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2024年車規(guī)級IGBT行業(yè)市場分析報告匯報人:XXX日期:XXX1contents目錄行業(yè)發(fā)展概述行業(yè)環(huán)境分析行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)格局及趨勢12342Part01行業(yè)發(fā)展概述行業(yè)定義行業(yè)發(fā)展歷程行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈3行業(yè)定義IGBT——電力電子行業(yè)里的“CPU”。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。IGBT作為工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件,廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等眾多領(lǐng)域。它能夠根據(jù)信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等,以實現(xiàn)精準調(diào)控的目的。車規(guī)級IGBT是指用于新能源汽車的IGBT產(chǎn)品。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導體器件,常用于電力電子應用中。車規(guī)級IGBT特指適用于汽車電子領(lǐng)域的IGBT產(chǎn)品。按照集成程度可分為單模塊IGBT、多模塊IGBT;根據(jù)額定電壓可分成抵押車軌跡IGBT、高壓車規(guī)級IGBT;根據(jù)最大工作溫度可分為低溫車規(guī)級IGBT、高溫車規(guī)級IGBT;根據(jù)最大電流可分為小電流車規(guī)級IGBT、大電流車規(guī)級IGBT等。4行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈車規(guī)級IGBT行業(yè)上游為半導體設備、封裝材料、EDA軟件等。上游行業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要,直接影響車規(guī)級IGBT業(yè)原料的供給數(shù)量和質(zhì)量。行業(yè)下游面向新能源汽車,下游的銷售既是中游的車規(guī)級IGBT業(yè)產(chǎn)品的流通端也是行業(yè)企業(yè)品牌影響力的作用端,過硬的產(chǎn)品質(zhì)量和完善的銷售網(wǎng)絡是企業(yè)核心競爭力所在。產(chǎn)業(yè)鏈概述5Part02行業(yè)環(huán)境分析行業(yè)政治環(huán)境行業(yè)經(jīng)濟環(huán)境行業(yè)社會環(huán)境行業(yè)驅(qū)動因素6行業(yè)政治環(huán)境近年來為了推動功率半導體行業(yè)尤其是IGBT產(chǎn)業(yè)健康快速發(fā)展,國家相關(guān)部門不僅制定了相關(guān)的一系列政策措施,還不斷加大扶持力度。其中,IGBT曾被劃為02專項重點扶持項目實施長達15年并于2021年成功收官。同時,IGBT國產(chǎn)化還是國家十四五規(guī)劃中關(guān)鍵半導體器件的發(fā)展重點之一。來自市場需求持續(xù)增長和國家大量投入資金的雙重刺激,不僅吸引了一批擁有豐富IGBT經(jīng)驗的海外華人歸國,也給包括斯達半導、比亞迪、中車時代電氣等在內(nèi)的企業(yè)提供了掌握IGBT核心技術(shù)的機會,進一步推進IGBT國產(chǎn)化進程,早日擺脫IGBT產(chǎn)品進口依賴這一現(xiàn)狀。7Part03行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)痛點8行業(yè)現(xiàn)狀從2015年到2022年,中國車規(guī)級IGBT行業(yè)的市場規(guī)模呈現(xiàn)快速增長的趨勢。在此期間,市場規(guī)模從92億元增長到近724億元,增長了超過十倍。車規(guī)級IGBT市場的需求持續(xù)增加,且增速較為穩(wěn)定。從數(shù)據(jù)中可以看出,純電動和混動車規(guī)級IGBT市場都呈現(xiàn)了顯著增長。純電動車規(guī)級IGBT市場規(guī)模從2015年的44億元增長到2022年的近63億元,增長了超過十倍?;靹榆囈?guī)級IGBT市場規(guī)模也從2015年的48億元增長到2022年的近194億元,增長了近九倍。這表明純電動汽車市場的蓬勃發(fā)展是驅(qū)動車規(guī)級IGBT市場快速增長的主要因素之一。9行業(yè)痛點技術(shù)壁壘車規(guī)級IGBT作為高端制造領(lǐng)域的關(guān)鍵元器件,其技術(shù)含量較高,涉及多個學科領(lǐng)域,如電力電子、材料科學、機械制造等。目前,雖然中國在車規(guī)級IGBT領(lǐng)域取得了一定的技術(shù)突破,但與國際領(lǐng)先企業(yè)相比,仍存在一定差距。這主要體現(xiàn)在產(chǎn)品性能、穩(wěn)定性、可靠性等方面。由于技術(shù)壁壘的存在,中國車規(guī)級IGBT行業(yè)在高端市場上面臨著較大的競爭壓力。原材料和設備依賴進口車規(guī)級IGBT的制造需要高純度硅材料、特殊氣體等原材料和先進的生產(chǎn)設備。目前,這些關(guān)鍵原材料和設備主要依賴進口,這使得中國車規(guī)級IGBT行業(yè)的生產(chǎn)成本較高,同時也制約了行業(yè)的自主創(chuàng)新能力和市場競爭力。人才短缺車規(guī)級IGBT行業(yè)的發(fā)展需要大量高素質(zhì)的專業(yè)人才,如芯片設計、工藝制程、可靠性測試等方面的人才。然而,目前中國在高端人才儲備方面相對不足,尤其是具備豐富經(jīng)驗和專業(yè)技能的高端人才短缺。這制約了中國車規(guī)級IGBT行業(yè)的快速發(fā)展,也不利于提升企業(yè)的研發(fā)實力和技術(shù)水平。10123行業(yè)壁壘行業(yè)壁壘技術(shù)壁壘:車規(guī)級IGBT行業(yè)是技術(shù)密集的行業(yè),其產(chǎn)品研發(fā)、設計、制造涉及半導體技術(shù)、電力技術(shù)、微電子技術(shù)等。產(chǎn)品的生產(chǎn)需要全面掌握擴散、芯片制造、封裝、測試等技術(shù),必須具備強大的整體技術(shù)實力、完備的質(zhì)量體系、完整的工藝裝備和檢測試驗手段,其工藝設計和工藝過程控制的要求非常高。另外,行業(yè)非標設備很多,需要專門定制、自制,或?qū)藴试O備進行專業(yè)的改造,其工藝方法也大多不通用,掌握難度很大。人才壁壘:車規(guī)級IGBT企業(yè)生產(chǎn)規(guī)模的不斷擴大,以及客戶對車規(guī)級IGBT的經(jīng)濟效益需求的不斷提高,都促使企業(yè)需要不斷增強其對新產(chǎn)品、新技術(shù)的研發(fā)力度,增強企業(yè)的市場競爭力。由于車規(guī)級IGBT行業(yè)綜合性強,專業(yè)人才不僅需要具備一定的技術(shù)水平和研發(fā)能力,還要具備豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗來對下游客戶進行技術(shù)指導和培訓。目前,國內(nèi)具有上述背景的專業(yè)人才較為緊缺,將對新進入者形成一定的障礙。品牌壁壘:隨著車規(guī)級IGBT行業(yè)的不斷發(fā)展,行業(yè)競爭也由原來單一的價格競爭模式,轉(zhuǎn)向以品質(zhì)和服務為核心的品牌競爭模式。行業(yè)新進入者,從品牌創(chuàng)立到品牌被認可需要較長的時間。因此,車規(guī)級IGBT行業(yè)具有品牌壁壘。行業(yè)壁壘隨著車規(guī)級IGBT行業(yè)的不斷發(fā)展,行業(yè)競爭也由原來單一的價格競爭模式,轉(zhuǎn)向以品質(zhì)和服務為核心的品牌競爭模式。行業(yè)新進入者,從品牌創(chuàng)立到品牌被認可需要較長的時間。因此,車規(guī)級IGBT行業(yè)具有品牌壁壘。車規(guī)級IGBT企業(yè)生產(chǎn)規(guī)模的不斷擴大,以及客戶對車規(guī)級IGBT的經(jīng)濟效益需求的不斷提高,都促使企業(yè)需要不斷增強其對新產(chǎn)品、新技術(shù)的研發(fā)力度,增強企業(yè)的市場競爭力。由于車規(guī)級IGBT行業(yè)綜合性強,專業(yè)人才不僅需要具備一定的技術(shù)水平和研發(fā)能力,還要具備豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗來對下游客戶進行技術(shù)指導和培訓。目前,國內(nèi)具有上述背景的專業(yè)人才較為緊缺,將對新進入者形成一定的障礙。品牌壁壘人才壁壘技術(shù)壁壘車規(guī)級IGBT行業(yè)是技術(shù)密集的行業(yè),其產(chǎn)品研發(fā)、設計、制造涉及半導體技術(shù)、電力技術(shù)、微電子技術(shù)等。產(chǎn)品的生產(chǎn)需要全面掌握擴散、芯片制造、封裝、測試等技術(shù),必須具備強大的整體技術(shù)實力、完備的質(zhì)量體系、完整的工藝裝備和檢測試驗手段,其工藝設計和工藝過程控制的要求非常高。另外,行業(yè)非標設備很多,需要專門定制、自制,或?qū)藴试O備進行專業(yè)的改造,其工藝方法也大多不通用,掌握難度很大。流通環(huán)節(jié)有待完善車規(guī)級IGBT產(chǎn)品種類繁多,消費數(shù)量較大,質(zhì)量參差不齊,試劑流通管理難以完善,導致車規(guī)級IGBT行業(yè)目前在流通領(lǐng)域還面臨許多問題。(1)在產(chǎn)品的流通中,許多環(huán)節(jié)缺少安全的冷鏈和冷庫設施供應。在目前運輸多為汽車和鐵路運輸?shù)那闆r下,車規(guī)級IGBT行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)普遍采用運輸箱內(nèi)置冰凍袋的冷藏方式,在高溫天氣或長距離運輸?shù)那闆r下無法確保運輸溫度的穩(wěn)定,影響試劑的安全性。(2)監(jiān)管人員技術(shù)水平有待提高。車規(guī)級IGBT產(chǎn)品是一種高技術(shù)含量的產(chǎn)品,產(chǎn)品研發(fā)涉及生物學、信息技術(shù)、電子技術(shù)、工程學等多項學科,而目前從事車規(guī)級IGBT行業(yè)的人員50%以上是工商、質(zhì)檢管理等專業(yè)背景的人員,缺少必要的專業(yè)技術(shù)知識。知識背景的不匹配使得管理流程漏洞頻發(fā),車規(guī)級IGBT行業(yè)整體監(jiān)管水平有待提高。(3)中間環(huán)節(jié)加價嚴重。出于安全的考慮,國家對車規(guī)級IGBT行業(yè)進出口標準與流程嚴格把控,環(huán)節(jié)復雜,中間環(huán)節(jié)加價嚴重,代理公司的介入可能使產(chǎn)品出廠價格上漲至少一倍以上,導致產(chǎn)品市場競爭力下降,阻礙本土車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)的國際化進程。流通環(huán)節(jié)問題中間環(huán)節(jié)加價嚴重供應鏈質(zhì)量監(jiān)管Part04行業(yè)競爭格局及趨勢行業(yè)發(fā)展趨勢行業(yè)競爭格局行業(yè)代表企業(yè)14&&&行業(yè)競爭格局概述行業(yè)競爭格局概述中國政府正大力推動社會資本進入車規(guī)級IGBT行業(yè),對車規(guī)級IGBT行業(yè)產(chǎn)品需求被迅速拉動,需求量呈現(xiàn)上升趨勢,車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)進軍國民經(jīng)濟大產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略窗口期已經(jīng)來臨。車規(guī)級IGBT行業(yè)各業(yè)態(tài)企業(yè)競爭激烈,當前,市場上50%以上的車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)有外資介入,包括中外獨(合)資、臺港澳與境內(nèi)合資、外商獨資等,純內(nèi)資本土車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)數(shù)目較少,約占車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)總數(shù)的25%。此外,商業(yè)銀行逐步進入車規(guī)級IGBT行業(yè),興業(yè)銀行、中心銀行、民生銀行等先后成立金融公司,涉足設備融資租賃業(yè)務。中國本土車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)根據(jù)租賃公司股東背景及運營機制的不同又可以劃分為廠商系、獨立系和銀行系三類三類車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)各有優(yōu)劣勢:(1)車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)具有設備技術(shù)優(yōu)勢,主要與母公司設備銷售聯(lián)動,以設備、耗材的銷售利潤覆蓋融資租賃成本;(2)獨立系車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化程度高,易形成差異化商業(yè)模式,提供專業(yè)化的融資租賃服務;(3)銀行系車規(guī)級IGBT行業(yè)企業(yè)背靠銀行股東,能夠以較低成本獲取資金,且在渠道體系等方面具備一定優(yōu)勢。行業(yè)競爭格局車規(guī)級IGBT壁壘極高,除了對產(chǎn)品的可靠性、安全性、穩(wěn)定性等方面有嚴苛的要求,下游企業(yè)的測試認證周期較長,導入時間通常需1-2年以上。品牌和口碑的背書有利于公司持續(xù)開拓導入更多客戶,鞏固其龍頭地位并占據(jù)更多市場份額,提高潛在競爭對手進入該行業(yè)的壁壘,從而形成正向循環(huán)。目前行業(yè)中主要本土企業(yè)為東風汽車集團有限公司、江蘇宏微科技股份有限公司、吉林華微電子股份有限公司、斯達半導體股份有限公司等。2022年斯達半導公司生產(chǎn)的應用于主電機控制器的車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量,合計配套超過120萬輛新能源汽車,其中A級及以上車型超過60萬輛,同時公司在車用空調(diào),充電樁,電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。2022年公司車規(guī)級產(chǎn)品在海外市場取得進一步突破。公司車規(guī)級IGBT模塊獲得多家國際一線品牌Tier1定點;公司車規(guī)級SiC模塊開始在海外市場小批量供貨。此外,搭載公司車規(guī)級IGBT模塊的車型已遠銷歐洲、東南亞、南美等地區(qū)。公司年報顯示,2022年斯達半導體收入為225億元。16行業(yè)發(fā)展趨勢與硅基半導體相比,碳化硅具有高性能、低損耗和低成本等優(yōu)勢。其高性能包括功率密度高、耐高溫、高壓、高頻和高速等特點。由于功率密度高,設備可以做得更小,而高頻特性使得電容和電感體積要求減少,從而降低了系統(tǒng)尺寸

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