91包括單質(zhì)或化合物的物質(zhì),當(dāng)其晶體結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)單位層相同,但結(jié)構(gòu)單位層之間的堆垛順序或重復(fù)方式不同時(shí),形成的若干種不同結(jié)構(gòu)晶體的現(xiàn)象。注:最常見的多型是根據(jù)拉姆斯代爾的建議命名的,如6H給出了一個(gè)周期性疊加序列的層數(shù)(2,3,4,…)和生成的晶體的對稱性(H為六角形,R為菱形),如SiC多型有6H、4H、15R。3.92各向異性anisotropic在不同的結(jié)晶學(xué)方向具有不同的物理特性。注:也稱為非各向同性、非均質(zhì)性。3.93各向異性腐蝕anisotropicetch沿著不同的結(jié)晶學(xué)方向,呈現(xiàn)腐蝕速率差異的選擇性腐蝕。3.94各向同性腐蝕isotropicetch在不同的結(jié)晶學(xué)平面呈現(xiàn)出相同腐蝕速率的腐蝕。3.95夾層lamella可能與一個(gè)以上的平面相交的極薄且比較長的多重孿晶。3.96晶格失配latticemismatch在由2種晶體材料構(gòu)成的界面附近,由于2種材料的晶格常數(shù)不完全相同,使晶格連續(xù)性受到破壞的現(xiàn)象。3.97Ga面GafacetGaAs單晶中,由Ga原子形成的{111}面。注:也稱(111)Ga面或A面。3.98As面Asfacet在GaAs單晶中,由As原子形成的{111}面。注:也稱為(111)As面或B面。3.99界面態(tài)densityofstates;DOS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)、金屬-半導(dǎo)體、電介質(zhì)-半導(dǎo)體等結(jié)構(gòu)中層間邊界處存在的能級或能帶中的電子態(tài)。界面態(tài)密度interfacetrapdensity;interfacestatedensityDit單位面積、單位能量間隔內(nèi)的界面態(tài)數(shù)目。注:單位為每平方厘米電子伏特(cm2·eV)-1。12GB/T14264—2024離子注入ionimplantation將雜質(zhì)離子在真空中加速到一定能量后,以高速度穿過晶體表面進(jìn)入體內(nèi),經(jīng)過與晶體原子的不斷碰撞而速度減慢,最后在晶體的一定深度處終止的摻雜工藝。2種不同的半導(dǎo)體晶體相接觸所形成的界面區(qū)域。注1:按照2種材料的導(dǎo)電類型不同,又分為同型異質(zhì)結(jié)(p-p結(jié)或n-n結(jié))和異型異質(zhì)(P-n結(jié)或p-N結(jié))。注2:多層異質(zhì)結(jié)也稱為異質(zhì)結(jié)構(gòu)。注3:為了方便討論不同帶隙半導(dǎo)體材料接觸形成的異質(zhì)結(jié),規(guī)定了用小寫字母p和n表示窄禁帶半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型,用大寫字母P和N表示寬禁帶半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型。擴(kuò)散層diffusedlayer采用固態(tài)擴(kuò)散工藝,將雜質(zhì)引入晶體,使單晶近表面層形成相同或相反導(dǎo)電類型的區(qū)域。擴(kuò)散長度diffusionlengthLD由外界引起的非平衡少數(shù)載流子從產(chǎn)生到被復(fù)合的時(shí)間里,從樣品表面向體內(nèi)擴(kuò)散的平均深度。注:理想的擴(kuò)散長度僅是樣品體內(nèi)復(fù)合的函數(shù),與表面復(fù)合無關(guān)。非平衡少數(shù)載流子壽命等于非平衡少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的平方除擴(kuò)散系數(shù)所得商,而擴(kuò)散系數(shù)是設(shè)定的或由載流子遷移率測量確定的。有效擴(kuò)散長度effectivediffusionlengthL0由于各種原因造成測試結(jié)果偏離理想的擴(kuò)散長度(LD)時(shí),實(shí)際測試得到的擴(kuò)散長度。注:例如對很薄的樣品或外延層的測試、樣品的背表面有結(jié)存在時(shí)的測試、砷化鎵等其他半導(dǎo)體材料的測試以及對硅片潔凈區(qū)寬度的測定等,實(shí)際測試值稱為有效擴(kuò)散長度。晶體缺陷crystaldefect偏離理想晶格點(diǎn)陣中原子的有規(guī)則排列。注1:按照晶格不完整范圍限度的大小,通常分為點(diǎn)缺陷(空位、間隙原子和雜質(zhì))、線缺陷(位錯(cuò))和面缺陷(層錯(cuò)和晶粒間界)。注2:晶體缺陷也分為宏觀缺陷(如雙晶、星形結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)析出和夾雜,漩渦缺陷、系屬結(jié)構(gòu)等)或微觀缺陷(如點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)、層錯(cuò)、微缺陷等),以及點(diǎn)陣應(yīng)變,表面機(jī)械損傷。點(diǎn)缺陷pointdefect晶體中一個(gè)或幾個(gè)晶格常數(shù)范圍內(nèi)的晶體缺陷。注:包括空位、間隙原子和雜質(zhì)原子等。微缺陷microdefect晶體中尺寸通常在微米或亞微米數(shù)量級范圍內(nèi)的缺陷。注:微缺陷是無位錯(cuò)區(qū)熔和直拉硅單晶中常見的一類缺陷。滑移slip晶體一部分相對另一部分發(fā)生切變位移,在形式上仍保留材料的結(jié)晶性的塑性形變過程。13GB/T14264—2024滑移線slipline在滑移平面與晶面相交處形成的臺階。注:硅晶體擇優(yōu)腐蝕后,有一條或多條位錯(cuò)腐蝕坑的平行直線可證明是滑移線,這些位錯(cuò)腐蝕坑不一定彼此接觸。在(111)表面,滑移線的族彼此成60°傾斜;在(100)表面,它們彼此成90°傾斜?；泼鎠lipplane晶體中位錯(cuò)發(fā)生滑移運(yùn)動(dòng)的結(jié)晶學(xué)平面。位錯(cuò)腐蝕坑dislocationetchpit在晶體表面的位錯(cuò)應(yīng)力區(qū)域,由擇優(yōu)腐蝕而產(chǎn)生的界限清晰、形狀規(guī)則的腐蝕坑。位錯(cuò)密度dislocationdensity單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長度。注1:通常以晶體某晶面單位面積(cm2)上位錯(cuò)腐蝕坑的數(shù)目表示。注2:砷化鎵晶片表面由于位錯(cuò)而產(chǎn)生的擇優(yōu)腐蝕形成的凹坑密度也稱為腐蝕坑密度[etchpitdensity(EPD)],是砷化鎵單晶中位錯(cuò)的表征參數(shù)。無位錯(cuò)單晶dislocationfreesinglecrystal;zeroDsinglecrystal位錯(cuò)密度小于某一規(guī)定值的單晶。注:也稱為零位錯(cuò)單晶。表面缺陷surfacedefect晶片表面上能觀察到的損傷、殘留塵埃及其他不完整性。腐蝕etch用一種溶液、混合液或混合氣體侵蝕薄膜或襯底表面,有選擇地或非選擇地去除表面物質(zhì)的過程。腐蝕坑etchpit晶片表面上局限于晶體缺陷或應(yīng)力區(qū),由腐蝕形成的凹坑。解理面cleavageplane結(jié)晶學(xué)上優(yōu)先斷裂的晶面。擇優(yōu)腐蝕preferentialetch沿晶體內(nèi)特定的結(jié)晶學(xué)晶面呈現(xiàn)出腐蝕速率明顯增大的現(xiàn)象。注:常用于顯示位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷以及電導(dǎo)率分布等微觀現(xiàn)象。擇優(yōu)腐蝕坑preferentialetchpits形態(tài)與晶面、缺陷類型、腐蝕液等密切相關(guān),采用擇優(yōu)腐蝕方法在半導(dǎo)體表面顯示出的微觀凹坑。表面腐蝕晶胞surfaceetchedunitecell由于單晶片的不同晶面腐蝕速率不同,腐蝕過程中晶胞的三維形貌發(fā)生變化后在表面形成的圖形。14GB/T14264—2024晶體的不可逆轉(zhuǎn)的形變?nèi)毕?。?對于表面機(jī)械加工如切割、磨削、滾圓、噴砂以及撞擊等造成的形變,如后續(xù)沒有熱處理,可能導(dǎo)致晶格不可逆轉(zhuǎn)的缺陷。損傷層damagelayer晶片在機(jī)械加工過程中,表面形成一定深度的損傷薄層。損傷深度damagedepth;Tz損傷區(qū)域的最大厚度。注:或稱為損傷層深度。殘留機(jī)械損傷residualmechanicaldamage晶片經(jīng)過切、磨、拋加工之后,表面殘留下來的沒有完全去除的機(jī)械損傷。親水性hydrophilic晶片表面對水有很強(qiáng)的親和力,可濕潤的現(xiàn)象。疏水性hydrophobic晶片表面對水完全不具親和力,不可濕潤的現(xiàn)象。陷光結(jié)構(gòu)lighttrappingstructure在光伏用晶片表面形成的,通過對太陽光的反射、折射和散射等,將入射太陽光線重新分散到電池表面或體內(nèi),從而增加光在太陽電池中的光程或吸收量的突起或凹坑結(jié)構(gòu)。外延epitaxy用氣相、液相、分子束等方法在襯底上生長單晶薄層的工藝。外延片epitaxialwafer通過外延工藝在襯底的正表面、邊緣以及近邊緣區(qū)域生長了外延層的晶片。外延層epitaxiallayer在襯底上生長的、晶向由襯底決定的半導(dǎo)體單晶薄層。注:外延層的導(dǎo)電類型、晶體結(jié)構(gòu)等方面可與襯底相同或不同,且能是多層單晶薄層結(jié)構(gòu)。外延層厚度thicknessofanepitaxiallayer從外延層正表面到外延層-襯底界面的距離。外延層的有效層厚度effectivelayerthicknessofanepitaxiallayer凈載流子濃度在規(guī)定范圍內(nèi)的外延層的厚度。15GB/T14264—2024外延剖面斜度profileslopeofanepitaxiallayer外延層厚度的0.75處與0.25處的凈載流子濃度的差值除以0.5倍外延層厚度的值。在襯底上生長與襯底材料組分相同的單晶薄層的外延工藝。異質(zhì)外延heteroepitaxy在襯底上生長與襯底材料組分不同的單晶薄層的外延工藝。注:通常硅單晶中雜質(zhì)濃度大于1018cm-3。側(cè)向外延epitaxiallateralover-growth;ELO橫向外延lateralepitaxial半導(dǎo)體在選區(qū)外延時(shí),通過控制生長條件,使得橫向生長速度快于縱向生長速度,導(dǎo)致選擇窗口區(qū)的外延薄膜生長擴(kuò)展到窗口外并連接相鄰窗口區(qū)擴(kuò)展過來的外延薄膜,最終形成連續(xù)外延層。外延層平坦區(qū)flatzoneofanepitaxiallayer從正表面到大于或小于平均凈載流子濃度20%處的外延層深度區(qū)域。注:該區(qū)域約為外延層厚度的25%~75%。在摻雜襯底上沉積相同導(dǎo)電類型的外延層過渡區(qū)寬度transitionwidthofanepitaxiallayerde-positedondopedsubstrateofthesameconductivitytype基于相同測試手段下的,外延層厚度層與外延層平坦區(qū)間的厚度之差。生長過程中外延層的組分由GaAs逐漸變?yōu)镚aAs(1-x)Px的區(qū)域。注:目的是盡可能減少GaAs襯底與GaAs(1-x)Px外延層間的晶格失配。邊緣凸起edgecrown距晶片邊緣3.2mm(1/8in)處的表面高度與晶片邊緣處高度之間的差值。注:單位為微米(μm)。緩沖層bufferlayer過渡層transitionlayer在半導(dǎo)體外延生長中,為其后生長外延層所準(zhǔn)備的前期鋪墊層。圖形畸變率patterndistortionratio埋層襯底上的圖形寬度和外延層表面圖形寬度之差的絕對值與外延層厚度的商。圖形漂移率patternshiftratio埋層襯底表面圖形中心點(diǎn)和外延層表面對應(yīng)的圖形中心點(diǎn)之間的橫向距離與外延層厚度的商。圖形臺階高度patternstepheightin去除氧化物后,擴(kuò)散(埋層)表面與原始基體表面垂直位置的差值。16GB/T14264—2024鍵合界面bondedinterface2種晶片之間的鍵合面。鍵合硅片bondedSOIwafer鍵合在一起的,中間是典型的熱生長二氧化硅絕緣層的2個(gè)硅片。絕緣襯底上的硅silicononinsulator;SOI把頂層單晶硅制備在絕緣層(如SiO2二氧化硅)上的工藝。非SOI邊緣區(qū)non-SOIedgearea表面硅層的標(biāo)稱半徑和基底硅片標(biāo)稱半徑之間的環(huán)形區(qū)域。注:非SOI邊緣區(qū)尺寸以寬度確立,即表面硅層標(biāo)稱半徑和基底硅片標(biāo)稱半徑之差。SOI層SOIlayer由絕緣層分離的硅單晶薄膜。注:絕緣層不局限于二氧化硅,氧化硅片上的多晶或非晶硅薄膜不被認(rèn)為屬于SOI層。一般稱其為表面硅層或頂層硅薄膜。SOI片SOIwafer硅層是由電介質(zhì)材料支撐的多層結(jié)構(gòu)。一種是由比較厚的電介質(zhì)材料直接做襯底的多層結(jié)構(gòu),另一種是由氧化物和硅組成的多層結(jié)構(gòu)。注:氧化層上有一層硅薄膜,也稱為BOX.SOI片。注氧隔離separationbyimplantationofoxygen;SIMOX將高劑量的氧離子注入到硅單晶中形成隔離層的SOI的制作工藝。注氧隔離層SIMOXlayer硅基SOI材料的絕緣層上氧化注入的一層薄硅。注:也稱頂部硅或表面硅。埋層buriedlayer襯底中被外延覆蓋或打算被外延覆蓋的擴(kuò)散區(qū)域。埋層氧化物buriedoxide由氧注入形成的氧化物。埋層氧化層buriedoxidelayer;BOXSOI層和基底硅襯底之間的二氧化硅絕緣層。頂層硅薄膜厚度thicknessoftopsiliconfilm頂層硅薄膜表面與頂層硅薄膜-埋層氧化物界面之間的距離。17GB/T14264—2024壽命lifetime非平衡載流子從產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時(shí)間間隔。注1:通常壽命是指少數(shù)載流子壽命或載流子復(fù)合壽命。因?yàn)閷?shí)際測得的壽命是體復(fù)合和表面復(fù)合的綜合結(jié)果,所以實(shí)際測量的壽命也稱為有效壽命。由于壽命的測量是從脈沖注入結(jié)束到衰減信號降至初始信號的1/e時(shí)的持續(xù)時(shí)間,也稱1/e壽命。注2:如果從壽命衰減曲線呈現(xiàn)指數(shù)衰減作為壽命測量的起始時(shí)間,這時(shí)的1/e壽命等于基本模式壽命。注3:如果符合小注入條件,且壽命衰減信號是由非平衡少數(shù)載流子提供的,這時(shí)的載流子復(fù)合壽命等于少數(shù)載流子壽命。載流子復(fù)合壽命c(diǎn)arrierrecombinationlifetime在均勻半導(dǎo)體內(nèi)非平衡空穴-電子對由產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時(shí)間間隔。少數(shù)載流子壽命minoritycarrierlifetime均勻半導(dǎo)體內(nèi)非平衡少數(shù)載流子由產(chǎn)生到復(fù)合存在的平均時(shí)間間隔。注:在滿足小注入條件下,其數(shù)值等于非平衡少數(shù)載流子濃度衰減到起始值的1/e(e=2.718)所需的時(shí)間?；灸Ｊ綁勖黳rimarymodelifetime非平衡載流子復(fù)合衰減曲線上滿足指數(shù)衰減部分的時(shí)間常數(shù)。注1:基本模式壽命受材料基體和表面性質(zhì)的影響。注2:基本模式壽命開始的起點(diǎn)是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)確認(rèn)衰減曲線滿足指數(shù)衰減后計(jì)算出的。體壽命bulklifetime體復(fù)合壽命bulkrecombinationlifetime在空穴-電子對的表面復(fù)合忽略不計(jì)的情況下,僅由晶體內(nèi)雜質(zhì)和缺陷的復(fù)合作用所決定的壽命。注:體壽命有時(shí)指少數(shù)載流子壽命,有時(shí)指載流子復(fù)合壽命,區(qū)別于以表面復(fù)合為主的表面壽命。通常壽命測試是為了得到體壽命。表面壽命surfacelifetime由樣品表面復(fù)合所產(chǎn)生的壽命。直觀壽命filamentlifetime1/e壽命1/elifetime示波器上直觀顯示的從脈沖注入結(jié)束到衰減信號降至初始信號的1/e時(shí)的持續(xù)時(shí)間。注1:由于衰減曲線的初始部分往往不符合指數(shù)衰減,因此從衰減曲線的初始部分確定的直觀壽命不能用來確定少數(shù)載流子壽命或載流子復(fù)合壽命;壽命的測量報(bào)告值對直觀壽命進(jìn)行修正后,即從衰減后一段時(shí)間出現(xiàn)的曲線的指數(shù)部分確定。注2:在直流光電導(dǎo)方法中,直觀壽命的確定是指光導(dǎo)電壓峰值或飽和電壓到光導(dǎo)電壓衰減等于初始電壓的1/e時(shí)間。注入水平injectionlevelη在非本征半導(dǎo)體晶體或晶片內(nèi),由光子或其他手段產(chǎn)生的過剩載流子濃度與多數(shù)載流子的平衡濃度之比。18GB/T14264—2024注:注入水平與激發(fā)脈沖停止后立即產(chǎn)生的初始過剩載流子濃度有關(guān)。產(chǎn)生壽命generationlifetime在反向偏置的空間電荷區(qū)中產(chǎn)生電子-空穴對的平均時(shí)間。產(chǎn)生速率generationvelocity表面電子-空穴對載流子的產(chǎn)生速度。注:產(chǎn)生速率與耗盡區(qū)寬度無關(guān),是由表面的電子-空穴對和類似中性體組成的。襯底substrate在半導(dǎo)體器件和電路制造中作為后續(xù)工藝加工操作,具有特定晶向和電學(xué)等特性參數(shù),能直接在其上制作器件,或在其上生長、沉積的同一種或另一種材料的薄膜中制造器件或電路的基底材料。注1:襯底包括半導(dǎo)體材料或非半導(dǎo)體材料;也包括用于同質(zhì)外延的襯底和用于異質(zhì)外延的襯底。注2:襯底也有用sustentationwafer表示的。正表面frontsurface正面frontside已經(jīng)或?qū)⒁谄渖现圃彀雽?dǎo)體有源器件的外露表面。背表面backsurface背面backside相對于正表面的外露表面。拋光面polishedsurface晶片拋光后獲得的如鏡面狀近乎完美的表面。直徑diameter在晶圓片表面通過圓片中心點(diǎn)且不與參考面或圓周上任何基準(zhǔn)區(qū)相交的直線長度。標(biāo)稱直徑nominaldiameter圓形晶片的規(guī)定目標(biāo)直徑。注:例如,直徑150mm、200mm或300mm,一般都有一個(gè)允許的公差范圍。定位基準(zhǔn)fiducial晶片上提供結(jié)晶軸基準(zhǔn)位置的平面或切口。注:用于切口或基準(zhǔn)面的定位?；鶞?zhǔn)面偏差referenceplanedeviation;RPD晶片表面任一指定點(diǎn),沿垂直于基準(zhǔn)面方向與基準(zhǔn)面之間的距離。晶片切口notchonasemiconductorwafer在晶片邊緣具有規(guī)定形狀和尺寸的凹槽,其定向?yàn)橥ㄟ^切口中心的直徑平行于規(guī)定的低指數(shù)晶向。19GB/T14264—2024晶片的參考面flatonsemiconductorwafer晶片圓周的一部分被割去,稱為弦的面。注:參見主參考面、副參考面。主取向參考面primaryorientationflat主參考面晶片上長度最長的參考面。注:用與弦平行規(guī)定的低指數(shù)晶面定向。副參考面secondaryflat長度比主參考面短,用其相對于主參考面的位置標(biāo)記晶片的導(dǎo)電類型和晶向的參考面。參考面直徑flatdiameter半導(dǎo)體晶圓片表面上過中點(diǎn)沿著垂直于主參考平面的直徑,由晶圓片主參考面的平面中心到晶圓片對邊圓周的線性尺寸。注:參考面直徑常與主參考面聯(lián)系在一起。當(dāng)主參考面和副參考面相對的情況下,比如直徑125mm的或更小直徑的{100}n型晶片,因?yàn)橹睆酱怪眳⒖济?它不能與晶片圓周相交,這時(shí)參考面直徑的概念不能使用。邊緣輪廓edgeprofile在邊緣倒角的晶片上,其邊緣經(jīng)化學(xué)或機(jī)械加工整形,是對連結(jié)晶片正表面與表面邊界輪廓的描述。邊緣輪廓部分segmentofanedgeprofile晶圓片上邊緣輪廓的確定區(qū)域。邊緣輪廓部分的參數(shù)parameterofanedgeprofilesegment邊緣輪廓部分的長度、角度或半徑等參數(shù)。邊緣輪廓模型modeledgeprofile由橫截面視圖中的直線(頂端和斜面)和圓弧(肩部)組成的晶片邊緣輪廓。重建的邊緣輪廓reconstructededgeprofile用從邊緣輪廓實(shí)際測量中獲取的參數(shù)構(gòu)造的邊緣輪廓模型。邊緣輪廓的基準(zhǔn)線referencelineofanedgeprofile位于上表面和下表面之間,表示晶片邊緣橫截面視圖上的中位面的線。注:指橫截面視圖q-z參考坐標(biāo)系的q軸。晶圓片邊緣的z軸剖視圖z-axisofacross-sectionalviewoftheedgeofawafer穿過晶片外圍圓線,垂直于通過晶圓片外圍的參考線,原點(diǎn)在晶圓片外圍與參考線的交點(diǎn)處,且指向晶圓片正表面的正方向。20GB/T14264—2024頂端apex位于晶片正表面和背表面肩部之間且近似垂直于基準(zhǔn)線,用于表征晶片邊緣輪廓的區(qū)域。頂角apexangle晶片邊緣輪廓的表征參數(shù),z軸與前頂端或后頂端的夾角。注:如果q坐標(biāo)沿著|z|軸增大而增加,則頂角的符號是正的。頂端長度apexlength晶片邊緣輪廓的表征參數(shù),在邊緣輪廓的前肩和后肩之間沿z軸的距離。注:通常由從基準(zhǔn)線到前肩和后肩2個(gè)距離組成。目標(biāo)輪廓targetprofile使用指定的或預(yù)先選擇的邊緣輪廓參數(shù)構(gòu)造的典型的邊緣輪廓。邊緣寬度edgewidth從晶片表面圓周到邊緣輪廓線末端之間的距離。標(biāo)稱邊緣去除edgeexclusionnominal;EE從合格質(zhì)量區(qū)邊界到晶片物理周邊的距離。邊緣輪廓測量measurededgeprofile測量系統(tǒng)獲得的,由一系列q、z點(diǎn)組成的晶片邊緣輪廓的橫截面視圖。以晶圓片外圍的某一點(diǎn)為原點(diǎn)而建立,用于測量、計(jì)算的坐標(biāo)系統(tǒng)。近邊緣幾何學(xué)nearedgegeometry大直徑晶片近邊緣區(qū)域的表面幾何形態(tài)。近邊緣區(qū)域near-edgeregion圓片位于邊緣的內(nèi)邊界(邊緣輪廓的內(nèi)端)和合格質(zhì)量區(qū)(FQA)的外邊界之間,或根據(jù)研究范圍有時(shí)向合格質(zhì)量區(qū)延伸一小段距離的圓環(huán)形區(qū)域。卷曲edgerolloff;ERO大直徑晶片在近邊緣附近的表面偏差。注:不包括由于晶片邊緣輪廓和表面粗糙度造成的影響。卷曲度edgerolloffamoun;ROA在自由無夾持狀態(tài)下,晶片的近邊緣區(qū)域從基準(zhǔn)線到測量點(diǎn)的位移。注1:ROA定義在遠(yuǎn)離基準(zhǔn)線的方向上為正。注2:晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價(jià)方法。21GB/T14264—2024線性基準(zhǔn)線的卷曲度linearreferencedROA;L-ROA當(dāng)一段直線被作為基準(zhǔn)時(shí),晶片邊緣的卷曲度值。立方曲線基準(zhǔn)的卷曲度polynomialreferencedROA;P-ROA當(dāng)一個(gè)立方曲線被作為基準(zhǔn)時(shí),晶片邊緣的卷曲度值。近邊緣曲率near-edgecurvature;radialdoublederivativeofz(height);ZDD使用晶片高度的陣列數(shù)據(jù)獲得垂直于晶片中位面一系列Z坐標(biāo)的徑向二階導(dǎo)數(shù)所描述的參數(shù)。近邊緣扇形區(qū)域平整度near-edgewafersectorflatness;ESFQR;ESFQD;ESBIR將晶片近邊緣環(huán)形區(qū)域分割成N個(gè)扇形區(qū)域,其若干個(gè)扇形區(qū)域中總指示讀數(shù)(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值。注1:由于選擇的基準(zhǔn)面不同,分別用ESFQR、ESFQD或ESBIR分別描述晶片近邊緣的形態(tài)。注2:近邊緣扇形區(qū)域平整度是晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價(jià)方法之一。近邊緣不完整區(qū)域的局部平整度partialwafersiteflatness;PSFQR;PSFQD將晶片分割成N個(gè)矩形區(qū)域,其近邊緣若干個(gè)不完整局部區(qū)域相對于基準(zhǔn)面的總指示讀數(shù)(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值。注1:由于選擇的基準(zhǔn)面不同,分別以PSFQR或PSFQD分別描述晶片近邊緣的形態(tài)。注2:邊緣不完整區(qū)域的局部平整度是晶片近邊緣幾何形態(tài)的評價(jià)方法。邊緣卷曲確定的基準(zhǔn)線referencelineofanedgeroll-offdetermination對不包括卷曲在內(nèi)的理想表面進(jìn)行擬合后推算得到的直線或立體曲線。合格質(zhì)量區(qū)的扇形區(qū)域sectoroftheFQA合格質(zhì)量區(qū)外環(huán)界定徑向長度和角度的區(qū)域部分。注:其中角度范圍為360°/N,(N為環(huán)內(nèi)扇區(qū)的數(shù)量)。合格質(zhì)量區(qū)fixedqualityarea;FQA優(yōu)質(zhì)固定區(qū)邊緣去除后所限定的各參數(shù)值均符合規(guī)定的晶片表面中心區(qū)域。注:合格質(zhì)量區(qū)的邊界是距標(biāo)稱尺寸的晶片邊緣的所有點(diǎn)。合格質(zhì)量區(qū)的大小與晶片直徑和參考面長度的偏差無關(guān)。為了規(guī)定合格質(zhì)量區(qū),假定在切口基準(zhǔn)位置處晶片標(biāo)稱尺寸的周邊是沿著直徑等于晶片標(biāo)稱直徑的圓周。為規(guī)定去除區(qū)域,對有切口、激光標(biāo)志、或處理/夾片裝置接觸晶片的區(qū)域,規(guī)定的參數(shù)值不適用。厚度thickness通過晶片上一給定點(diǎn)垂直于表面方向穿過晶片的距離。注:光伏用方形硅片也用硅片上規(guī)定測試的多點(diǎn)厚度的均值作為該硅片的厚度。標(biāo)稱厚度nominalthickness晶片的規(guī)定目標(biāo)厚度。22GB/T14264—2024厚度允許偏差allowablethicknesstolerance晶片的中心厚度與標(biāo)稱值間的最大允許差。注:厚度允許偏差也有用標(biāo)稱值的百分?jǐn)?shù)表示?？偤穸茸兓痶otalthicknessvariation;TTV晶片厚度的最大值和最小值間的差。注:最初,總厚度變化(TTV)是通過對少量點(diǎn)的測量確定的,一般是5個(gè)或9個(gè)點(diǎn),但現(xiàn)代測量設(shè)備在整個(gè)合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)以相對較小的間隔對晶片進(jìn)行采樣,并將總厚度變化報(bào)告為總平整度(GBIR)。線性厚度變化linearthicknessvariation;LTV晶片的正表面和背表面能用2個(gè)非平行平面表示的晶片厚度變化。非線性厚度變化nonlinearthicknessvariation;NTV晶片的宏觀非均勻厚度變化。注:其剖面近似于凸透鏡或凹透鏡。錐度taper平行度parallelism晶片沿某一直徑上的最大厚度變化。注:錐度通常用該直徑上的最大厚度差值表示。平整度flatness晶片背表面為理想平面時(shí),以總指示讀數(shù)(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值表示的,晶片正表面相對于一規(guī)定的基準(zhǔn)面的偏差。注1:晶片的平整度描述為下面任何一種:a)總平整度;b)在所有局部區(qū)域測量的局部平整度的最大值;c)局部平整度等于或小于規(guī)定值的局部區(qū)域所占的百分?jǐn)?shù)。注2:真空吸盤將晶片背表面吸附在一個(gè)理想、平坦的吸盤上時(shí),被視為理想平面。焦平面focalplane與成像系統(tǒng)的光軸垂直且包含成像系統(tǒng)焦點(diǎn)的平面。注:成像系統(tǒng)使用的基準(zhǔn)面和焦平面重疊或平行,全視場成像系統(tǒng)使用重疊的總焦平面和基準(zhǔn)面;局部視場成像系統(tǒng)使用局部焦平面和基準(zhǔn)面重合或者使用取代的局部焦平面和總基準(zhǔn)面。若基準(zhǔn)面和焦平面不重合,用焦平面代替基準(zhǔn)面,所以正表面局部區(qū)域的中心點(diǎn)位于焦平面上。焦平面偏差focalplanedeviation;FPD晶片表面的一點(diǎn)平行于光軸到焦平面的距離?？偲秸萭lobalflatness;GBIR在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi),相對于規(guī)定基準(zhǔn)面的總指示讀數(shù)(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值。最大的焦平面偏差maximumfocalplanedeviation焦平面偏差中絕對值最大的值。23GB/T14264—2024百分可用區(qū)域percentusablearea;PVA在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)以百分?jǐn)?shù)表示符合規(guī)定要求的面積比。注:百分可用區(qū)域常是指符合要求的局部平整度區(qū)域(包括完整的或全部的)所占的百分?jǐn)?shù)?；鶞?zhǔn)面referenceplane基準(zhǔn)平面由以下的任意一種方式確定的平面:a)晶片正表面上指定位置的3個(gè)點(diǎn);b)用合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的所有點(diǎn)對晶片正表面進(jìn)行最小二乘法擬合;c)用局部區(qū)域內(nèi)的所有點(diǎn)對晶片正表面進(jìn)行最小二乘法擬合;d)理想的背表面(相當(dāng)于與晶片接觸的理想平坦的吸盤表面)。注:選擇規(guī)定的基準(zhǔn)面可考慮成像系統(tǒng)的能力,根據(jù)晶片放置系統(tǒng)選用正表面或背表面為基準(zhǔn)面。如果成像系統(tǒng)中晶片不能用萬向夾具固定,則規(guī)定背表面為基準(zhǔn)面。掃描方向scandirection在掃描局部平整度計(jì)算中順序掃描次局部區(qū)域的方向。注:局部平整度的掃描方向可能會(huì)影響局部平整度的區(qū)域排列,進(jìn)而影響其數(shù)值?？傊甘咀x數(shù)totalindicatorreading;TIR總指示器偏移totalindicatorrunout包含了晶片正表面合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)或規(guī)定的局部區(qū)域內(nèi)所有的點(diǎn),與基準(zhǔn)面平行的2個(gè)平面之間的最小垂直距離。局部平整度siteflatness;STIR;SBIR;SBID;SF3R;SF3D;SFLR;SFLD;SFQR;SFQD在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi),一個(gè)局部區(qū)域的總指示讀數(shù)(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值。注:晶片局部平整度在不同設(shè)置下用SBIR、SBID、SF3R、SF3D、SFLR、SFLD、SFQR、SFQD表示。掃描局部平整度scannersiteflatness一個(gè)局部區(qū)域內(nèi)的次局部區(qū)域的TIR或焦平面偏差(FPD)的最大值。注1:一個(gè)次局部區(qū)域的總指示讀數(shù)(TIR),是在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)和局部區(qū)域內(nèi)的這個(gè)次局部區(qū)域的總指示讀數(shù)(TIR)。一個(gè)次局部區(qū)域的最大焦平面偏差(FPD),是在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)和局部區(qū)域內(nèi)這個(gè)次局部區(qū)域的最大焦平面偏差(FPD),用SFSR/SFSD表示,基準(zhǔn)面的計(jì)算用到了合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的次局部區(qū)域所有的點(diǎn)。注2:精確的掃描局部平整度要求測量點(diǎn)足夠接近,足以詳細(xì)地顯示表面形貌。目前,掃描局部平整度使用相鄰點(diǎn)間隔為1mm或更小的數(shù)據(jù)點(diǎn)陣列。局部區(qū)域site晶片正表面上平行或垂直于主參考面方向的區(qū)域。局部區(qū)域陣列sitearray一組鄰接的局部區(qū)域。局部區(qū)域內(nèi)的次局部區(qū)域subsiteofasite晶片正表面上與一個(gè)特定局部區(qū)域有關(guān),中心在此局部區(qū)域內(nèi)且矩形的某一部分在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)24GB/T14264—2024或落在其邊界上的矩形區(qū)域。注1:矩形區(qū)域[Lss(長)×Wss(寬)]。注2:次局部區(qū)域與步進(jìn)光刻機(jī)曝光時(shí)的瞬時(shí)區(qū)域相一致。完整局部區(qū)域fullsite整個(gè)區(qū)域均位于合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的局部區(qū)域。不完整局部區(qū)域partialsite一部分位于合格質(zhì)量區(qū)外,但其中心在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的局部區(qū)域。中位面mediansurface與晶片正表面和背表面等距離點(diǎn)的軌跡。3.200彎曲度bow自由無夾持晶片中位面中心點(diǎn)與中位面基準(zhǔn)面間的偏離。注:中位面基準(zhǔn)面是由指定的小于晶片標(biāo)稱直徑的直徑圓周上的3個(gè)等距離點(diǎn)決定的平面。3.201翹曲度warp在合格質(zhì)量區(qū)內(nèi),自由無夾持晶片的中位面相對基準(zhǔn)面的最大和最小距離之差。3.202峰-谷差sori晶片在處于自由無夾持狀態(tài)時(shí),正表面與使用正表面進(jìn)行最小二乘法擬合得到的基準(zhǔn)面間的最大正偏差和最小負(fù)偏差之間的差值。3.203形狀shape當(dāng)晶片處于自由無夾持狀態(tài)時(shí),由在規(guī)定的合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)的總指示讀數(shù)(TIR)范圍或最大的基準(zhǔn)面偏差(RPD)表示,其表面相對于特定基準(zhǔn)面的偏差。3.204偏移(晶圓片上平面的端面區(qū)域)offset(oftheendregionofaflatonawafer)用于定義平面邊界的平面兩端與水平基準(zhǔn)線的垂直偏差。3.205掃描表面檢查系統(tǒng)scanningsurfaceinspectionsystem;SSIS用于快速檢測晶片表面合格質(zhì)量區(qū)內(nèi)表面缺陷的設(shè)備。注1:絕大部分掃描表面檢查系統(tǒng)能夠檢測局部光散射體(顆粒)、劃傷、橘皮、波紋、霧及晶體原生凹坑等表面缺陷。注2:掃描表面檢查系統(tǒng)也稱為顆粒計(jì)數(shù)器或激光表面掃描儀。激光光散射現(xiàn)象laserlight-scatteringevent由探測器接收到的激光束與晶片表面局部光散射體相互作用產(chǎn)生的,超出預(yù)置閾值的脈沖信號。3.205.2局部光散射體localizedlight-scatterer;LLS晶片表面上顆?；虬伎拥葘?dǎo)致相對于周圍晶圓片表面的光散射強(qiáng)度增加的孤立的離散特征。注1:當(dāng)局部光散射體的尺寸足夠大時(shí),在高強(qiáng)度光照射下呈現(xiàn)為可目視觀察到的孤立的亮點(diǎn),因此早期局部光散射體也被稱為亮點(diǎn)缺陷(LPD)。但這種目視觀察是定性的。注2:利用現(xiàn)代自動(dòng)檢測技術(shù)(如激光散射作用)觀測局部光散射體,在能夠區(qū)分不同散射強(qiáng)度的散射物的意義上,自動(dòng)檢測技術(shù)是定量的。25GB/T14264—20243.205.3延伸光散射體extendedlightscattere;XLS在高強(qiáng)度光照射下目視可見,將導(dǎo)致相對于周圍晶片表面的光散射強(qiáng)度增加,在晶片表面或內(nèi)部的大于檢查設(shè)備空間分辨率的特征。注:如區(qū)域沾污、顆粒或晶體原生凹坑等局部光散射體的不明聚集,或是卡盤印、手指或手套印、污跡、蠟或溶劑殘留物等。3.205.4聚苯乙烯乳膠球polystyrenelatexsphere;PLS校準(zhǔn)掃描表面檢查系統(tǒng)(SSIS)所用的參考樣片上沉積的單個(gè)分散的聚苯乙烯材料乳膠球。3.205.5乳膠球當(dāng)量latexsphereequivalence;LSE用一個(gè)乳膠球的直徑來表示一個(gè)局部光散射體的尺寸單位,該乳膠球與局部光散射體具有相同光散射量。注:乳膠球當(dāng)量用“LSE”加使用單位表示,例如0.2μmLSE。3.205.6乳膠球的標(biāo)稱尺寸分布nominalspheresizedistribution用于校準(zhǔn)SSIS的特定標(biāo)稱尺寸的聚苯乙烯乳膠球的直徑在懸浮液中的分布狀況。3.205.7用于掃描表面檢查系統(tǒng)校準(zhǔn)的沉積物depositionforcalibratinganSSIS在參考晶片表面已知位置上沉積的具有已知尺寸分布及已知數(shù)量的參考球。注:也稱為聚苯乙烯乳膠球(PLS)。3.205.8用于掃描表面檢查系統(tǒng)校準(zhǔn)的沉積物的沉積工藝depositionprocessforcalibratinganSSIS將參考球放置在用于校準(zhǔn)SSIS的參考晶片上的程序。3.205.9等效尺寸準(zhǔn)確度equivalentsizingaccuracy在拋光片上沉積具有特定標(biāo)稱尺寸的單個(gè)分散的聚苯乙烯乳膠球,測量乳膠球直徑尺寸的分布變化系數(shù)與由供應(yīng)商所提供的乳膠球的標(biāo)稱尺寸分布的變化系數(shù)之比。定位準(zhǔn)確度positionalaccuracy由SSIS報(bào)告的來自于晶片上的局部光散射體與其在晶片表面上真實(shí)位置的偏差。掃描表面檢查系統(tǒng)的X-Y不確定度scannerX-YuncertaintyofanSSIS在可重復(fù)性條件下確定的由SSIS在檢測中報(bào)告的X和Y位置的1σ標(biāo)準(zhǔn)差的平方和的平方根。俘獲率capturerate;CRSSIS在確定的設(shè)置下運(yùn)行時(shí),其檢測到的局部光散射體的乳膠球當(dāng)量信號的概率。虛假計(jì)數(shù)falsecount;FC由設(shè)備原因引起的,而不是來自晶片表面或近表面發(fā)生的激光光散射現(xiàn)象。注:也稱為正向虛假計(jì)數(shù)或正向誤報(bào)計(jì)數(shù)。虛假計(jì)數(shù)率falsecountrate;FCR在SSIS設(shè)置運(yùn)行時(shí),由系統(tǒng)報(bào)告每個(gè)晶片上的總虛假計(jì)數(shù)的平均值。26GB/T14264—2024累計(jì)虛假計(jì)數(shù)率cumulativefalsecountrate;CFCR由SSIS報(bào)告的乳膠球當(dāng)量直徑尺寸等于或大于局部光散射體尺寸(Si)的虛假計(jì)數(shù)在多次(Z次)掃描中的總數(shù)平均值。漏掉的計(jì)數(shù)missingcount在SSIS中,局部光散射體不能產(chǎn)生激光散射事件的情況。注:也稱作虛假負(fù)計(jì)數(shù)。重復(fù)計(jì)數(shù)repeatcountsofanSSIS在掃描儀XY不確定距離內(nèi)的后續(xù)掃描中發(fā)現(xiàn)的,與在早期掃描中發(fā)現(xiàn)的位置相同的局部光散射體。注:如果缺陷密度足夠低,重復(fù)計(jì)數(shù)是由再次檢測相同的事件產(chǎn)生的,而不是SSIS噪聲的結(jié)果;除了局部光散射體的絕對位置外,局部光散射體的乳膠球當(dāng)量信號可能是另外一個(gè)匹配條件。討厭的計(jì)數(shù)nuisancecount在SSIS中,由被研究的局域光散射體以外的離散或面積表面或近表面特征產(chǎn)生的信號脈沖。注:討厭的計(jì)數(shù)不是真實(shí)的計(jì)數(shù),取決于閾值和增益設(shè)置,也可能是SSIS的光學(xué)結(jié)構(gòu)、晶片表面的方向或兩者的函數(shù)。靜態(tài)方法staticmethod在1級變化率的條件下進(jìn)行測試的方法。注:掃描期間,被測晶片不被從SSIS的樣品臺上移出。3.205.20動(dòng)態(tài)方法dynamicmethod在2級變化率的條件下進(jìn)行測試的方法。注:連續(xù)掃描期間,被測晶片每次都需要重新裝載到SSIS樣品臺,掃描后移出。3.205.21動(dòng)態(tài)范圍dynamicrange在測試條件設(shè)定的情況下,SSIS能夠收集信號的覆蓋范圍。3.205.22變化率級別levelvariability提供程序?qū)SIS進(jìn)行校準(zhǔn)和調(diào)節(jié),用不同等級的變化率描述其性能水平:a)1級變化率:也稱為可重復(fù)性,在n次測試期間,測試晶片不被從測試系統(tǒng)上取下,其對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ1;b)2級變化率:校準(zhǔn)一次后,在同樣的測試條件下,在盡可能短的時(shí)間內(nèi)對晶片重復(fù)測試n次,且每次均需裝載和取出晶片,其對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ2;c)3級變化率:在1級和2級變化率規(guī)定的條件下,每天進(jìn)行n次測量,共進(jìn)行5d,其對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ3。3.205.23匹配公差matchingtoleranceΔm在3級變化率的條件下,應(yīng)用測量系統(tǒng)分析(MSA)分別確定2個(gè)同一種類測試系統(tǒng)的偏倚差值。27GB/T14264—2024注:如果對每個(gè)系統(tǒng)給出一個(gè)穩(wěn)定、確定的偏倚,并且如果每個(gè)系統(tǒng)有可接受的線性,則2個(gè)偏倚相減能夠獲得設(shè)備的匹配公差。3.205.24閾值thresholdSSIS中設(shè)置的最小檢測信號的起始水平。3.205.25霧haze由表面形貌(微粗糙度)及表面或近表面高濃度的不完整性引起的非定向光散射現(xiàn)象。注:霧是由一群不完整性的存在引起的群體效果;某些情況下霧不能用眼或沒有放大的光學(xué)檢測系統(tǒng)很容易的辨別。對于SSIS,霧有時(shí)引起本底信號及激光光散射現(xiàn)象,它和來自晶片表面的光散射,兩者共同組成信號。霧是由光學(xué)系統(tǒng)收集的、由入射通量歸一化的總散射光通量。也被稱為拋光霧。3.206顆粒particle不連續(xù)地附著到晶片上的微小的、分別獨(dú)立的外來物質(zhì)。注:顆粒也稱為微粒(particulate)。3.207潔凈包裝cleanpackage用專用的運(yùn)輸片盒進(jìn)行拋光片、外延片、SOI等晶片的包裝,使其在運(yùn)輸、貯存過程中避免顆粒、金屬及有機(jī)物對片盒中晶片的沾污。3.208片盒waferbox用于貯存和運(yùn)輸晶片,由盒底和盒蓋組成的帶有裝載晶片片籃的封閉容器。3.209位于硅片正表面,由于氧濃度下降到一個(gè)比較低的水平,導(dǎo)致體微缺陷密度(氧沉淀)和金屬的減少的特定區(qū)域。3.210標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口系統(tǒng)standardmechanicalinterface;SMIF自動(dòng)物料搬運(yùn)系統(tǒng)的3個(gè)組成部分(存儲系統(tǒng)、搬運(yùn)系統(tǒng)和整體系統(tǒng)控制軟件)中的自動(dòng)化機(jī)械接口裝置。3.211激光刻字lasermarking利用激光將供方代碼和其他信息刻于晶片某一位置的標(biāo)記。3.212相鄰字符未對準(zhǔn)度adjacentcharactermisalignmentRadj同一行2個(gè)相鄰字符的字符基線之間的垂直距離。3.213字符間距characterspacing晶片表面激光刻字中相鄰字符的字符中心線之間的水平距離。3.214字符窗口characterwindow晶片表面激光刻字中將所有字符都包含在內(nèi)的矩形窗口。28GB/T14264—20243.215行字符未對準(zhǔn)度linespacingmisalignmentRline晶片表面激光刻字中同一行最高和最低字符的基線之間的垂直距離。3.216鍺礦或含鍺的鉛鋅礦經(jīng)過火法或濕法提取富集鍺后,鍺含量一般在1.0%~60.0%的鍺富集物。注:是生產(chǎn)粗四氯化鍺的主要原料。3.217水解(鍺)hydrolysis(germanium)將高純四氯化鍺置于水解反應(yīng)釜內(nèi),加入7等份左右體積的去離子水,控制反應(yīng)條件經(jīng)水解反應(yīng)后生成二氧化鍺,再經(jīng)過濾烘干后得到高純二氧化鍺的過程。3.218粗四氯化鍺lowpuritygermaniumchloride采用鍺精礦為原料,經(jīng)過鹽酸浸出、氧化蒸餾分離后得到的,其純度一般在95%~99%的初級四氯化鍺產(chǎn)品。注:是生產(chǎn)高純四氯化鍺的原料。3.219高純四氯化鍺highpuritygermaniumtetrachloride粗四氯化鍺經(jīng)提純后得到的高純鍺的氯化物。注:常被用于生產(chǎn)高純二氧化鍺、有機(jī)鍺以及作為生產(chǎn)光纖預(yù)制棒的摻雜劑。3.220高純二氧化鍺highpuritygermaniumdioxide高純四氯化鍺經(jīng)過水解反應(yīng)后得到的產(chǎn)物。注:重要的鍺化合物,常被用于化學(xué)催化劑,生產(chǎn)金屬鍺、有機(jī)鍺、鍺酸鉍閃爍晶體等。3.221還原鍺錠reductionofingotgermanium將高純二氧化鍺通過氫氣還原得到的高純金屬鍺錠。3.222區(qū)熔鍺錠germaniumingotmeltedinzone以純度為4N~5N的還原鍺錠為原料,通過區(qū)熔提純后得到的在23℃時(shí)電阻率不低于47Ω·cm或者20℃時(shí)電阻率不低于50Ω·cm的高純金屬鍺錠。3.223退火annealing改變晶片或晶棒特性的熱過程。注:根據(jù)需要有不同的退火工藝,如硅單晶和砷化鎵的消除氧施主退火、消除熱應(yīng)力退火等。3.224硅退火片annealedsiliconwafer在惰性氣氛或減壓氣氛下,通過高溫退火致使近表面形成一個(gè)潔凈區(qū)(無COP缺陷)的硅片。注:根據(jù)退火工藝不同,常用的有氬氣退火硅片(argonannealedwafer)、氫氣退火硅片(hydrogenannealedwafer)。3.225熱過程監(jiān)控片furnaceandthermalprocesseswafer用于評估熱過程工藝中金屬沾污的晶片。29GB/T142