MOSFET(MOS管)行業(yè)發(fā)展概覽報(bào)告2024-2026

2024-2026MOSFET(MOS管)行業(yè)發(fā)展概覽報(bào)告匯報(bào)人：李珊平2024-08-01FROMBAIDUWENKU定義或者分類(lèi)特點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展歷程政治環(huán)境商業(yè)模式目錄CONTENTSFROMBAIDUWENKU經(jīng)濟(jì)環(huán)境社會(huì)環(huán)境技術(shù)環(huán)境發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)壁壘行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)痛點(diǎn)問(wèn)題及解決方案行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景機(jī)遇與挑戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)格局經(jīng)濟(jì)環(huán)境社會(huì)環(huán)境技術(shù)環(huán)境發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)壁壘行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)行業(yè)現(xiàn)狀目錄CONTENTSFROMBAIDUWENKU行業(yè)痛點(diǎn)問(wèn)題及解決方案行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景機(jī)遇與挑戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)格局01定義或者分類(lèi)特點(diǎn)FROMBAIDUWENKUCHAPTER什么是MOSFET(MOS管)MOSFET，又稱(chēng)MOS、MOS管，全稱(chēng)為MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。根據(jù)工作載流子的極性不同，功率MOSFET可進(jìn)一步分為N溝道型（NMOS）與P溝道型（PMOS），兩者極性不同但工作原理類(lèi)似，在實(shí)際電路中采用導(dǎo)通電阻小、制造較容易的N溝道型MOSFET。MOSFET具有三個(gè)電極，分為源極（Source）、漏極（Drain）以及柵極（Gate），通過(guò)控制柵極所加電壓可控制源極與漏極之間的導(dǎo)通與關(guān)閉。以N溝道MOSFET為例，當(dāng)G、S極之間的電壓為零時(shí)，D、S之間不導(dǎo)通，相當(dāng)于開(kāi)路，而當(dāng)G、S極之間的電壓為正且超過(guò)一定界限時(shí)，D、S極之間則可通過(guò)電流，因此功率MOSFET在電路中起到的作用近似于開(kāi)關(guān)。定義02產(chǎn)業(yè)鏈FROMBAIDUWENKUCHAPTER晶圓、封裝材料等原材料供應(yīng)商、生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商上游MOSFET制造企業(yè)中游消費(fèi)電子、通訊、汽車(chē)電子、CPU/GPU、工業(yè)、電子照明下游產(chǎn)業(yè)鏈01020303發(fā)展歷程FROMBAIDUWENKUCHAPTER1959年，全球首款功能性MOSFET問(wèn)世，這款產(chǎn)品使用了硅低襯、二氧化硅柵極電介質(zhì)和AI柵極電極。此后，通過(guò)引入雜質(zhì)吸附的方法以及提高對(duì)環(huán)境清潔度的控制，MOSFET柵極不穩(wěn)定的問(wèn)題得到了解決。這一時(shí)期，功率器件領(lǐng)域內(nèi)成功建立起MOSFET的漏極電流Id和漏極電壓Vd以及柵極電壓之間的關(guān)系模型，但由于MOSFET驅(qū)動(dòng)電流低于雙極結(jié)晶體管，且閾值電壓不穩(wěn)定，尚未成為主流雙極技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)者。發(fā)展歷程萌芽期（1959-1969年）成長(zhǎng)期（1970-1980年）快速發(fā)展期（1981-2013年）高速發(fā)展期（2014年至今）20世紀(jì)60年代后期，MOSFET開(kāi)始采用多晶硅柵極電極。70年代初，多晶硅柵極在高溫?fù)诫s擴(kuò)散時(shí)形成源-漏極區(qū)域的標(biāo)志，從而讓源極/漏極和柵極電極自行對(duì)齊，使MOSFET尺寸不斷縮小成為了可能。在此背景下，MOSFET開(kāi)始被用于LSI電路的制造，如內(nèi)存和微處理器，但高性能大型計(jì)算機(jī)主要還是使用雙極結(jié)晶體管。隨著技術(shù)的進(jìn)步，MOSFET的特征尺寸不斷減小。為解決短通道效應(yīng)，業(yè)界提出了輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)。自6μm代MOSFET以來(lái)，電源電壓二十多年保持在5V，最終在0.5μm代技術(shù)產(chǎn)生時(shí)，電源電壓下降至3V，電源電壓的下降有效緩解了漏極附近橫向電場(chǎng)的壓力。20世紀(jì)80年代中期，雙柵COMS工藝出現(xiàn)，CMOSLSI逐漸替代NMOSLSI。COMS集成電路被廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路與模擬電路中，MOSFET成為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)器件之一。關(guān)于柵極氧化物的厚度，當(dāng)時(shí)業(yè)界普遍認(rèn)為3nm是極限，低于該數(shù)值時(shí)則出現(xiàn)隧穿現(xiàn)象。2016年，IBM利用強(qiáng)度更大的背光注入技術(shù)成功地制造出了厚度4nm、柵長(zhǎng)6nm的MOSFET，是目前世界上能夠?qū)嶋H運(yùn)行的“最小”的MOSFET。為實(shí)現(xiàn)器件進(jìn)一步的縮小與集成，MOSFET在納米級(jí)別還在現(xiàn)基礎(chǔ)上進(jìn)一步向更小尺寸發(fā)展。為突破物理極限，當(dāng)前國(guó)際各科研團(tuán)隊(duì)在新材料特殊屬性基礎(chǔ)上研發(fā)，試圖制造出更高性能更低功率更小尺寸的MOSFET。04政治環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER描述中央辦公廳、辦公廳:《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》:強(qiáng)調(diào)制定國(guó)家信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要的重要性，以體系化思維彌補(bǔ)單點(diǎn)弱勢(shì)，打造國(guó)際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)根本性突破。:《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新型發(fā)展產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》:指出加快制定寬禁帶半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)電子器件變革性升級(jí)換代。在科研領(lǐng)域加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，形成一批專(zhuān)用關(guān)鍵制造設(shè)備，提升光網(wǎng)絡(luò)通信元器件支撐能力。發(fā)改委:《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》:重點(diǎn)支持電力電子功率器件核心產(chǎn)業(yè)，其中包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管芯片（IGBT）及模塊、快恢復(fù)二極管（FRD）、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶閘管（GTO）、集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）、中小功率智能模塊。政治環(huán)境1政治環(huán)境中央辦公廳、辦公廳《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》:強(qiáng)調(diào)制定國(guó)家信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要的重要性，以體系化思維彌補(bǔ)單點(diǎn)弱勢(shì)，打造國(guó)際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)根本性突破。《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新型發(fā)展產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》:指出加快制定寬禁帶半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)電子器件變革性升級(jí)換代。在科研領(lǐng)域加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，形成一批專(zhuān)用關(guān)鍵制造設(shè)備，提升光網(wǎng)絡(luò)通信元器件支撐能力。發(fā)改委政治環(huán)境《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確指出做強(qiáng)信息技術(shù)核心產(chǎn)業(yè)，提升核心基礎(chǔ)硬件供給能力。推動(dòng)電子器件變革性升級(jí)換代，加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新的一輪高速發(fā)展期。《“十三五”國(guó)家信息化規(guī)劃》制定國(guó)家信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要，以體系化思維彌補(bǔ)單點(diǎn)弱勢(shì)，打造國(guó)際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)根本性突破?！吨袊?guó)制造2025》把核心基礎(chǔ)零部件（元器件）、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料和產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)（統(tǒng)稱(chēng)“四基”）作為著力破解的發(fā)展瓶頸；并把集成電路及專(zhuān)用裝備作為重點(diǎn)發(fā)展對(duì)象，要求著力提升集成電路設(shè)計(jì)水平，不斷豐富知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）核和設(shè)計(jì)工具，突破關(guān)系國(guó)家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國(guó)產(chǎn)芯片的應(yīng)用適配能力?！秶?guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》設(shè)立國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金，重點(diǎn)支持集成電路制造領(lǐng)域，兼顧設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、裝備、材料環(huán)節(jié)，推動(dòng)企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實(shí)行兼并重組、規(guī)范企業(yè)治理，形成良性自我發(fā)展能力。05商業(yè)模式FROMBAIDUWENKUCHAPTER06經(jīng)濟(jì)環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER我國(guó)經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展，幾度趕超世界各國(guó)，一躍而上，成為GDP總量?jī)H次于美國(guó)的唯一一個(gè)發(fā)展中國(guó)家。我國(guó)經(jīng)濟(jì)趕超我國(guó)人口基數(shù)大，改革開(kāi)放后人才競(jìng)爭(zhēng)激烈，大學(xué)生就業(yè)情況一直困擾著我國(guó)發(fā)展過(guò)程中。就業(yè)問(wèn)題挑戰(zhàn)促進(jìn)社會(huì)就業(yè)公平問(wèn)題需持續(xù)關(guān)注并及時(shí)解決，個(gè)人需提前做好職業(yè)規(guī)劃與人生規(guī)劃重中之重。公平就業(yè)關(guān)注經(jīng)濟(jì)環(huán)境07社會(huì)環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER總體發(fā)展穩(wěn)中向好我國(guó)總體發(fā)展穩(wěn)中向好，宏觀環(huán)境穩(wěn)定繁榮，對(duì)于青年人來(lái)說(shuō)，也是機(jī)遇無(wú)限的時(shí)代。關(guān)注就業(yè)公平與提前規(guī)劃促進(jìn)社會(huì)就業(yè)公平問(wèn)題需持續(xù)關(guān)注并及時(shí)解決，對(duì)于個(gè)人來(lái)說(shuō)提前做好職業(yè)規(guī)劃、人生規(guī)劃也是人生發(fā)展的重中之重。就業(yè)問(wèn)題與人才競(jìng)爭(zhēng)我國(guó)人口基數(shù)大，就業(yè)問(wèn)題一直是發(fā)展過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)，人才競(jìng)爭(zhēng)激烈，大學(xué)生畢業(yè)后就業(yè)情況、失業(yè)人士困擾國(guó)家發(fā)展。政治體系與法治化進(jìn)程自改革開(kāi)放以來(lái)，政治體系日趨完善，法治化進(jìn)程也逐步趨近完美，市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)體系也在不斷蓬勃發(fā)展。中國(guó)當(dāng)前的環(huán)境下描述了當(dāng)前技術(shù)發(fā)展的日新月異，包括人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等前沿技術(shù)的涌現(xiàn)。技術(shù)環(huán)境需求增長(zhǎng)、消費(fèi)升級(jí)、技術(shù)創(chuàng)新等是行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素，推動(dòng)了行業(yè)的進(jìn)步。發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素行業(yè)壁壘包括資金、技術(shù)、人才、品牌、渠道等方面的優(yōu)勢(shì)，提高了新進(jìn)入者的難度。行業(yè)壁壘我國(guó)經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展08技術(shù)環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER技術(shù)驅(qū)動(dòng)技術(shù)環(huán)境的發(fā)展為行業(yè)帶來(lái)了新的機(jī)遇，是行業(yè)發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)力。創(chuàng)新動(dòng)力技術(shù)環(huán)境的不斷創(chuàng)新和進(jìn)步，為行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展提供了有力支持。人才需求技術(shù)環(huán)境的發(fā)展促進(jìn)了人才的需求和流動(dòng)，為行業(yè)的人才隊(duì)伍建設(shè)提供了機(jī)遇。團(tuán)隊(duì)建設(shè)技術(shù)環(huán)境的發(fā)展要求企業(yè)加強(qiáng)團(tuán)隊(duì)建設(shè)，提高員工的技能和素質(zhì)，以適應(yīng)快速變化的市場(chǎng)需求。合作與交流技術(shù)環(huán)境的發(fā)展促進(jìn)了企業(yè)間的合作與交流，推動(dòng)了行業(yè)的整體發(fā)展。技術(shù)環(huán)境010203040509發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素FROMBAIDUWENKUCHAPTER發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素近五年來(lái)，國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持力度持續(xù)加碼，在產(chǎn)業(yè)政策支持和國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的推動(dòng)作用下，中國(guó)功率MOSFET行業(yè)整體的技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝、自主創(chuàng)新能力和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化率有了較大的提升。政策支持早在2010年，國(guó)家發(fā)改委《關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)的通知》中，確立了功率器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)重點(diǎn)，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRO等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。近五年來(lái)，國(guó)家出臺(tái)了一系列政策扶持民族半導(dǎo)體制造行業(yè)，培養(yǎng)了一批專(zhuān)業(yè)人才，行業(yè)內(nèi)整體科研水平迅速提升，大批分立器件制造企業(yè)在短時(shí)間內(nèi)迅速壯大。地緣政治因素也為內(nèi)資產(chǎn)品提供了更大的市場(chǎng)空間。中國(guó)是世界上最大的MOSFET市場(chǎng)，對(duì)MOSFET有巨大的市場(chǎng)需求，受制于國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品性能，大部分高端應(yīng)用領(lǐng)域在原材料采購(gòu)進(jìn)程中不會(huì)將國(guó)產(chǎn)MOSFET納入選擇范圍。2018年的“中興事件”加速了國(guó)內(nèi)各行業(yè)對(duì)于半導(dǎo)體器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，部分下游企業(yè)開(kāi)始嘗試使用國(guó)產(chǎn)分立器件產(chǎn)品替代進(jìn)口產(chǎn)品，為中國(guó)功率器件廠商提供了難得的市場(chǎng)機(jī)遇。宏觀環(huán)境助推國(guó)產(chǎn)品牌崛起隨著電子整機(jī)、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等產(chǎn)業(yè)鏈下游行業(yè)市場(chǎng)份額的擴(kuò)張，MOSFET市場(chǎng)規(guī)模仍有可觀的發(fā)展空間。汽車(chē)電氣化刺激MOSFET帶來(lái)巨大的增量，下游電子整機(jī)對(duì)節(jié)能環(huán)保的需求在拉動(dòng)分立器件產(chǎn)品需求量增長(zhǎng)的同時(shí)，同時(shí)帶動(dòng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)。隨著5G商用化進(jìn)程的開(kāi)始以及TypeC在移動(dòng)端的進(jìn)一步覆蓋，寬禁帶MOSFET的需求量將成倍增長(zhǎng)。同時(shí)有關(guān)SiC基、GsN基及封裝等新技術(shù)新工藝的發(fā)展使新型MOSFET產(chǎn)品展現(xiàn)出良好的性能，工作溫度、電阻、功率、電壓、頻率等屬性的優(yōu)化促使MOSFET可適用于更多應(yīng)用場(chǎng)景。寬禁帶MOSFET芯片的售價(jià)與利潤(rùn)率遠(yuǎn)高于硅基MOSFET芯片，隨著新材料分立器件的應(yīng)用普及，未來(lái)MOSFET的整體市場(chǎng)規(guī)模將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)大。下游市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)張MOSFET升級(jí)之路包括制程縮小、技術(shù)變化、工藝進(jìn)步。MOSFET在工藝線寬、器件結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)工藝know-how三個(gè)層面的技術(shù)發(fā)化放緩，隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)線建設(shè)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面速度加快，國(guó)內(nèi)外差距將明顯縮窄。另一方面國(guó)外廠商逐步退出中低端市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)有機(jī)會(huì)承接市場(chǎng)份額。MOSFET國(guó)內(nèi)外差距縮小，國(guó)產(chǎn)廠商有望承接市場(chǎng)份額10行業(yè)壁壘FROMBAIDUWENKUCHAPTER11行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)FROMBAIDUWENKUCHAPTER12行業(yè)現(xiàn)狀FROMBAIDUWENKUCHAPTER市場(chǎng)情況描述行業(yè)現(xiàn)狀MOSFET缺貨跡象已現(xiàn)。消費(fèi)/工控/汽車(chē)產(chǎn)品對(duì)MOSFET需求持續(xù)提升，而新一代CPU、GPU平臺(tái)，都需要加裝MOSFET芯片出貨，疊加國(guó)內(nèi)兩輪電動(dòng)車(chē)產(chǎn)量攀升趨勢(shì)不改，MOSFET產(chǎn)品需求極其旺盛。但是由于芯片設(shè)計(jì)廠商MOSFET產(chǎn)品在搶占產(chǎn)能時(shí)的優(yōu)先級(jí)略低于電源管理IC產(chǎn)品，因此造成缺貨跡象尤為明顯。供需緊張的態(tài)勢(shì)將使得部分產(chǎn)品價(jià)格有望出現(xiàn)調(diào)漲。終端需求強(qiáng)勁及8寸代工費(fèi)漲價(jià)趨勢(shì)較為確定，雙重因素將反應(yīng)至產(chǎn)品價(jià)格，功率MOSFET價(jià)格有望進(jìn)一步調(diào)漲，而兼具產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)內(nèi)功率IDM企業(yè)將最大程度受益。而功率IDM企業(yè)不僅擁有豐富產(chǎn)能，可以最大限度吸收豐富訂單，同時(shí)在制造端擁有極強(qiáng)的成本優(yōu)勢(shì)，將充分受益。行業(yè)現(xiàn)狀01市場(chǎng)份額變化中國(guó)MOSFET行業(yè)整體不斷發(fā)展，市場(chǎng)規(guī)模（以銷(xiāo)量計(jì)）從2014年的8億只增長(zhǎng)至2018的年938億只，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)325%。2016年，中國(guó)MOSFET行業(yè)結(jié)束了自2012年起市場(chǎng)份額逐年增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，其主要原因如下:（1）宏觀上，由于全球經(jīng)濟(jì)整體復(fù)蘇乏力，且PC市場(chǎng)衰退，移動(dòng)通信終端市場(chǎng)增速減緩及平板等主要電子產(chǎn)品市場(chǎng)發(fā)展放緩；（2）2014-2015年積累的大批產(chǎn)能在2016年電子產(chǎn)品市場(chǎng)結(jié)構(gòu)調(diào)整中爆發(fā)，疊加下游端的需求壓縮，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)能過(guò)剩的情況大量存在。但受物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、智能制造、智能交通、醫(yī)療電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)拓展的影響，自2016年起，中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模再次恢復(fù)了逐年增長(zhǎng)的發(fā)展趨勢(shì)。行業(yè)現(xiàn)狀02市場(chǎng)情況2019年3月起，MOSFET的價(jià)格從高點(diǎn)下跌，消費(fèi)電子整機(jī)出口量的下降直接壓縮了中小廠商的生存空間。雖然上游晶圓供應(yīng)情況逐漸緩解，價(jià)格出現(xiàn)了10%左右的降幅，但中國(guó)中小MOSFET下游市場(chǎng)需求主要集中于消費(fèi)電子領(lǐng)域，隨著下游需求的銳減，競(jìng)爭(zhēng)加劇，利率空間直接被壓縮。而華南等地小廠將面臨供應(yīng)鏈不全的壓力，中小型MOSFET廠商難以低價(jià)獲得晶圓，低端客戶(hù)又難以承受MOSFET整體價(jià)格上漲帶來(lái)的成本壓力，部分中小廠商開(kāi)始接低于10%利潤(rùn)率的訂單。在中國(guó)長(zhǎng)三角及華南地區(qū)有大量中小MOSFET廠商，這些廠商多為Fabless模式，芯片制造與封裝環(huán)節(jié)外包，甚至不進(jìn)行測(cè)試直接售賣(mài)。在產(chǎn)能調(diào)整時(shí)期，MOSFET市場(chǎng)集中度將逐漸提升，落后產(chǎn)能將被市場(chǎng)逐漸淘汰，整體產(chǎn)品質(zhì)量逐漸提高。行業(yè)現(xiàn)狀汽車(chē)電氣化為MOSFET帶來(lái)巨大的增量空間2017年2月，發(fā)布的《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》中提出，到2020年中國(guó)新能源汽車(chē)年產(chǎn)銷(xiāo)200萬(wàn)輛以上，累計(jì)產(chǎn)銷(xiāo)超過(guò)500萬(wàn)輛，整體技術(shù)水平保持與國(guó)際同步，形成一批具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的新能源汽車(chē)整車(chē)和關(guān)鍵零部件企業(yè)。2015年11月，國(guó)家發(fā)改委印發(fā)的《電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南（2015-2020）》提出，到2020年中國(guó)充換電站數(shù)量達(dá)到2萬(wàn)個(gè)，分散式充電樁超過(guò)480萬(wàn)個(gè)。傳統(tǒng)汽車(chē)中，MOSFET主要用于輔助驅(qū)動(dòng)各種電動(dòng)馬達(dá)，包括通風(fēng)系統(tǒng)、雨刮器、電動(dòng)車(chē)窗等。電動(dòng)汽車(chē)中大量電氣控制裝置將促使MOSFET的用量大幅上升。根據(jù)英飛凌測(cè)算，電動(dòng)汽車(chē)中半導(dǎo)體價(jià)值量接近傳統(tǒng)汽車(chē)的兩倍，MOSFET與IGBT等功率器件是電動(dòng)車(chē)電機(jī)控制器實(shí)現(xiàn)功率變換的核心部件，高端電動(dòng)汽車(chē)中，MOSFET器件用量可達(dá)250只。同時(shí)新能源汽車(chē)的普及也將進(jìn)一步帶動(dòng)充電樁的需求，MOSFET作為充電樁的核心功率器件，其銷(xiāo)量將隨著充電樁分布密度的提高不斷上升。01在低壓MOSFET市場(chǎng)中PC占據(jù)了40%以上的市場(chǎng)份額，每一代CPU（又稱(chēng)“主板”）、GPU（又稱(chēng)“顯卡”）的更迭都會(huì)帶動(dòng)一波MOSFET的市場(chǎng)需求。隨著CPU、GPU運(yùn)算能力的上升，所需供電電流愈高，當(dāng)電流超過(guò)電子元件的承受能力后，多相供電就成為了必要。多相供電電路中每一項(xiàng)供電都至少需要上下橋兩個(gè)MOSFET。電競(jìng)的蓬勃發(fā)展促使PC硬件最高配置逐年升級(jí)，當(dāng)前英偉達(dá)領(lǐng)先產(chǎn)品NVIDIATITANRTX中搭載的iMOSDrMOS電源高達(dá)13相，遠(yuǎn)高于五年前主流的4-6相供電，CPU與GPU的算力提高使MOSFET用量大幅增加。0213行業(yè)痛點(diǎn)FROMBAIDUWENKUCHAPTER14問(wèn)題及解決方案FROMBAIDUWENKUCHAPTER15行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景FROMBAIDUWENKUCHAPTER發(fā)展趨勢(shì)前景描述需求占比調(diào)整:隨著汽車(chē)電子化以及工業(yè)系統(tǒng)智能化程度的不斷加深，到2022年MOSFET下游應(yīng)用中，汽車(chē)占比為22%，計(jì)算機(jī)及存儲(chǔ)占比為19%，工業(yè)占比為14%。中低壓市場(chǎng)國(guó)外大廠退出，國(guó)內(nèi)廠商有望承接市場(chǎng)份額:瑞薩電子是全球最大的中低壓MOSFET廠商，公司在該領(lǐng)域市場(chǎng)占比為40%，2013年瑞薩率先退出中低壓MOSFET領(lǐng)域，其他廠商也紛紛開(kāi)始向毛利率較高的高壓MOSFET領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。中國(guó)是全球最大的消費(fèi)電子生產(chǎn)國(guó)，對(duì)中低壓MOSFET需求巨大，目前士蘭微的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了白色家電領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商有望承接中低壓MOSFET領(lǐng)域的市場(chǎng)份額，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。行業(yè)洗牌，集中度不斷提高:在上游晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)緊張的情況下，以英飛凌為代表的國(guó)際功率器件大廠轉(zhuǎn)向新能源領(lǐng)域高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)，中低端功率器件的市場(chǎng)空白是長(zhǎng)期存在的，這為當(dāng)前在中低端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代的中國(guó)MOSFET廠商帶來(lái)了機(jī)會(huì)，另一方面也加速了行業(yè)洗牌。大尺寸晶圓片將成為主要原材料:半導(dǎo)體材料成本占MOSFET的30%-40%，寬禁帶材料MOSFET甚至在60%以上，是至關(guān)重要的一環(huán)。在國(guó)際市場(chǎng)中，MOSFET多使用8英寸基片制造半導(dǎo)體二極管，加工技術(shù)成熟，產(chǎn)品性能穩(wěn)定。在12英寸晶圓片領(lǐng)域，當(dāng)前國(guó)際功率器件廠商只有英飛凌有相關(guān)技術(shù)，日本東芝、三菱以及臺(tái)灣地區(qū)的功率半導(dǎo)體廠商主要產(chǎn)品集中于8英寸領(lǐng)域。近三年來(lái)，中國(guó)大陸不斷有8寸、12寸先進(jìn)制程的晶圓廠建成并投產(chǎn)，未來(lái)8英寸、12英寸大尺寸晶圓片將成為MOSFET的主要原材料。行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景需求占比調(diào)整隨著汽車(chē)電子化以及工業(yè)系統(tǒng)智能化程度的不斷加深，到2022年MOSFET下游應(yīng)用中，汽車(chē)占比為22%，計(jì)算機(jī)及存儲(chǔ)占比為19%，工業(yè)占比為14%。行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)前景01020304中低壓市場(chǎng)國(guó)外大廠退出，國(guó)內(nèi)廠商有望承接市場(chǎng)份額瑞薩電子是全球最大的中低壓MOSFET廠商，公司在該領(lǐng)域市場(chǎng)占比為40%，2013年瑞薩率先退出中低壓MOSFET領(lǐng)域，其他廠商也紛紛開(kāi)始向毛利率較高的高壓MOSFET領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。中國(guó)是全球最大的消費(fèi)電子生產(chǎn)國(guó)，對(duì)中低壓MOSFET需求巨大，目前士蘭微的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了白色家電領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商有望承接中低壓MOSFET領(lǐng)域的市場(chǎng)份額，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。行業(yè)洗牌，集中度不斷提高在上游晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)緊張的情況下，以英飛凌為代表的國(guó)際功率器件大廠轉(zhuǎn)向新能源領(lǐng)域高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)，中低端功率器件的市場(chǎng)空白是長(zhǎng)期存在的，這為當(dāng)前在中低端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代的中國(guó)MOSFET廠商帶來(lái)了機(jī)會(huì)，另一方面也加速了行業(yè)洗牌。大尺寸晶圓片將成為主要原材料半導(dǎo)體材料成本占MOSFET的30%-40%，寬禁帶材料MOSFET甚至在60%以上，是至關(guān)重要的一環(huán)。在國(guó)際市場(chǎng)中，MOSFET多使用8英寸基片制造半導(dǎo)體二極管，加工技術(shù)成熟，產(chǎn)品性能穩(wěn)定。在12英寸晶圓片領(lǐng)域，當(dāng)前國(guó)際功率器件廠商只有英飛凌有相關(guān)技術(shù)，日本東芝、三菱以及臺(tái)灣地區(qū)的功率半導(dǎo)體廠商主要產(chǎn)品集中于8英寸領(lǐng)域。近三年來(lái)，中國(guó)大陸不斷有8寸、12寸先進(jìn)制程的晶圓廠建成并投產(chǎn)，未來(lái)8英寸、12英寸大尺寸晶圓片將成為MOSFET的主要原材料。16機(jī)遇與挑戰(zhàn)FROMBAIDUWENKUCHAPTER17競(jìng)爭(zhēng)格局FROMBAIDUWENKUCHAPTER競(jìng)爭(zhēng)格局2018年，全球MOSFET出貨量高達(dá)80億美元，其中中國(guó)占據(jù)40%-50%的市場(chǎng)份額。政策與成本因素使眾多國(guó)際知名MOSFET廠商紛紛選擇在華設(shè)廠，同時(shí)政府高度重視中國(guó)半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。自“十一五”起，政府出臺(tái)多項(xiàng)鼓勵(lì)政策大力扶持包括分立器件在內(nèi)的民族半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。十幾年技術(shù)積累使國(guó)產(chǎn)MOSFET產(chǎn)品性能趨于穩(wěn)定，下游電子、通訊、新能源、汽車(chē)等行業(yè)的技術(shù)更迭反向驅(qū)動(dòng)上游MOSFET行業(yè)產(chǎn)品發(fā)展。中國(guó)的MOSFET行業(yè)已經(jīng)在國(guó)際市場(chǎng)占有重要地位并保持著持續(xù)、快速、穩(wěn)定的發(fā)展